CN117317078B - 一种适用于垂直芯片的白光csp制备方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法及其应用。适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，步骤包括以下几步：（1）荧光基底膜的制备：取大小裁减好的荧光膜，在荧光膜中心区域排列激光切割垂直芯片焊盘位点；（2）白光CSP组装：将制备好的荧光基底膜粘附于双面胶带上，将垂直芯片通过焊盘位点***设置在荧光基底膜上；（3）切割荧光基底膜，去除双面胶带，即得白光CSP。本申请中提供的一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，不仅能够实现制备方法的简单便捷以及高效率，还能够进一步改进以往点胶灌封方法的所导致的色温集中差的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法及其应用。
背景技术
近些年来，随着人们对于电子产品的需求和要求的不断提高，半导体技术，尤其是半导体的封装技术受到了非常广泛的关注以及更加深入的研究。CSP（芯片级封装）技术正是在这种情况下应运而生，这其中就包括了垂直芯片的封装结构和方法。
现有传统的垂直芯片封装方法，大多为固晶打线（die bonding），再通过点胶灌封的方法进行封装，这样的方法虽然操作相对简单，但是在点胶灌封的过程中，胶料倒入针筒挤压到芯片的表面上，胶料会随着时间沉淀，但同时导致产品的色温集中度较差，且结构稳定性较差。中国专利CN202310143815.4提供了一种正装LED芯片的CSP封装结构及其制备方法，并且声称其制备的CSP封装结构在基板上固晶焊线排布即可实现高效的制备CSP光源，组合方便并且使用灵活，制备效率高。但是其采用只是改进后的点胶灌封的方法，主要的技术效果为提高制备效率，但是并未有解决点胶灌封方法后导致产品的色温集中度较差的技术问题。
因此，为了解决上述问题，本申请提供的一种新的适用于垂直芯片的白光CSP制备方法。
发明内容
为了解决上述问题，本发明第一方面提供了一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，步骤包括以下几步：（1）荧光基底膜的制备：取大小裁减好的荧光膜，在荧光膜中心区域排列激光切割垂直芯片焊盘位点；（2）白光CSP组装：将制备好的荧光基底膜粘附于双面胶带上，将垂直芯片通过焊盘位点***设置在荧光基底膜上；（3）切割荧光基底膜，去除双面胶带，即得白光CSP。
本发明第一方面提供了一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，步骤包括以下几步：（1）荧光基底膜的制备：取大小裁减好的荧光膜，按照芯片上的焊盘的形状和尺寸在荧光膜中心区域排列激光切割相同形状尺寸的荧光膜，裸露出镂空的垂直芯片焊盘位点，即得；（2）白光CSP组装：设置双面胶带于暂时承载体上，设置荧光基底膜于双面胶带上，并将芯片上的焊盘嵌入预先切割好的焊盘位点上；（3）最后围绕每个嵌入的芯片切割荧光基底膜，去除双面胶带，即得白光CSP。
作为一种优选的方案，所述荧光膜的厚度为120~180μm；所述荧光基底膜与荧光膜的厚度一致。
作为一种优选的方案，所述荧光膜的厚度为140~160μm；所述荧光基底膜与荧光膜的厚度一致。
作为一种优选的方案，所述荧光膜为热熔胶膜中的任一种。
作为一种优选的方案，所述热熔胶膜为固态硅胶膜、半固态热熔硅胶膜、液态热熔硅胶膜中的任一种。
作为一种优选的方案，所述热熔胶膜为半固态热熔硅胶膜。
作为一种优选的方案，所述半固态热熔硅胶膜和液态热熔硅胶膜的平均粘度为10000~15000 mPa·s，测试温度50℃。
作为一种优选的方案，所述半固态热熔硅胶膜和液态热熔硅胶膜的平均粘度为10000~11000mPa·s，测试温度50℃。
作为一种优选的方案，所述半固态热熔硅胶膜和液态热熔硅胶膜的平均粘度为10000mPa·s，测试温度50℃。
