JP2008199022A - パワー半導体モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】冷却素子上に実装するパワー半導体モジュールは、部品5、6、7が実装された少なくとも1つの基板2と、モジュール筐体とを有している。モジュール筐体は、少なくとも1つの基板2を少なくとも部分的に取り囲んでいる。モジュール筐体は、上記冷却素子に面している第1の面と、少なくとも1の開口部を有しているとともにパワー半導体モジュールから離れている表面を有する第2の面とを含む、互いに向かい合う複数の面を有している。上記1つ以上の開口部それぞれは、内部コンタクト16、17、18によって密封された境界を有しており、また、1つ以上の部品5、6、7に電気的に接続されている。上記内部コンタクトは、上記モジュール筐体の第2の面の上記表面を超えずに延びるように、モジュール筐体から突出している。
【選択図】図6
Description
本発明は、上部に1つ以上の部品が実装される少なくとも1つの基板と、当該少なくとも1つの基板を少なくとも部分的に取り囲むモジュール筐体とを有する、冷却素子上に実装するためのパワー半導体に関する。
パワー半導体は、半導体パッケージと、当該パッケージ内において1つ以上の基板上に実装された少なくとも2つの半導体チップとを有している。これらのパワー半導体チップは、通常は、整流ブリッジ、DCリンク、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)インバータ、ドライバ、制御ユニット、センスユニット、ハーフブリッジインバータ、AC−DCコンバータ、DC−ACコンバータ、双方向ハイブリッジスイッチ(bidirectional high bridge switch)などの電力電子回路を有している。
一実施形態では、冷却素子上に実装するためのパワー半導体モジュールは、上部に1つ以上の部品が実装される少なくとも1つの基板と、当該少なくとも1つの基板を少なくとも部分的に取り囲むモジュール筐体とを備えており、当該モジュール筐体は、上記冷却素子に面している第1の面と、1つ以上の開口部を有しているとともに、上記パワー半導体モジュールから離れている表面を有している第2の面とを含む、少なくとも互いに向かい合う複数の面を有しており、上記1つ以上の開口部それぞれは、1つの内部コンタクトによって密封された境界を有しており、当該1つの内部コンタクトは、上記1つ以上の部品に電気的に接続されており、また、上記モジュール筐体の上記第2の面の上記表面を超えずに延びるように、上記モジュール筐体から突出している、パワー半導体モジュールが開示されている。
以下の図面および説明を参照することによって、様々な実施形態によるパワー半導体モジュールについて、よりよく理解できるであろう。これら図面に示されている各部品は、必ずしも互いに相対的な縮尺とはなっていない。代わりに、様々な実施形態によるモジュールの原理を示している部分が強調されている。また、これら図面では、同様の参照符号は、対応する部分を示している。図面は以下の通りである:
図1は、モールド工程前における、パワー半導体デバイスおよび基板を含むリードフレームを示す平面図である。
別の実施形態によると、パワー半導体モジュールの製造方法は、1つ以上の部品が実装された、少なくとも1つの基板を用意する工程と、モールド装置の密封縁(sealing edge)において周囲バーを有するリードフレーム上に、上記基板を配置する工程と、上記リードフレーム外に少なくとも1つの内部コンタクトを形成する、あるいは、上記基板上に少なくとも1つの別のコンタクトを用意する工程と、上記基板と上記部品とを有する上記リードフレームを、上方の金型と下方の金型とを有する上記モールド装置の下方の金型内に配置する工程と、上記複数の内部コンタクトの表面を保護するために、少なくとも上記複数の内部コンタクト上に箔を配置する工程と、上記下方の金型および上記上方の金型を互いに移動する工程と、互いに向かい合う複数の面、すなわち、冷却素子に面している第1の面と、1つの内部コンタクトによって密封された境界を有する1つ以上の開口部を有しているとともに、上記パワー半導体モジュールから離れている表面を有する第2の面と、を有するモールド筐体をモールド外に形成する工程を含んでおり、上記1つの内部コンタクトは、上記1つ以上の部品に電気的に接続されており、また、上記モジュール筐体の上記第2の面の上記表面を超えずに延びるように、上記モジュール筐体から突出している。
Claims (28)
- 冷却素子上に実装するためのパワー半導体モジュールであって、
1つ以上の部品を有する少なくとも1つの基板と、
上記少なくとも1つの基板を少なくとも部分的に取り囲むモジュール筐体とを備えており、
上記モジュール筐体は、上記冷却素子に面している第1の面と、1つ以上の開口部を有しているとともに、上記パワー半導体モジュールから離れている表面を有している第2の面とを含む、少なくとも互いに向かい合う複数の面を有しており、
上記1つ以上の開口部それぞれは、1つの内部コンタクトによって密封された境界を有しており、
上記1つの内部コンタクトは、上記1つ以上の部品に電気的に接続されており、上記モジュール筐体から突出し、上記モジュール筐体の上記第2の面の上記表面を超えずに延びている、パワー半導体モジュール。 - 複数の内部コンタクトが、効果的な電気的絶縁のために、互いに大きく距離が空いている、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記基板はリードフレームであり、また、複数の内部コンタクトは、当該リードフレームが打ち抜きおよび/または屈曲された部分である、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 複数の内部コンタクトは、上記リードフレームのリードである、請求項3に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記内部コンタクトの材料は、銅または銅合金である、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記基板は、IMS基板、DCB基板、AMB基板、DAB基板、あるいは一般的なろう付け型基板である、請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 冷却素子上に実装するためのパワー半導体モジュールであって、
1つ以上の部品を有する少なくとも1つの基板と、
上記少なくとも1つの基板を少なくとも部分的に取り囲むモジュール筐体とを備えており、
上記モジュール筐体は、上記冷却素子に面している第1の面と、1つ以上の開口部を有しているとともに、上記パワー半導体モジュールから離れている表面を有している第2の面とを含む、少なくとも互いに向かい合う複数の面を有しており、
