JP2008203089A - マルチチップ半導体装置およびその検査方法ならびに該マルチチップ半導体装置を組み込んだ電子機器 - Google Patents

マルチチップ半導体装置およびその検査方法ならびに該マルチチップ半導体装置を組み込んだ電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体チップ間の接続状態の検査と内蔵された半導体チップの個別の検査が可能で、外部端子の増加を抑えたマルチチップ半導体装置技術の提供。
【解決手段】マルチチップ半導体装置に実装する半導体チップ11,12は、第1および第2接続用パッドを含む複数の接続用パッド15A,15B,15C,15Dと、第1接続用パッド15A,15Cに印加された信号と、半導体チップの出力信号を入力し、テストモード信号により一方を第2接続用パッド15B,15Dに出力する切換回路21A,21Bを備え、第1接続用パッド15A、15Cは外部端子14Aおよび他の半導体チップ12の第2接続用パッド15Bに接続され、第2接続用パッド15Dは外部端子14Bに接続するようにし、各半導体チップ11,12に接続されているテストモード信号を個別に操作することにより半導体チップ毎の個別の検査と、チップ間接続(18)の状態検査を可能にした。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の半導体チップを1つのパッケージに内蔵したマルチチップ半導体装置技術に関し、特に内蔵する個々の半導体チップを個別に検査したり半導体チップ間の内部接続状態を検査することが可能で、かつ外部端子の増加を抑えることが可能なマルチチップ半導体装置、およびその検査方法ならびに該マルチチップ半導体装置を組み込んだ電子機器に関する。
LSIパッケージの小型化、薄型化、多端子化、高密度化が進む中で1つのパッケージに1つの半導体チップを実装する従来のパッケージから、1つのパッケージに複数の半導体チップを実装するマルチチップパッケージ(MCP)が注目され、既に量産されている。
1つのパッケージに複数の半導体チップを実装する場合は、図4の断面構造に示すように、半導体チップを上下に重ねて実装する方式と、図5に示すように、平面に並べて実装する方式とがある。LSIパッケージの実装面積が小さくできることから現在では図4に示す半導体チップを上下に(厚み方向に)重ねて実装する方式が主流となっている。
図4〜図5において、10は半導体装置、11は第1半導体チップ、12は第2半導体チップ、13は再配線基板、14A〜14Bは外部端子、15A〜15Dは接続用パッド、16A〜16Bは外部端子接続用パッド、17A〜17Bはワイヤー配線、18はチップ間ワイヤー配線、19はモールド封止樹脂である。なお、これらの参照符号は、本発明の説明に用いる他の図面(図1〜図3)においても同じものに対して同じ参照符号を用いている。
図4または図5のどちらの方式を採用したとしても、1つのLSIパッケージに複数の半導体チップを実装する場合、パッケージ内部で半導体チップ同士の接続が発生する。すなわち、図4および図5の第1半導体チップ11と第2半導体チップ12は、それぞれ、半導体装置10の外部端子14A、14Bに外部端子接続用パッド16A、16Bおよびワイヤー配線17A、17Bを介して接続する接続用パッド15A、15Dと、第1および第2半導体チップ11、12間をチップ間ワイヤー配線18を介して接続するための接続用パッド15B、15Cを備えている。接続用パッド15Bと15Cは半導体装置10内でチップ間ワイヤー配線18により接続されるだけで、半導体装置10の外部端子に接続されない場合がある。
このようなマルチチップパッケージ内の半導体チップ間を接続する接続用パッド15Bと15Cが確実に接続されているか否かを調べるには、半導体装置10の外部端子14X(Xは任意のアルファベット)より信号を入力し、その出力を外部端子14X以外の外部端子14Yより取り出して調べるファンクションテストを実施すれば可能である。しかし、全てのチップ間ワイヤー配線18の接続状態を検査するには多くの時間が掛かり、検査費用が高くなる。
さらに、LSIパッケージに内蔵されている第1および第2半導体チップ11、12を含む複数の半導体チップ個々の検査ができないという問題も発生する。
図6は、特開2005−148026号公報(特許文献1)に開示されているマルチチップ半導体装置の概念図である。
図6に示した如き従来のマルチチップ半導体装置の例では、セレクタAを内蔵するLSIチップAと、セレクタBを内蔵するLSIチップBとが1つのLSIパッケージに内蔵されている。
LSIチップAは、信号入力用に接続用パッドin1とin2、制御入力用に接続用パッドTESTA、信号出力用に接続用パッドout1、およびセレクタAの出力端子に接続された接続用パッドSA1とSA2を備えている。
