KR20060044898A - 노광장치 및 방법 - Google Patents

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KR20060044898A
KR20060044898A KR1020050025825A KR20050025825A KR20060044898A KR 20060044898 A KR20060044898 A KR 20060044898A KR 1020050025825 A KR1020050025825 A KR 1020050025825A KR 20050025825 A KR20050025825 A KR 20050025825A KR 20060044898 A KR20060044898 A KR 20060044898A
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아쓰시 기따오카
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 투영광학계와 피처리체와의 사이의 공간에 충전되는 액체를 개재해서 레티클의 패턴의 상을 피처리체에 투영하는 투영광학계와, 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계의 적어도 하나를 진동시키는 가진수단과, 상기 피처리체가 처리되고 있을 때의 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계의 적어도 하나의 진동이 허용범위내로 되도록 상기 가진수단을 제어하는 제어부를 가진 것을 특징으로하는 노광장치를 제공하는 것이다.

Description

노광장치 및 방법{EXPOSURE APPARATUS AND METHOD}
도 1은 본 발명에 따른 일 측면으로서의 노광장치의 개략 단면도
도 2는 도 1에 표시하는 제어부의 모듈 구성을 표시하는 도면
도 3은 도 1에 표시한 노광장치의 동작을 설명하기 위한 플로차트
도 4는 도 3에 표시하는 스텝 S1008의 초음파 조사 태스크의 상세한 플로차트
도 5는 도 3 및 도 4에 표시한 노광장치의 동작의 타이밍차트
도 6은 도 3에 표시하는 스텝 S1008A의 초음파 조사태스크의 상세한 플로차트
도 7은 도 6에 표시하는 초음파 조사태스크를 이용했을 경우의 노광장치의 동작의 타이밍차트
도 8은 디바이스(IC나 LSI등의 반도체 칩, LCD, CCD 등)의 제조방법을 설명하기 위한 플로차트
도 9는 도 8에 표시하는 스텝 4에서의 웨이퍼 프로세스의 상세한 플로차트.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 노광장치 10: 조명장치
20: 레티클 25: 레티클 스테이지
30: 투영광학계 40: 피처리체
45: 웨이퍼 스테이지 50: 액체급배기구
52: 급배노즐 60: 초음파조사기구
70: 진동센서 100: 제어부
110: 노광제어부 112: 광원제어부
114: 투영광학계제어부 120: 얼라이먼트제어부
122: AA검출부 124: AF검출부
130: 웨이퍼스테이지 제어부 132: 웨이퍼스테이지 계측부
134: 웨이퍼스테이지 구동부 140: 액침제어부
160: 기포발생특성관리부
본 발명은, 일반적으로는, IC, LSI 등의 반도체 칩, 액정패널 등의 표시소자, 자기헤드 등의 검출소자, CCD 등의 촬상소자를 포함하는 각종 디바이스와, 마이크로 메카닉스에 이용하는 미세패턴의 제조에 이용되는 노광장치 및 방법에 관한 것으로, 특히, 투영광학계와 피처리체의 사이의 액체를 개재해서 피처리체를 노광하는, 액침노광장치(액침 리소그래피 노광장치) 및 방법에 관한 것이다.
레티클(또는 마스크) 상의 회로패턴을 투영광학계를 개재해서 웨이퍼 등에 전사하는 투영 노광장치는 종래부터 사용되고 있고, 근래에는, 고해상도이고 고품 질인 노광이 점점 요구되고 있다. 이러한 요청을 만족하기 위한 한 수단으로서 액침노광이 주목되고 있다. 액침노광은, 투영광학계의 웨이퍼측의 매질(대표적으로는 공기)을 액체로 교체하는 것에 의해 투영광학계의 개구수(NA)의 증가를 더욱 촉진한다. 즉 투영광학계의 NA는 매질의 굴절률을 n으로 하면, NA=n·sinθ이므로, 공기의 굴절률보다 높은 굴절률, 즉 n 〉1의 매질인 경우 NA가 증가한다.
