JP2008166740A - 固体発光ダイの光学的プリフォーム並びにその作製および組み立ての方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プリフォームが、固体発光ダイに取り付けられる。フォトルミネセント要素、屈折要素、フィルタ要素、散乱要素、拡散要素または反射要素等の光学的要素の1つ又はそれ以上が、プリフォームの中にかつ/またはその上に含まれる。例えばプリフォームは、蛍光体粒子がその中に浮遊しているガラスプリフォームとすることができる。プリフォームは、マイクロエレクトロニクスの製造技術を用いて作製することができ、ピックアンドプレイス技術を用いて固体発光ダイ上に配置することができる。
【選択図】図2A
Description
200 プリフォーム
210 結合層/接着層
220 光学的要素
Claims (47)
- 固体発光デバイスであって、
電圧を加えることによって発光するように構成された固体発光ダイと、
前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかを通過させるように構成されたプリフォームと、
前記プリフォームおよび前記固体発光ダイを取り付けて光学的に相互に結合させる層と、
前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかを改変するように構成された、前記プリフォームの内部および/または上にある光学的要素と
を備えることを特徴とするデバイス。 - 前記プリフォームは、ガラスを含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、シリコーンベースの材料を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、非可撓性材料を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記固体発光ダイは、外部コンタクトパッドを備え、前記プリフォームは、前記外部コンタクトパッドを露出するように成形されていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記光学的要素は、前記プリフォームの内部および/または上にある、フォトルミネセント要素、光学的屈折要素、光学的フィルタ要素、光学的散乱要素、光学的拡散要素、光学的反射要素および/または別のプリフォームを含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームの内部および/または上に、電気的要素をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、厚さが変化することを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、前記固体発光ダイの側壁に沿って延在するように構成されたプリフォーム側壁を備えることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記光学的要素は、前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかの振幅、周波数、および/または方向を変化させることによって、前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかを改変するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、第1のプリフォームであり、前記層は、第1の層であり、前記光学的要素は、第1の光学的要素であり、
前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかを通過させるように構成された第2のプリフォームと、
前記固体発光ダイから離隔されたところで、前記第2のプリフォームと前記第1のプリフォームとを取り付けて光学的に相互に結合させる第2の層と、
前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかをさらに改変するように構成された、前記第2のプリフォームの内部および/または上にある第2の光学的要素と
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。 - 前記プリフォームの形状および大きさは、前記固体発光ダイの表面と同一であることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、前記固体発光ダイの表面を越えて延在することを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、ガラスの内部に浮遊している蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、約30から約95重量パーセントの範囲の蛍光体を含むことを特徴とする請求項14に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、約0.001から約1重量パーセントの範囲の光学的散乱粒子をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のデバイス。
- 前記プリフォームは、織り目加工された表面を含むことを特徴とする請求項15に記載のデバイス。
- 前記固体発光ダイは、外部コンタクトパッドを備え、前記プリフォームは、前記外部コンタクトパッドを露出するように成形されていることを特徴とする請求項15に記載のデバイス。
- 前記層は、前記プリフォームと前記固体発光ダイとを接着取り付けして光学的に相互に結合させる接着層を備えることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- プリフォームを上部に含んでいる固体発光ダイに接続したサブマウントを更に備えることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記固体発光ダイは、半導体発光ダイオードダイであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 固体発光デバイスであって、
電圧を加えることによって発光するように構成された固体発光ダイと、
前記固体発光ダイ上の、蛍光体粒子が内部に浮遊しているガラスプリフォームと
を備えることを特徴とするデバイス。 - 前記固体発光ダイは、外部コンタクトパッドを備え、前記蛍光体粒子が内部に浮遊しているガラスプリフォームが、前記外部コンタクトパッドを露出するように成形されていることを特徴とする請求項22に記載のデバイス。
- 内部に蛍光体が浮遊しているガラスプリフォームの内部および/または上に電気的要素をさらに備えることを特徴とする請求項22に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、前記固体発光ダイの表面を越えて延在することを特徴とする請求項22に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、約30から約95重量パーセントの範囲の蛍光体を含むことを特徴とする請求項22に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、約0.001から約1重量パーセントの範囲の光学的散乱粒子をさらに含むことを特徴とする請求項26に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、織り目加工された表面を含むことを特徴とする請求項22に記載のデバイス。
- 前記蛍光体粒子は、Ce:YAG蛍光体を含むことを特徴とする請求項22に記載のデバイス。
- 固体発光ダイのための光学的処理デバイスであって、
前記固体発光ダイに取り付くような大きさ及び形状を有するガラスプリフォームであって、内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームを備えることを特徴とするデバイス。 - 前記固体発光ダイが外部コンタクトパッドを備え、前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、前記外部コンタクトパッドを露出するように成形されていることを特徴とする請求項30に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体が浮遊しているガラスプリフォームの内部および/または上に電気的要素をさらに備えることを特徴とする請求項30に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、約30から約95重量パーセントの範囲の蛍光体を含むことを特徴とする請求項30に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、約0.001から約1重量パーセントの範囲の光学的散乱粒子をさらに含むことを特徴とする請求項33に記載のデバイス。
- 前記内部に蛍光体粒子が浮遊しているガラスプリフォームは、織り目加工された表面を含むことを特徴とする請求項30に記載のデバイス。
