JP2008205025A - 光半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】N型半導体基板10n上に形成され、リッジ形状の突出部14を有する半導体層12と、リッジ部14の両側面部にリッジ部14を埋め込むように形成された樹脂層26と、樹脂層26上に形成され、リッジ部14の上面及び樹脂層26のリッジ部14の両側の部分の上面を露出する開口部31が形成された絶縁膜30と、開口部31内に、リッジ部14の上面を覆うように形成され、リッジ部14の上部に電気的に接続されたP型電極28pと、P型電極28p上及び絶縁膜30上に形成され、P型電極28pに電気的に接続されたパッド電極32とを有している。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施形態による光半導体素子及びその製造方法について図1乃至図4を用いて説明する。図1は本実施形態による光半導体素子の構造を示す概略断面図、図2乃至図4は本実施形態による光半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第2実施形態による光半導体素子及びその製造方法について図5乃至図7を用いて説明する。図5は本実施形態による光半導体素子の構造を示す概略断面図、図6及び図7は本実施形態による光半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。なお、第1実施形態による光半導体素子及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第3実施形態による光半導体素子及びその製造方法について図8乃至図10を用いて説明する。図8は本実施形態による光半導体素子の構造を示す概略断面図、図9及び図10は本実施形態による光半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。なお、第1実施形態による光半導体素子及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第4実施形態による光半導体素子及びその製造方法について図11を用いて説明する。図11は本実施形態による光半導体素子の構造を示す概略断面図である。なお、第1実施形態による光半導体素子及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記突出部の両側面部に前記突出部を埋め込むように形成された樹脂層と、
前記樹脂層上に形成され、前記突出部の上面及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分の上面を露出する開口部が形成された第1の絶縁膜と、
前記開口部内に、前記突出部の前記上面を覆うように形成され、前記突出部の上部に電気的に接続された第1の電極と、
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の電極に電気的に接続された第2の電極と
を有することを特徴とする光半導体素子。
前記第2の電極は、前記第1の電極を覆うように形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。
前記開口部は、前記第1の絶縁膜と、前記樹脂層とに形成され、
前記第1の電極は、前記開口部の底面及び側面に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。
前記突出部の前記側面部と前記樹脂層との間に形成された第2の絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする光半導体素子。
前記第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜とはエッチング特性が異なる
ことを特徴とする光半導体素子。
前記第1の絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、
前記第2の絶縁膜は、シリコン酸化膜である
ことを特徴とする光半導体素子。
前記第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜とエッチング特性が等しい
ことを特徴とする光半導体素子。
前記第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜である
ことを特徴とする光半導体素子。
前記第1の電極は、前記突出部の前記上部と合金化されている
ことを特徴とする光半導体素子。
前記第2の電極の金属構成は、前記第1の電極の金属構成とは異なっている
ことを特徴とする光半導体素子。
前記第2の電極は、前記第1の絶縁膜と密着性が良好な金属膜を最下層に有する
ことを特徴とする光半導体素子。
前記金属膜は、Ti膜、TiW膜、Ni膜、又はCr膜である
ことを特徴とする光半導体素子。
前記樹脂層は、BCB樹脂又はポリイミド樹脂よりなる
ことを特徴とする光半導体素子。
前記半導体層上に、樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層をエッチングすることにより、前記突出部の上面を露出する工程と、
前記突出部上及び前記樹脂層上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記突出部上及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分上の第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記突出部上及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分上に、前記突出部の前記上面を覆うように、前記突出部の上部に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁膜上に、前記第1の電極に電気的に接続された第2の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。
前記半導体層を形成する工程の後、前記樹脂層を形成する工程の前に、前記半導体層上に、第2の絶縁膜を形成する工程を更に有し、
前記突出部の前記上面を露出する工程では、前記樹脂層及び前記第2の絶縁膜をエッチングすることにより、前記突出部の前記上面を露出する
ことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
前記半導体層上に、樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜及び前記樹脂層に、前記突出部及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に、前記突出部の上面を覆うように、前記突出部の上部に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁膜上に、前記第1の電極に電気的に接続された第2の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。
前記半導体層を形成する工程の後、前記樹脂層を形成する前に、前記半導体層上に、第2の絶縁膜を形成する工程を更に有し、
前記開口部を形成する工程では、前記第1の絶縁膜、前記樹脂層、及び前記第2の絶縁膜に、前記開口部を形成する
ことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
前記第2の電極を形成する工程では、前記第1の電極を覆うように前記第2の電極を形成する
ことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
10p…P型半導体基板
12…半導体層
14…リッジ部
16…下部クラッド層
18…活性層
20…上部クラッド層
22p…P型コンタクト層
22n…N型コンタクト層
24…絶縁膜
26…樹脂層
28p…P型電極
28n…N型電極
30…絶縁膜
31…開口部
32…パッド電極
34…フォトレジスト膜
36…フォトレジスト膜
38…開口部
40…フォトレジスト膜
42…溝部
100…N型半導体基板
102…半導体層
104…リッジ部
106…活性層
108…P型コンタクト層
110…パシベーション膜
112…樹脂層
114…シリコン酸化膜
116…コンタクトホール
118…P型電極
Claims (10)
- 半導体基板上に形成され、リッジ形状の突出部を有する半導体層と、
前記突出部の両側面部に前記突出部を埋め込むように形成された樹脂層と、
前記樹脂層上に形成され、前記突出部の上面及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分の上面を露出する開口部が形成された第1の絶縁膜と、
前記開口部内に、前記突出部の前記上面を覆うように形成され、前記突出部の上部に電気的に接続された第1の電極と、
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の電極に電気的に接続された第2の電極と
を有することを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1記載の光半導体素子において、
前記第2の電極は、前記第1の電極を覆うように形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1又は2記載の光半導体素子において、
前記開口部は、前記第1の絶縁膜と、前記樹脂層とに形成され、
前記第1の電極は、前記開口部の底面及び側面に形成されている
