JP2008153498A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 原版をスリット状の露光光で照明する照明系の一次結像面近傍に、前記露光光をスリット状に加工するマスキングブレードとは別個に、走査方向における照明領域を規制する第1および第2の遮光板を設ける。さらに、第1および第2の遮光板の少なくとも一方を前記露光光の光軸に垂直な面内で回動させる遮光板回動機構を設ける。遮光板回動機構は、リンク機構とこれを変位駆動させるモータを設け、そのリンク機構傾斜変位部に一方の遮光板を固定する。そしてモータを変位駆動させることにより露光面に対し回転方向に遮光板が駆動されることで露光光透過領域の走査方向左右における幅、すなわち露光光透過量を変化させる。
【選択図】 図1
Description
本実施形態において、前記回動機構の回動中心は、前記照明光学系の光軸から該走査の方向に対応した方向に隔たった位置にある。
前記第1の遮光板のエッジおよび前記第2の遮光板のエッジは、それぞれ前記第1のマスキングブレードのエッジおよび第2のマスキングブレードのエッジと対応した形状に形成されている。なお、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板の少なくとも一方のエッジの形状が可変であることが好ましい。
図1は本発明の一実施例に係る露光装置の構成を示す。図1の装置では、レチクル(原版)を照明するための露光光をスリット状に加工する遮光スリット(第2スリット)とは別の遮光スリット(第1スリット)を形成している。第1スリットは、前記レチクルが照明される領域を前記走査の方向において規制する第1および第2の遮光スリット材(遮光板)光板により形成される。そして、走査方向と垂直な方向(非走査方向)で露光量を修整する際は、この追加した遮光スリットの前縁(第1の遮光板の遮光エッジ)および後縁(第2の遮光板の遮光エッジ)の少なくとも一方を回動する。これにより、スリット幅、すなわち透過光量を走査方向左右で異ならせる。また、第1の遮光板および第2の遮光板は、照明系の一次結像面近傍に配置する。
図5は本実施例の非走査方向露光量修整装置を駆動した後のウエハ面での照度ムラを表わす図である。
ウエハの露光時のプロセス原因(レジスト塗布ムラ,現像ムラ、エッチングムラ等)によるウエハ面内照度ムラはショットごとに異なるのでショットごとのCD修整が必要になる。そこで,図3で示すウエハ面内1ショットの修整前の照度ムラ分布を露光照度の最高部41から露光照度の最低部45までの範囲で計測する。
(1)計測した照度ムラが左右均等なショットの場合は中間位置にしてCD修整を行わない未修整レベル46(図4)に設定する。
(2)計測した照度ムラが略中心で高低に分かれているショットの場合は計測値が高い照度を示している側を修整光量マイナス側修整状態にしてCD修整を行う状態となる一次修整レベル47(図4)に設定する。
続いて、この設定された各々の修整値に対してCD修整駆動スリット材1を駆動させてCD修整を行う。
計測値に対する一次修整レベル47が、設定されている値になるようにCD修整駆動スリット材1を傾けるため、まずモータ固定部23に支持されたリニアモータに駆動指令を出す。これにより、モータ駆動部22がモータ駆動方向24上方に移動し、モータ駆動部支持部材25が上方に引き上げられる。このときモータ駆動部支持部材25に固定された位置検出センサ変位部26も同様に引き上げられる。この位置検出センサ変位部26の変位量を位置検出センサ読み取り部27で読み取り、指令位置で停止するようにフィードバックをかける。
また、図2では、露光量修整用のスリット材1、3の一方のみを回動させる場合を示したが、スリット材1、3の双方を、例えば、走査方向に対し垂直な方向の基準線に対し対称に、回動させてもよい。
さらに、露光量修整用スリットの遮光エッジと露光用スリットの遮光エッジとを交差させるようにすれば、例えば折れ線状の、図4よりも複雑な露光量修整を行うことも可能である。
次に、この露光装置を利用した微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造プロセスを説明する。
図6は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスク(原版またはレチクルともいう)を製作する。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ5(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
2 有効光領域
3 CD修整非駆動スリット材
4 走査方向
5 非走査方向
6 駆動部リンク機構
7 駆動部支点
8 駆動部リンク固定部
9 駆動部リンク機構
10〜12 リンクヒンジ
13 CD修整駆動スリット支持部
21 モータ非駆動部
22 モータ駆動部
23 モータ固定部
24 モータ駆動方向
25 モータ駆動部支持部材
26 位置検出センサ変位部
27 位置検出センサ読み取り部
30 照明光学系
31 レーザパルス発生装置
32 光学系
33 マスキングブレード
34 レチクル
35 投影光学系
36 ウエハ
37 ウエハステージ
38 リレーレンズ
39 ミラー
40 リレーレンズ
41 露光照度の最高部
42 露光照度の中高部
43 露光照度の中間部
44 露光照度の中低部
45 露光照度の最低部
46 未修整レベル
47 一次修整レベル
48 修整光量プラス側修整状態
49 修整光量マイナス側修整状態
Claims (7)
- 原版を照明する照明光学系と、該原版からの光を基板に投影する投影光学系とを有し、前記投影光学系の光軸に対し垂直な方向に該原版および該基板を走査させながら該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置であって、
前記照明光学系中に配され、かつ該原版が照明される領域を該走査の方向において規定する、第1の遮光板および第2の遮光板と、
該走査の方向における該領域の幅の、該走査の方向に対し垂直な方向における分布を調整すべく、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板の少なくとも一方を、前記照明光学系の光軸に垂直な面内において回動させる回動機構と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記回動機構は、前記第1の遮光板および前記第2の遮光板を、該面内において、該走査の方向に対し垂直な方向に対応した基準線に関し対称に回動させる、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記回動機構の回動中心は、前記照明光学系の光軸から該走査の方向に対応した方向に隔たった位置にある、ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記照明光学系は、該走査に応じて移動する、第1のマスキングブレードおよび第2のマスキングブレードをさらに有する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置。
