JP7259530B2 - 面発光レーザ、電子装置、面発光レーザの製造方法 - Google Patents

面発光レーザ、電子装置、面発光レーザの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は面発光レーザ、電子装置、面発光レーザの製造方法に関するものである。
特許文献１には、垂直共振型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）が開示されている。ＶＣＳＥＬが形成されたチップを例えばプリント基板などに実装するチップオンボード方式を用いることがある。ＶＣＳＥＬのアノード電極およびカソード電極はプリント基板の電極に電気的に接続される。
国際公開第２０１５／０３３６４９号
ＶＣＳＥＬのアノード電極およびカソード電極の位置を、プリント基板上の電極の位置に対応させることが好ましい。すなわち、ＶＣＳＥＬのアノード電極をプリント基板のアノード電極の近傍に配置し、ＶＣＳＥＬのカソード電極をプリント基板のカソード電極の近傍に配置する。しかし、プリント基板の電極配置は様々である。したがって、プリント基板の設計に合わせて、電極の配置が異なる複数種類のＶＣＳＥＬを製造することがある。この結果、コストが上昇してしまう。そこで、コストを低減することが可能な面発光レーザ、電子装置、面発光レーザの製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る面発光レーザは、基板の上に設けられた光出射部と、前記基板の上に設けられ、前記光出射部と電気的に接続される２つの第１電極と第２電極と、を具備し、前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並ぶものである。
本発明に係る電子装置は、実装基板と、前記実装基板に実装される面発光レーザと、を具備し、前記面発光レーザは、基板の上に設けられた光出射部と、前記基板の上に設けられ、前記光出射部と電気的に接続される２つの第１電極と第２電極と、を有し、前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並び、前記実装基板は第１パッドおよび第２パッドを有し、前記第１パッドは、前記２つの第１電極のうち一方と対向し、かつ第１ボンディングワイヤを用いて電気的に接続され、前記２つの第１電極のうち他方とは電気的に接続されず、前記第２パッドは前記第２パッドと対向し、かつ第２ボンディングワイヤを用いて電気的に接続されるものである。
本発明に係る面発光レーザの製造方法は、基板の上に光出射部を形成する工程と、前記基板の上に、前記光出射部と電気的に接続される２つの第１電極および第２電極を形成する工程と、を有し、前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並ぶものである。
上記発明によれば、コストを低減することが可能である。
図１（ａ）は実施例１に係る面発光レーザを例示する平面図であり、図１（ｂ）は面発光レーザを例示する断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）は電子装置を例示する平面図である。 図３（ａ）および図３（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図６（ａ）および図６（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図７（ａ）および図７（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は面発光レーザの製造方法を例示する平面図である。 図１１は実施例１の変形例に係る面発光レーザを例示する平面図である。 図１２（ａ）は比較例１に係る面発光レーザを例示する平面図であり、図１２（ｂ）は比較例２に係る面発光レーザを例示する平面図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は実施例２に係る電子装置を例示する平面図である。
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
本願発明の一形態は、（１）基板の上に設けられた光出射部と、前記基板の上に設けられ、前記光出射部と電気的に接続される２つの第１電極と第２電極と、を具備し、前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並ぶ面発光レーザである。２つの第１電極が設けられているため、面発光レーザの向きを変えることで、第１電極と第２電極との配置を変更することができる。電極の配置が異なる複数種類の面発光レーザを製造しなくてよいため、コストの低減が可能である。
（２）前記基板は矩形の形状を有し、前記２つの第１電極は前記基板の四隅のうち２つに配置され、前記第２電極は前記四隅のうち１つに配置され、前記基板の第１の辺に沿って、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とが並び、前記第１の辺に交差する前記基板の第２の辺に沿って、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とが並んでもよい。矩形の面発光レーザを回転させることで、第１電極と第２電極との並びを変更することができる。したがって面発光レーザのコストを低減することができる。
（３）前記２つの第１電極のうち一方は前記光出射部と電気的に接続され、他方は前記光出射部に接続されないとしてもよい。２つの第１電極のうち１つが接続されないことで、寄生容量の増加を抑制することができる。
（４）前記光出射部は、前記基板の上に設けられた下部反射鏡層と、前記下部反射鏡層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた上部反射鏡層と、を含み、前記第１電極および前記第２電極は前記上部反射鏡層よりも上側に位置し、前記第１電極は前記下部反射鏡層に電気的に接続され、前記第２電極は前記上部反射鏡層に電気的に接続されてもよい。第１電極と下部反射鏡層との間で発生する寄生容量の増加を抑制することができる。