- 前記蛍光体粒子は、Ce:YAG蛍光体を含むことを特徴とする請求項30に記載のデバイス。
- 複数の固体発光ダイのための光学的処理前駆体であって、
基板と、
前記複数の固体発光ダイに取り付くような大きさ及び形状を有する前記基板上の複数のプリフォームであって、それぞれのプリフォームは、それぞれの固体発光ダイから発光される光の少なくともいくらかが通過するように構成されていている複数のプリフォームと、
前記それぞれの固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかを改変するように構成されたそれぞれのプリフォームの内部および/または上にある光学的要素と
を備えることを特徴とする前駆体。 - 前記プリフォームは、個片化されたプリフォームを含むことを特徴とする請求項37に記載の前駆体。
- 前記個片化されたプリフォームは、可撓性材料を含み、前記基板は、個片化された基板を含むことを特徴とする請求項38に記載の前駆体。
- 前記個片化されたプリフォームは、ガラスを含み、前記光学的要素は、前記個片化されたガラスプリフォームの内部に浮遊する蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項38に記載の前駆体。
- 固体発光デバイスの作製方法であって、
プリフォームと固体発光ダイを相互に取り付けるステップを含み、
前記プリフォームは、前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかを通過させるように構成され、前記プリフォームは、前記固体発光ダイから発光された光の少なくともいくらかを改変するように構成された光学的要素をその内部および/または上に備えることを特徴とする方法。 - 前記取り付けるステップは、基板から前記プリフォームを持ち上げるステップと、持ち上げられたプリフォームを前記固体発光ダイ上に配置するステップとを含むことを特徴とする請求項41に記載の方法。
- 前記配置するステップに、前記プリフォームおよび/または前記固体発光デバイス上に接着剤を被覆するステップが先行することを特徴とする請求項42に記載の方法。
- 前記持ち上げるステップに、前記プリフォームを個片化するステップが先行することを特徴とする請求項42に記載の方法。
- 固体発光デバイスのためのプリフォームの作製方法であって、
蛍光体粒子をガラスの内部に浮遊させるステップ
を含むことを特徴とする方法。 - 前記浮遊させるステップは、
ガラスフリットと蛍光体粒子とを混合するステップと、
前記ガラスフリットを溶解して、内部に前記蛍光体粒子が浮遊したガラスプリフォームを形成するために加熱するステップと
を含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。 - 前記浮遊させるステップは、
溶解したガラス内部に蛍光体粒子を混合するステップと、
前記溶解したガラスを冷却するステップと
を含むことを特徴とする請求項45に記載の方法。
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US11/563,840 US20080121911A1 (en) | 2006-11-28 | 2006-11-28 | Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011147460A Division JP2011188001A (ja) | 2006-11-28 | 2011-07-01 | 固体発光ダイの光学的プリフォーム並びにその作製および組み立ての方法及びシステム |
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---|---|
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---|---|---|---|
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Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011147460A Pending JP2011188001A (ja) | 2006-11-28 | 2011-07-01 | 固体発光ダイの光学的プリフォーム並びにその作製および組み立ての方法及びシステム |
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---|---|
US (1) | US20080121911A1 (ja) |
JP (2) | JP2008166740A (ja) |
DE (1) | DE102007055170A1 (ja) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141273A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
JP2010219350A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2010258281A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Nichia Corp | 発光素子チップ組立体およびその製造方法 |
JP2011222852A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
WO2011142097A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
KR20120028492A (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
WO2012053134A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | パナソニック株式会社 | 実装用基板、発光装置及びランプ |
JP2012160664A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Bridgestone Kbg Co Ltd | 青色ledから得られた白色光及びこれに用いるシリコーンテープ |
JP2012527763A (ja) * | 2009-05-19 | 2012-11-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ledのための光散乱及び変換板 |
JP2012532452A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-13 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電流集中に基づく色調整を伴うエレクトロルミネセント素子 |
JP2013504187A (ja) * | 2009-09-03 | 2013-02-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体ボディとアイソレーション層と平面導体構造とを備えたオプトエレクトロニクス素子および該オプトエレクトロニクス素子の製造方法 |
JP2013069980A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2013138206A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-11 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオードパッケージ及び蛍光膜の製造方法 |
JP2013168647A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 蛍光膜の製造方法及び発光ダイオードパッケージの製造方法 |
JP2013539238A (ja) * | 2010-10-08 | 2013-10-17 | オスラム ゲーエムベーハー | オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント及びその製造方法 |
CN103383986A (zh) * | 2012-05-04 | 2013-11-06 | 旭明光电股份有限公司 | 具有波长转换层的发光二极管晶粒及其制造方法 |
JP2014063977A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及び発光素子パッケージ |
JP2014072351A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nitto Denko Corp | 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置 |
US8785953B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method thereof, light emitting diode module, and manufacturing method thereof |
