JP2008166225A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマディスプレイ前面パネルの誘電体層を改善したプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記スキャン電極とサステイン電極を覆うように、差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極とサステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差をおいて形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔は前記隔壁の高さよりさらに広いことを特徴とする。
【選択図】図7
【解決手段】ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記スキャン電極とサステイン電極を覆うように、差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極とサステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差をおいて形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔は前記隔壁の高さよりさらに広いことを特徴とする。
【選択図】図7
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関し、さらに詳細には、プラズマディスプレイ前面パネルの誘電体層を改善したプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
一般に、プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が1つの単位セルをなすものであって、各セル内には、ネオン(Ne)、ヘリウム(He)又はネオン及びヘリウムの混合気体(Ne+He)のような主放電気体と少量のキセノンを含有する不活性ガスとが充填されている。高周波電圧により放電される際に、不活性ガスは、真空紫外線(Vacuum Ultra violetrays)を発生し、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより、画像が具現される。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄くて軽い構成が可能なため、次世代表示装置として注目されつつある。
図1は、一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示した斜視図である。
図1に示すように、プラズマディスプレイパネル(PDP)は、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス101にスキャン電極102とサステイン電極103とが対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル100、及び背面をなす後面ガラス111上に前述の複数の維持電極対と交差するように複数のアドレス電極113が配列された後面パネル110が一定の距離を隔てて平行に結合される。
前面パネル100は、1つの放電セルで互いに放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極102及びサステイン電極103、すなわち透明なITO物質で形成された透明電極(a)及び金属材質で製作されたバス電極(b)で備えられたスキャン電極102及びサステイン電極103が対をなして含まれる。スキャン電極102及びサステイン電極103は、放電電流を制限し、電極対間を絶縁させる1つ以上の上部誘電体層104により覆われ、上部誘電体層104の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム(MgO)を蒸着した保護層105が形成される。
後面パネル110は、複数の放電空間、すなわち放電セルを形成させるためのストライプタイプ(またはウェルタイプ)の隔壁112が平行を維持して配列される。また、アドレス放電を行って真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極113が、隔壁112に対して平行に配置される。後面パネル110の上側面には、アドレス放電時に画像表示のために可視光線を放出するR、G、B蛍光体114が塗布される。アドレス電極113と蛍光体114との間には、アドレス電極113を保護するための下部誘電体層115が形成される。
このように、前面パネルの製造過程及び後面パネルの製造過程を経た後、前述の前面パネルと後面パネルとを合着させるためのシーリング工程により、プラズマディスプレイパネルの製品が完成される。ここで、前面パネル及び後面パネルが製造される過程をさらに説明すると、次の図2の通りである。
図2は、従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法を順次に示したフローチャートである。
図2に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、図2の左側に羅列した前面パネルの製造過程、右側に羅列した後面パネルの製造過程、及び下側に羅列したシーリング過程などを含む組立過程を含む。
まず、図2の左側に羅列した前面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
前面パネルは、まず、前面ガラスを用意した後(100)、前面ガラスの上部に複数の維持電極対が形成される(110)。この後、維持電極対の上部に上部誘電体層が形成され(120)、上部誘電体層に維持電極対を保護するためのMgO物質からなる保護膜が形成される(130)。
次に、図2の右側に羅列した後面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
後面パネルは、前面パネルと同様に、後面ガラスを用意し(200)、前面パネルに形成された維持電極対と交差して対向するように、複数のアドレス電極が後面ガラスに形成される(210)。この後、アドレス電極を覆うように、下部誘電体層が形成され(220)、下部誘電体層の上側面に隔壁が形成され(230)、隔壁間の放電空間に蛍光層が形成される(240)。
このように製造された前面パネル及び後面パネルは、互いに合着して(300)、プラズマディスプレイパネルを形成する(400)。
このように製造された前面パネル及び後面パネルは、互いに合着して(300)、プラズマディスプレイパネルを形成する(400)。