LSIチップBもLSIチップAと同様に、信号入力用に接続用パッドin1とin2、制御入力用に接続用パッドTESTB、信号出力用に接続用パッドout2、およびセレクタBの出力端子に接続された接続用パッドSB1とSB2を備えている。
LSIパッケージは、通常の動作を行うための外部端子の他に複数のテスト用外部端子を備えている。テスト用外部端子は、セレクタA、セレクタBに制御信号を入力するための端子TEST、テスト信号の入力端子である端子INA、INB、TinA、TinB、出力端子である端子OUTA、OUTB、ToutA、ToutBである。
セレクタAは、LSIチップAの端子out2に接続された信号入力端子と、LSIチップAの接続用パッドTESTAに接続された制御信号入力端子と、LSIチップAの出力端子で接続用パッドSA1とSA2に接続されたデータ出力端子を備えている。セレクタAは、例えば入力端子を共通接続した二つのトライステートバッファで構成されている。
セレクタAは、制御信号入力端子TESTAに制御信号が入力されていないときは外部端子ToutA側の接続用パッドSA1がハイインピーダンス状態になり、制御信号入力端子TESTAに制御信号が入力されているときは接続先のLSIチップB側の接続用パッドSA2がハイインピーダンス状態になる。
セレクタBは、セレクタAと同様に、入力端子を共通接続した二つのトライステートバッファで構成され、制御信号入力端子TESTBに制御信号が入力されていないときは外部端子ToutB側の接続用パッドSB1がハイインピーダンス状態になり、制御信号入力端子に制御信号が入力されているときは接続用パッドSB2がハイインピーダンス状態になる。
すなわち、図6の半導体装置は、LSIチップA、LSIチップBにテスト専用のパッドTESTA、TESTBをそれぞれ設け、それらのテスト専用パッドTESTAあるいはTESTBに制御信号を入力することで、LSIチップAの指定された接続用パッドにテストする信号を入力し、さらに他のLSIチップBに接続される接続用パッドをハイインピーダンス状態に設定することを可能としており、LSIチップA、LSIチップBのテスト時にのみ使用するテスト用の外部端子をパッケージで通常使用しない外部端子箇所に設けることで、LSIチップAとLSIチップBの個別の検査を可能にしている。
特開2005−148026号公報
しかしながら、従来の方法ではLSIチップの入出力をチェックするために、テスト用の外部端子を設ける必要があった。例えばLSIチップAに対して外部端子INA、ToutA、TinAを、LSIチップBに対して外部端子INB、ToutB、TinBを設けていた。
パッケージの外部端子の数は、パッケージの大きさを決定する大きな要素であり、端子数が多くなるとパッケージも大きくなり、コストも高くなる。また実装スペースが余分に必要となり機器の大型化に繋がる。こため外部端子の数はできるだけ少なくすることが望ましい。
さらに、従来の方法では半導体チップ間の接続用パッドの接続、例えばLSIチップAの接続用パッドSA2とLSIチップBの接続用パッドin1との接続状態の検査が容易にできず、X線解析等の検査が追加で必要となり、コストが高くなるという問題もある。
本発明は、上述した実情を考慮してなされたものであって、半導体チップ間の接続状態の検査と、内蔵された半導体チップの個別の検査が可能で、しかも外部端子の増加を抑えたマルチチップ半導体装置とその検査方法ならびに該マルチチップ半導体装置を組み込んだ電子機器を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明は次のような特徴ある構成を持たせた。
(a)請求項1記載の発明では、複数の半導体チップを内蔵したマルチチップ半導体装置に実装する半導体チップは、第1および第2接続用パッドを含む複数の接続用パッドと、前記第1接続用パッドに印加された信号と、出力信号を入力し、どちらか一方をテストモード信号に応じて切り換え、前記第2接続用パッドに出力する切換回路を1つ以上備えるようにした。
(b)請求項2記載の発明では、前記第1接続用パッドは前記半導体装置の外部端子、もしくは他の前記半導体チップの前記第2接続用パッドに接続され、前記第2接続用パッドは前記半導体装置の外部端子、もしくは他の前記半導体チップの前記第1接続用パッドに接続するようにしたので、各半導体チップに接続されているテストモード信号を個別に操作することにより半導体チップ毎の個別の検査と、チップ間接続の状態検査が可能となった。
(c)請求項3記載の発明では、異なる前記半導体チップ間が前記第1および第2接続用パッドにより接続されており、前記第1および第2接続用パッドは、前記半導体装置の外部端子に接続されていなくてもチップ間接続の状態検査が可能となるため、外部端子の増加を抑制することが可能となった。