JP2014207436A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 日本碍子株式会社 | 波長変換体 |
KR20150016700A (ko) * | 2013-08-05 | 2015-02-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
JP2015046513A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材、発光装置、及び発光装置の製造方法 |
JP2016525288A (ja) * | 2013-07-26 | 2016-08-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 内部高屈折率ピラーを有するledドーム |
KR101752426B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2017-07-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 패키지 |
US9793448B2 (en) | 2010-05-18 | 2017-10-17 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same |
KR101809070B1 (ko) | 2016-08-01 | 2018-01-19 | 주식회사 비에스피 | Oled 조명모듈의 제조장치 및 이를 이용한 oled 조명모듈의 제조방법 |
JP2018019091A (ja) * | 2017-10-02 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US10069053B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-09-04 | Nichia Corporation | Light emitting device having wire including stack structure |
JP2021185596A (ja) * | 2017-09-28 | 2021-12-09 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光装置用の波長変換材料 |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007117698A2 (en) | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Qd Vision, Inc. | Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material |
US9196799B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-11-24 | Cree, Inc. | LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating |
US9159888B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US9024349B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
EP2120271A4 (en) * | 2007-03-01 | 2015-03-25 | Nec Lighting Ltd | LED ARRANGEMENT AND LIGHTING DEVICE |
KR101730164B1 (ko) * | 2007-07-18 | 2017-04-25 | 삼성전자주식회사 | 고체 조명에 유용한 양자점-기반 광 시트 |
US8119028B2 (en) * | 2007-11-14 | 2012-02-21 | Cree, Inc. | Cerium and europium doped single crystal phosphors |
WO2009105581A1 (en) | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Nitto Denko Corporation | Light emitting device with translucent ceramic plate |
US8916890B2 (en) * | 2008-03-19 | 2014-12-23 | Cree, Inc. | Light emitting diodes with light filters |
WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
DE102008054029A1 (de) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
KR101496846B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2015-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
DE102009005907A1 (de) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
US8097894B2 (en) * | 2009-07-23 | 2012-01-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with molded reflective sidewall coating |
KR101601622B1 (ko) * | 2009-10-13 | 2016-03-09 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법 |
TWI492422B (zh) * | 2010-03-18 | 2015-07-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 具有螢光粉層之發光二極體晶片的製作方法 |
JP5497520B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2014-05-21 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび光波長変換部材 |
US20110309393A1 (en) | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Micron Technology, Inc. | Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods |
US8835199B2 (en) * | 2010-07-28 | 2014-09-16 | GE Lighting Solutions, LLC | Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration |
TW201208143A (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-16 | Semileds Optoelectronics Co | White LED device and manufacturing method thereof |
DE102010034915A1 (de) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streukörper |
DE102010035490A1 (de) | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements |
DE102010044560A1 (de) * | 2010-09-07 | 2012-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
US8242684B2 (en) * | 2010-09-27 | 2012-08-14 | Osram Sylvania Inc. | LED wavelength-converting plate with microlenses |
US8334646B2 (en) * | 2010-09-27 | 2012-12-18 | Osram Sylvania Inc. | LED wavelength-coverting plate with microlenses in multiple layers |
TWI446590B (zh) | 2010-09-30 | 2014-07-21 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體封裝結構及其製作方法 |