- 前記第1の遮光板のエッジおよび前記第2の遮光板のエッジは、それぞれ前記第1のマスキングブレードのエッジおよび第2のマスキングブレードのエッジと対応した形状に形成されている、ことを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
- 前記第1の遮光板および前記第2の遮光板の少なくとも一方のエッジの形状が可変である、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップとを有する、ことを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056456A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Nikon Corp | 遮光ユニット、可変スリット装置、及び露光装置 |
JP2010285699A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Kb Seiren Ltd | ポリウレタン極細繊維およびその製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5127875B2 (ja) | 2010-04-28 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
JP6243616B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-12-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114164A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Canon Inc | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2000269122A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hiroshima Nippon Denki Kk | ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法 |
JP2002033272A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002110529A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Nikon Corp | 投影露光装置及び該装置を用いたマイクロデバイス製造方法 |
JP2002184676A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
WO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078381A (en) * | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5854671A (en) * | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
US5966202A (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-12 | Svg Lithography Systems, Inc. | Adjustable slit |
US6013401A (en) * | 1997-03-31 | 2000-01-11 | Svg Lithography Systems, Inc. | Method of controlling illumination field to reduce line width variation |
AU4057999A (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-20 | Nikon Corporation | Scanning aligner, method of manufacture thereof, and method of manufacturing device |
US6704090B2 (en) * | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
JP2004063988A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Canon Inc | 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 |
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KR20060059491A (ko) * | 2004-11-29 | 2006-06-02 | 삼성전자주식회사 | 레티클 마스킹 블레이드 및 이를 포함하는 반도체 소자제조용 노광 장치 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000114164A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Canon Inc | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2000269122A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hiroshima Nippon Denki Kk | ダミーパターン形成方法及び半導体製造方法 |
JP2002033272A (ja) * | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002110529A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Nikon Corp | 投影露光装置及び該装置を用いたマイクロデバイス製造方法 |
JP2002184676A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
WO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056456A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Nikon Corp | 遮光ユニット、可変スリット装置、及び露光装置 |
JP2010285699A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Kb Seiren Ltd | ポリウレタン極細繊維およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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