(d)請求項4記載の発明では、前記半導体チップの前記第1接続用パッドは、信号入力用パッドを兼用し、前記第2接続用パッドは信号出力用パッドを兼用しているので、さらに外部端子の増加を抑制することが可能となった。
(e)請求項5記載の発明では、前記マルチチップ半導体装置を検査する場合は、前記テストモード信号により、該半導体装置に内蔵されている全ての前記半導体チップ内にある前記切換回路の出力を当該半導体チップの出力信号にするようにしたので、半導体装置全体の検査が可能となった。
(f)請求項6記載の発明では、前記半導体置内の特定の半導体チップだけを検査する場合は、前記特定の半導体チップ内にある前記切換回路の出力を、前記特定の半導体チップのテストモード信号により当該半導体チップの出力信号にし、他の前記半導体チップ内にある前記切換回路の出力を、該他の前記半導体チップのテストモード信号により前記第1接続用パッドに印加された信号にしたので、特定の半導体チップだけの検査も可能となった。
(g)請求項7記載の発明では、前記半導体置内の半導体チップ間の接続状態を検査する場合は、前記半導体装置に内蔵されている全ての半導体チップ内にある前記切換回路の出力を、前記テストモード信号により前記第1接続用パッドに印加された信号にしたので、外部端子を追加することなくチップ間の接続状態の検査が可能となった。
(h)請求項7記載の発明は、上記の如き特徴ある構成のマルチチップ半導体装置を組み込んだ電子機器であり、小型化が可能となった。
本発明によれば、半導体装置に内蔵された各半導体チップ内に、第1および第2接続用パッドを含む複数の接続用パッドと、前記第1接続用パッドに印加された信号と該半導体チップの出力信号を入力し、テストモード信号に応じてどちらか一方の信号を前記第2接続用パッドに出力する切換回路を備え、該切換回路をテストモード信号に応じて切り換えるようにしたので、各半導体チップのテストモード信号を個別に操作することにより半導体チップ毎の個別の検査と半導体チップ間接続の状態検査が可能となった。
この結果、チップ間接続を行っている接続用パッドを外部端子に接続する必要がなく、また、テスト端子と入出力端子を兼用することができるので、外部端子の増加を抑えることが可能となり、半導体装置の小型化、ひいては電子機器の小型化が可能となった。
さらに、複雑なファンクションテストをせずにチップ間の接続状態の検査や、個別の半導体チップ検査が可能となったので、検査方法の単純化が図れ、検査時間の短縮が実現でき、コストダウンと品質の向上が可能となった。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
<第1の実施例>
図1は、本発明の第1の実施例を示すマルチチップ半導体装置の模式図である。なお、図1では説明の都合上半導体チップを図5の如く平面に並べて記載しているが、もちろん図4の如く厚み方向に上下に重ねて実装した場合も同様である。
図1において、半導体装置10は第1半導体チップ11と第2半導体チップ12を内蔵している。第1半導体チップ11は、切換回路21Aを備えている。切換回路21Aは、第1接続用パッド15Aに印加された信号と第1半導体チップ11の出力信号1を入力する2つの入力端子と、第2接続用パッド15Bに接続された出力端子を備えている。
同様に、第2半導体チップ12は、切換回路21Bを備えている。切換回路21Bは、第1接続用パッド15Cに印加された信号と第2半導体チップ12の出力信号2を入力する2つの入力端子と、第2接続用パッド15Dに接続された出力端子を備えている。
切換回路21Aと切換回路21Bはさらに制御入力を有しており、切換回路21Aの制御入力には第1テストモード信号が接続され、切換回路21Bの制御入力には第2テストモード信号が接続されている。
切換回路21Aに第1テストモード信号が印加されると、切換回路21Aは第1接続用パッド15Aに印加された信号を出力する。また、切換回路21Aに第1テストモード信号が印加されていない場合は、第1半導体チップ11の出力信号1を出力する。
同様に、切換回路21Bに第2テストモード信号が印加されると、切換回路21Bは第1接続用パッド15Cに印加された信号を出力する。また、切換回路21Bに第2テストモード信号が印加されていない場合は、第2半導体チップ12の出力信号2を出力する。
第1半導体チップ11の第1接続用パッド15Aは、ワイヤー配線17A、再配線基板13のパッド16Aを介して外部端子14Aに接続されると共に、第1半導体チップ11内の内部回路と前記した切換回路21Aに一方の入力に接続されている(パッド16Aおよび外部端子14Aの構造については図4参照)。