DE102010050832A1 (de) * | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement |
TW201222878A (en) * | 2010-11-23 | 2012-06-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Light-permeating cover board, fabrication method thereof, and package structure having LED |
DE102011013369A1 (de) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen |
US8227271B1 (en) * | 2011-01-27 | 2012-07-24 | Himax Technologies Limited | Packaging method of wafer level chips |
DE102011050450A1 (de) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
US20130187534A1 (en) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Remphos Technologies Llc | Phosphorized kernels for remote phosphor led |
US8907362B2 (en) | 2012-01-24 | 2014-12-09 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
US8896010B2 (en) | 2012-01-24 | 2014-11-25 | Cooledge Lighting Inc. | Wafer-level flip chip device packages and related methods |
US20130187540A1 (en) | 2012-01-24 | 2013-07-25 | Michael A. Tischler | Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods |
US20130193837A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor plate, light emitting device and method for manufacturing phosphor plate |
US9257617B2 (en) * | 2012-02-10 | 2016-02-09 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted light emitting device |
US8803185B2 (en) * | 2012-02-21 | 2014-08-12 | Peiching Ling | Light emitting diode package and method of fabricating the same |
DE102012102476B4 (de) * | 2012-03-22 | 2022-09-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
CN104396035B (zh) * | 2012-07-05 | 2019-11-05 | 亮锐控股有限公司 | 通过透明间隔物从led分离的磷光体 |
DE102013110114A1 (de) * | 2013-09-13 | 2015-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
DE102014101804A1 (de) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
KR102323289B1 (ko) * | 2014-01-07 | 2021-11-08 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 인광체 변환기를 갖는 비접착식 발광 디바이스 |
WO2015119858A1 (en) | 2014-02-05 | 2015-08-13 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
CN104979452A (zh) * | 2014-04-08 | 2015-10-14 | 刘胜 | 在晶圆上制造和封装发光二极管芯片的工艺方法 |
CN104979432A (zh) * | 2014-04-08 | 2015-10-14 | 刘胜 | 直接发出白光的led芯片封装工艺 |
CN104167482B (zh) * | 2014-07-29 | 2018-01-23 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种白光led芯片及其制作方法 |
US9871176B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-01-16 | Ferro Corporation | Glass compositions and glass frit composites for use in optical applications |
DE102015106757A1 (de) * | 2015-04-30 | 2016-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement |
US20170025589A1 (en) * | 2015-07-22 | 2017-01-26 | Epistar Corporation | Light emitting structure and method for manufacturing the same |
DE102016104616B4 (de) * | 2016-03-14 | 2021-09-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterlichtquelle |
KR101848709B1 (ko) | 2018-01-12 | 2018-04-16 | 주식회사 에코아 | 간판용 led형광등 |
KR102035423B1 (ko) * | 2018-05-16 | 2019-10-22 | 연세대학교 산학협력단 | 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 |
WO2020007463A1 (en) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminescence conversion element, optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device |
CN114883473A (zh) * | 2020-01-02 | 2022-08-09 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光装置及发光设备 |
DE102021120136A1 (de) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
WO2024006168A1 (en) * | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Lumileds Llc | Improved phosphor-converted light emitting device |
CN117317078B (zh) * | 2023-11-28 | 2024-04-19 | 天津德高化成新材料股份有限公司 | 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176200A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-06-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード |
JP2006037097A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-02-09 | Lumileds Lighting Us Llc | 作成済み波長変換素子を有する半導体発光装置 |
JP2006278567A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Ledユニット |
JP2007103901A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050053798A (ko) * | 1996-06-26 | 2005-06-08 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