（５）実装基板と、前記実装基板に実装される面発光レーザと、を具備し、前記面発光レーザは、基板の上に設けられた光出射部と、前記基板の上に設けられ、前記光出射部と電気的に接続される２つの第１電極と第２電極と、を有し、前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並び、前記実装基板は第１パッドおよび第２パッドを有し、前記第１パッドは、前記２つの第１電極のうち一方と対向し、かつ第１ボンディングワイヤを用いて電気的に接続され、前記２つの第１電極のうち他方とは電気的に接続されず、前記第２パッドは前記第２電極と対向し、かつ第２ボンディングワイヤを用いて電気的に接続される電子装置である。第１ボンディングワイヤと第２ボンディングワイヤとを交差させずに、ワイヤボンディングが可能である。また、電子装置のコストの低減が可能である。
（６）基板の上に光出射部を形成する工程と、前記基板の上に、前記光出射部と電気的に接続される２つの第１電極および第２電極を形成する工程と、を有し、前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並ぶ面発光レーザの製造方法である。電極の配置が異なる複数種類の面発光レーザを製造しなくてよいため、コストを低減することができる。
（７）前記第１電極および前記第２電極は第１金属層および第２金属層を含み、前記第１電極および前記第２電極を形成する工程は、前記基板の上に第１レジストおよび第１マスクを順に形成し、前記第１マスクを用いて前記第１レジストをパターニングする工程と、前記第１レジストの上に前記第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層の上に第２レジストおよび第２マスクを順に形成し、前記第２マスクを用いて前記第２レジストをパターニングする工程と、前記第２レジストおよび前記第１金属層の上に前記第２金属層を形成する工程と、を含んでもよい。複数種類の面発光レーザを製造する場合に比べて、マスクの種類を少なくすることができるため、コストを低減することができる。
（８）前記光出射部に電気的に接続される第３電極および第４電極を形成する工程と、前記基板、前記第１電極および前記第２電極の上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜の上に第３レジストおよび第３マスクを順に形成し、前記第３マスクを用いて前記第３レジストをパターニングする工程と、前記第３レジストを用いて前記第１絶縁膜をエッチングすることで、前記第１絶縁膜に、前記第３電極が露出する第１開口部、および前記第４電極が露出する第２開口部を形成する工程と、を有し、前記第１絶縁膜に第１開口部および第２開口部を形成する工程の後に、前記第１電極および前記第２電極を形成する工程を行い、前記２つの第１電極のうち一方は前記第１開口部を介して前記第３電極と電気的に接続され、前記２つの第１電極のうち他方は前記第３電極と電気的に接続されず、前記第２電極は前記第２開口部を介して前記第４電極と電気的に接続されてもよい。複数種類の面発光レーザを製造する場合に比べて、マスクの種類を少なくすることができるため、コストを低減することができる。
（９）前記基板、前記第１電極および前記第２電極の上に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜の上に第４レジストおよび第４マスクを順に形成し、前記第４マスクを用いて、前記第４レジストをパターニングする工程と、前記第４レジストを用いて前記第２絶縁膜をエッチングすることで、前記第２絶縁膜に、前記第１電極が露出する第３開口部、および前記第２電極が露出する第４開口部を形成する工程と、を有してもよい。複数種類の面発光レーザを製造する場合に比べて、マスクの種類を少なくすることができるため、コストを低減することができる。
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る面発光レーザ、電子装置および面発光レーザの製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
（面発光レーザ）
図１（ａ）は実施例１に係る面発光レーザ１００を例示する平面図であり、図１（ｂ）は面発光レーザ１００を例示する断面図である。
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、面発光レーザ１００は矩形の平面形状を有し、メサ１９、パッド２８および３２を備える。図１（ａ）のＸ軸およびＹ軸は互いに直交し、面発光レーザ１００の辺はＸ軸方向またはＹ軸方向に延伸する。Ｙ軸方向に延伸する辺の１つを辺１０ａ、Ｘ軸方向に延伸する辺の１つを辺１０ｂとする。Ｄ１軸はＸＹ平面内であってＸ軸方向とＹ軸方向との間に位置し、Ｄ２軸はＤ１軸に直交する。Ｄ１軸方向およびＤ２軸方向は、面発光レーザ１００の対角線方向である。
メサ１９、２つのパッド２８（第１電極）、およびパッド３２（第２電極）は、それぞれ面発光レーザ１００の四隅に配置されている。メサ１９からＸ軸方向に２つのパッド２８のうち一方（パッド２８ａ）が位置し、Ｙ軸方向に他方（パッド２８ｂ）が位置し、対角線方向（Ｄ１軸方向）にパッド３２が位置する。パッド２８ａとパッド３２とは基板１０の辺１０ａ（第１の辺）に沿って並ぶ。パッド２８ｂとパッド３２とは辺１０ｂ（第２の辺）に沿って並ぶ。パッド２８ａとパッド２８ｂとは対角線方向（Ｄ２軸方向）において対向する。パッド２８ａおよび２８ｂは、パッド３２をＸ側およびＹ側から挟む。
メサ１９は光出射部として機能する。メサ１９の上に電極３０が設けられ、メサ１９の周囲に溝１３が設けられ、溝１３に２つの電極２６が設けられている。パッド２８ａおよび２８ｂはそれぞれ、配線２７により電極２６に電気的に接続される。パッド３２は配線３１により電極３０に電気的に接続される。パッド２８はカソード電極として機能し、パッド３２はアノード電極として機能する。パッド３２はメサ１９の化合物半導体と電気的に接続される。２つの電極２６は離間し、電気的に接続されない。２つのパッド２８および電極２６のうち、一方はメサ１９の化合物半導体と電気的に接続され、他方は接続されない。