作为一种优选的方案，所述步骤（2）之后还包括有真空烘烤步骤：将组装好的白光CSP进行真空烘烤，烘烤条件为1~5KPa，160~180℃，3~5小时。
作为一种优选的方案，所述烘烤条件为2.5KPa，165℃，3小时。
作为一种优选的方案，所述步骤（1）中光切割垂直芯片焊盘位点的与垂直芯片上的焊盘形状以及尺寸大小一致。
作为一种优选的方案，所述双面胶带为双面UV胶带、双面热解胶带、双面耐热胶带中的任一种。
作为一种优选的方案，所述双面胶带为双面UV胶带。
本申请中，通过采用上述巧妙的焊盘位点以及双面胶带的复合方案提供了一种新型的CSP封装方案并且避免了现有的点胶封装会出现的色温集中度较差的问题。通过焊盘位点的切割与芯片焊盘的嵌套加之与双面胶的固定作用，可以在组装过程中通过热熔粘结的方式直接对芯片进行封装，不用使用点胶的方式，并且等到点胶的扩散和沉淀，从而避免点胶扩散过程中出现的沉淀不均而导致的各种质量问题。
本发明第二方面提供了一种上述适用于垂直芯片的白光CSP制备方法所制得的白光CSP。
本发明第三方面提供了一种上述适用于垂直芯片的白光CSP制备方法的应用，包括该白光CSP制备方法在高功率以及高结构稳定性的白光CSP设备制备方法中的应用。
有益效果：
1、本申请中提供的一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，相比现有的点胶灌封方法是一种新型的封装制备方法，同样具有操作简单、使用灵活、制备效率高等优点。
2、本申请中提供的一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，不仅能够实现制备方法的简单便捷以及高效率，还能够进一步改进以往点胶灌封方法的所导致的色温集中差的技术问题。
3、本申请中提供的一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，其制备出的白光CSP具有加工性强以及自身优异稳定性的特点，能够确保其在长时间的载具运输过程中仍能够保持优异的尺寸稳定性。
4、本申请中提供的一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，通过焊盘位点的切割与芯片焊盘的嵌套加之与双面胶的固定作用，可以在组装过程中通过热熔粘结的方式直接对芯片进行封装，不用使用点胶的方式，并且等到点胶的扩散和沉淀，从而避免点胶扩散过程中出现的沉淀不均而导致的各种质量问题。
5、本申请中提供的一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，为垂直芯片的封装方法提供了一种全新的思路，能够在封装的过程中避免现有封装技术的技术问题，从而实现巧妙且稳定的封装结构，具有十分优异的市场前景。
附图说明
图1为本申请适用于垂直芯片的白光CSP制备方法的步骤流程图。
图2为本申请实施例1白光CSP的制备过程中荧光基底膜的结构示意图。
图3为本申请实施例1白光CSP的制备过程中垂直芯片的结构示意图。
图4为本申请实施例1白光CSP的制备过程中白光CSP组装结构示意图。
图5为本申请实施例1最终制得的独立的白光CSP结构示意图。
图中：
1-荧光膜、2-垂直芯片焊盘位点、3-双面胶带、4-垂直芯片、5-焊盘。
具体实施方式
实施例1
实施例1第一方面提供了一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，如图1所示，步骤包括以下几步：（1）荧光基底膜的制备：取大小裁减好的荧光膜，按照芯片上的焊盘的形状和尺寸在荧光膜中心区域排列激光切割相同形状尺寸的荧光膜，裸露出镂空的垂直芯片焊盘位点，即得；（2）白光CSP组装：设置双面胶带于暂时承载体上，设置荧光基底膜于双面胶带上，并将芯片上的焊盘嵌入预先切割好的焊盘位点上；（3）最后围绕每个嵌入的芯片切割荧光基底膜，去除双面胶带，即得白光CSP。
荧光膜的厚度为150μm；荧光基底膜与荧光膜的厚度一致。
热熔胶膜为半固态热熔硅胶膜，半固态热熔硅胶膜平均粘度为10000 mPa·s，测试温度50℃。
步骤（2）之后还包括有真空烘烤步骤：将组装好的白光CSP进行真空烘烤，烘烤条件为2.5KPa，165℃，3小时。
