JP2008158303A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】輝度のばらつきを抑制した高画質な表示装置を提供することにある。
【解決手段】一列に配列される画素回路100に対して列方向に2本の信号線SGL10naとSGL10nbを有する。奇数行に配列される画素回路100は信号線SGL10naに接続され、偶数行に配列される画素回路100は、信号線SGL10nbに接続される。データドライバ107はオフセット電圧とデータ電圧とを各信号線SGL10na〜SGL10nbに時分割で出力する。
【選択図】図7
【解決手段】一列に配列される画素回路100に対して列方向に2本の信号線SGL10naとSGL10nbを有する。奇数行に配列される画素回路100は信号線SGL10naに接続され、偶数行に配列される画素回路100は、信号線SGL10nbに接続される。データドライバ107はオフセット電圧とデータ電圧とを各信号線SGL10na〜SGL10nbに時分割で出力する。
【選択図】図7
Description
本発明は、有機EL(Electroluminescence)等の発光素子を含むアクティブマトリクス型表示装置に関するものである。
画像表示装置、例えば液晶表示装置(LCD、以下LCDと記す)などでは、多数の画素をマトリクス状に並べ、表示すべき画像情報に応じて画素毎に光強度を制御して画像を表示する。
有機EL表示装置も同様に、各画素回路に発光素子を有する自発光型の表示装置であり、LCDと比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い、などの利点がある。
また、各発光素子の輝度はそれに流れる電流値によって制御し、発色の階調を得る。すなわち、発光素子が電流制御型であるという点でLCDと大きく性質が異なる。
有機EL表示装置も同様に、各画素回路に発光素子を有する自発光型の表示装置であり、LCDと比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い、などの利点がある。
また、各発光素子の輝度はそれに流れる電流値によって制御し、発色の階調を得る。すなわち、発光素子が電流制御型であるという点でLCDと大きく性質が異なる。
有機EL表示装置はLCDと同様に、駆動方式として単純マトリクス方式と、アクティブマトリクス方式がある。前者は構造が単純であるが、表示装置の大型化や高解像度化には適していないため、各画素回路内部に設けた能動素子、一般には薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor、以下TFTと記す)によって制御する、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。
次に、アクティブマトリクス型表示装置の動作原理について説明する。
図1は、アクティブマトリクス型表示装置の構成を示すブロック図である。
この表示装置1は、画素回路(PXLC)5がm×nのマトリクス状に配列された画素アレイ部2、データドライブ(DDRV)3、ライトスキャナ(WSCN)4、データドライバ3により選択され輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線SGL1〜SGLn、およびライトスキャナ4により選択駆動される走査線SCNL1〜SCNLmを有する。
図2は、図1の画素回路5の一構成例を示す回路図である。図2の画素回路は、多数提案されている回路のうちで最も単純な回路構成であり、いわゆる2トランジスタ駆動方式の回路である。
図2の画素回路5は、pチャネルTFT11、nチャネルTFT12、およびキャパシタC11、および有機EL素子(OLED)からなる発光素子13を有する。
各画素回路5のTFT11は、ソースが電源電位VDDに、ゲートがTFT12のドレインにそれぞれ接続されている。有機EL発光素子13は、アノードがTFT11のドレインに、カソードが基準電位(たとえば、グランド電位)GNDにそれぞれ接続されている。
各画素回路5のTFT12は、ソースが対応する列の信号線SGL1〜SGLnに、ゲートが対応する行の走査線SCNL1〜SCNLmにそれぞれ接続されている。
キャパシタC11は、一端が電源電位VDDに、他端がTFT12のドレインにそれぞれ接続されている。
各画素回路5のTFT11は、ソースが電源電位VDDに、ゲートがTFT12のドレインにそれぞれ接続されている。有機EL発光素子13は、アノードがTFT11のドレインに、カソードが基準電位(たとえば、グランド電位)GNDにそれぞれ接続されている。
各画素回路5のTFT12は、ソースが対応する列の信号線SGL1〜SGLnに、ゲートが対応する行の走査線SCNL1〜SCNLmにそれぞれ接続されている。
キャパシタC11は、一端が電源電位VDDに、他端がTFT12のドレインにそれぞれ接続されている。
なお、有機EL素子は多くの場合整流性があるため、OLED(Organic Light Emitting Diode)と呼ばれることがあり、図2その他では発光素子としてダイオードの記号を用いているが、以下の説明においてはOLEDに必ずしも整流性を要求するものではない。
このような構成を有する画素回路5において、輝度データの書き込みを行う画素では、当該画素を含む画素行がデータドライバ3によって走査線SCNLを介して選択されることで、その行の画素のTFT12がオンする。
このとき、輝度データはドライブ3から信号線SGLを介して電圧として供給され、TFT12を通してデータ電圧を保持するキャパシタC11に書き込まれる。
キャパシタC11に書き込まれた輝度データは、1フィールド期間に亘って保持される。この保持されたデータ電圧は、TFT11のゲートに印加される。
これにより、TFT11は、保持データに従って有機EL発光素子13を電流で駆動する。このとき、有機EL発光素子13の階調表現は、キャパシタC11によって保持されるTFT11のゲート・ソース間電圧Vdata(<0)を変調することによって行われる。
このとき、輝度データはドライブ3から信号線SGLを介して電圧として供給され、TFT12を通してデータ電圧を保持するキャパシタC11に書き込まれる。
キャパシタC11に書き込まれた輝度データは、1フィールド期間に亘って保持される。この保持されたデータ電圧は、TFT11のゲートに印加される。
これにより、TFT11は、保持データに従って有機EL発光素子13を電流で駆動する。このとき、有機EL発光素子13の階調表現は、キャパシタC11によって保持されるTFT11のゲート・ソース間電圧Vdata(<0)を変調することによって行われる。
一般に、有機EL素子の輝度(Loled)は、当該素子に流れる電流(Ioled)に比例する。したがって、有機EL発光素子13の輝度(Loled)と電流(Ioled)との間には次式(1)が成り立つ。
(数1)
Loled∝Ioled=k(Vdata−Vth)2 …(1)
Loled∝Ioled=k(Vdata−Vth)2 …(1)
式(1)において、k=1/2・μ・Cox・W/Lである。ここで、μはTFT11のキャリアの移動度、CoxはTFT11の単位面積当たりのゲート容量、WはTFT11のゲート幅、LはTFT11のゲート長である。
したがって、TFT11の移動度μ、しきい値電圧Vth(<0)のばらつきが、直接的に、有機EL発光素子13の輝度ばらつきに影響を与えることがわかる。
したがって、TFT11の移動度μ、しきい値電圧Vth(<0)のばらつきが、直接的に、有機EL発光素子13の輝度ばらつきに影響を与えることがわかる。
この場合、たとえば異なる画素に対して同じ電位Vdataを書き込んでも、画素によってTFT11のしきい値Vthがばらつく結果、発光素子(OLED)13に流れる電流Ioledは画素毎に大きくばらついて全く所望の値からはずれる結果となり、ディスプレイとして高い画質を期待することはできない。
この問題を改善するため多数の画素回路が提案されている。その代表例を図3、図4を参照しながら簡単に説明する。
図3は、アクティブマトリクス型表示装置の構成を示すブロック図である。
また、図4は、図5の画素回路5aの構成例を示す回路図である。
図3は、アクティブマトリクス型表示装置の構成を示すブロック図である。
また、図4は、図5の画素回路5aの構成例を示す回路図である。
この表示装置1aは、画素回路(PXLC)5aがm×nのマトリクス状に配列された画素アレイ部2a、データドライブ(DDRV)3、ライトスキャナ(WSCN)4a、ドライブスキャナ(DSCN)6、オートゼロ回路(AZRD)7、データドライバ3により選択され輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線SGL11〜SGL1n、ライトスキャナ4aにより選択駆動される走査線SCNL11〜SCNL1m、ドライブスキャナ6により選択駆動される駆動線DRVL11〜DRVL1m、オートゼロ回路7により選択駆動されるオートゼロ線AZL11〜AZVL1mを有する。