面発光レーザ１００の一辺の長さは例えば２００μｍ、パッド２８ａ、２８ｂおよび３２の直径は例えば６０μｍであり、２つの電極２６の外縁部（外周面）間の距離は例えば７０μｍである。
図１（ｂ）に示すように、面発光レーザ１００は基板１０、下部反射鏡（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６、電極２６および２８を備えるＶＣＳＥＬである。
基板１０は例えば半絶縁性のガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成された半導体基板である。基板１０の上に下部反射鏡層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６が順に積層され、これらの半導体層はメサ１９を形成する。
下部反射鏡層１２は例えばｎ型のＡｌ０．１６Ｇａ０．８４ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓとを光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜である。なおλは光の波長である。下部反射鏡層１２には例えばシリコン（Ｓｉ）がドーピングされている。また下部反射鏡層１２は電極５０に接触する導電性のコンタクト層を含み、コンタクト層は例えばＡｌＧａＡｓで形成される。
活性層１４は例えばＡｌＧａＡｓおよびＡｌＩｎＧａＡｓで形成され、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造を有し、光学利得を有する。活性層１４と下部反射鏡層１２との間、および活性層と上部反射鏡層１６との間には不図示のクラッド層が介在する。
上部反射鏡層１６は例えばｐ型のＡｌ０．１６Ｇａ０．８４ＡｓとＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓとを光学膜厚λ／４ずつ交互に積層した半導体多層膜である。上部反射鏡層１６には例えば炭素（Ｃ）がドーピングされている。上部反射鏡層１６は電極５２に接触する導電性のコンタクト層を含み、コンタクト層は例えばＡｌＧａＡｓで形成される。
基板１０、下部反射鏡層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６は上記以外の化合物半導体で形成されてもよい。例えば基板１０はＧａＡｓ以外に、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（０≦ｘ≦０．２）などでもよく、ＧａとＡｓを含むものである。
上部反射鏡層１６の一部を選択的に酸化させることで電流狭窄層２２が形成される。電流狭窄層２２は上部反射鏡層１６の周縁部に形成され、上部反射鏡層１６の中央部には形成されない。電流狭窄層２２は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含み、絶縁性であり、酸化されない部分よりも電流が流れにくい。したがって上部反射鏡層１６の中央側である未酸化部分が電流経路となり、効率的な電流注入が可能となる。
電流狭窄層２２よりも外側であって、メサ１９の周縁部には高抵抗領域２０が形成されている。高抵抗領域２０は上部反射鏡層１６、活性層１４および下部反射鏡層１２の上側の一部にわたっており、例えばプロトンなどのイオンを注入することで形成される。溝１３は高抵抗領域２０を厚さ方向に貫通し、下部反射鏡層１２に達し、メサ１９を囲む。溝１１は溝１３および高抵抗領域２０よりも外側に位置し、これらを囲み、厚さ方向において基板１０に達する。
絶縁膜１５は例えば厚さ４０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜であり、溝１１の底面、高抵抗領域２０の表面およびメサ１９の表面を覆う。絶縁膜１７は例えばＳｉＮ膜であり、絶縁膜１５を覆う。絶縁膜８０は例えばＳｉＮ膜であり、絶縁膜１７を覆う。絶縁膜１５および１７は活性層１４が出射する光を反射する反射膜として機能し、厚さおよび屈折率は反射率が高まるように定める。
電極５０は、例えば金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）とニッケル（Ｎｉ）との積層構造を有するｎ型電極であり、溝１３の内側であって下部反射鏡層１２の表面に設けられている。電極５２は、例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）およびＡｕの積層構造を有するｐ型電極であり、メサ１９の上であって上部反射鏡層１６の表面に設けられている。電極５０および５２はオーミック電極である。パッド２８および３２は、上部反射鏡層１６よりも上側に位置する。電極２６、配線２７、およびパッド２８は絶縁膜１７の開口部を通じて、電極５０および下部反射鏡層１２と電気的に接続される。電極３０、配線３１、およびパッド３２は電極５２および上部反射鏡層１６と電気的に接続される。電極２６および３０、配線２７および３１、パッド２８および３２は、後述のようにシードメタルおよびメッキ層を含む。
（電子装置）
図２（ａ）および図２（ｂ）は電子装置を例示する平面図である。図２（ａ）に示す電子装置１１０および図２（ｂ）に示す電子装置１１２は、プリント基板４０と、プリント基板４０上に実装される面発光レーザ１００とを有する。プリント基板４０の表面にはパッド４２ａおよび４２ｂ（第１パッドおよび第２パッド）が設けられている。図２（ａ）の電子装置１１０における面発光レーザ１００の向き、パッド４２ａおよび４２ｂの位置は、図２（ｂ）の電子装置１１２における面発光レーザ１００の向きおよびパッドの位置とは異なる。
