JP2008201644A - BaLiF3単結晶体の製造方法 - Google Patents
BaLiF3単結晶体の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 チョクラルスキー法にて<111>方向に結晶を育成してインゴットを得、このインゴットを斜め方向に切断するなどして{100}面からなる平行2面を有する板状体を得る。<100>方向に育成して水平に切断して得た板状体よりも応力分布(歪)等が均一となり、屈折率均質性に優れる部材を得ることができる。
【選択図】 図4
Description
また液浸式露光装置のラストレンズ以外の用途としては、露光装置等の真空紫外光用装置の光学部材としてBaLiF3単結晶体を用いることが既に提案されている(例えば、特許文献2、3参照)。
LiF粉末とBaF2粉末をそれぞれ溶融、固化させることにより得られた塊状のLiF原料およびBaF2原料を、LiF:BaF2が0.57:0.43のモル比であり、かつ、原料の合計量が3kgになるように混合して、特開2006−199577号公報等に開示されている内坩堝と外坩堝からなる二重構造坩堝に収容し、チョクラルスキー結晶育成炉(CZ炉)内に収容した。上記の二重坩堝を構成する外坩堝の内径は120mm、内坩堝の内径は84mmであった。次に、炉内を1×10−3Pa以下の真空度に保ち坩堝を600℃まで24時間かけて加熱昇温させ、純度99.999%のCF4ガスを炉内に導入して炉内の圧力80kPaにした。その後、坩堝を900℃まで2時間かけて加熱昇温させて、上記混合物を融解させた。
種結晶の鉛直方向である<100>方向であるBaLiF3単結晶体を用いた以外は実施例1と同様の方法で、チョクラルスキー法によりBaLiF3単結晶体のインゴットを成長させた。得られたインゴットは全長130mm、直胴部の長さが100mm、直胴部の直径が50mmであった。上記のインゴットの直胴部から、インゴットの成長方向に垂直な{100}面と平行な面(結晶引上げ方向に垂直な面)で切断してディスク状にした後に、側面を円筒研削して、更に切断面を研磨することで、直径45mm、厚み10mmのBaLiF3のディスクを得た。更に、実施例1と同様の方法で、得られたBaLiF3のディスクについて、クロスニコルで歪の状態を観察したところ、歪が不均質に分布した線状の跡が確認された(図5)。更に、実施例1と同様の方法で屈折率均質性を評価した。ゼルニケ36項除去後の屈折率均質性は、RMSで493ppbであった。ゼルニケ36項除去後の屈折率分布を図6に示した。
Claims (4)
- BaLiF3単結晶体からなり、光を透過させる主軸方向が該単結晶体における<100>方向である光学部材の製造方法であって、BaLiF3溶融液に種結晶を接触させた後に引き上げるチョクラルスキー法によってインゴットを<111>方向に成長させて単結晶体を得、その後、該インゴットを加工して{100}面からなる平行2面を有する板状体を得る工程、を含むことを特徴とするBaLiF3単結晶体からなる光学部材の製造方法。
- BaLiF3単結晶体からなり、{100}面からなる平行2面を有する板状の光学部材の製造方法であって、BaLiF3溶融液に種結晶を接触させた後に引き上げるチョクラルスキー法によってインゴットを<111>方向に成長させて単結晶体を得、その後、該インゴットを加工して{100}面からなる平行2面を有する板状体を得る工程、を含むことを特徴とする前記製造方法。
- 光学部材がレンズブランクである請求項1又は2記載の製造方法。
- 請求項3記載の方法でレンズブランクを製造し、ついで該レンズブランクを加工してレンズとする、露光装置用レンズの製造方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000128696A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-05-09 | Nikon Corp | フッ化物単結晶からなる光学素子作製用素材とその製造方法 |
JP2006199577A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-08-03 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体製造用引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法 |
JP2007005777A (ja) * | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Tokuyama Corp | 液浸式露光装置のラストレンズ |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000128696A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-05-09 | Nikon Corp | フッ化物単結晶からなる光学素子作製用素材とその製造方法 |
JP2006199577A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-08-03 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体製造用引上げ装置および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法 |
JP2007005777A (ja) * | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Tokuyama Corp | 液浸式露光装置のラストレンズ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009073682A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Tokuyama Corp | BaLiF3単結晶体の製造方法 |
JP2012012244A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Tokuyama Corp | フッ化金属単結晶体の製造方法 |
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