図4の画素回路5aは、pチャネルTFT21、nチャネルTFT22〜24、キャパシタC21,C22、発光素子である有機EL発光素子25を有する。また、図4において、SGLは信号線を、SCNLは走査線を、AZLはオートゼロ線を、DRVLは駆動線をそれぞれ示している。
この画素回路5aの動作について、図5に示すタイミングチャートを参照しながら以下に説明する。
この画素回路5aの動作について、図5に示すタイミングチャートを参照しながら以下に説明する。
図5(A)、(B)に示すように、駆動線DRVL、オートゼロ線AZLをハイレベルとし、TFT22およびTFT23を導通状態とする。このときTFT21はダイオード接続された状態で発光素子(OLED)25と接続されるため、TFT21に電流が流れる。
次に、図5(A)に示すように、駆動線DRVLをローレベルとし、TFT22を非導通とする。このとき走査線SCNLは、図5(C)に示すように、ハイレベルでTFT24が導通状態とされ、信号線SGLには、図5(D)に示すように、オフセット電圧Vofs が与えられる。TFT21に流れる電流が遮断されるため、図5(E)に示すようにTFT21のゲート電位Vgは上昇するが、その電位がVDD-|Vth| まで上昇した時点でTFT21は非導通状態となって電位が安定する。この動作を「オートゼロ動作」と称することがある。
図5(B)、(D)に示すように、オートゼロ線AZLをローレベルとしてTFT23を非導通状態とし、信号線SGLの電位をオフセット電圧Vofs からデータ電位ΔVdata だけ低い電位とする。この信号線電位の変化は、図5(E)に示すように、キャパシタC21を介してTFT21のゲート電位をΔVgだけ低下させる。
図5(A)、(C)に示すように、走査線SCNLをローレベルとしてTFT24を非導通状態とし、駆動線DRVLをハイレベルとしてTFT22を導通状態とすると、TFT21および発光素子(OLED)25に電流が流れ、発光素子25が発光を開始する。
寄生容量が無視できるとすれば、ΔVgおよびTFT21のゲート電位Vgはそれぞれ次のようになる。
(数2)
ΔVg=ΔVdata×C1/(C1+C2) …(2)
ΔVg=ΔVdata×C1/(C1+C2) …(2)
(数3)
Vg=VCC−|Vth|−ΔVdata×C1/(C1+C2)…(3)
Vg=VCC−|Vth|−ΔVdata×C1/(C1+C2)…(3)
ここで、C1はキャパシタC21の容量値、C2はキャパシタC22の容量値をそれぞれ示している。
一方、発光時に発光素子(OLED)25に流れる電流をIoledとすると、これは発光素子25と直列に接続されるTFT21によって電流値が制御される。TFT21が飽和領域で動作すると仮定すれば、良く知られたMOSトランジスタの式および上記(3)式を用いて次の関係を得る。
(数4)
Ioled=μCoxW/L/2(VCC−Vg−|Vth|)2
=μCoxW/L/2(ΔVdata×C1/(C1+C2))2
…(4)
Ioled=μCoxW/L/2(VCC−Vg−|Vth|)2
=μCoxW/L/2(ΔVdata×C1/(C1+C2))2
…(4)
ここで、μはキャリアの移動度、Coxは単位面積当たりのゲート容量、Wはゲート幅、Lはゲート長をそれぞれ示している。
(4)式によれば、IoledはTFT21のしきい値Vthによらず、外部から与えられるΔVdataによって制御される。言い換えれば、図4の画素回路20を用いれば、画素毎にばらつくしきい値Vthの影響を受けず、電流の均一性、ひいては輝度の均一性が比較的高い表示装置を実現することができる。
データドライバ3が各信号線(SGL、SCNL、DRVL、AZL)に供給する信号電圧の動作ついて、図6を参照しながら説明する。ここでは説明の簡単化のため、3(=m)×3(=n)のマトリクス状に配列された画素回路5aについて考察する。
図6の(A)〜(C)はそれぞれ走査線SCNL1〜SCNL3に供給される信号のタイミングを、図6の(D)〜(F)はそれぞれ駆動線DRVL1〜DRVL3に供給される信号のタイミングを、図6の(G)〜(I)はそれぞれオートゼロ線AZL1〜AZL3に供給される信号のタイミングを示す。図6において、blankはブランキング期間を、Vofsはオフセット電圧を、data(1)〜data(3)は各信号線SGL11〜SGL13に供給されるデータ電圧をそれぞれ示す。
時刻t1までのブランキング期間の後、時刻t1において走査線SCNL1、駆動線DRVL1、およびオートゼロ線AZL1の信号がハイレベルに切り替わる。時刻t2で駆動線DRVL1の信号がローレベルに切り替わり、時刻t3でオートゼロ線AZL1の信号がローレベルに切り替わり、時刻t4で走査線SCNL1の信号がローレベルに切り替わる。時刻t5において再び、駆動線DRVL1の信号がハイレベルに切り替わり、発光素子25が発光する。
なお、信号線SGL11には時刻t1から時刻t5の期間にオフセット電圧Vofs、データ電圧data(1)の順でデータが供給される。
時刻t6において、走査線SCNL2、駆動線DRVL2、およびオートゼロ線AZL2の信号がハイレベルに切り替わる。時刻t7で駆動線DRVL2の信号がローレベルに切り替わり、時刻t8でオートゼロ線AZL2の信号がローレベルに切り替わり、時刻t9で走査線SCNL2の信号がローレベルに切り替わる。時刻t10において再び、駆動線DRVL2の信号がハイレベルに切り替わり、発光素子25が発光する。
なお、信号線SGL12には時刻t5から時刻t10の期間にオフセット電圧Vofs、データ電圧data(2)の順でデータが供給される。
なお、信号線SGL11には時刻t1から時刻t5の期間にオフセット電圧Vofs、データ電圧data(1)の順でデータが供給される。
時刻t6において、走査線SCNL2、駆動線DRVL2、およびオートゼロ線AZL2の信号がハイレベルに切り替わる。時刻t7で駆動線DRVL2の信号がローレベルに切り替わり、時刻t8でオートゼロ線AZL2の信号がローレベルに切り替わり、時刻t9で走査線SCNL2の信号がローレベルに切り替わる。時刻t10において再び、駆動線DRVL2の信号がハイレベルに切り替わり、発光素子25が発光する。
なお、信号線SGL12には時刻t5から時刻t10の期間にオフセット電圧Vofs、データ電圧data(2)の順でデータが供給される。
つづいて、時刻t11において、走査線SCNL3、駆動線DRVL3、およびオートゼロ線AZL3の信号がハイレベルに切り替わる。時刻t12で駆動線DRVL3の信号がローレベルに切り替わり、時刻t13でオートゼロ線AZL3の信号がローレベルに切り替わり、時刻t14で走査線SCNL3の信号がローレベルに切り替わる。時刻t15において再び、駆動線DRVL3の信号がハイレベルに切り替わり、発光素子25が発光する。
なお、信号線SGL13には時刻t10から時刻t15の期間にオフセット電圧ofs、データ電圧data(3)の順でデータが供給される。
なお、信号線SGL13には時刻t10から時刻t15の期間にオフセット電圧ofs、データ電圧data(3)の順でデータが供給される。
以上説明したように、表示装置は、1水平期間中にオフセット電圧Vofsを画素回路に供給してオートゼロ動作を行い、その後データ電圧Vdataを画素回路に書き込む。
しかしながら、表示装置の高画質化に伴い画素回路数が増加すると、走査線等の本数も増加し、1水平期間が短くなる。すると、この1水平期間内にオフセット電圧Vofsを画素回路に供給し、「オートゼロ動作」すなわち、駆動トランジスタの閾値Vthの補正を行う十分な時間をとることができなくなる。その結果、有機EL発光素子の輝度のばらつきが発生することになる。
しかしながら、表示装置の高画質化に伴い画素回路数が増加すると、走査線等の本数も増加し、1水平期間が短くなる。すると、この1水平期間内にオフセット電圧Vofsを画素回路に供給し、「オートゼロ動作」すなわち、駆動トランジスタの閾値Vthの補正を行う十分な時間をとることができなくなる。その結果、有機EL発光素子の輝度のばらつきが発生することになる。
本発明は、輝度のばらつきを抑制した高画質な表示装置を提供する。
本発明は、複数の種類の信号電圧を出力するドライバと、画素配列に対応して配線され、上記ドライバから上記信号電圧が供給される複数の信号線と、上記信号線から上記信号電圧が入力される複数の画素回路と、を有し、上記複数の画素回路は、異なる上記信号線に接続される複数の画素回路を含み、上記ドライバは、上記複数の種類の信号電圧を時分割で上記各信号線に出力する。
好適には、上記複数の信号線は、上記画素回路の各列方向に配列され、上記画素回路は、偶数行と奇数行とで異なる上記信号線に接続されている。
好適には、3本の信号線を有し、複数の上記画素配列に対して上記3本の信号線が配線され、上記複数の画素回路は、上記3本の信号線に対して、それぞれ異なる信号線に接続される複数の画素回路を含む。