図２（ａ）に示すように、電子装置１１０のプリント基板４０では、図の右から左（－Ｘ側から＋Ｘ側）にかけて、カソード電極であるパッド４２ｂとアノード電極であるパッド４２ａとが順に並ぶ。面発光レーザ１００の辺１０ｂがパッド４２ａおよび４２ｂに対向するように、面発光レーザ１００をプリント基板４０上に搭載する。プリント基板４０のパッド４２ｂと、面発光レーザ１００のカソード電極であるパッド２８ｂとはＹ軸方向に対向し、ボンディングワイヤ４３ｂ（第１ボンディングワイヤ）により電気的に接続される。パッド４２ａと、面発光レーザ１００のアノード電極であるパッド３２とはＹ軸方向に対向し、ボンディングワイヤ４３ａ（第２ボンディングワイヤ）により電気的に接続される。
図２（ｂ）に示すように、電子装置１１２のプリント基板４０では、図の右から左（＋Ｙ側から－Ｙ側）にかけて、パッド４２ａとパッド４２ｂとが順に並ぶ。また、電子装置１１０に比べて面発光レーザ１００をＸＹ平面内において左に９０°回転させている。つまり、面発光レーザ１００の辺１０ａがパッド４２ａおよび４２ｂに対向するように、面発光レーザ１００をプリント基板４０上に搭載する。パッド４２ｂとパッド２８ａとはＹ軸方向に対向し、ボンディングワイヤ４３ｂにより電気的に接続される。パッド４２ａとパッド３２とはＹ軸方向に対向し、ボンディングワイヤ４３ａにより電気的に接続される。
以上のように、プリント基板４０上のパッドの配置に合わせて、面発光レーザ１００の向きを変える。これにより、アノード電極であるパッド３２とパッド４２ａとを対向させ、カソード電極であるパッド２８ａまたは２８ｂとパッド４２ｂとを対向させることができる。この結果、ボンディングワイヤ４３ａおよび４３ｂを交差させず、パッド間の接続が可能である。
（製造方法）
図３（ａ）から図９（ｂ）は面発光レーザ１００の製造方法を例示する平面図である。図３（ａ）に示すように、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法または分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法などにより基板１０上に下部反射鏡層１２、活性層１４および上部反射鏡層１６を順にエピタキシャル成長する。下部反射鏡層１２は電流狭窄層２２形成のためのＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ層（０．９≦ｘ≦１．０）を含む。
イオン注入を行うことで高抵抗領域２０を形成する。例えば厚さ１０μｍ以上、１５μｍ以下のフォトレジストをスピン塗布し、フォトリソグラフィによりレジストパターニングを行い、メサ１９となる部分をフォトレジストで保護する。例えばプロトン（Ｈ＋）などのイオンを注入することで、図１（ｂ）に示した高抵抗領域２０を形成する。イオン注入後、有機溶媒および酸素プラズマなどによるアッシングを行い、フォトレジストを除去する。
図３（ｂ）に示すように、例えば誘電結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ－ＲＩＥ）装置を用いて高抵抗領域２０のドライエッチングを行い、メサ１９を形成する。このとき高抵抗領域２０には下部反射鏡層１２まで達する溝１３が形成され、エッチングしない部分は不図示のフォトレジストで保護する。エッチングガスとして例えばＢＣｌ３ガス、またはＢＣｌ３とＣｌ２との混合ガスを用いる。エッチング条件の例を以下に示す。
ＢＣｌ３／Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ
（またはＢＣｌ３／Ｃｌ２／Ａｒ＝２０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ）
ＩＣＰパワー：５０Ｗ～１０００Ｗ
バイアスパワー：５０Ｗ～５００Ｗ
ウェハの温度：２５℃以下
メサ１９の形成後、例えば水蒸気雰囲気中で４００℃程度に加熱することで、上部反射鏡層１６の一部を端部側から酸化し、電流狭窄層２２を形成する。電流狭窄層２２が所定の幅に達し、電流狭窄層２２の間に所定の幅の未酸化部分が残るように加熱時間を定める。
さらに、高抵抗領域２０、下部反射鏡層１２および基板１０の一部をドライエッチングすることで溝１１を形成する。溝１１は、ウェハ内の複数の基板１０の間に位置し、スクライブラインに重なる。溝１１は例えば７μｍの深さを有し、高抵抗領域２０および下部反射鏡層１２を貫通する。溝１１により、複数の面発光レーザ１００間が電気的に分離される。エッチングにより露出する基板１０の面が溝１１の底面となる。このときメサ１９および溝１３などエッチングしない部分は不図示のフォトレジストで覆う。エッチングの条件を以下に示す。
ＢＣｌ３／Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ
（またはＢＣｌ３／Ｃｌ２／Ａｒ＝２０ｓｃｃｍ／１０ｓｃｃｍ／７０ｓｃｃｍ）
ＩＣＰパワー：５０Ｗ～１０００Ｗ
バイアスパワー：５０Ｗ～５００Ｗ
ウェハの温度：２５℃以下
図４（ａ）に示すように、例えばプラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）により、ウェハを覆う絶縁膜１５を形成する。絶縁膜１５は例えばＳｉＮ膜であり、さらにＳｉＯＮ膜またはＳｉＯ２膜を含んでもよい。絶縁膜１５が面発光レーザ１００の出射光に対して反射膜として機能するように、材料および厚さを調節する。絶縁膜１５上にレジストパターンを形成し、真空蒸着法により、溝１３の内側に電極５０（第３電極）を形成し、メサ１９の上に電極５２（第４電極）を形成する。電極５０は、例えばメサ１９を囲むリング状の電極である。電極の形成後に例えば４００℃程度の温度で１分間の熱処理を行うことで、電極と半導体との間でオーミック接触をとる。電極５０は下部反射鏡層１２と電気的に接続され、電極５２は上部反射鏡層１６と電気的に接続される。
図４（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法などにより、絶縁膜１５、電極５０および５２の上に絶縁膜１７（第１絶縁膜）を形成する。絶縁膜１７は例えばＳｉＯＮ膜またはＳｉＯ２膜などである。