ここで、前述の従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前面パネルの製造工程をさらに詳細に説明すると、以下の図3の通りである。
図3は、従来のプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。
図3に示すように、(a)ステップでは、前面ガラス300の上部に酸化インジウム及び酸化スズからなるITO(Indium Tin Oxide)物質の透明電極301を形成する。
このような透明電極301の形成方法の一例を説明すると、ITO物質で形成された透明電極膜の上部に、ドライフィルムフォトレジスト(Dry Film Photo Resist:以下、「DFR」と記す)をラミネートして、所定のパターンが形成されたフォトマスク(Photo Mask)のパターンで露光した後、現像及びエッチング工程を経て、スキャン用透明電極301a及びサステイン用透明電極301bを形成する。
この後、(b)ステップでは、スキャン用透明電極301a及びサステイン用透明電極301bが形成された前面ガラス300の上部に、ブラック層302を形成するためのブラックペーストを印刷した後、約120℃程度に乾燥し、(c)ステップでは、乾燥されたブラックペーストの上部に所定のパターンが形成されたフォトマスク305を載置して、紫外線を照射して乾燥する。このような工程を露光工程(フォトリソグラフィ;Photolithography)という。
露光工程を経たブラック層302の上部に、(d)ステップで、バス電極303a、303bを形成するために、銀(Ag)ペーストを塗布して印刷した後に乾燥する。
この後、(e)ステップでは、所定のパターンが形成されたフォトマスク306を、塗布された銀(Ag)ペーストの上部に載置して露光する。露光工程を経た後、(f)ステップでは、硬化されない部分を現像した後、約550℃以上の焼成炉(図示せず)で約3時間の間、焼成することにより、スキャン用バス電極303a及びサステイン用バス電極303bが形成される。
この後、(g)ステップでは、スキャン電極301a、303a及びサステイン電極301b、303bの形成された前面ガラス300の上部に、上部誘電体層307を形成する。このとき、前述の上部誘電体層307は、差等的な誘電体層であって、スキャン用透明電極301a及びサステイン用透明電極301b間の放電ギャップ部分に誘電体層307を差等的な厚さに形成する。
このような差等的な厚さを有する上部誘電体層307の形成方法の一例を説明すると、誘電体ガラスペーストを塗布して乾燥した後、約500℃〜600℃の温度で焼成を行って、上部誘電体層を形成する。
最後に、(h)ステップにおいて、上部誘電体層307の表面上にCVD法、イオンプレート法、真空蒸着法などを利用して、酸化マグネシウム(MgO)からなる保護膜(保護層)308が形成されて、プラズマディスプレイパネルの前面パネルが完成される。
ここで、前述のプラズマディスプレイ前面パネルの一例である差等的な厚さの誘電体層をさらに詳細に説明すると、以下の図4の通りである。
図4は、従来のプラズマディスプレイパネルの一例であって、差等的な厚さを有する上部誘電体層を説明するための図である。図4に示すように、従来のプラズマディスプレイ前面パネルは、前面ガラス400の上部にスキャン電極401及びサステイン電極403が形成され、前述のスキャン電極401及びサステイン電極403間の放電電流を制限し、電極対間を絶縁させるために、上部誘電体層407が形成される。また、前述の上部誘電体層407の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム(MgO)を蒸着した保護層408が形成される。
このとき、前述の上部誘電体層407は、その厚さが差等的な厚さに形成され、その形状は、放電セル内の中心部から所定の深さに陥没された陥没部を含む構造を有する。このような誘電体層を差等的な誘電体層407という。差等的な誘電体層407は、プラズマディスプレイパネルの駆動時に発生する電界の強度を大きくして、壁電荷の量をさらに多く蓄積することができることから、プラズマ面放電の際、駆動電圧を下げることができ、これにより放電効率を向上させることができる。
しかしながら、前述の差等的な誘電体層407を適用したプラズマディスプレイパネルは、スキャン電極401とアドレス電極(図示せず)との間の間隔が比較的広く形成される。これにより、高精細化を追求するためのプラズマディスプレイパネルにおいては、対向放電の特性を向上させるには限界がある。
そこで、本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、プラズマディスプレイパネルのうち、前面パネルの誘電体層の構造を改善して面放電及び対向放電の特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
上記の目的を達成すべく、本発明のプラズマディスプレイパネルは、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極とサステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とする。
また、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の高さの差は1.2倍以上2倍以下であることを特徴とする。
さらに、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層は1つ以上の所定の幅と厚さを有する補助電極を備えることを特徴とする。
さらに、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層は1つ以上の所定の幅と厚さを有する補助電極を備えることを特徴とする。
さらに、前記補助電極の所定の幅は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の長辺長より狭く、前記補助電極の所定の厚さは前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の厚さより小さいことを特徴とする。
さらに、前記補助電極は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の中心部に位置して、複数の前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層と同一線上に形成されることを特徴とする
さらに、前記補助電極は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の中心部に位置して、複数の前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層と同一線上に形成されることを特徴とする