好適には、上記ドライバは、少なくとも上記輝度情報を含む第1の信号電圧と第2の信号電圧とをそれぞれ上記信号線へ出力し、上記画素回路は、上記第1もしくは上記第2の信号電圧が書き込まれるノードと、上記ノードの信号電圧によって制御される駆動トランジスタと、を含み、上記第1の信号電圧が供給される時は、当該第1の信号電圧を上記ノードへ書き込んで上記駆動トランジスタを駆動し、上記第2の信号電圧が供給される時は、当該第2の信号電圧を上記ノードへ書き込んで上記駆動トランジスタのばらつき補正動作を行う。
本発明によれば、信号電圧が供給される複数の信号線を有し、異なる信号線に接続される複数の画素回路を含み、ドライバは複数の種類の信号電圧を時分割で画素回路に出力する。
本発明によれば、表示装置の画質向上を図ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に関連づけて説明する。
(第1実施形態)
図7は、本第1実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一構成例を示すブロック図である。
本表示装置100aは、画素回路100がm×nのマトリクス状に配列された画素アレイ部106、ドライバ(DDRV)107、ライトスキャナ(WSCN)108、駆動スキャナ(DSCN)109、およびオートゼロ回路(AZRD)110を有する。ただし、本画素アレイ部106の画素回路100はm×nに配列されるが、図7においては、図面および説明の簡単化のために3(=m)×3(=n)に配列された例を示している。
図7は、本第1実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一構成例を示すブロック図である。
本表示装置100aは、画素回路100がm×nのマトリクス状に配列された画素アレイ部106、ドライバ(DDRV)107、ライトスキャナ(WSCN)108、駆動スキャナ(DSCN)109、およびオートゼロ回路(AZRD)110を有する。ただし、本画素アレイ部106の画素回路100はm×nに配列されるが、図7においては、図面および説明の簡単化のために3(=m)×3(=n)に配列された例を示している。
図7に示すように、画素回路100に対してライトスキャナ108によって選択的に駆動される3行分の走査線SCNL101〜SCNL103が配線され、駆動スキャナ109によって選択的に駆動される3行分の駆動線DRVL101〜DRVL103が配線され、オートゼロ回路110によって選択的に駆動される3行分のオートゼロ線AZL101〜AZLL103が配線されている。
さらに、奇数行に配列される画素回路100に対してはデータドライバ107によって駆動される3列分の信号線SGL101a〜SGL103aが配線され、偶数行に配列される画素回路100に対してはデータドライバ107によって駆動される3列分の信号線SGL101b〜SGL103bが配線されている。
信号線SGLの配線形態に関して具体例をあげると、たとえば、奇数行である1行1列目に配列される画素回路100(以後、画素回路100(1、1)のように記述する)は信号線SGL101aに接続され、偶数行である画素回路100(2、1)は信号線SGL101bに接続され、奇数行である画素回路100(3、1)は信号線SGL101aに接続される。
さらに、奇数行に配列される画素回路100に対してはデータドライバ107によって駆動される3列分の信号線SGL101a〜SGL103aが配線され、偶数行に配列される画素回路100に対してはデータドライバ107によって駆動される3列分の信号線SGL101b〜SGL103bが配線されている。
信号線SGLの配線形態に関して具体例をあげると、たとえば、奇数行である1行1列目に配列される画素回路100(以後、画素回路100(1、1)のように記述する)は信号線SGL101aに接続され、偶数行である画素回路100(2、1)は信号線SGL101bに接続され、奇数行である画素回路100(3、1)は信号線SGL101aに接続される。
次に、画素回路100の構成例について説明する。
図8は、第1実施形態に係る画素回路100の一構成例を示す回路図である。
図8は、第1実施形態に係る画素回路100の一構成例を示す回路図である。
図8の画素回路100は、駆動トランジスタであるpチャネルTFT101、nチャネルTFT102〜TFT104、およびキャパシタC101とC102、電圧が書き込まれるノードND101、ノードND102〜ND103、および有機EL素子(OLED)105を有する。
各画素回路100のTFT101は、ソースが電源電位VDDに、ゲートがノードND102に、ドレインがノードND103に接続されている。有機EL発光素子105は、アノードがTFT102を介してノードND103に、カソードが基準電位(たとえば、グランド電位)GNDにそれぞれ接続されている。
各画素回路100のTFT102は、ソースがノードND103に、ドレインが有機EL発光素子105のアノードに、ゲートが対応する行の駆動線DRVLにそれぞれ接続されている。
また、各画素回路100のTFT103は、ソースがノードND103に、ドレインがノードND102に、ゲートが対応する行のオートゼロ線AZLにそれぞれ接続されている。
各画素回路100のTFT104は、奇数行に配置されている場合はソースがそれぞれ対応する信号線SGL101a〜SGL103aに、偶数行に配置されている場合はソースがそれぞれ対応する信号線SGL101b〜SGL103bに接続され、ドレインが ノードND201に接続され、ゲートが対応する走査線SCNLにそれぞれ接続されている。
さらに、キャパシタC101は、一端が電源電位VDDに、他端がノードND102にそれぞれ接続され、キャパシタC102は、一端がノードND101に、他端がノードND102にそれぞれ接続されている。
各画素回路100のTFT101は、ソースが電源電位VDDに、ゲートがノードND102に、ドレインがノードND103に接続されている。有機EL発光素子105は、アノードがTFT102を介してノードND103に、カソードが基準電位(たとえば、グランド電位)GNDにそれぞれ接続されている。
各画素回路100のTFT102は、ソースがノードND103に、ドレインが有機EL発光素子105のアノードに、ゲートが対応する行の駆動線DRVLにそれぞれ接続されている。
また、各画素回路100のTFT103は、ソースがノードND103に、ドレインがノードND102に、ゲートが対応する行のオートゼロ線AZLにそれぞれ接続されている。
各画素回路100のTFT104は、奇数行に配置されている場合はソースがそれぞれ対応する信号線SGL101a〜SGL103aに、偶数行に配置されている場合はソースがそれぞれ対応する信号線SGL101b〜SGL103bに接続され、ドレインが ノードND201に接続され、ゲートが対応する走査線SCNLにそれぞれ接続されている。
さらに、キャパシタC101は、一端が電源電位VDDに、他端がノードND102にそれぞれ接続され、キャパシタC102は、一端がノードND101に、他端がノードND102にそれぞれ接続されている。
以下に、第1実施形態に係る画素回路100の動作について図9を参照しながら説明する。
図9は、第1実施形態に係る画素回路のタイミングチャートである。
図9(A)は走査線SCNL101〜SCNL103(図9ではSCNLと表記)に供給される信号のタイミングを、図9(B)は駆動線DRVL101〜DRVL103(図9ではDRVLと表記)に供給される信号のタイミングを、図9(C)はオートゼロ線AZL101〜AZL103(図9ではAZLと表記)に供給される信号のタイミングを、図9(D)はデータドライバ107が信号線SGL101a〜SGL103aおよび信号線SGL101b〜SGL103b(図9ではSGLと表記)に供給するオフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigを、図9(E)はノードND101における電位Vinを、図9(F)はノードND102における電位Vgを、図9(G)は画素回路100の状態をそれぞれ示す。ここで、オフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigとの関係は、ドライバ103が供給するデータ電圧をVdataとすると(Vsig=Vofs−Vdata)である。ただし、Vdataは(Vdata>0)とする。また、図9において、任意の画素回路100に接続された信号線SCNL、駆動線DRVL、信号線AZL、および信号線SGLについて説明を行う。
図9(A)は走査線SCNL101〜SCNL103(図9ではSCNLと表記)に供給される信号のタイミングを、図9(B)は駆動線DRVL101〜DRVL103(図9ではDRVLと表記)に供給される信号のタイミングを、図9(C)はオートゼロ線AZL101〜AZL103(図9ではAZLと表記)に供給される信号のタイミングを、図9(D)はデータドライバ107が信号線SGL101a〜SGL103aおよび信号線SGL101b〜SGL103b(図9ではSGLと表記)に供給するオフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigを、図9(E)はノードND101における電位Vinを、図9(F)はノードND102における電位Vgを、図9(G)は画素回路100の状態をそれぞれ示す。ここで、オフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigとの関係は、ドライバ103が供給するデータ電圧をVdataとすると(Vsig=Vofs−Vdata)である。ただし、Vdataは(Vdata>0)とする。また、図9において、任意の画素回路100に接続された信号線SCNL、駆動線DRVL、信号線AZL、および信号線SGLについて説明を行う。