図５（ａ）に示すように、絶縁膜１７の上にレジスト６０（第３レジスト）を塗布し、レジスト６０の上にフォトマスク６２ａ（第３マスク）を設ける。フォトマスク６２ａは溝１３およびメサ１９に重なる開口部を有する。フォトマスク６２ａを用いたフォトリソグラフィにより、レジスト６０のパターニングを行い、開口部６１ａおよび６３を形成する。開口部６３はメサ１９に重なる。開口部６１ａは溝１３に重なり、開口部６３を基準として＋Ｘ側に位置する。
図５（ｂ）に示すように、レジスト６０のパターンを用いて絶縁膜１７をエッチングすることで、絶縁膜１７に、開口部６１ａに重なる位置に開口部１７ａ（第１開口部）を形成し、開口部６３と重なる位置に開口部１７ｃ（第２開口部）を形成する。開口部１７ｃはメサ１９上に位置し、電極５２が開口部１７ｃから露出する。開口部１７ａは開口部１７ｃから＋Ｘ側であって溝１３内に位置し、電極５０が開口部１７ａから露出する。レジスト６０は除去する。
図６（ａ）に示すように、絶縁膜１７の上にレジスト７０（第１レジスト）を塗布し、レジスト７０の上にフォトマスク７２（第１マスク）を設ける。フォトマスク７２を用いたフォトリソグラフィにより、レジスト７０のパターニングを行い、開口部７１ａ、７１ｂおよび７３を形成する。開口部７１ａは、図１（ａ）に示したパッド２８ａ、配線２７、および電極２６に対応する位置に設けられ、絶縁膜１７の開口部１７ａに重なる。開口部７１ｂはパッド２８ｂ、配線２７、および電極２６に対応する位置に設けられ、開口部１７ａに重ならない。開口部７３はパッド３２、配線３１、および電極３０に対応する位置に設けられる。図６（ｂ）に示すように、例えばスパッタリングなどにより、例えばＴｉＷのシードメタル７４（第１金属層）をウェハの表面全体に形成する。
図７（ａ）に示すように、シードメタル７４の上にレジスト７５（第２レジスト）を塗布し、レジスト７５の上にフォトマスク７６（第２マスク）を設ける。フォトマスク７６はパッド２８ａおよび２８ｂ、パッド３２、配線２７および３１、電極２６および３０が形成される位置に開口部を有する。フォトマスク７６を用いたフォトリソグラフィにより、レジスト７５のパターニングを行い、開口部７７ａ、７７ｂおよび７８を形成する。開口部７７ａは図６（ａ）に示した開口部７１ａに重なり、開口部７７ｂは開口部７１ｂに重なり、開口部７８は開口部７３に重なる。各開口部からはシードメタル７４が露出する。
図７（ｂ）に示すように、メッキ処理を行い、例えば金（Ａｕ）のメッキ層７９（第２金属層）を形成する。メッキ層７９は、レジスト７５の開口部７７ａ、７７ｂおよび７８から露出するシードメタル７４の上に形成される。メッキの後、現像液によりレジスト７５を除去する。ミリングによりシードメタル７４のうちメッキ層７９から露出する部分、およびレジスト７０を除去する。残存するシードメタル７４およびメッキ層７９の積層体が、図１（ａ）に示した電極２６および３０、配線２７および３１、パッド２８ａ、２８ｂおよび３２として機能する。
図８（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法により絶縁膜８０（第２絶縁膜）を設ける。絶縁膜８０は例えばＳｉＮまたはＳｉＯ２などの絶縁体で形成されたパッシベーション膜であり、絶縁膜１７およびメッキ層７９を覆う。
図８（ｂ）に示すように、絶縁膜８０の上にレジスト８２（第４レジスト）を塗布し、レジスト８２の上にフォトマスク８４（第４マスク）を設ける。フォトマスク８４はパッド２８ａおよびパッド３２の上に開口部を有する。また、フォトマスク８４は基板１０の溝１１には重ならない。フォトマスク８４を用いたフォトリソグラフィにより、レジスト８２に開口部８１および８３を形成する。絶縁膜８０のうち、パッド２８ａに重なる部分は開口部８１から露出し、パッド３２に重なる部分は開口部８３から露出する。また、絶縁膜８０のうち溝１１に重なる部分はレジスト８２から露出する。
図９（ａ）に示すように、レジスト８２を用いて絶縁膜８０のエッチングを行う。エッチングにより絶縁膜８０に開口部８５（第３開口部）および開口部８６（第４開口部）を形成し、かつ溝１１上の部分を除去する。パッド２８ａは開口部８５から露出し、パッド３２は開口部８６から露出し、溝１１も絶縁膜８０から露出する。パッド２８ｂ、メサ１９、配線２７および３１は絶縁膜８０に覆われる。レジスト８２を除去する。バックグラインダーまたはラッピング装置などを用いて基板１０の裏面を研磨し、ダイサーでスクライブラインに沿ってウェハを切断することで、ウェハから複数の面発光レーザ１００を形成する。
上記の工程で製造された面発光レーザ１００においては、パッド２８ａは図５（ｂ）に示した開口部１７ａを通じて電極５０およびメサ１９に電気的に接続される。したがって、面発光レーザ１００を図２（ｂ）に示す電子装置１１２に使用し、パッド２８ａとパッド４２ｂとを電気的に接続することができる。一方、パッド２８ｂは電極５０およびメサ１９に電気的に接続されないため、図２（ａ）に示す電子装置１１０に使用することは困難である。
図２（ｂ）に示す電子装置１１０に使用可能な面発光レーザ１００を製造することもできる。図１０（ａ）および図１０（ｂ）は面発光レーザ１００の製造方法を例示する平面図である。図２（ａ）から図４（ｂ）、図６（ａ）から図９（ｂ）の工程は共通であり、図５（ａ）および図５（ｂ）に代えて図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す工程を行う。
図１０（ａ）に示すフォトマスク６２ｂは、図５（ａ）に示したフォトマスク６２ａとは異なる位置に開口部を有する。フォトマスク６２ｂを用いたフォトリソグラフィにより、レジスト６０に開口部６１ｂおよび６３を形成する。開口部６１ｂは開口部６３を基準として＋Ｙ側に位置する。図１０（ｂ）に示すように、レジスト６０のパターンを用いて絶縁膜１７をエッチングすることで、絶縁膜１７に、開口部６３に重なる開口部１７ｃおよび開口部６１ｂに重なる開口部１７ｂを形成する。開口部１７ｂは開口部１７ｃから＋Ｙ側であって溝１３内に位置し、電極５０が開口部１７ｂから露出する。