액침노광에 대해서는, 피노광체와 투영광학계와의 사이의 공간에 액체를 충전시키는 몇가지 방법이 이미 제안되고 있다(예를 들면, 국제공개공보 제 99/49504호 참조).국제공개공보 제 99/49504호는, 투영광학계의 기판에 가장 가까운 최종렌즈 근방에 액체공급 노즐과 액체회수 노즐을 설치하고, 액체공급 노즐로부터 액체를 기판과 최종렌즈와의 사이에 공급한다. 노광은, 액체공급 노즐로부터 연속적으로 액체가 공급되고 액체회수 노즐로부터 연속적으로 액체가 회수되는 상태에서, 즉 기판과 최종렌즈와의 사이에서 액체가 순환하는 상태에서 행해진다. 항상 새로운 액체를 공급하면, 레지스트나 광학소자가 액체에 용해되기 시작해도 액체의 굴절률이나 투과율에 변화가 적기 때문에 바람직하다.
이러한 액침노광은, 기판 주변의 전사영역을 노광할 때나 기판과 최종렌즈 사이의 공간에 액체를 충전할 때에 기포 및 마이크로 버블(본 출원에서는, 이것들을 단지 "기포"라고 한다.)이 액체에 혼입하게 한다.
기포는, 노광광을 차광해서 전사 정밀도나 양품률의 저하를 초래하고, 고품질인 노광의 요청을 만족할 수 없다. 기포는 그 후 연속적으로 액체를 공급 및 회수해도 완전히 제거되지 않는다. 또, 액체공급 노즐로부터 기포가 발생해서 연속해 서 공급되는 액체에 혼입할 우려도 있다.
그 외의 액체공급방법으로서는, 기판을 구동부로서의 스테이지에 고정하기 위한 척을 액체에 담그는 방법, 척 및 스테이지를 액체에 담그는 방법, 웨이퍼를 격납하는 웨이퍼 카셋트내에 액체를 채우는 방법(예를 들면, 일본국특개평 10-303114호 공보를 참조) 등이 알려져 있지만, 액체에의 기포의 혼입을 방지하는 것은 모든 액체공급방법에서 공통의 문제이다.
이러한 문제를 해결하기 위해서, 액체에 초음파를 조사함으로써 액체, 기판, 및 투영광학계의 광학소자를 진동시켜셔 기포를 제거하는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 일본국특허 제 2753930호 공보, 동 특개평 11-176727호 공보, 미국특허공보 제 5,610,683호 공보, 일본국 특개 2001-250773호 공보, 미국특허 제 6,610,168호 공보, 일본국특개평11-54427호 공보, 동 특개평 8-8216호 공보, 동 특개2003-31540호 공보, 동 특개2000-216126호 공보, 동 특개평10-303161호 공보, 동 특개2002-248429호 공보 참조.)
이들 종래기술은, 초음파 조사에 의해 기포를 효과적으로 제거하는 기술에 대해서는 개시하고 있지만, 본 발명자는, 초음파에 의한 진동레벨에 따라서는, 패턴의 전사 정밀도가 열화하는 것을 발견했다. 상세하게는, 초음파에 의한 진동레벨이 크더라도, 웨이퍼상의 전사상이 진동에 의해 흐려져서, 전사 정밀도가 열화한다. 또, XY방향의 얼라이먼트 검출 및 Z방향의 포커스 검출시에 진동에 의해 오차가 생기기 때문에, 얼라이먼트 오차에 의한 겹침오차와, 포커스 오차에 의한 상의 흐림이 발생하고, 전사 정밀도의 열화가 발생한다.
따라서, 본 발명은, 액체에 존재하는 기포를 효과적으로 제거할 수 있는 노광장치를 제공하기 위한 것이며, 전사 정밀도의 열화를 방지하는 것이다.