図9(A)、(B)、(C)に示すように、走査線SCNL、オートゼロ線AZL、および駆動線DRVLの信号をハイレベルに切り替え、TFT102〜TFT104をオン(導通状態)に切り替える。この時、図9(E)に示すように、ノードND102の電位は上昇し、図9(F)に示すように、ノードND101の電位は下がる。
次に、図9(B)に示すように、ノードND101の電位が下がり、TFT101の閾値に達する前に駆動線DRVLをローレベルとし、TFT102を非導通状態とする。このとき、図9(D)に示すようにデータスキャナはオフセット電圧Vofsを信号線SGLに供給し、図9(E)に示すように、オフセット電圧Vofs が与えられる。また、TFT101に流れる電流が遮断されるため、図9(F)に示すようにノードND101の電位Vgは上昇するが、その電位がVDD−|Vth| まで上昇した時点でTFT101は非導通状態となって電位が安定し、TFT101の閾値Vthが補正される。
その後、オートゼロ線AZLの信号はローレベルに切り替わり、データドライバ107は信号線SGLに信号電圧Vsigを供給する。キャパシタC101〜C102に所定の電荷量が蓄えられ、図9(E)に図示するように再びノードND102の電位はオフセット電圧Vofsからデータ電圧Vdataだけ下降する。また、図9(F)に図示するように、ノードND101の電位は信号電圧Vsigよりデータ電圧dataだけ下降して、このノードND101にデータ電圧Vdataが書き込まれる。
ノード101へのデータ電圧の書き込み後、走査線SCNLはローレベルに切り替わり、ノードND101に書き込まれた電圧によりTFT101はオンに切り替わる。再び駆動線DRVLがハイレベルに切り替わり、駆動線DRVLがハイレベルを維持する期間にデータ電圧に応じた電流が有機EL発光素子105に流れ、有機EL発光素子105は電流量に応じた輝度で発光する。
次に、図9(B)に示すように、ノードND101の電位が下がり、TFT101の閾値に達する前に駆動線DRVLをローレベルとし、TFT102を非導通状態とする。このとき、図9(D)に示すようにデータスキャナはオフセット電圧Vofsを信号線SGLに供給し、図9(E)に示すように、オフセット電圧Vofs が与えられる。また、TFT101に流れる電流が遮断されるため、図9(F)に示すようにノードND101の電位Vgは上昇するが、その電位がVDD−|Vth| まで上昇した時点でTFT101は非導通状態となって電位が安定し、TFT101の閾値Vthが補正される。
その後、オートゼロ線AZLの信号はローレベルに切り替わり、データドライバ107は信号線SGLに信号電圧Vsigを供給する。キャパシタC101〜C102に所定の電荷量が蓄えられ、図9(E)に図示するように再びノードND102の電位はオフセット電圧Vofsからデータ電圧Vdataだけ下降する。また、図9(F)に図示するように、ノードND101の電位は信号電圧Vsigよりデータ電圧dataだけ下降して、このノードND101にデータ電圧Vdataが書き込まれる。
ノード101へのデータ電圧の書き込み後、走査線SCNLはローレベルに切り替わり、ノードND101に書き込まれた電圧によりTFT101はオンに切り替わる。再び駆動線DRVLがハイレベルに切り替わり、駆動線DRVLがハイレベルを維持する期間にデータ電圧に応じた電流が有機EL発光素子105に流れ、有機EL発光素子105は電流量に応じた輝度で発光する。
これから、本実施形態に係るデータドライバ107、ライトスキャナ108、駆動スキャナ109、およびオートゼロ回路110が信号線SCNL、駆動線DRVL、信号線AZL、および信号線SGLに供給する信号電圧の動作について、図10を参照しながら説明する。
図10は、第1実施形態に係る信号線SCNL、駆動線DRVL、信号線AZL、および信号線SGLに供給される信号電圧のタイミングチャートの一例である。
図10(A)は信号線SGL101a〜SGL103a(以後SGL10naと表記)に供給される信号のタイミングを、図10(B)は信号線SGL101b〜SGL103a(以後SGL10nと表記)に供給される信号のタイミングを、図10(C)〜(E)はそれぞれ走査線SCNL101〜SCNL103に供給される信号のタイミングを、図10(F)〜(H)はそれぞれ駆動線DRVL101〜DRVL103に供給される信号のタイミングを、図10(I)〜(K)はそれぞれオートゼロ線AZL101〜AZL103に供給される信号のタイミングを示す。
なお、図10の説明を簡単にするために、任意の列に配列される画素回路100(1、n)〜画素回路100(3、n)について説明を行う。また、画素回路100(1、n)は信号線SGL10n、画素回路100(2、n)は信号線SGL10n、画素回路100(3、n)は信号線SGL10nそれぞれ接続されている。
なお、図10の説明を簡単にするために、任意の列に配列される画素回路100(1、n)〜画素回路100(3、n)について説明を行う。また、画素回路100(1、n)は信号線SGL10n、画素回路100(2、n)は信号線SGL10n、画素回路100(3、n)は信号線SGL10nそれぞれ接続されている。
時刻t0から時刻t1の期間は、ブランキング期間(blankと表記)を設けてあるため、信号電圧は信号線SGL10naとSGL10nbのいずれにも供給されない。
時刻t1までのブランキング期間の後、時刻t1から時刻t5まで信号線SGL10naにオフセット電圧Vofsが供給される。信号線SGL10nbは、時刻t5までブランキング期間であるため、信号は供給されない。
時刻t2において、走査線SCNL101、駆動線DRVL101、オートゼロ線AZL101の信号がハイレベルに切り替わる。走査線SCNL101は、時刻t9までハイレベルが保持され、駆動線DRVL101は、時刻t3までハイレベルが保持される。オートゼロ線AZL101は、時刻t4までハイレベルが保持され、信号線SGL10naが接続されている画素回路100(1、n)のTFT101(図8を参照)の閾値補正が行われる。
時刻t5から時刻t10まで、信号線SGL10naにデータ電圧data(1)が供給され、信号線SGNL10naが接続されている画素回路100(1、n)のノードND201(図8を参照)にデータ電圧data(1)が書き込まれる。また、時刻t5から時刻t10まで、信号線SGL10nbにオフセット電圧Vofsが供給される。ここで、data(1)は画素回路100(1、n)に書き込まれるデータ電圧である。以降、data(2)、data(3)も同様に画素回路100(2、n)、画素回路100(3、n)にそれぞれ書き込まれるデータ電圧である。
時刻t1までのブランキング期間の後、時刻t1から時刻t5まで信号線SGL10naにオフセット電圧Vofsが供給される。信号線SGL10nbは、時刻t5までブランキング期間であるため、信号は供給されない。
時刻t2において、走査線SCNL101、駆動線DRVL101、オートゼロ線AZL101の信号がハイレベルに切り替わる。走査線SCNL101は、時刻t9までハイレベルが保持され、駆動線DRVL101は、時刻t3までハイレベルが保持される。オートゼロ線AZL101は、時刻t4までハイレベルが保持され、信号線SGL10naが接続されている画素回路100(1、n)のTFT101(図8を参照)の閾値補正が行われる。
時刻t5から時刻t10まで、信号線SGL10naにデータ電圧data(1)が供給され、信号線SGNL10naが接続されている画素回路100(1、n)のノードND201(図8を参照)にデータ電圧data(1)が書き込まれる。また、時刻t5から時刻t10まで、信号線SGL10nbにオフセット電圧Vofsが供給される。ここで、data(1)は画素回路100(1、n)に書き込まれるデータ電圧である。以降、data(2)、data(3)も同様に画素回路100(2、n)、画素回路100(3、n)にそれぞれ書き込まれるデータ電圧である。
つづいて、時刻t6において、走査線SCNL102、駆動線DRVL102、オートゼロ線AZL102の信号がハイレベルに切り替わる。走査線SCNL102は、時刻t14までハイレベルが保持され、駆動線DRVL102は、時刻t7までハイレベルが保持される。オートゼロ線AZL102は、時刻t8までハイレベルが保持され、信号線SGL10nbが接続されている画素回路100(2、n)のTFT101の閾値補正が行われる。
時刻t10において、駆動線DRVL101の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(1、n)の発光素子105(図8を参照)が発光する。