第1半導体チップ11の第2接続用パッド15Bは、第2半導体チップ12の第1接続用パッド15Cにチップ間ワイヤー配線18により接続されている。
第2半導体チップ12の第1接続用パッド15Cは、第2半導体チップ12の内部回路と前記した切換回路21Bの一方の入力に接続されている。第2半導体チップ12の第2接続用パッド15Dは、ワイヤー配線17B、再配線基板13のパッド16Bを介して外部端子14Bに接続されている(パッド16Bおよび外部端子14Bの構造については図4参照)。
(通常動作時)
通常動作時には切換回路21A、21Bの制御入力には第1および第2テストモード信号を印加しない。すると、第1半導体チップ11の第2接続用パッド15Bからは第1半導体チップ11の出力信号1が出力され、第2半導体チップ12の第1接続用パッド15Cに入力され、第2半導体チップ12の内部回路へ送られる。また、第2半導体チップ12の第2接続用パッド15Dからは第2半導体チップ12の出力信号2が出力される。
このようにして、第1および第2半導体チップ11、12は連携した動作を行うことができ、その入出力信号は外部端子に14A,14Bに接続されているので半導体装置10全体の検査が可能となる。
(第1半導体チップ検査時)
第1半導体チップ11だけを検査する場合は、第1半導体チップ11内の切換回路21Aの制御入力には第1テストモード信号を印加せず、第2半導体チップ12内の切換回路21Bの制御入力には第2テストモード信号を印加する。
すると、第1半導体チップ11の出力信号1は、第2接続用パッド15B、チップ間ワイヤー配線18、第1接続用パッド15C、切換回路21B、第2接続用パッド15D、ワイヤー配線17B、外部端子接続用パッド16B、および外部端子14Bを経て観測することができる。
また、外部端子14Aに印加された信号は半導体チップ11の内部回路に印加されるので、第2半導体チップ12の影響を受けることなく第1半導体チップ11の検査が可能となる。
(第2半導体チップ検査時)
第2半導体チップ12だけを検査する場合は、第1半導体チップ11内の切換回路21Aの制御入力に第1テストモード信号を印加し、第2半導体チップ12内の切換回路21Bの制御入力には第2テストモード信号を印加しない。
すると、第1半導体チップ11の外部端子14Aに印加した信号は外部端子接続用パッド16A、ワイヤー配線17A、第1接続用パッド15A、切換回路21A、第2接続用パッド15B、チップ間ワイヤー配線18を介して第2半導体チップ12の第1接続用パッド15Cに直接印加されるので、第1半導体チップ11の影響を受けることなく第2半導体チップ12に任意の入力信号を印加することが可能となる。
さらに、第2半導体チップ12内の出力信号2は切換回路21Bから出力され、第2接続用パッド15D、ワイヤー配線17B、外部端子接続用パッド16B、外部端子14Bを経て観測することができるので、第1半導体チップ11の影響を受けることなく第2半導体チップ12の検査が可能となる。
(チップ間ワイヤー配線検査時)
第1接続用パッドと第2接続用パッド間を接続しているチップ間ワイヤー配線18の接続状態を検査する場合は、切換回路21Aと21Bに第1テストモード信号と第2テストモード信号をそれぞれ印加する。
すると、切換回路21Aは第1半導体チップ11の第1接続用パッド15Aに印加されている信号を出力し、切換回路21Bは第2半導体チップ12の第1接続用パッド15Cに印加されている信号を出力するので、第1半導体チップ11側の外部端子14Aに印加された信号が、第1半導体チップ11内の切換回路21A、チップ間ワイヤー配線18、第2半導体チップ12内の切換回路21Bを経てそのまま第2半導体チップ側の外部端子14Bに出力されることになる。
このため、外部端子14Aに印加した信号が外部端子14Bに現れるかを調べるだけで、チップ間ワイヤー配線18の接続状態を簡単に検査することができる。
なお、前記したように、第1接続用パッド15Aと15Cは、それぞれ切換回路21Aと21Bの一方の入力に接続されている他、両半導体チップ11、12内の図示しない他の内部回路にも接続され、テスト端子と兼用に使用しているので、テスト専用端子をわざわざ設ける必要がなくテスト端子の増加を抑えることができマルチチップ半導体装置の小型化が可能となる。
<第2の実施例>
図2は、本発明の第2の実施例を示すマルチチップ半導体装置の模式図である。図1と同様に、説明の便宜上半導体チップは図5のように平面に並べて記載しているが、第1の実施例と同様に図4のように厚み方向に上下に重なっていても構わない。なお、図1と同じ構成要素には同一の参照符号を付してある。
第2の実施例が図1の第1の実施例と異なる点は、図2に示すように、第1半導体チップ11に切換回路21Cを追加し、第2半導体チップ12に切換回路21Dを追加した点である。
