JP2008205360A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】左側の噴出管7からは純水の供給が停止され、右側の噴出管7のみから純水が供給される。これにより、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Wから剥離されて純水中に漂うパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Wにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Wを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Wに飛沫が付着することを防止でき、基板Wの乾燥不良を防止することができる。
【選択図】図3
Description
すなわち、従来の装置は、アップフローで供給された純水が、処理槽の中央部を上昇して液面近くで左右に分かれ、処理槽の上縁の左右に分かれて溢れる。一方、ノズルから供給されるドライエアは、一方側から他方側へと一方向へのみ供給されている関係上、溢れる純水の流れに逆らう部分が生じる。そのため、ドライエアの流れと純水の流れが反対となる部分において純水の流れに澱みが生じ、純水中のパーティクルの排出効率が低下するので、引き上げてゆく基板がパーティクルで汚染されるという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
制御部47は、流量制御弁10,11を同じ流量に設定して開放し、一対の噴出管7から同じ流量で処理液として純水を処理総1内へ供給させる。すると、純水は、処理槽1の底部両端部から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽1から溢れ出る(図2)。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Wに対して純水による洗浄処理が行われる。
制御部47は、流量制御弁11の流量をゼロに設定する。これにより、左側の噴出管7からは純水の供給が停止され、右側の噴出管7のみから純水が供給される。したがって、純水は、処理槽1の底部右側から底部に沿って左側の噴出管7側へ向かった後、処理槽1の側壁に沿って上昇し、液面付近を排出部25側へ向かって流れた後に処理槽1の上縁から溢れて排出される(図3)。この状態で、制御部47は、供給部23の噴射口27からドライエアを供給させるとともに、リフタ15を乾燥位置に向けて上昇させる。すると、純水の液面から順次に露出する基板Wにドライエアが供給され、基板Wに対する乾燥処理が行われる。
図4は、実施例2に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図5は、第2の噴出管の縦断面図である。なお、上述した実施例1と同様の構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
制御部47は、三方弁73を第1供給口67側に切り換えるとともに、流量制御弁57,75を同じ流量に設定して開放し、第1の噴出管51と第2の噴射管53とから同じ流量で処理液として純水を処理槽1内へ供給させる。第1の噴射管51からは、第1の方向へ純水が供給される。すると、純水は、処理槽1の底部両端部から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽1から溢れ出る(図6)。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Wに対して純水による洗浄処理が行われる。
制御部47は、流量制御弁57の流量をゼロに設定する。これにより、第2の噴出管53からは純水の供給が停止される。さらに、流量制御弁75を開いた状態で三方弁73を第2供給口69側に切り換える。これにより、第1の噴出管51からは、純水が第2の方向だけに供給される。したがって、純水は、処理槽1の側壁に沿って上昇し、液面付近をドライエアの排出側へ向かって流れた後に処理槽1の上縁から溢れて排出される(図7)。この状態で、制御部47は、噴射口27からドライエアを供給させるとともに、リフタ15を乾燥位置に向けて上昇させる。すると、純水の液面から順次に露出する基板Wにドライエアが供給され、基板Wに対する乾燥処理が行われる。
図9は、実施例3に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図10は、洗浄処理時を示す模式図であり、図11は、乾燥処理時を示す模式図である。なお、上述した実施例1と同等の構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
すなわち、処理槽1の上部両側壁のうち、供給部23側に、処理槽1の側壁上縁から排出部25側に向かって延出され、リフタ15及び支持されている基板Wに干渉しない長さの整流板87をさらに備えるようにしてもよい。この整流板87を設けることにより、供給部23側の液面が波立つのを防止して、液面から純水の飛沫が飛散するのを防止することができる。
1 … 処理槽
7 … 噴出管
8,9 … 供給管
10,11 … 流量制御弁
12 … チャンバ
15 … リフタ
23 … 供給部
25 … 排出部
33 … 供給配管
47 … 制御部
Claims (7)
- 処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の供給側に配設され、前記処理槽の底部中央へ処理液を供給する第1の方向と、処理槽の上方へ処理液を供給する第2の方向とを切り換え可能な第1の噴出管と、
前記第1の噴出管とは前記処理槽の底部における反対側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する第2の噴出管と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記第1の噴出管から第1の方向へ処理液を供給させるとともに、前記第2の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記第2の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記第1の噴出管から第2の方向へ処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記第1の噴出管は、縦断面円形状の筒部材と、筒部材の内部空間を二分する仕切り部材と、仕切り部材で仕切られた一方の内部空間に連通し、前記第1の方向へ処理液を供給する第1の噴出口と、仕切り部材で仕切られた他方の内部空間に連通し、前記第2の方向へ処理液を供給する第2の噴出口と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記第1の噴出管は、第1の方向へ処理液を供給する第1の筒部材と、第2の方向へ処理液を供給する第2の筒部材と、を備えて別体で構成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
前記処理槽の上部両側壁うち、前記乾燥気体供給手段の供給側に配設され、前記処理槽の液面付近にて前記乾燥気体供給手段の排出側に向けて処理液を供給する上部噴出管と、
基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記上部噴出管から処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求5に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させることに代えて、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に位置する噴出管からの処理液の供給だけを停止させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽の上部両側壁のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に、上縁から前記処理槽の中央部側に向かって延出された整流板をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
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JP2011187851A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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