時刻t10において、駆動線DRVL101の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(1、n)の発光素子105(図8を参照)が発光する。
さらに時刻t10から時刻t15まで信号線SGL10naにオフセット電圧Vofsが供給される。また、信号線SGL10nbにデータ電圧data(2)が供給され、信号線SGNL10nbが接続されている画素回路100(2、n)のノードND201にデータ電圧data(2)が書き込まれる。
時刻t11において、走査線SCNL103、駆動線DRVL103、オートゼロ線AZL103の信号がハイレベルに切り替わる。走査線SCNL103は、時刻t16までハイレベルが保持され、駆動線DRVL103は、時刻t12までハイレベルが保持される。オートゼロ線AZL103は、時刻t14までハイレベルが保持され、信号線SGL10naが接続されている画素回路100(3、n)のTFT101の閾値補正が行われる。
時刻t15において、駆動線DRVL102の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(2、n)の発光素子105が発光する。
時刻t15において、駆動線DRVL102の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(2、n)の発光素子105が発光する。
さらに時刻t15から時刻t17まで信号線SGL10nbにオフセット電圧Vofsが供給される。また、信号線SGL10naにデータ電圧data(3)が供給され、信号線SGNL10naが接続されている画素回路100(3、n)のノードND101にデータ電圧data(3)が書き込まれる。
時刻t17において、駆動線DRVL103の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(3、n)の発光素子105が発光する。
時刻t17において、駆動線DRVL103の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(3、n)の発光素子105が発光する。
以上の過程で、画素回路100(1、n)については、時刻t1から時刻t10までが、画素回路100(2、n)については、時刻t5から時刻t15までが、画素回路100(3、n)については、時刻t10から時刻t17までが1水平選択期間である。
本実施形態に係る表示装置は、一列に配列される画素回路100に対して列方向に2本の信号線SGL10naとSGL10nbを有する。
奇数行に配列される画素回路100は信号線SGL10naに接続され、偶数行に配列される画素回路100は、信号線SGL10nbに接続される。
したがって、駆動トランジスタであるTFT101の閾値補正時間とノードND101への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を2水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
奇数行に配列される画素回路100は信号線SGL10naに接続され、偶数行に配列される画素回路100は、信号線SGL10nbに接続される。
したがって、駆動トランジスタであるTFT101の閾値補正時間とノードND101への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を2水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
(第2実施形態)
図11は、本第2実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一構成例を示すブロック図である。
ただし、本画素アレイ部106の画素回路100はm×nに配列されるが、図11においては、図面および説明の簡単化のために3(=m)×3(=n)に配列された例を示している。
図11は、本第2実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一構成例を示すブロック図である。
ただし、本画素アレイ部106の画素回路100はm×nに配列されるが、図11においては、図面および説明の簡単化のために3(=m)×3(=n)に配列された例を示している。
本表示装置100bと第1実施形態に係る表示装置100aとの相違点は、各画素回路100に接続される信号線SGLとの接続形態である。
信号線SGLの接続形態に関して具体例をあげると、たとえば、図11に示すように、1列目に配列される画素回路100(1、1)は信号線SGL101cと接続され、画素回路100(2、1)は信号線SGL101dと接続され、画素回路100(3、1)は信号線SGL101cと接続されている。
さらに、2列目に配列される画素回路100(1、2)は信号線SGL102dと接続され、画素回路100(2、2)は信号線SGL102cと接続され、画素回路100(3、1)は信号線SGL102dと接続されている。
このように、本実施形態では、画素回路100は行方向と列方向に対して、信号線SGLとの接続が異なる。
信号線SGLの接続形態に関して具体例をあげると、たとえば、図11に示すように、1列目に配列される画素回路100(1、1)は信号線SGL101cと接続され、画素回路100(2、1)は信号線SGL101dと接続され、画素回路100(3、1)は信号線SGL101cと接続されている。
さらに、2列目に配列される画素回路100(1、2)は信号線SGL102dと接続され、画素回路100(2、2)は信号線SGL102cと接続され、画素回路100(3、1)は信号線SGL102dと接続されている。
このように、本実施形態では、画素回路100は行方向と列方向に対して、信号線SGLとの接続が異なる。
本実施形態に係る表示装置100bの動作は、第1実施形態に係る表示装置100aと同様であるため、説明を省略する。
本実施形態に係る表示装置は、一列に配列される画素回路100に対して列方向に2本の信号線SGL101c〜SGL103c(以後SGL10ncと表記)と信号線SGL101d〜SGL103d(以後SGL10ndと表記)を有する。
画素回路100は、列方向だけでなく行方向に対しても交互に信号線SGL10ncもしくは信号線SGL10ndと接続されている。
したがって、画素回路100の駆動トランジスタであるTFT101の閾値補正時間とノードND101への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を2水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えることができる。
さらには、信号線SGL10ncとSGL10ndとのレイアウトによって輝度のばらつきが発生しても、輝度のばらつきは市松模様となり、輝度差による視認性を低下させることができる。
画素回路100は、列方向だけでなく行方向に対しても交互に信号線SGL10ncもしくは信号線SGL10ndと接続されている。
したがって、画素回路100の駆動トランジスタであるTFT101の閾値補正時間とノードND101への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を2水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えることができる。
さらには、信号線SGL10ncとSGL10ndとのレイアウトによって輝度のばらつきが発生しても、輝度のばらつきは市松模様となり、輝度差による視認性を低下させることができる。
(第3実施形態)
図12は、本第3実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一構成例を示すブロック図である。
ただし、本画素アレイ部106の画素回路100はm×nに配列されるが、図12においては、図面および説明の簡単化のために3(=m)×3(=n)に配列された例を示している。
図12は、本第3実施形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一構成例を示すブロック図である。
ただし、本画素アレイ部106の画素回路100はm×nに配列されるが、図12においては、図面および説明の簡単化のために3(=m)×3(=n)に配列された例を示している。
本表示装置100cは、信号線SGL101e〜SGL103e、信号線SGL101f〜SGL103f、信号線SGL101g〜SGL103gを有する。
本実施形態と第1実施形態に係る表示装置100aあるいは第2実施形態に係る表示装置100bとの相違点は、列方向に配線される信号線SGLの本数および画素回路との配線形態である。
本実施形態と第1実施形態に係る表示装置100aあるいは第2実施形態に係る表示装置100bとの相違点は、列方向に配線される信号線SGLの本数および画素回路との配線形態である。