また、前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は100μm以上400μm以下であることを特徴とする。
また、前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は150μm以上350μm以下であることを特徴とする。
また、前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は150μm以上350μm以下であることを特徴とする。
また、上述した技術的な課題を解決するための本発明の他のプラズマディスプレイパネルは、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、前記放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電ギャップに形成された差等的な誘電体層の厚さがスキャン電極と前記サステイン電極の透明電極間の間隔より大きく、前記スキャン電極と前記サステイン電極のバス電極間の間隔より小さいことを特徴とする。
また、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルを製造する方法は、ガラスに複数のスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップ(a)と、複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第1上部誘電体層を形成するステップ(b)と、前記第1上部誘電体層の上部に第2上部誘電体層を形成するステップ(c)とを含むことを特徴とする。
また、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、且つ、高さの差が1.2倍以上2倍以下であり、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、1つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルを製造する方法は、複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第1上部誘電体層を形成するステップ(a)と、前記第1上部誘電体層の上部に1つ以上の補助電極を形成するステップ(b)と、前記補助電極を覆うように、第2上部誘電体層を形成するステップ(c)とを含むことを特徴とする。
本発明によれば、スキャン電極とサステイン電極の透明電極間の面放電の開始時に放電経路が短くなり放電開始電圧をさらに低減することができ、維持放電のためのサステイン波形の電圧の大きさを減らすことができる。従って、サステイン波形を供給するための回路に耐電圧特性の高い素子を使用しなくてもロングギャップ構造のプラズマディスを駆動することができ、製造コストを減らすことができるという効果がある。従って、ロングギャップ構造のプレイパネルにおいて、上部誘電体層を不均一に形成することで、ロングギャップ構造の効率がさらに向上するという効果がある。
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をさらに詳細に説明する。
図5は、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を順次に示したフローチャートである。まず、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、図2に示したものと同様に、順次的な過程を経て形成される。このような、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法をさらに詳細に説明すると、以下の図5の通りである。
図5に示すように、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、図5の左側に羅列した前面パネルの製造過程と、右側に羅列した後面パネルの製造過程、及び下側に羅列したシーリング過程などを含む組立過程を含む。
まず、図5の左側に羅列した前面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
前面パネルは、まず、前面ガラスを用意した後(300)、前面ガラスの上部に複数の維持電極対が形成される(310)。この後、維持電極対の上部に上部誘電体層が形成され(320)、上部誘電体層に維持電極対を保護するためのMgO物質からなる保護膜が形成される(330)。
次に、図5の右側に羅列した後面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
後面パネルは、前面パネルと同様に、後面ガラスを用意し(400)、前面パネルに形成された維持電極対と交差して対向するように、複数のアドレス電極が後面ガラスに形成される(410)。この後、アドレス電極を覆うように、下部誘電体層が形成され(420)、下部誘電体層の上側面に隔壁が形成され(430)、隔壁間の放電空間に蛍光層が形成される(440)。
このように製造された前面パネル及び後面パネルは、互いに合着して(500)、プラズマディスプレイパネルを形成する(600)。
ここで、前述の本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前面パネルの製造工程をさらに詳細に説明すると、次の図6の通りである。
図6は、本発明に係る第1の実施形態であって、プラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルの上部誘電体層は、後面パネルの下部誘電体層と近くなるように、不均一に高さの偏差を持って形成される。このような、プラズマディスプレイ前面パネルの差等的な高さの偏差を有する上部誘電体層を説明すると、以下の図6の通りである。
図6に示すように、(a)ステップでは、前面ガラス600の上部に酸化インジウム及び酸化スズからなるITO(Indium Tin Oxide)物質の透明電極601を形成する。
このような透明電極601の形成方法の一例を説明すると、ITO物質で形成された透明電極膜の上部に、DFRをラミネートして、所定のパターンが形成されたフォトマスクのパターンで露光した後、現像及びエッチング工程を経て、スキャン用透明電極601a及びサステイン用透明電極601bを形成する。
この後、(b)ステップでは、スキャン用透明電極601a及びサステイン用透明電極601bの形成された前面ガラス600の上部に、ブラック層602を形成するためのブラックペーストを印刷した後、約120℃程度に乾燥し、(c)ステップでは、乾燥されたブラックペーストの上部に所定のパターンの形成されたフォトマスク605を載置して紫外線を照射して乾燥する。このような工程を露光工程(フォトリソグラフィ)という。