第1半導体チップ11に追加した切換回路21Cの一方の入力には第1接続用パッド15Eが接続され、他方の入力には第1半導体チップ11の出力信号3が接続されている。また、切換回路21Cの出力は第2接続パッド15Fに接続され、第2接続パッド15Fはワイヤー配線17Cと再配線基板13のパッド16Cを介して外部端子14Cに接続されている。さらに切換回路21Cの制御入力には第1テストモード信号が接続されている。なお、第1接続用パッド15Eは第1半導体チップ11の内部回路にも接続されている。
また、第2半導体チップ12に追加した切換回路21Dの一方の入力には第1接続用パッド15Gが接続され、他方の入力には第2半導体チップ12の出力信号4が接続されている。また切換回路21Dの出力は第2接続用パッド15Hに接続され、さらにチップ間ワイヤー配線18Bを介して第1半導体チップ11の第1接続用パッド15Eに接続されている。
第1接続用パッド15Gは第2半導体チップ12の内部回路にも接続され、さらにワイヤー配線17Dと再配線基板13のパッド16Dを介して外部端子14Dにも接続されている。
(通常動作時)
通常動作時には切換回路21Aから21Dの制御入力には第1および第2テストモード信号を印加しない。すると、各切換回路21Aから21Dの出力からはそれぞれ出力信号1から出力信号4が出力され、第1および第2半導体チップ11、12は連携した動作を行うことができ、その入出力信号は外部端子に14Aから14Dに接続されているので半導体装置10全体の検査が可能となる。
(第1半導体チップ検査時)
第1半導体チップ11だけを検査する場合は、第1半導体チップ11内の切換回路21Aと21Cの制御入力には第1テストモード信号を印加せず、第2半導体チップ12内の切換回路21Bと21Dの制御入力には第2テストモード信号を印加する。
すると、第1半導体チップ11の出力信号1は、第1の実施例で述べたように、第2接続用パッド15B、チップ間ワイヤー配線18A、第1接続用パッド15C、切換回路21B、第2接続用パッド15D、ワイヤー配線17B、外部端子接続用パッド16B、および外部端子14Bを経て観測することができる。
また、第2接続用パッド15Fからは出力信号3が出力され、さらに第1接続用パッド15Eには、外部端子14Dに印加された信号を、外部端子接続用パッド16D、ワイヤー配線17D、第1接続用パッド15G、切換回路21D、第2接続用パッド15H、チップ間ワイヤー配線18Bを介して印加することができるので、第2半導体チップ12の影響を受けることなく第1半導体チップ11の検査が可能となる。
(第2半導体チップ検査時)
第2半導体チップ12だけを検査する場合は、第1半導体チップ11内の切換回路21Aと21Cの制御入力に第1テストモード信号を印加し、第2半導体チップ12内の切換回路21Bと21Dの制御入力には第2テストモード信号を印加しない。すると、説明を省略するが第1半導体チップ11を検査する場合と同様の動作により、第1半導体チップ11の影響を受けることなく第2半導体チップ12の検査が可能となる。
(チップ間ワイヤー配線検査時)
第1接続用パッドと第2接続用パッド間を接続しているチップ間ワイヤー配線18Aと18Bの接続状態を検査する場合は、第1半導体チップの切換回路21Aと21Cに第1テストモード信号を、第2半導体チップの切換回路21Bと21Dに第2テストモード信号を印加する。
すると、第1半導体チップ11の切換回路21Aと21Cはそれぞれ第1半導体チップ11の第1接続用パッド15Aと15Eに印加された信号をそのまま出力し、第2半導体チップの切換回路21Bと21Dはそれぞれ第2半導体チップの第1接続用パッド15Cと15Gに印加された信号をそのまま出力するので、チップ間ワイヤー配線18Aと18Bが正常に接続されていれば、第1半導体チップ11側の外部端子14Aに印加された信号は、第2半導体チップ12側の外部端子14Bに出力され、第2半導体チップ12側の外部端子14Dに印加された信号は、第1半導体チップ11側の外部端子14Cに出力されることになる。このため、チップ間ワイヤー配線18Aと18Bの接続状態を簡単に検査することができる。
また、実施例1と同様に、第1半導体チップ11の第1接続用パッド15Aと15Eは、切換回路21A、21Cの入力に接続されている他、第1半導体チップ11内の図示しない他の内部回路にも接続され、テスト端子と兼用に使用されている。
同様に、第2半導体チップ12の第1接続用パッド15Cと15Gも切換回路21B、21Dの入力に接続されている他、第2半導体チップ12内の図示しない他の内部回路にも接続され、テスト端子と兼用に使用されている。こうすることで、テスト専用端子をわざわざ設ける必要がなくテスト端子の増加を抑えることができる。