본 발명의 일 측면으로서의 노광장치는, 투영광학계와 피처리체 사이의 공간에 충전되어 있는 액체를 개재해서 레테클의 패턴의 상을 피처리체에 투영하는 투영광학계와; 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계의 적어도 하나를 진동시키는 가진(加振)수단과, 상기 피처리체가 처리되고 있을 때에 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계중 적어도 하나의 진동이 허용범위 내가 되도록, 상기 가진수단을 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 노광방법은, 레티클의 패턴을 피처리체에 투영하는 투영광학계를 가지고, 상기 투영광학계와 상기 피처리체와의 사이의 액체와 상기 투영광학계를 개재해서 상기 피처리체를 노광하는 노광장치를 사용하는 노광방법으로서, 상기 피처리체가 처리되고 있을 때에 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계에 대해서 허용되는 진동에 관한 제 1의 정보를 취득하는 제 1스텝과, 상기 액체, 상기 피처리체 및/또는 상기 투영광학계에 존재하는 각 단위량 당의 기포를 제거하는데 필요한 진동에 관한 제 2의 정보를 취득하는 제 2스텝과, 상기 액체, 상기 피처리체 및/또는 상기 투영광학계에 발생할 수 있는 기포의 양에 관한 제 3의 정보를 취득하는 제 3스텝과, 상기 제 1 내지 제 3의 정보에 의거해서, 상기 액체, 상기 피처리체 및 투영광학계의 적어도 하나를 진동시키는 가진수 단의 동작모드를 제어하는 제 4스텝을 포함한 것을 특징으로 하는 노광방법이다.
본 발명의 또 다른 측면으로서의 디바이스 제조방법은, 노광장치를 이용해서 피처리체를 노광하는 스텝과, 노광한 상기 피처리체를 현상처리하는 스텝을 가지는 디바이스 제조방법이며, 상기 노광장치는, 상기 투영광학계와 상기 피처리체 사이의 공간에 충전되어 있는 액체를 개재해서 레티클의 패턴상을 상기 피처리체에 투영하는 투영광학계와, 상기 액체, 상기 피처리체 및 투영광학계의 적어도 1개를 진동시키는 가진수단과, 상기 피처리체를 처리하고 있을 때에, 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계의 적어도 한개의 진동이 허용범위내가 되도록, 상기 가진수단을 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적 또는 그 외의 특징은, 이하, 첨부 도면을 참조해서 설명하는 다음의 바람직한 실시예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
이하, 첨부도면을 참조해서, 본 발명에 따른 일실시예의 노광장치(1)을 설명한다. 또 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조번호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다. 도 1은, 노광장치(1)의 개략단면도이다.
노광장치(1)은, 투영광학계(30)의 피처리체(40)측에 있는 최종면과 피처리체(40)과의 사이에 공급되는 액체(LW)를 개재해서, 레티클(20)에 형성된 회로패턴을 스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식으로 피처리체(40)에 노광하는 액침형의 노광장치(액침형의 리소그라피 노광장치)이다. 여기서, 사용되는 "스텝ㆍ앤드ㆍ스캔 방식"이란, 레티클에 대해서 웨이퍼를 연속적으로 주사해서 레티클패턴을 웨이퍼에 노광함과 동시에, 1쇼트의 노광종료 후, 웨이퍼를 스텝 이동해서, 다음 쇼트의 노광영역으로 이 동하는 노광방법이다.
노광장치(1)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 조명장치(10)와, 레티클(20)과, 레티클(20)을 장착하는 레티클 스테이지(25)와, 투영광학계(30)와, 피처리체(40)를 장착하는 웨이퍼 스테이지(45)와, 액체 급배(給排)기구(50)와, 초음파 조사기구(60)와, 진동센서(70)와, 제어부(100)를 가진다. 또, 도 1에 나타낸 바와 같이, 노광장치(1)는, 일정한 분위기로 유지된 챔버(CB)로 덮여있다. 프레임(FM)은, 강성이 높은 구조를 가지고, 후술하는 바와 같이, 레티클(20) 및 피처리체(40)의 고정밀도의 위치결정을 가능하게 하고 있다.