上記の工程で製造された面発光レーザ１００においては、パッド２８ｂは開口部１７ｂを通じて電極５０およびメサ１９に電気的に接続される。したがって、面発光レーザ１００を図２（ａ）に示す電子装置１１０に使用し、パッド２８ｂとパッド４２ｂとを電気的に接続することができる。
図１１は実施例１の変形例に係る面発光レーザ１０１を例示する平面図である。電極２６は１つのリングを形成し、パッド２８ａおよび２８ｂは電極２６を通じて電極５０およびメサ１９と電気的に接続される。しかし、パッド２８ａおよび２８ｂと、導電性の半導体層（下部反射鏡層１２など）との間に寄生容量が発生する。２つのパッドが電気的に接続されることで寄生容量が増大し、高速での変調が困難となる。したがって、実装するプリント基板４０におけるパッドの配置に応じて、パッド２８ａおよび２８ｂの一方をメサ１９に接続し、他方を浮き電極とすることが好ましい。
（比較例）
次に比較例を説明する。図１２（ａ）は比較例１に係る面発光レーザ１００Ｒを例示する平面図であり、図１２（ｂ）は比較例２に係る面発光レーザ２００Ｒを例示する平面図である。図１２（ａ）に示すように面発光レーザ１００Ｒはパッド２８ａおよびパッド３２を有し、パッド２８ｂを有さない。図１２（ｂ）に示すように面発光レーザ２００Ｒはパッド２８ｂおよびパッド３２を有し、パッド２８ａを有さない。
面発光レーザ１００Ｒを、図２（ｂ）に示したプリント基板４０に実装することができる。しかし図２（ａ）のプリント基板４０に対しては、面発光レーザ１００Ｒを、パッド２８ａがパッド４２ｂに対向し、パッド３２がパッド４２ａに対向するようにプリント基板４０に実装することは困難である。また、面発光レーザ２００Ｒを、図２（ａ）に示したプリント基板４０に実装することができる。しかし図２（ｂ）のプリント基板４０に対しては、面発光レーザ２００Ｒを、パッド２８ｂがパッド４２ｂに対向し、パッド３２がパッド４２ａに対向するようにプリント基板４０に実装することは困難である。
したがって、プリント基板４０の配置に合わせて面発光レーザ１００Ｒおよび２００Ｒの両方を製造する。しかし、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）および図８（ｂ）に対応する工程ごとに、面発光レーザ１００Ｒおよび２００Ｒに対して異なるフォトマスクを使い分ける。したがって、例えば８種類のフォトマスクを用いることになる。したがって製造のコストが上昇してしまう。
これに対し、第１実施形態によれば、パッド２８ａとパッド３２とがＹ軸方向において並び、パッド２８ｂとパッド３２とがＸ軸方向において並ぶ。このため、面発光レーザ１００の向きを変えることで、パッドの配置を変更することができる。パッドの配置が異なる複数種類の面発光レーザを製造しなくてよいため、コストの低減が可能である。
より具体的には、図６（ａ）、図７（ａ）および図８（ｂ）それぞれにおいてフォトマスクは１種類でよい。図８（ｂ）では２つのパッドに対応する開口部を有するフォトマスク８４を用いる。フォトマスク８４を回転させることで、レジスト８２のうちパッド２８ａおよび２８ｂのいずれかに対応した部分を開口することができる。図５（ａ）および図１０（ａ）の例を作り分けるために２種類のフォトマスクを用いる。したがって例えば５種類のフォトマスクを用いればよく、比較例に比べてフォトマスクの種類を少なくすることができる。したがって製造のコストを低減することができる。
図１（ａ）に示すように、基板１０が矩形であり、基板１０の四隅にメサ１９、パッド２８ａ、２８ｂおよび３２が配置される。基板１０の辺１０ａに沿ってパッド２８ａとパッド３２とが並び、辺１０ｂに沿ってパッド２８ｂとパッド３２とが並ぶ。面発光レーザ１００を９０°回転させ、辺１０ａおよび１０ｂのいずれかをプリント基板４０のパッドに対向させることで、面発光レーザ１００の実装が可能である。
例えば図２（ａ）の例では、面発光レーザ１００の辺１０ｂをパッド４２ａおよび４２ｂに対向させる。これによりパッド４２ｂとパッド２８ｂとが対向し、パッド４２ａとパッド３２とが対向する。図２（ｂ）の例では、面発光レーザ１００の辺１０ａをパッド４２ａおよび４２ｂに対向させる。これによりパッド４２ｂとパッド２８ａとが対向し、パッド４２ａとパッド３２とが対向する。したがって、ボンディングワイヤ４３ａおよび４３ｂを交差させずに、パッド間をワイヤボンディングすることができる。また、プリント基板４０のパッドの配置に応じた複数種類の面発光レーザ１００を低コストで製造することができる。したがって電子装置のコストを低減することができる。
図１０の例のように、２つのパッド２８ａおよび２８ｂの両方がメサ１９に接続されてもよい。ただし、２つのパッド２８ａおよび２８ｂの一方はメサ１９と電気的に接続され、他方は電気的に接続されないことが好ましい。これにより、寄生容量の増加を抑制することができ、高速での変調が可能となる。
メサ１９は、下部反射鏡層１２、活性層１４、上部反射鏡層１６を含む。パッド２８ａおよび２８ｂのいずれか一方が、図１（ａ）に示す配線２７、電極２６、図４（ａ）に示す電極５０を通じて下部反射鏡層１２に接続される。パッド３２は、図１（ａ）に示す配線３１、電極３０、図４（ａ）に示す電極５２を通じて上部反射鏡層１６に接続される。パッドから電気信号を入力することで、メサ１９から光を出射することができる。またパッド２８ａおよび２８ｂの他方は下部反射鏡層１２に接続されないため、寄生容量の増加を抑制することができる。
図５（ａ）に示すようにフォトマスク６２ａを用いてレジスト６０に開口部６１ａおよび６３を形成し、図５（ｂ）に示すように絶縁膜１７に開口部１７ａおよび１７ｃを形成する。パッド２８ａは開口部１７ａを通じて電極５０および下部反射鏡層１２と電気的に接続され、パッド２８ｂは接続されない。したがって寄生容量の増加を抑制することができる。また、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、開口部の位置が異なるフォトマスク６２ｂを用いることで、パッド２８ｂが下部反射鏡層１２に接続され、パッド２８ａが接続されない。これらの例を含めてもフォトマスクは５種類でよく、比較例１および２の８種類に比べて少ない。したがってコストを低減することができる。