<第3の実施例>
図3は、本発明の第3の実施例を示すマルチチップ半導体装置の模式図である。図1と同様に、説明の便宜上半導体チップは平面に並べて記載しているがもちろん厚み方向に上下に重なっていても構わない。なお、図1と同じ構成要素には同一の参照符号を付してある。
図1の第1の実施例と異なる点は、第1半導体チップ11と第2半導体チップ12の間に第3半導体チップ23を追加した点である。
第3半導体チップ23も第1および第2半導体チップ11、12と同様の構成の切換回路21Cを備えており、該切換回路21Cの一方の入力には第3半導体チップ23の第1接続用パッド15Eが接続され、他方の入力には第3半導体チップ23の出力信号3が接続され、該切換回路21Cの出力は第2接続用パッド15Fに接続されている。また、切換回路21Cの制御入力には第3テストモード信号が接続されている。
(通常動作時)
通常動作時には切換回路21Aから21Cの制御入力には第1から第3テストモード信号を印加しない。すると、各切換回路21Aから21Cの出力からはそれぞれ出力信号1から出力信号3が出力されるとともに、第1半導体チップ11の出力信号1が第3の半導体チップ23に入力され、第3半導体チップ23の出力信号3が第2半導体チップ12に入力され、これによって第1半導体チップ11、第3半導体チップ23、第2半導体チップ12は連携した動作を行うことができ、その入出力信号は外部端子14Aと14Bに接続されているので半導体装置10全体の検査が可能となる。
(第1半導体チップ検査時)
第1半導体チップ11だけを検査する場合は、第1半導体チップ11内の切換回路21Aの制御入力には第1テストモード信号を印加せず、第2および第3半導体チップ12、23内の切換回路21Bと21Cの制御入力には第2テストモード信号および第3テストモード信号をそれぞれ印加する。
すると、第1半導体チップ11の出力信号1は、第3半導体チップ23の切換回路21Cと第2半導体チップ12の切換回路21Bを介し外部端子14Bに現れるので、第2および第3半導体チップ12、23の影響を受けることなく第1半導体チップ11だけの検査が可能となる。
(第2半導体チップ検査時)
第2半導体チップ12だけを検査する場合は、第1および第3半導体チップ11、23内の切換回路21Aと21Cの制御入力にそれぞれ第1および第3テストモード信号を印加し、第2半導体チップ12内の切換回路21Bの制御入力には第2テストモード信号を印加しない。
すると、外部端子14Aからの信号を、第1および第3半導体チップ11,23を介して、第2半導体チップ12の第1接続パッド15Cに印加することができ、第2半導体チップ12の出力信号2は切換回路21Bの出力から外部端子14Bに出力されるので、第1および第3半導体チップ11、23の影響を受けることなく第2半導体チップ12のみの検査が可能となる。
(第3半導体チップ検査時)
第3半導体チップ23だけを検査する場合は、第1および第2半導体チップ11、12内の切換回路21Aと21Bの制御入力にそれぞれ第1および第2テストモード信号を印加し、第3半導体チップ23内の切換回路21Cの制御入力には第3テストモード信号を印加しない。
すると、外部端子14Aからの信号を、第1半導体チップ11を介して第3半導体チップ23の第1接続パッド15Eに印加することができ、第3半導体チップ23の出力信号3は切換回路21Cから出力され、さらに第2半導体チップ12の切換回路21Bを介して外部端子14Bに出力されるので、第1および第2半導体チップ11、12の影響を受けることなく第3半導体チップ23の検査が可能となる。
上記のように、半導体装置10に内蔵された複数の半導体チップの内、検査を行う半導体チップだけにはテストモード信号を印加せず、他の半導体チップには全てテストモード信号を印加することにより、任意の半導体チップだけを検査することが可能である。
(チップ間ワイヤー配線検査時)
第1接続用パッドと第2接続用パッド間を接続しているチップ間ワイヤー配線18A,18Bの接続状態を検査する場合は、第1から第3半導体チップ11,12,23の切換回路21Aから21Cの各々に第1から第3テストモード信号を印加する。
すると、外部端子14Aと外部端子14Bが切換回路21Aから21Cを介して接続されるので、外部端子14Aに印加した信号を外部端子14Bで観測することでチップ間ワイヤー配線18Aと18Bの接続状態を簡単に検査することができる。
第1の実施例および第2の実施例と同様に、第3半導体チップ23の第1接続用パッド15Eは、切換回路21Cの入力に接続されている他、第3半導体チップ23内の図示しない他の内部回路にも接続され、テスト端子と兼用に使用している。