(d)ステップでは、露光工程を経たブラック層602の上部にバス電極603a、603bを形成するために、銀(Ag)ペーストを塗布して印刷した後に乾燥する。
この後、(e)ステップでは、所定のパターンの形成されたフォトマスク606を、塗布された銀(Ag)ペーストの上部に載置して露光する。露光工程を経た後、(f)ステップでは、硬化されない部分を現像した後、約550℃以上の焼成炉(図示せず)で約3時間の間、焼成することにより、スキャン用バス電極603a及びサステイン用バス電極603bが形成される。
この後、(g)ステップにおいて、スキャン電極601a、603a及びサステイン電極601b、603bの形成された前面ガラス600の上部に、第1上部誘電体層607aを形成する。この後、(h)ステップにおいて、前述の第1上部誘電体層607aの上部に所定のパターンで第2上部誘電体層607bを形成する。このとき、前述の第2上部誘電体層607bは、差等的な誘電体層であって、複数のスキャン電極601a、603aとサステイン電極601b、603bとの間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように差をおいて形成される。
このような差等的な厚さを有する上部誘電体層607a、607bの形成方法の一例を説明すると、誘電体ガラスペーストを塗布して乾燥した後、約500℃〜600℃の温度で焼成を行って、上部誘電体層を形成する。
最後に、(h)ステップにおいて、第2上部誘電体層607bの表面上にCVD法、イオンプレート法、真空蒸着法などを利用して、酸化マグネシウム(MgO)からなる保護膜(保護層)608が形成されて、プラズマディスプレイパネルの前面パネルが完成される。
ここで、前述のプラズマディスプレイ前面パネルの一例である差等的な誘電体層をさらに詳細に説明すると、次の図7の通りである。
図7は、図6に示すプラズマディスプレイパネルの差等的な誘電体層を説明するための図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、図4に示すものと同様に形成される。但し、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上部誘電体層は、複数のスキャン電極とサステイン電極との間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。このような、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの差等的な厚さを有する誘電体層をさらに詳細に説明すると、次の図7の通りである。
図7に示すように、まず、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルは、前面ガラス700の上部にスキャン電極701及びサステイン電極703が形成され、前述のスキャン電極701及びサステイン電極703間の放電電流を制限し、電極対間を絶縁させるために差等的な厚さを有する上部誘電体層707が形成される。また、前述の上部誘電体層707の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム(MgO)を蒸着した保護層708が形成される。
このとき、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層707は、複数の複数のスキャン電極701とサステイン電極703との間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。好ましくは、上部誘電体層707が差等的な厚さを有するように、上部誘電体層707の高さの差(h1)が1.2倍以上2倍以下になるように形成される。
このように形成されたプラズマディスプレイパネルは、駆動時に発生する電界の強度を大きくして、壁電荷の量をさらに多く蓄積することができるから、プラズマ面放電時に駆動電圧を下げることができ、放電効率を向上させることができる。
さらに、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上部誘電体層は、スキャン電極とアドレス電極との間の間隔が狭くなるように、差等的な高さ偏差を持って形成されるので、高精細化を追求するためのプラズマディスプレイパネルにおいても、対向放電の特性を向上させることができる。
一方、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの構造を改善して、面放電及び対向放電の特性をさらに向上させるための一例を説明すると、以下の図8の通りである。
図8A及び図8Bは、本発明に係る第2の実施形態であって、プラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルの上部誘電体層は、図7に示すものと同様に、後面パネルの下部誘電体層と近くなるように、不均一に高さ偏差をおいて形成される。ここで、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層が、1つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備える。このような、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルの差等的な厚さを有した上部誘電体層に、1つ以上の補助電極が形成される工程をさらに詳細に説明すると、以下の図8の通りである。
図8Aに示すように、(a)ステップでは、前面ガラス800の上部に酸化インジウム及び酸化スズからなるITO物質の透明電極801を形成する。
このような透明電極801の形成方法の一例を説明すると、ITO物質で形成された透明電極膜の上部にDFRをラミネートして、所定のパターンが形成されたフォトマスクのパターンで露光した後、現像及びエッチング工程を経て、スキャン用透明電極801a及びサステイン用透明電極801bを形成する。
この後、(b)ステップでは、スキャン用透明電極801a及びサステイン用透明電極801bのが形成された前面ガラス800の上部にブラック層802を形成するためのブラックペーストを印刷した後、約120℃程度で乾燥し、(c)ステップでは、乾燥されたブラックペーストの上部に所定のパターンが形成されたフォトマスク805を載置して紫外線を照射して乾燥する。このような工程を露光工程(フォトリソグラフィ)という。
(d)ステップにおいて、露光工程を経たブラック層802の上部に、バス電極803a、803bを形成するために、銀(Ag)ペーストを塗布して印刷した後に乾燥する。
この後、(e)ステップにおいて、所定のパターンが形成されたフォトマスク806を、塗布された銀(Ag)ペーストの上部に載置して露光する。露光工程を経た後、(f)ステップでは、硬化されない部分を現像した後、約550℃以上の焼成炉(図示せず)で約3時間の間、焼成することによって、スキャン用バス電極803a及びサステイン用バス電極803bが形成される。