マトリクス状に配列された画素回路100において、(3i−2)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動される3列分の信号線SGL101e〜SGL103eが配線され、(3i−1)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動される3列分の信号線SGL101f〜SGL103fが配線され、(3i)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動される3列分の信号線SGL101g〜SGL103gが配線されている。ここで、iは(i=1、2、3、)である。
信号線SGLの接続形態に関して具体例をあげると、たとえば、図12に示すように、1列目に配列される画素回路100(1、1)は信号線SGL101eに接続され、画素回路100(2、1)は信号線SGL101fに接続され、画素回路100(3、1)は信号線SGL101gに接続され、図示しない画素回路100(4、1)は再び、信号線SGL101eに接続されている。
信号線SGLの接続形態に関して具体例をあげると、たとえば、図12に示すように、1列目に配列される画素回路100(1、1)は信号線SGL101eに接続され、画素回路100(2、1)は信号線SGL101fに接続され、画素回路100(3、1)は信号線SGL101gに接続され、図示しない画素回路100(4、1)は再び、信号線SGL101eに接続されている。
次に、本実施形態に係るデータドライバ107、ライトスキャナ108、駆動スキャナ109、およびオートゼロ回路110が信号線SGL、信号線SCNL、駆動線DRVL、および信号線AZLに供給する信号電圧の動作について、図13を参照しながら説明する。
図13は、第3実施形態に係る信号線SGL、信号線SCNL、駆動線DRVL、および信号線AZLに供給される信号電圧のタイミングチャートの一例である。
図13(A)は信号線SGL101e〜SGL103e(以後SGL10neと表記)、図13(B)は信号線SGL101f〜SGL103f(以後SGL10nfと表記)、図13(C)は信号線SGL101g〜SGL103g(以後SGL10ngと表記)に供給される信号電圧のタイミングを、図13(D)〜(F)はそれぞれ走査線SCNL101〜SCNL103に供給される信号電圧のタイミングを、図13(G)〜(I)はそれぞれ駆動線DRVL101〜DRVL103に供給される信号電圧のタイミングを、図13(J)〜(L)はそれぞれオートゼロ線AZL101〜AZL103に供給される信号電圧のタイミングを示す。
なお、図13の説明を簡単にするために、任意の列に配列される画素回路100(1、n)〜画素回路100(3、n)について説明を行う(図12を参照)。
なお、画素回路100(1、n)は信号線SGL10neに、画素回路100(2、n)は信号線SGL10nfに、画素回路100(3、n)は信号線SGL10ngにそれぞれ接続されている。
なお、図13の説明を簡単にするために、任意の列に配列される画素回路100(1、n)〜画素回路100(3、n)について説明を行う(図12を参照)。
なお、画素回路100(1、n)は信号線SGL10neに、画素回路100(2、n)は信号線SGL10nfに、画素回路100(3、n)は信号線SGL10ngにそれぞれ接続されている。
時刻t1から時刻t8までの期間、SGL10neにオフセット電圧Vofsが供給される。信号線SGL10nfは時刻t4まで、信号線SGL10ngは時刻t8までブランキング期間であるため、信号は供給されない。
時刻t2において、走査線SCNL101、駆動線DRVL101、オートゼロ線AZL101の信号がハイレベルに切り替わる。走査線SCNL101は、時刻t12までハイレベルが保持され、駆動線DRVL101は、時刻t3までハイレベルが保持される。オートゼロ線AZL101は、時刻t7までハイレベルが保持され、信号線SGL10neが接続されている画素回路100(1、n)の駆動トランジスタTFT101(図8を参照)の閾値補正が行われる。
時刻t8から時刻t13まで、信号線SGL10neにデータ電圧data(1)が供給され、時刻t12まで、信号線SGNL10neが接続されている画素回路100(1、n)のノードND101(図8を参照)にデータ電圧data(1)が書き込まれる。また、時刻t4から時刻t13まで、信号線SGL10nfにオフセット電圧Vofsが供給される。ここで、data(1)は画素回路100(1、n)に書き込まれるデータ電圧である。以降、data(2)、data(3)、data(4)も同様に画素回路100(2、n)、画素回路100(3、n)、画素回路100(4、n)にそれぞれ書き込まれるデータ電圧である。
時刻t8から時刻t13まで、信号線SGL10neにデータ電圧data(1)が供給され、時刻t12まで、信号線SGNL10neが接続されている画素回路100(1、n)のノードND101(図8を参照)にデータ電圧data(1)が書き込まれる。また、時刻t4から時刻t13まで、信号線SGL10nfにオフセット電圧Vofsが供給される。ここで、data(1)は画素回路100(1、n)に書き込まれるデータ電圧である。以降、data(2)、data(3)、data(4)も同様に画素回路100(2、n)、画素回路100(3、n)、画素回路100(4、n)にそれぞれ書き込まれるデータ電圧である。
時刻t5において、走査線SCNL102、駆動線DRVL102、オートゼロ線AZL102の信号がハイレベルに切り替わる。走査線SCNL102は、時刻t15までハイレベルが保持され、駆動線DRVL102は、時刻t6までハイレベルが保持される。オートゼロ線AZL102は、時刻t11までハイレベルが保持され、信号線SGL10nfが接続されている画素回路100(2、n)のTFT101の閾値補正が行われる。
また、時刻t8から時刻t16まで、信号線SGL10ngにオフセット電圧Vofsが供給される。
また、時刻t8から時刻t16まで、信号線SGL10ngにオフセット電圧Vofsが供給される。
時刻t9において、走査線SCNL103、駆動線DRVL103、オートゼロ線AZL103の信号がハイレベルに切り替わる。走査線SCNL103は、時刻t17までハイレベルが保持され、駆動線DRVL103は、時刻t10までハイレベルが保持される。オートゼロ線AZL103は、時刻t14までハイレベルが保持され、信号線SGL10ngが接続されている画素回路100(3、n)のTFT101の閾値補正が行われる。
時刻t13から時刻t16まで、信号線SGL10nfにデータ電圧data(2)が供給され、時刻t15まで、信号線SGNL10nfが接続されている画素回路100(2、n)のノードND101にデータ電圧data(2)が書き込まれる。
時刻t13において、駆動線DRVL101が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(1、n)の発光素子105が発光する。
また、時刻t16から時刻t18まで、信号線SGL10ngにデータ電圧data(3)が供給され、時刻t17まで、信号線SGNL10ngが接続されている画素回路100(3、n)のノードND101にデータ電圧data(3)が書き込まれる。
また、時刻t16から時刻t18まで、信号線SGL10ngにデータ電圧data(3)が供給され、時刻t17まで、信号線SGNL10ngが接続されている画素回路100(3、n)のノードND101にデータ電圧data(3)が書き込まれる。
時刻t16において、駆動線DRVL102の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(2、n)の発光素子105が発光する。
その後、時刻t18において、駆動線DRVL103の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(3、n)の発光素子105が発光する。
その後、時刻t18において、駆動線DRVL103の信号が再びハイレベルに切り替わり、画素回路100(3、n)の発光素子105が発光する。
以上に説明したように、本実施形態では、3本の信号線SGL10ne、SGL10nf、SGL10ngを有する。
(3i−2)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動されるn列分の信号線SGL101e〜SGL10neが配線され、(3i−1)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動されるn列分の信号線SGL101f〜SGL10nfが配線され、(3i)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動されるn列分の信号線SGL101g〜SGL10ngが配線されている。