以上述べたように、本発明によれば半導体チップ間を接続している第1接続用パッドと第2接続用パッドが外部端子に接続されていなくても、チップ間ワイヤー配線の接続状態を確認でき、しかも各半導体チップに内蔵されている切換回路の制御信号であるテストモード信号を操作することによって、各半導体チップの検査を単独に行うことが可能となった。
<第4の実施例>
上述した第3の実施例では、第1の実施例において、第1半導体チップの第2接続用パッド15Bと、第2半導体チップの第1接続用パッド15Cの間に第3半導体チップを挿入する構成であるが、第4の実施例として、第2の実施例において、第1半導体チップの第2接続用パッド15Bと、第2半導体チップの第1接続用パッド15Cの間に第3半導体チップを挿入するような構成も可能である。
なお、上記実施例では、半導体チップ数が3つまでの実施例を開示したが、本発明の構成は半導体チップの数が4つ以上に増えても適用可能であることはいうまでもない。
本発明によれば、個々の半導体チップのテストモード信号を制御するだけで、半導体チップ間の接続状態の検査と、内蔵された半導体チップの個別の検査が可能で、しかも外部端子の増加を抑えることが可能となり、またこのようなマルチチップ半導体装置を電子機器に組み込むことにより電子機器を小型化することも可能である。
本発明の第1の実施例を示すマルチチップ半導体装置の模式図である。 本発明の第2の実施例を示すマルチチップ半導体装置の模式図である。 本発明の第3の実施例を示すマルチチップ半導体装置の模式図である。 従来技術を説明するためのマルチチップ半導体装置の模式図である。 従来技術を説明するためのマルチチップ半導体装置の模式図である。 従来技術を説明するためのマルチチップ半導体装置の模式図である。
符号の説明
10:半導体装置
11:第1半導体チップ
12:第2半導体チップ
13:再配線基板
14A,14B,14C,14D:外部端子
15A,15C,15E,15G:第1接続用パッド
15B,15D,15F,15H:第2接続用パッド
18,18A,18B:チップ間ワイヤー配線
21A,21B,21C,21D:切換回路
23:第3半導体チップ

Claims (8)

  1. 複数の半導体チップを内蔵したマルチチップ半導体装置において、
    前記半導体チップは、第1および第2接続用パッドを含む複数の接続用パッドと、前記第1接続用パッドに印加された信号と半導体チップの出力信号を入力し、テストモード信号に応じてどちらか一方の信号を前記第2接続用パッドに出力する1つ以上の切換回路を備えたことを特徴とするマルチチップ半導体装置。
  2. 請求項1に記載のマルチチップ半導体装置であって、
    前記第1接続用パッドは前記半導体装置の外部端子もしくは他の前記半導体チップの前記第2接続用パッドに接続され、
    前記第2接続用パッドは前記半導体装置の外部端子もしくは他の前記半導体チップの前記第1接続用パッドに接続されたことを特徴とするマルチチップ半導体装置。
  3. 請求項1または2に記載のマルチチップ半導体装置であって、
    異なる前記半導体チップ間が前記第1および第2接続用パッドにより接続されており、該第1および第2接続用パッドは、前記半導体装置の外部端子には接続されていないことを特徴とするマルチチップ半導体装置。
  4. 請求項1から3のいずれかに記載のマルチチップ半導体装置であって、
    前記半導体チップの前記第1接続用パッドは信号入力用パッドを兼用し、
    前記第2接続用パッドは信号出力用パッドを兼用していることを特徴とするマルチチップ半導体装置。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載のマルチチップ半導体装置を検査する検査方法であって、
    前記マルチチップ半導体装置全体を検査する場合は、前記テストモード信号により、該半導体装置に内蔵されている全ての前記半導体チップ内にある前記切換回路の出力を当該半導体チップの出力信号にするようにしたことを特徴とするマルチチップ半導体装置の検査方法。
  6. 請求項1から4のいずれかに記載のマルチチップ半導体装置を検査する検査方法であって、
    前記半導体置内の特定の半導体チップだけを検査する場合は、前記特定の半導体チップ内にある前記切換回路の出力を、前記特定の半導体チップのテストモード信号により、前記半導体チップの出力信号にするとともに、他の前記半導体チップ内にある前記切換回路の出力を、当該他の前記半導体チップのテストモード信号により、前記第1接続用パッドに印加された信号にしたことを特徴とするマルチチップ半導体装置の検査方法。
  7. 請求項1から4のいずれかに記載のマルチチップ半導体装置を検査する検査方法であって、