上記1つ以上の各開口部は、1つの内部コンタクトによって密封された境界を有しており、
上記1つの内部コンタクトは、上記1つ以上の部品に電気的に接続されており、上記モジュール筐体から突出しており
上記モジュール筐体の上記第2の面の上記表面を超えて延びておらず、
上記基板の、上記冷却素子から離れている方の面は、上記モジュール筐体の上記第2の面の上記表面と平行に延びる表面を有しており、
上記基板表面上に配置された複数の内部コンタクトが、同じ高さを有している、パワー半導体モジュール。 - 複数の内部コンタクトはU字型である、請求項7に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記モジュール筐体の上記第2の面の上記開口部の周囲は、四角形または長方形である、請求項7に記載のパワー半導体モジュール。
- 複数の内部コンタクトの、上記基板から離れている方の表面は、平坦かつ閉じられている、請求項9に記載のパワー半導体モジュール。
- 各内部コンタクトの、上記基板から離れている方の上記表面は、外部コンタクトの一方の縁に電気的に接続されており、当該外部コンタクトの他方の縁は、回路基板へのはんだ付けまたはプレスに適している、請求項10に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記外部コンタクトを回路基板へプレスするために上記外部コンタクトにかかる力は、50Nと100Nとの間である、請求項11に記載のパワー半導体モジュール。
- 複数の内部コンタクトの、上記基板から離れている方の上記表面は、はんだ付け、溶接、あるいは接着剤の塗布によって、上記複数の外部コンタクトに電気的に接続されている、請求項11に記載のパワー半導体モジュール。
- 複数の内部コンタクトの、上記基板から離れている方の上記表面は、外部SMDコンタクトである、請求項10に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記SMDコンタクトのSMD回路への電気的接続は、はんだ付けまたは接着剤によって行われる、請求項14に記載のパワー半導体モジュール。
- 冷却素子上に実装するためのパワー半導体モジュールであって、
1つ以上の部品を有する少なくとも1つの基板と、
上記少なくとも1つの基板を少なくとも部分的に取り囲むモジュール筐体とを備えており、
上記モジュール筐体は、上記冷却素子に面している第1の面と、1つ以上の開口部を有しているとともに、上記パワー半導体モジュールから離れている表面を有している第2の面とを含む、少なくとも互いに向かい合う複数の面を有しており、
上記1つ以上の各開口部は、1つの内部コンタクトによって密封された境界を有しており、
上記1つの内部コンタクトは、上記1つ以上の部品に電気的に接続されており、上記モジュール筐体から突出し、上記モジュール筐体の上記第2の面の上記表面を超えて延びておらず、
複数の内部コンタクトが円筒形である、パワー半導体モジュール。 - 上記複数の内部コンタクトはソケットである、請求項16に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記ソケットはレセプタクルである、請求項17に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記ソケットは被覆物である、請求項18に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記被覆物内にはコンタクトピンが挿入されている、請求項19に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記コンタクトピンは外部コンタクトである、請求項20に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記モジュール筐体の製造中に上記複数の内部コンタクトを保護するために、上記複数の内部コンタクトの、上記基板から離れている方の上記表面上に、箔が配置されている、請求項16に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記箔は耐温性である、請求項22に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記箔の材料はカプトンである、請求項23に記載のパワー半導体モジュール。
- 上記箔は、四角形であり、面積は最大で55mm2である、請求項22に記載のパワー半導体モジュール。
- パワー半導体モジュールの製造方法であって、
1つ以上の部品が実装された、少なくとも1つの基板を用意する工程と、
モールド装置の密封縁において周囲バーを有するリードフレーム上に、上記基板を配置する工程と、
上記リードフレーム外に少なくとも1つの内部コンタクトを形成する、あるいは、上記基板上に少なくとも1つの別のコンタクトを用意する工程と、
上記基板と上記部品とを有する上記リードフレームを、上方の金型と下方の金型とを有する上記モールド装置の下方の金型内に配置する工程と、
上記複数の内部コンタクトの、上記基板から離れている方の表面を保護するために、少なくとも上記複数の内部コンタクト上に箔を配置する工程と、
上記下方の金型および上記上方の金型を互いに移動する工程と、
モールド外にモジュール筐体を形成する工程であって、上記モジュール筐体は、上記冷却素子に面している第1の面と、1つ以上の開口部を有しているとともに、上記パワー半導体モジュールから離れている表面を有している第2の面とを含む、少なくとも互いに向かい合う複数の面を有しており、上記1つ以上の開口部それぞれは、1つの内部コンタクトによって密封された境界を有しており、上記1つの内部コンタクトは、上記1つ以上の部品に電気的に接続されており、上記モジュール筐体から突出し、上記モジュール筐体の上記第2の面の上記表面を超えずに延びている、工程と、
上記モジュール筐体の形成後に、上記複数の内部コンタクトの、上記基板から離れている方の上記表面から上記箔を除去する工程とを含んでいる、パワー半導体モジュールの製造方法。 - 上記リードフレーム外に少なくとも1つの内部コンタクトを形成する、あるいは、上記基板上に少なくとも1つの別のコンタクトを用意する上記工程は、効果的な電気的絶縁のために、上記複数の内部コンタクトを、互いに大きく距離を空けて配置する工程を含んでいる、請求項26に記載の製造方法。
- 少なくとも上記複数の内部コンタクト上に箔を配置する上記工程は、上記基板全体を上記箔によって被覆する工程を含んでいる、請求項26に記載の製造方法。
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