したがって、画素回路100の駆動トランジスタであるTFT101の閾値補正時間とノード101への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される(図8を参照)。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を最大3水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
(3i−2)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動されるn列分の信号線SGL101e〜SGL10neが配線され、(3i−1)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動されるn列分の信号線SGL101f〜SGL10nfが配線され、(3i)行目に配列される画素回路は、データドライバ107によって駆動されるn列分の信号線SGL101g〜SGL10ngが配線されている。
したがって、画素回路100の駆動トランジスタであるTFT101の閾値補正時間とノード101への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される(図8を参照)。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を最大3水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
(第4実施形態)
本実施形態は、第1実施形態に係る表示装置において、第1実施形態に係る画素回路100を以下に説明する本実施形態に係る画素回路200と置き換えたものであり、第1実施形態と同様の効果が得られる。
本実施形態は、第1実施形態に係る表示装置において、第1実施形態に係る画素回路100を以下に説明する本実施形態に係る画素回路200と置き換えたものであり、第1実施形態と同様の効果が得られる。
次に、画素回路200の構成例について説明する。
図14は、第4実施形態に係る画素回路の一構成例を示す回路図である。
図14は、第4実施形態に係る画素回路の一構成例を示す回路図である。
図14の画素回路200は、駆動トランジスタであるnチャネルTFT201、pチャネルTFT202、nチャネルTFT203〜TFT204、およびキャパシタC201、電圧が書き込まれるノードND201、ノードND202、および有機EL素子(OLED)205を有する。
画素回路200において、第1の基準電位(本実施形態では電源電位VDD)と第2の基準電位(本実施形態では接地電位VSS)との間に、TFT202、駆動トランジスタとしてのTFT201、ノードND202、および有機EL発光素子(OLED)205が直列に接続されている。具体的には、有機EL発光素子205のカソードが接地電位VSSに接続され、アノードがノードND202に接続され、TFT201のソースがノードND202に接続され、TFT202のドレインがTFT202のドレインに接続され、TFT202のソースが電源電位VDDに接続されている。
そして、TFT201のゲートがノードND201に接続され、TFT202のゲートが駆動線DSLに接続されている。
TFT203のドレインがノードND202およびキャパシタC201の第1電極に接続され、ソースが固定電位Viniに接続され、TFT203のゲートがオートゼロ線AZLに接続されている。また、キャパシタC201の第2電極がノードND201に接続されている。
信号線SGLとノードND201との間にTFT204のソース・ドレインがそれぞれ接続されている。そして、TFT204のゲートが走査線SCNLに接続されている。
そして、TFT201のゲートがノードND201に接続され、TFT202のゲートが駆動線DSLに接続されている。
TFT203のドレインがノードND202およびキャパシタC201の第1電極に接続され、ソースが固定電位Viniに接続され、TFT203のゲートがオートゼロ線AZLに接続されている。また、キャパシタC201の第2電極がノードND201に接続されている。
信号線SGLとノードND201との間にTFT204のソース・ドレインがそれぞれ接続されている。そして、TFT204のゲートが走査線SCNLに接続されている。
このように、本実施形態に係る画素回路200は、駆動トランジスタとしてのTFT201のゲート・ソース間に画素容量としてのキャパシタC201が接続され、非発光期間にTFT201のソース電位をスイッチトランジスタとしてのTFT203に介して固定電位に接続し、また、TFT201のゲート・ドレイン間を接続して、しきい値Vthの補正を行うように構成されている。
以下に、第4実施形態に係る画素回路200の動作について図15を参照しながら説明する。
図15は、第4実施形態に係る画素回路のタイミングチャートである。
図15(A)は走査線SCNLに供給される信号のタイミングを、図15(B)は駆動線DRVLに供給される信号のタイミングを、図15(C)はオートゼロ線に供給される信号のタイミングを、図15(D)はデータドライバ107が信号線SGLに供給するオフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigを、図15(E)はノードND201における電位Vgを、図15(F)はノードND202における電位Vdを、図15(G)は画素回路200の駆動状態をそれぞれ示す。ここで、オフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigとの関係は、データドライバ107が供給するデータ電圧をVdataとすると(Vsig=Vofs+Vdata)である。ただし、Vdataは(Vdata>0)とする。
図15(A)は走査線SCNLに供給される信号のタイミングを、図15(B)は駆動線DRVLに供給される信号のタイミングを、図15(C)はオートゼロ線に供給される信号のタイミングを、図15(D)はデータドライバ107が信号線SGLに供給するオフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigを、図15(E)はノードND201における電位Vgを、図15(F)はノードND202における電位Vdを、図15(G)は画素回路200の駆動状態をそれぞれ示す。ここで、オフセット電圧Vofsと信号電圧Vsigとの関係は、データドライバ107が供給するデータ電圧をVdataとすると(Vsig=Vofs+Vdata)である。ただし、Vdataは(Vdata>0)とする。
図15(A)、(B)、(C)に示すように、データドライバ107による駆動線DRVLの信号がハイレベル、ライトスキャナ108による走査線SCNLへの信号がローレベルに保持され、オートゼロ回路110によるオートゼロ線AZLへの信号がローレベルに保持される。
その結果、TFT203がオンし、このとき、TFT203を介して電流が流れ、TFT201のソース電位(ノードND202の電位)はViniまで下降する。そのため、有機EL発光素子205に印加される電圧も0Vとなり、有機EL発光素子205は非発光となる。
この場合、TFT204がオンしてもキャパシタC201に保持されている電圧、すなわち、TFT201のゲート電圧は変わらない。また、ノードND201の電位は、信号線SGLにオフセット電圧Vofsが印加されているため、電位Vofsまで下降する。
その結果、TFT203がオンし、このとき、TFT203を介して電流が流れ、TFT201のソース電位(ノードND202の電位)はViniまで下降する。そのため、有機EL発光素子205に印加される電圧も0Vとなり、有機EL発光素子205は非発光となる。
この場合、TFT204がオンしてもキャパシタC201に保持されている電圧、すなわち、TFT201のゲート電圧は変わらない。また、ノードND201の電位は、信号線SGLにオフセット電圧Vofsが印加されているため、電位Vofsまで下降する。
そして、オートゼロ線AZLへの信号がローレベルに切り替えられた後、ドライブスキャナ107による駆動線DRVLの信号が所定期間のみローレベルに切り替えられる。
これにより、TFT203がオフし、TFT201がオンすることにより、TFT201、TFT202の経路に電流が流れ、ノードND202の電位は上昇する。
そして、ドライブスキャナ107による駆動線DRVLの信号がハイレベルに切り替えられ、駆動線AZLの信号がローベルに切り替えられる。
以上の結果、駆動トランジスタTFT201のしきい値Vth補正が行われ、ノードND201とノードND202との電位差はVthとなる。
これにより、TFT203がオフし、TFT201がオンすることにより、TFT201、TFT202の経路に電流が流れ、ノードND202の電位は上昇する。
そして、ドライブスキャナ107による駆動線DRVLの信号がハイレベルに切り替えられ、駆動線AZLの信号がローベルに切り替えられる。
以上の結果、駆動トランジスタTFT201のしきい値Vth補正が行われ、ノードND201とノードND202との電位差はVthとなる。
走査線SCNLへの信号は所定期間ハイレベルに保持されており、信号線よりデータである信号電圧をノードND201に書き込み、信号がハイレベルの期間にドライブスキャナ107による駆動線DRVLへの信号がハイレベルに切り替えられ、やがて駆動線DRVLへの信号がローレベルに切り替えられる。