この後、(g)ステップでは、スキャン電極801a、803a及びサステイン電極801b、803bの形成された前面ガラス800の上部に、第1上部誘電体層807aを形成し、(h)ステップでは、前述の第1上部誘電体層807aの上部に1つ以上の所定の幅及び厚さ有した補助電極809を形成する。
この後、(i)ステップでは、前述の補助電極809を覆うようにし、差等的な厚さを有するように、所定のパターンで第2上部誘電体層807bを形成する。このとき、前述の第2上部誘電体層807bは、差等的な誘電体層であって、複数のスキャン電極801a、803aとサステイン電極801b、803bとの間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。
このような差等的な厚さを有する上部誘電体層807a、807bの形成方法の一例を説明すると、誘電体ガラスペーストを塗布して乾燥した後、約500℃〜600℃の温度で焼成を行って、上部誘電体層を形成する。
最後に、(j)ステップでは、第2上部誘電体層807bの表面上にCVD法、イオンプレート法、真空蒸着法などを利用して、酸化マグネシウム(MgO)からなる保護膜(保護層)808が形成されて、プラズマディスプレイパネルの前面パネルが完成される。
ここで、前述のプラズマディスプレイ前面パネルの一例として、差等的な誘電体層に1つ以上の補助電極が形成される工程をさらに詳細に説明すると、以下の図9の通りである。
図9は、図8に示すプラズマディスプレイパネルの補助電極を備える差等的な誘電体層を説明するための図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、図7に示すものと同様に形成される。但し、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルは、差等的な厚さを有する誘電体層に1つ以上の補助電極が形成される。このような、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの差等的な厚さを有する誘電体層に1つ以上の補助電極が形成される工程をさらに詳細に説明すると、以下の図9の通りである。
図9に示すように、まず本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルは、前面ガラス900の上部にスキャン電極901及びサステイン電極903が形成され、前述のスキャン電極901及びサステイン電極903間の放電電流を制限し、電極対間を絶縁させるために、差等的な厚さを有する上部誘電体層907が形成される。また、前述の上部誘電体層907の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム(MgO)を蒸着した保護層908が形成される。
このとき、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層907は、複数のスキャン電極901とサステイン電極903との間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。好ましくは、上部誘電体層907が差等的な厚さを有するように、上部誘電体層907の高さの差(h2)が1.2倍以上2倍以下になるように形成される。
ここに、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層907に1つ以上の所定の幅Wと厚さt1に形成された補助電極909がさらに備えられる。このような補助電極909は、差等的な厚さに形成された上部誘電体層907の中心部に位置して、複数のスキャン電極901とサステイン電極903との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層907と同一線上に形成される。
さらに好ましくは、前述の補助電極909の所定の幅Wは、差等的な厚さに形成された上部誘電体層907の長さ方向への長辺長より狭くなるように形成され、補助電極909の所定の厚さt1は、差等的な厚さに形成された上部誘電体層907の厚さより小さくなるように形成される。これは、前述のスキャン電極901及びサステイン電極903間の放電電流を制限し、上部誘電体層907の破壊を防止するための最適の条件になる。
このように形成された差等的な誘電体層に備えられた補助電極を備えるプラズマディスプレイパネルは、図7に示すプラズマディスプレイパネルと同様に、駆動時に発生する電界の強度を大きくして、壁電荷の量をさらに多く蓄積することができるため、プラズマ面放電の際、駆動電圧を下げることができ、これにより放電効率を向上させることができる。
さらに、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上部誘電体層は、スキャン電極とアドレス電極との間の間隔が狭くなるように、差等的な高さ偏差を持って形成され、前述の上部誘電体層に1つ以上の補助電極がさらに備えられて、スキャン電極及びサステイン電極とカップリング(Coupling)が発生するようにすることによって、高精細化を追求するためのプラズマディスプレイパネルにおいても対向放電の特性をさらに向上させることができる。
また、図9には示していないが、隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極901と前記サステイン電極903との間の間隔(W1)は隔壁の高さよりさらに広くすることができる。さらに好ましくは、スキャン電極901とサステイン電極903との間の間隔(W1)は100μm以上400μm以下になるようにする。スキャン電極901とサステイン電極903との間の間隔(W1)が100μm以上400μm以下に形成された構造をロングギャップ(Long gap)構造と定義する。
このように、スキャン電極901とサステイン電極903との間の間隔(W1)を100μm以上400μm以下にすることは、ロングギャップ構造のプラズマディスプレイパネルを形成し、放電領域の陽光柱(Positive Column)領域を利用するようにすることで、プラズマディスプレイパネルの放電効率を極大化するためである。
さらに好ましくは、スキャン電極901とサステイン電極903との間の間隔(W1)を大略150μm以上350μm以下にする。
さらに好ましくは、スキャン電極901とサステイン電極903との間の間隔(W1)を大略150μm以上350μm以下にする。
また、図9に示すように、放電セル内に位置するスキャン電極901とサステイン電極903との間の放電ギャップに形成された差等的な誘電体層の厚さ(d)はスキャン電極とサステイン電極の透明電極(901a、903a)間の間隔(W1)より大きく、スキャン電極とサステイン電極のバス電極(901b、903b)間の間隔(W2)より小さくすることができる。