步骤（1）中光切割垂直芯片焊盘位点的与垂直芯片上的焊盘形状以及尺寸大小一致。
双面胶带为双面UV胶带，购买自东莞市常丰新材料科技有限公司。
荧光基底膜的结构如图2所示，荧光膜1以及被切割掉的垂直芯片焊盘位点2。芯片的结构如图3所示包括垂直芯片4以及位于垂直芯片4上的两个焊盘5。
组装的制备过程中，如图4所示，双面胶带3位于最底部，将垂直芯片4嵌入垂直芯片焊盘位点2中，形成封装的组装结构。之后对于单个芯片周围进行切割，最终所制得的独立的白光CSP结构如图5所示包括荧光膜1，垂直芯片4以及焊盘5。
实施例2
本实施例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：荧光膜的厚度为160μm
实施例3
本实施例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：半固态热熔硅胶膜平均粘度为10500 mPa·s，测试温度50℃。
实施例4
本实施例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：半固态热熔硅胶膜平均粘度为11000 mPa·s，测试温度50℃。
对比例1
本对比例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：半固态热熔硅胶膜平均粘度为20000 mPa·s，测试温度50℃。
对比例2
本对比例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：半固态热熔硅胶膜平均粘度为6000 mPa·s，测试温度50℃。
对比例3
本对比例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：半固态热熔硅胶膜平均粘度为40000 mPa·s，测试温度50℃。
对比例4
本对比例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：所述烘烤条件为1KPa，150℃，3小时。
性能评价
晶片推力：测试方法：将玻璃板上贴双面UV膜（购买自东莞市常丰新材料科技有限公司），将制作完成的单颗材料，荧光膜面贴于双面UV膜上。将玻璃板放置于推力机上固定，将推力头放置于晶片高度2/3的位置，推晶片得到推力数值，结果记入表1。
表1
Claims (4)
1.一种适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，其特征在于：步骤包括以下几步：（1）荧光基底膜的制备：取大小裁减好的荧光膜，在荧光膜中心区域排列激光切割垂直芯片焊盘位点；（2）白光CSP组装：将制备好的荧光基底膜粘附于双面胶带上，将垂直芯片通过焊盘位点***设置在荧光基底膜上；（3）切割荧光基底膜，去除双面胶带，即得白光CSP；
所述荧光膜的厚度为140~160μm；所述荧光基底膜与荧光膜的厚度一致；
所述荧光膜为热熔胶膜中的任一种；
所述热熔胶膜为固态硅胶膜、半固态热熔硅胶膜、液态热熔硅胶膜中的任一种；
所述半固态热熔硅胶膜和液态热熔硅胶膜的平均粘度为10000~15000mPa·s，测试温度50℃；
所述步骤（2）之后还包括有真空烘烤步骤：将组装好的白光CSP进行真空烘烤，所述烘烤条件为2.5KPa，165℃，3小时；
所述步骤（1）中光切割垂直芯片焊盘位点的与垂直芯片上的焊盘形状以及尺寸大小一致。
2.根据权利要求1所述的适用于垂直芯片的白光CSP制备方法，其特征在于：所述双面胶带为双面UV胶带、双面热解胶带、双面耐热胶带中的任一种。
3.一种根据权利要求1~2任一项所述的适用于垂直芯片的白光CSP制备方法所制得的白光CSP。
4.一种根据权利要求1~2任一项所述的适用于垂直芯片的白光CSP制备方法的应用，其特征在于：包括该白光CSP制备方法在高功率以及高结构稳定性的白光CSP设备制备方法中的应用。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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