パッド２８ａおよび２８ｂのうち電極５０に接続される側は特性検査などに使用され、プローブが接触する。パッド２８ａおよび２８ｂのうち他方にはプローブが接触しないため、プローブの痕が付きにくい。例えば画像認識などによる外観検査では、プローブ痕のない側のパッドを基準とすることで、簡潔かつ精度の高い検査が可能である。また、画像認識による位置合わせにおいてもプローブ痕のない側のパッドを用いることが好ましい。
なお、基板１０は矩形以外の形状を有してもよい。パッド２８ａ、２８ｂおよび３２、メサ１９は四隅以外の場所に位置してもよい。図１（ａ）の例ではパッド２８ａとパッド３２とが並ぶ方向と、パッド２８ｂとパッド３２とが並ぶ方向は直交しているが、これらの方向は交差していればよい。また、発光素子以外に受光素子に実施例１を適用してもよい。
実施例２では、複数の面発光レーザ１００を含むアレイチップを用いる。図１３（ａ）および図１３（ｂ）は実施例２に係る電子装置を例示する平面図である。図１３（ａ）に示す電子装置２００はプリント基板９０、パッド９２ａおよび９２ｂ、制御ＩＣ（集積回路、Integrated Circuit）９４、およびアレイチップ１２０を有する。複数のパッド９２ａおよび９２ｂはプリント基板９０の表面に設けられ、制御ＩＣ９４およびアレイチップ１２０はプリント基板９０の表面に実装される。なお、プリント基板９０には、アレイチップ１２０の出射光が入射するレンズアレイおよびミラー、および制御ＩＣ９４およびアレイチップ１２０を覆う筐体を設けてもよい。
パッド９２ａはアノード電極であり、パッド９２ｂはカソード電極である。パッド９２ｂとパッド９２ａとは順に、－Ｘ側から＋Ｘ側にかけてＸ軸方向に沿って交互に配置されている。制御ＩＣ９４は複数のパッド９２ａおよび９２ｂと電気的に接続されている。
アレイチップ１２０は複数の面発光レーザ１００を含む。複数の面発光レーザ１００は、Ｘ軸方向に沿って一列に連結されている。アレイチップ１２０内において、面発光レーザ１００のメサ１９およびパッド２８ｂは、隣の面発光レーザ１００のパッド２８ａおよび３２に隣接する。パッド２８ｂおよび３２は順に、－Ｘ側から＋Ｘ側にかけてＸ軸方向に沿って交互に並び、Ｙ軸方向において制御ＩＣ９４、パッド９２ａおよび９２ｂに対向する。
アレイチップ１２０のパッド３２と、プリント基板９０のパッド９２ａとはボンディングワイヤ９１ａにより電気的に接続されている。アレイチップ１２０のパッド２８ｂと、プリント基板９０のパッド９２ｂとはボンディングワイヤ９１ｂにより電気的に接続されている。電子装置２００においては、アノード電極であるパッド３２とパッド９２ａとを対向させ、カソード電極であるパッド２８ｂとパッド９２ｂとを対向させる。この結果、ボンディングワイヤ９１ａおよび９１ｂを交差させず、パッド間の接続が可能である。
図１３（ｂ）に示す電子装置２１０はプリント基板９０、パッド９２ａおよび９２ｂ、制御ＩＣ９４、およびアレイチップ１２２を有する。プリント基板９０におけるパッドの配列の順番は電子装置２００とは反対である。パッド９２ａとパッド９２ｂとは順に、＋Ｙ側から－Ｙ側にかけてＹ軸方向に沿って交互に配置されている。
アレイチップ１２２は複数の面発光レーザ１００を含む。アレイチップ１２２における面発光レーザ１００は、アレイチップ１２０の面発光レーザ１００に比べて９０°左に回転している。つまり、面発光レーザ１００のメサ１９およびパッド２８ａは、隣の面発光レーザ１００のパッド２８ｂおよび３２に隣接する。パッド３２および２８ａは順に、＋Ｙ側から－Ｙ側にかけてＹ軸方向に沿って交互に並び、Ｘ軸方向において制御ＩＣ９４、パッド９２ａおよび９２ｂに対向する。アレイチップ１２２のパッド３２と、プリント基板９０のパッド９２ａとはボンディングワイヤ９１ａにより電気的に接続されている。アレイチップ１２２のパッド２８ａと、プリント基板９０のパッド９２ｂとはボンディングワイヤ９１ｂにより電気的に接続されている。ボンディングワイヤ９１ａおよび９１ｂを交差させず、パッド間の接続が可能である。
実施例２によれば、プリント基板９０のパッドの配置に応じた複数種類のアレイチップを低コストで製造することができる。したがって電子装置のコストを低減することができる。また、ボンディングワイヤ同士の干渉が抑制されるため、ワイヤボンディングが容易であり、コストを低減することができる。
アレイチップ１２０および１２２は、図９（ａ）に示した工程の後、複数の面発光レーザ１００が連結するようにウェハを切断することで取得することができる。アレイチップ１２０および１２２に含まれる面発光レーザ１００の数は複数であり、４つ未満でもよいし、４つ以上でもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 基板
１０ａ、１０ｂ 辺
１１、１３ 溝
１２ 下部反射鏡層
１４ 活性層
１５、１７、８０ 絶縁膜
１６ 上部反射鏡層
１９ メサ
２０ 高抵抗領域
２８、２８ａ、２８ｂ、３２、４２ａ、４２ｂ、８２ａ、８２ｂ パッド
２６、２８、５０、５２ 電極
２７、３１ 配線
４０、９０ プリント基板
４３ａ、４３ｂ、９１ａ、９１ｂ ボンディングワイヤ
６０、７０、７５、８２ レジスト
６２ａ、６２ｂ、７２、７６、８４ フォトマスク
１７ａ、１７ｂ、６１ａ、６１ｂ、６３、７１ａ、７１ｂ、７３、７７ａ，７７ｂ，７８、８１、８３、８５、８６ 開口部
７４ シードメタル
７９ メッキ層
９４ 制御ＩＣ
１００、１０１ 面発光レーザ
１１０、１１２、２００、２１０ 電子装置
１２０、１２２ アレイチップ

Claims (8)

  1. 基板の上に設けられた光出射部と、
    前記基板の上に設けられた２つの第１電極と第２電極と、を具備し、
    前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、