US6888167B2 (en) * | 2001-07-23 | 2005-05-03 | Cree, Inc. | Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding |
US6740906B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
US7928455B2 (en) * | 2002-07-15 | 2011-04-19 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for forming the same |
ATE543221T1 (de) * | 2002-09-19 | 2012-02-15 | Cree Inc | Leuchtstoffbeschichtete leuchtdioden mit verjüngten seitenwänden und herstellungsverfahren dafür |
US7042020B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-05-09 | Cree, Inc. | Light emitting device incorporating a luminescent material |
CA2517009A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Cree, Inc. | White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication |
US6885033B2 (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-26 | Cree, Inc. | Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same |
US7029935B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
US7183587B2 (en) * | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
US7355284B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US7326583B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
US7118262B2 (en) * | 2004-07-23 | 2006-10-10 | Cree, Inc. | Reflective optical elements for semiconductor light emitting devices |
US7372198B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-05-13 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor |
US20060097385A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
US20060124953A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Negley Gerald H | Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same |
US7322732B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
US7112700B1 (en) * | 2005-04-14 | 2006-09-26 | Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College | Efficient and economic asymmetric synthesis of nootkatone, tetrahydronootkatone, their precursors and derivatives |
-
2006
- 2006-11-28 US US11/563,840 patent/US20080121911A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-11-19 DE DE102007055170A patent/DE102007055170A1/de not_active Ceased
- 2007-11-28 JP JP2007307647A patent/JP2008166740A/ja active Pending
-
2011
- 2011-07-01 JP JP2011147460A patent/JP2011188001A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176200A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-06-21 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効率を有する発光ダイオード |
JP2006037097A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-02-09 | Lumileds Lighting Us Llc | 作成済み波長変換素子を有する半導体発光装置 |
JP2006278567A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Ledユニット |
JP2007103901A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
Cited By (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010141273A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
JP2010219350A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2010258281A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Nichia Corp | 発光素子チップ組立体およびその製造方法 |
JP2012527763A (ja) * | 2009-05-19 | 2012-11-08 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ledのための光散乱及び変換板 |
US9966512B2 (en) | 2009-05-19 | 2018-05-08 | Koninklijke Philips N.V. | Light scattering and conversion plate for LEDs |
US9482411B2 (en) | 2009-05-19 | 2016-11-01 | Koninklijke Philips N.V. | Light scattering and conversion plate for LEDs |
KR101747688B1 (ko) * | 2009-05-19 | 2017-06-16 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Led를 위한 광 산란 및 변환판 |
JP2012532452A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-13 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電流集中に基づく色調整を伴うエレクトロルミネセント素子 |
JP2013504187A (ja) * | 2009-09-03 | 2013-02-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体ボディとアイソレーション層と平面導体構造とを備えたオプトエレクトロニクス素子および該オプトエレクトロニクス素子の製造方法 |
JP2011222852A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
US8541805B2 (en) | 2010-05-13 | 2013-09-24 | Panasonic Corporation | Mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting module and illumination device |
JPWO2011142097A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2013-07-22 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