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子において、
前記突出部の前記側面部と前記樹脂層との間に形成された第2の絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項4記載の光半導体素子において、
前記第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜とはエッチング特性が異なる
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項4記載の光半導体素子において、
前記第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜とエッチング特性が等しい
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光半導体素子において、
前記第1の電極は、前記突出部の前記上部と合金化されている
ことを特徴とする光半導体素子。 - 半導体基板上に、リッジ形状の突出部を有する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に、樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層をエッチングすることにより、前記突出部の上面を露出する工程と、
前記突出部上及び前記樹脂層上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記突出部上及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分上の第1の絶縁膜を除去する工程と、
前記突出部上及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分上に、前記突出部の前記上面を覆うように、前記突出部の上部に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁膜上に、前記第1の電極に電気的に接続された第2の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 半導体基板上に、リッジ形状の突出部を有する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に、樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜及び前記樹脂層に、前記突出部及び前記樹脂層の前記突出部の両側の部分に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に、前記突出部の上面を覆うように、前記突出部の上部に電気的に接続された第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上及び前記第1の絶縁膜上に、前記第1の電極に電気的に接続された第2の電極を形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 請求項8又は9記載の光半導体素子の製造方法において、
前記第2の電極を形成する工程では、前記第1の電極を覆うように前記第2の電極を形成する
ことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278154A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 |
JP2011022281A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012123184A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光変調素子及びその製造方法 |
US8450128B2 (en) | 2010-10-19 | 2013-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing semiconductor optical device and semiconductor optical device |
JP2014219442A (ja) * | 2013-05-01 | 2014-11-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
US9280004B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-03-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor modulator and semiconductor modulator |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010046793B4 (de) | 2010-09-28 | 2024-05-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Kantenemittierende Halbleiterlaserdiode und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2013250527A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体マッハツェンダ変調器および半導体マッハツェンダ変調器の製造方法 |
JP5636604B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-12-10 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体受光素子 |
JP5942785B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-06-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を作製する方法 |
JP6236947B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2017-11-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子を製造する方法、および半導体光素子 |
JP6672721B2 (ja) * | 2015-11-09 | 2020-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザーおよびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1096568A3 (en) * | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
JP2002076522A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Nec Corp | 窒化物半導体レーザ |
JP2003347674A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP4692314B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-06-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
-
2007
- 2007-02-16 JP JP2007036645A patent/JP2008205025A/ja active Pending
-
2008
- 2008-02-15 US US12/032,250 patent/US20080197377A1/en not_active Abandoned
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278154A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 |
JP2011022281A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US8450128B2 (en) | 2010-10-19 | 2013-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing semiconductor optical device and semiconductor optical device |
JP2012123184A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光変調素子及びその製造方法 |
US9280004B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-03-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor modulator and semiconductor modulator |
JP2014219442A (ja) * | 2013-05-01 | 2014-11-20 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子の製造方法 |
Also Published As
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