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
Claims (16)
- ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、
前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、
前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、
前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の高さの差は、1.2倍以上2倍以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、1つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備えることを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記補助電極の所定の幅は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の長さ方向への長辺長より狭く、
前記補助電極の所定の厚さは、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の厚さより小さいことを特徴とする請求項3に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記補助電極は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の中心部に位置して、複数の前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層と同一線上に形成されることを特徴とする請求項4に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は100μm以上400μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は150μm以上350μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、
前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、
前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、
前記放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電ギャップに形成された差等的な誘電体層の厚さが前記スキャン電極と前記サステイン電極の透明電極間の間隔より大きく、前記スキャン電極と前記サステイン電極のバス電極との間の間隔より小さいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の高さの差は1.2倍以上2倍以下であることを特徴とする請求項8に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層は1つ以上の所定の幅と厚さを有する補助電極を含むことを特徴とする請求項8に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記補助電極の所定の幅は前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の長手方向への長辺長より狭く、
前記補助電極の所定の厚さは前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の厚さより小さいことを特徴とする請求項10に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記補助電極は前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の中心部に位置され、複数の前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層と同一線上に形成されることを特徴とする請求項10に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は100μm以上400μm以下であることを特徴とする請求項8に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は150μm以上350μm以下であることを特徴とする請求項8に記載のプラズマディスプレイパネル。
- ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルを製造する方法であって、
ガラスに複数のスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップ(a)と、
前記複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第1上部誘電体層を形成するステップ(b)と、
前記第1上部誘電体層の上部に第2上部誘電体層を形成するステップ(c)と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、且つ、高さの差が1.2倍以上2倍以下であり、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、1つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル
を製造する方法であって、
複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第1上部誘電体層を形成するステップ(a)と、
前記第1上部誘電体層の上部に1つ以上の補助電極を形成するステップ(b)と、
前記補助電極を覆うように、第2上部誘電体層を形成するステップ(c)と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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JP2007000277A JP2008166225A (ja) | 2007-01-04 | 2007-01-04 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
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