このとき、TFT201がオンし、そして、TFT204がオフする。
このとき、TFT201がオンし、そして、TFT204がオフする。
この場合、TFT204がオフしており、TFT201のゲート・ソース間電圧は一定であるので、TFT201は一定電流を有機EL発光素子205に流す。これによって、ノードND202の電位は有機EL発光素子205に電流が流れる電圧Velまで上昇し、有機EL発光素子205は発光する。
本実施形態に係る表示装置は、一列に配列される画素回路100に対して列方向に2本の信号線SGL10naとSGL10nbを有する。
奇数行に配列される画素回路100は信号線SGL10naに接続され、偶数行に配列される画素回路100は、信号線SGL10nbに接続される。
したがって、駆動トランジスタであるTFT201の閾値補正時間とノードND201への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を2水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
奇数行に配列される画素回路100は信号線SGL10naに接続され、偶数行に配列される画素回路100は、信号線SGL10nbに接続される。
したがって、駆動トランジスタであるTFT201の閾値補正時間とノードND201への信号電圧の書き込み時間の負荷が軽減される。また、閾値補正時間と書き込み時間との合計時間を2水平選択時間有することができるため、十分な閾値補正時間を確保することが可能である。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
(第5実施形態)
本実施形態は、第2実施形態に係る表示装置において、第2実施形態に係る画素回路100を第4実施形態に係る画素回路200と置き換えたものであり、第2実施形態と同様の効果を得られる。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
本実施形態は、第2実施形態に係る表示装置において、第2実施形態に係る画素回路100を第4実施形態に係る画素回路200と置き換えたものであり、第2実施形態と同様の効果を得られる。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
(第6実施形態)
本実施形態は、第3実施形態に係る表示装置において、第3実施形態に係る画素回路100を第4実施形態に係る画素回路200と置き換えたものであり、第3実施形態と同様の効果を得られる。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
本実施形態は、第3実施形態に係る表示装置において、第3実施形態に係る画素回路100を第4実施形態に係る画素回路200と置き換えたものであり、第3実施形態と同様の効果を得られる。
その結果、本実施形態に係る表示装置は、輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
なお、本発明の第1実施形態〜第6実施形態に係る画素回路は、本実施形態で説明した以外の構成を有する画素回路と置き換えても本発明に係る実施形態と同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、本発明に係る第1実施形態〜第6実施形態は、各画素回路の列方向に複数の信号線を有し、また、異なる信号線に接続される複数の画素回路を有し、ドライバはオフセット電圧とデータ電圧とを各信号線に時分割で出力する。
したがって、駆動トランジスタの閾値補正時間を確保でき、画素数が増加しても輝度のばらつきを抑えた高画質の画像を得ることができる。
また、データ電圧を書き込むスイッチングトランジスタとオフセット電圧を書き込むスイッチングトランジスタとを共有することができるため、スイッチングトランジスタの個数を削減することができる。
また、データ電圧を書き込むスイッチングトランジスタとオフセット電圧を書き込むスイッチングトランジスタとを共有することができるため、スイッチングトランジスタの個数を削減することができる。
100a〜100c…表示装置、100、200…画素回路、106…画素アレイ部、107…ドライバ(DDRV)、108…ライトスキャナ(WSCN)、109…駆動スキャナ(DSCN)、110…オートゼロ回路(AZRD)、101…pチャネルTFT、102〜104…nチャネルTFT、C101、C102…キャパシタ、ND101〜ND103…ノード、105…有機EL素子(OLED)、SGL…信号線、SCNL…走査線、DRVL…駆動線、AZL…オートゼロ線。
Claims (4)
- 複数の種類の信号電圧を出力するドライバと、
画素配列に対応して配線され、上記ドライバから上記信号電圧が供給される複数の信号線と、
上記信号線から上記信号電圧が入力される複数の画素回路と、
を有し、
上記複数の画素回路は、
異なる上記信号線に接続される複数の画素回路を含み、
上記ドライバは、
上記複数の種類の信号電圧を時分割で上記各信号線に出力する
表示装置。 - 上記複数の信号線は、
上記画素回路の各列方向に配列され、
上記画素回路は、
偶数行と奇数行とで異なる上記信号線に接続されている
請求項1記載の表示装置。 - 3本の信号線を有し、
複数の上記画素配列に対して上記3本の信号線が配線され、
上記複数の画素回路は、
上記3本の信号線に対して、それぞれ異なる信号線に接続される複数の画素回路を含む
請求項1記載の表示装置。 - 上記ドライバは、
少なくとも上記輝度情報を含む第1の信号電圧と第2の信号電圧とをそれぞれ上記信号線へ出力し、
上記画素回路は、
上記第1もしくは上記第2の信号電圧が書き込まれるノードと、
上記ノードの信号電圧によって制御される駆動トランジスタと、を含み、
上記第1の信号電圧が供給される時は、当該第1の信号電圧を上記ノードへ書き込んで上記駆動トランジスタを駆動し、
上記第2の信号電圧が供給される時は、当該第2の信号電圧を上記ノードへ書き込んで上記駆動トランジスタのばらつき補正動作を行う
請求項1記載の表示装置。
Priority Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011158865A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-18 | Casio Computer Co Ltd | 発光駆動装置、発光装置及びその駆動制御方法、並びに、電子機器 |
KR20110123197A (ko) * | 2009-03-06 | 2011-11-14 | 파나소닉 주식회사 | 화상 표시 장치 및 그 구동 방법 |
JP2012003205A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Canon Inc | 表示装置およびその駆動方法 |
JP2012014020A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2013140375A (ja) * | 2008-08-07 | 2013-07-18 | Sharp Corp | 表示装置およびその駆動方法 |
-
2006
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JP2013140375A (ja) * | 2008-08-07 | 2013-07-18 | Sharp Corp | 表示装置およびその駆動方法 |
KR20110123197A (ko) * | 2009-03-06 | 2011-11-14 | 파나소닉 주식회사 | 화상 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR101685713B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2016-12-12 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 화상 표시 장치 및 그 구동 방법 |
JP2011158865A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-18 | Casio Computer Co Ltd | 発光駆動装置、発光装置及びその駆動制御方法、並びに、電子機器 |
JP2012003205A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Canon Inc | 表示装置およびその駆動方法 |
JP2012014020A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
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