    前記半導体置内の半導体チップ間の接続状態を検査する場合は、前記半導体装置に内蔵されている全ての半導体チップ内にある前記切換回路の出力を、前記テストモード信号により、前記半導体チップの第1接続用パッドに印加された信号にしたことを特徴とするマルチチップ半導体装置の検査方法。
  8. 請求項1から4のいずれかに記載のマルチチップ半導体装置を組み込んだことを特徴とする電子機器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017026463A (ja) * 2015-07-22 2017-02-02 ローム株式会社 半導体装置
WO2023037531A1 (ja) * 2021-09-13 2023-03-16 サンケン電気株式会社 半導体集積回路およびデータ送受信方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8648615B2 (en) * 2010-06-28 2014-02-11 Xilinx, Inc. Testing die-to-die bonding and rework
US11054461B1 (en) * 2019-03-12 2021-07-06 Xilinx, Inc. Test circuits for testing a die stack

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147659A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd 論理構造
JPH04250644A (ja) * 1991-01-25 1992-09-07 Nec Corp マルチチップ実装ic

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5598160A (en) * 1993-10-14 1997-01-28 Ricoh Company, Ltd. Signal processing circuit with built-in dynamic range matching
US6052321A (en) * 1997-04-16 2000-04-18 Micron Technology, Inc. Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current
JP4803930B2 (ja) * 2001-09-26 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路およびマルチチップパッケージ
JP2005109086A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US7579689B2 (en) * 2006-01-31 2009-08-25 Mediatek Inc. Integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package
US7629675B2 (en) * 2006-05-03 2009-12-08 Marvell International Technology Ltd. System and method for routing signals between side-by-side die in lead frame type system in a package (SIP) devices
US20080013389A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Jaehee Kim Random access memory including test circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60147659A (ja) * 1984-01-13 1985-08-03 Hitachi Ltd 論理構造
JPH04250644A (ja) * 1991-01-25 1992-09-07 Nec Corp マルチチップ実装ic

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017026463A (ja) * 2015-07-22 2017-02-02 ローム株式会社 半導体装置
WO2023037531A1 (ja) * 2021-09-13 2023-03-16 サンケン電気株式会社 半導体集積回路およびデータ送受信方法

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