WO2011142097A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
US9793448B2 (en) | 2010-05-18 | 2017-10-17 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same |
US10043955B2 (en) | 2010-05-18 | 2018-08-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same |
KR101719642B1 (ko) * | 2010-09-15 | 2017-03-24 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
KR20120028492A (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
JP2013539238A (ja) * | 2010-10-08 | 2013-10-17 | オスラム ゲーエムベーハー | オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント及びその製造方法 |
JP5276226B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2013-08-28 | パナソニック株式会社 | 実装用基板、発光装置及びランプ |
WO2012053134A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | パナソニック株式会社 | 実装用基板、発光装置及びランプ |
KR101752426B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2017-07-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 패키지 |
JP2012160664A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Bridgestone Kbg Co Ltd | 青色ledから得られた白色光及びこれに用いるシリコーンテープ |
US8785953B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method thereof, light emitting diode module, and manufacturing method thereof |
US9153759B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method thereof, light emitting diode module, and manufacturing method thereof |
JP2013069980A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置の製造方法 |
US8906715B2 (en) | 2011-12-27 | 2014-12-09 | Advanced Optoelectronics Technology, Inc. | Light emitting diode package having fluorescent film directly coated on light emitting diode die and method for manufacturing the same |
JP2013138206A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-11 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオードパッケージ及び蛍光膜の製造方法 |
TWI478398B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-03-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝結構及其螢光薄膜的製造方法 |
JP2013168647A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 蛍光膜の製造方法及び発光ダイオードパッケージの製造方法 |
JP2013236081A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-11-21 | Semileds Optoelectronics Co Ltd | 波長変換層を具えた発光ダイオードダイ及びその製造方法 |
CN103383986A (zh) * | 2012-05-04 | 2013-11-06 | 旭明光电股份有限公司 | 具有波长转换层的发光二极管晶粒及其制造方法 |
JP2014063977A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及び発光素子パッケージ |
US9142735B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-09-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2014072351A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Nitto Denko Corp | 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置 |
JP2014207436A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-10-30 | 日本碍子株式会社 | 波長変換体 |
JP2016525288A (ja) * | 2013-07-26 | 2016-08-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 内部高屈折率ピラーを有するledドーム |
KR20150016700A (ko) * | 2013-08-05 | 2015-02-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
KR102109089B1 (ko) * | 2013-08-05 | 2020-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
US9180549B2 (en) | 2013-08-28 | 2015-11-10 | Nichia Corporation | Wavelength conversion member, light emitting device, and method of manufacturing light emitting device |
JP2015046513A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材、発光装置、及び発光装置の製造方法 |
US10069053B2 (en) | 2013-09-30 | 2018-09-04 | Nichia Corporation | Light emitting device having wire including stack structure |
KR101809070B1 (ko) | 2016-08-01 | 2018-01-19 | 주식회사 비에스피 | Oled 조명모듈의 제조장치 및 이를 이용한 oled 조명모듈의 제조방법 |
JP2021185596A (ja) * | 2017-09-28 | 2021-12-09 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光装置用の波長変換材料 |
JP7250851B2 (ja) | 2017-09-28 | 2023-04-03 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 発光装置用の波長変換材料 |
US11862759B2 (en) | 2017-09-28 | 2024-01-02 | Lumileds Llc | Wavelength converting material for a light emitting device |
JP2018019091A (ja) * | 2017-10-02 | 2018-02-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080121911A1 (en) | 2008-05-29 |
DE102007055170A1 (de) | 2008-06-12 |
JP2011188001A (ja) | 2011-09-22 |
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