    前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、
    前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、
    前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並び、
    前記第２電極は前記光出射部と電気的に接続され、
    前記２つの第１電極のうち一方は前記光出射部と電気的に接続され、他方は前記光出射部に接続されない面発光レーザ。
  2. 前記基板は矩形の形状を有し、
    前記２つの第１電極は前記基板の四隅のうち２つに配置され、
    前記第２電極は前記四隅のうち１つに配置され、
    前記基板の第１の辺に沿って、前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とが並び、
    前記第１の辺に交差する前記基板の第２の辺に沿って、前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とが並ぶ請求項１に記載の面発光レーザ。
  3. 前記光出射部は、前記基板の上に設けられた下部反射鏡層と、前記下部反射鏡層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた上部反射鏡層と、を含み、
    前記第１電極および前記第２電極は前記上部反射鏡層よりも上側に位置し、
    前記２つの第１電極のうち前記一方は前記下部反射鏡層に電気的に接続され、前記第２電極は前記上部反射鏡層に電気的に接続される請求項１または請求項２に記載の面発光レーザ。
  4. 実装基板と、
    前記実装基板に実装される面発光レーザと、を具備し、
    前記面発光レーザは、基板の上に設けられた光出射部と、
    前記基板の上に設けられ、前記光出射部と電気的に接続される２つの第１電極と第２電極と、を有し、
    前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、
    前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、
    前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、
    前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並び、
    前記実装基板は第１パッドおよび第２パッドを有し、
    前記第１パッドは、前記２つの第１電極のうち一方と対向し、かつ第１ボンディングワイヤを用いて電気的に接続され、前記２つの第１電極のうち他方とは電気的に接続されず、
    前記第２パッドは前記第２電極と対向し、かつ第２ボンディングワイヤを用いて電気的に接続される電子装置。
  5. 基板の上に光出射部を形成する工程と、
    前記基板の上に２つの第１電極および第２電極を形成する工程と、を有し、
    前記第１電極はカソード電極およびアノード電極の一方であり、
    前記第２電極はカソード電極およびアノード電極の他方であり、
    前記２つの第１電極の一方と前記第２電極とは第１の方向において並び、
    前記２つの第１電極の他方と前記第２電極とは、前記第１の方向に交差する第２の方向において並び、
    前記第２電極は前記光出射部と電気的に接続され、
    前記２つの第１電極のうち一方は前記光出射部と電気的に接続され、他方は前記光出射部に接続されない面発光レーザの製造方法。
  6. 前記第１電極および前記第２電極は第１金属層および第２金属層を含み、
    前記第１電極および前記第２電極を形成する工程は、前記基板の上に第１レジストおよび第１マスクを順に形成し、前記第１マスクを用いて前記第１レジストをパターニングする工程と、
    前記第１レジストの上に前記第１金属層を形成する工程と、
    前記第１金属層の上に第２レジストおよび第２マスクを順に形成し、前記第２マスクを用いて前記第２レジストをパターニングする工程と、
    前記第２レジストおよび前記第１金属層の上に前記第２金属層を形成する工程と、を含む請求項５に記載の面発光レーザの製造方法。
  7. 前記光出射部に電気的に接続される第３電極および第４電極を形成する工程と、
    前記基板、前記第１電極および前記第２電極の上に第１絶縁膜を形成する工程と、
    前記第１絶縁膜の上に第３レジストおよび第３マスクを順に形成し、前記第３マスクを用いて前記第３レジストをパターニングする工程と、
    前記第３レジストを用いて前記第１絶縁膜をエッチングすることで、前記第１絶縁膜に、前記第３電極が露出する第１開口部、および前記第４電極が露出する第２開口部を形成する工程と、を有し、
    前記第１絶縁膜に第１開口部および第２開口部を形成する工程の後に、前記第１電極および前記第２電極を形成する工程を行い、
    前記２つの第１電極のうち前記一方は前記第１開口部を介して前記第３電極と電気的に接続され、前記２つの第１電極のうち前記他方は前記第３電極と電気的に接続されず、
    前記第２電極は前記第２開口部を介して前記第４電極と電気的に接続される請求項５または請求項６に記載の面発光レーザの製造方法。
  8. 前記基板、前記第１電極および前記第２電極の上に第２絶縁膜を形成する工程と、
    前記第２絶縁膜の上に第４レジストおよび第４マスクを順に形成し、前記第４マスクを用いて、前記第４レジストをパターニングする工程と、
    前記第４レジストを用いて前記第２絶縁膜をエッチングすることで、前記第２絶縁膜に、前記第１電極が露出する第３開口部、および前記第２電極が露出する第４開口部を形成する工程と、を有する請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の面発光レーザの製造方法。
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