조명장치(10)는, 전사용의 회로패턴이 형성된 레티클(20)을 조명하고, 광원부(도시하지 않음)와 조명광학계(도시하지 않음)를 가진다.
광원부는, 예를 들면, 광원으로서는, 파장 약 193㎚의 ArF 엑시머 레이저, 파장 약 248㎚의 KrF 엑시머 레이저 등의 광원을 사용할 수 있지만, 레이저의 종류는 엑시머 레이저로 한정되지 않고, 예를 들면, 파장 약 157㎚의 F2레이저를 사용해도 된다.
조명광학계는 광원(도시하지 않음)으로부터의 광으로 레티클(20)을 조명하는 광학계이며, 렌즈, 미러, 광 인티그레이터, 조리개 등을 포함한다. 예를 들면, 콘덴서 렌즈, 파리의 눈렌즈, 개구조리개, 콘덴서 렌즈, 슬릿 및 결상광학계의 순서로 정렬하는 것 등이다. 광 인티그레이터는, 파리의 눈렌즈 또는 2조의 실린드리칼 렌즈 어레이판(또는 렌티큘라렌즈)을 적층해서 형성한 인티그레이터를 포함해도 되지만, 광학 로드, 회절 소자, 또는 마이크로 렌즈 어레이로 치환되는 경우도 있다.
레티클(20)은, 레티클 반송계(도시하지 않음)에 의해 노광장치(1)의 외부로부터 반송되어 레티클 스테이지(25)에 의해 지지 및 구동된다. 레티클(20)은, 예를 들면, 석영제로 이루어지고, 그 위에는 전사되어야 할 회로 패턴(또는 상)이 형성되어 있다. 레티클(20)의 패턴으로부터의 회절광은, 투영광학계(30)를 통과하고, 그 후 피처리체(40)상에 투영된다. 레티클(20)과 피처리체(40)는, 광학적으로 공액의 관계로 배치된다. 노광장치(1)는, 레티클(20)과 피처리체(40)을 투영광학계(30)의 축소의 배율비로 레티클(20)과 피사체(40)를 주사함으로써, 레티클(20)의 패턴을 피처리체(40)상에 전사한다.
레티클 스테이지(25)는, 프레임(FM)에 장착되어 있다. 레티클 스테이지(25)는, 레티클 척(도시하지 않음)을 개재해서 레티클(20)을 지지하고, 이동기구(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 이동기구는, 리니어 모터 등을 포함하고, 적어도 X축방향으로 레티클 스테이지(25)를 구동하는 것에 의해 레티클(20)을 이동시킨다.
투영광학계(30)는, 레티클(20)의 패턴을 통과한 회절광을 피처리체(40)상에 결상한다. 투영광학계(30)는, 복수의 렌즈소자만으로 이루어진 광학계, 복수의 렌즈소자와 적어도 한 매의 요면경(凹面鏡)을 가지는 광학계(카타디옵트릭 광학계), 복수의 렌즈소자와 적어도 하나의 키노폼 등의 회절광학소자를 가지는 광학계, 풀미러형 광학계 등을 사용할 수 있다. 필요한 색수차의 보정은, 서로 분산치(압베치)가 다른 유리재로 이루어진 복수의 렌즈소자를 사용하거나 회절광학소자를 렌즈 유닛과 역방향으로 광을 분산하도록 배치함으로써 달성할 수 있다.
피처리체(40)는, 웨이퍼 반송계(도시하지 않음)에 의해 노광장치(1)의 외부 로부터 반송되고, 웨이퍼 스테이지(25)에 의해 지지 및 구동된다. 피처리체(40)는, 본 실시예에서는, 웨이퍼, 액정기판용의 유리 플레이트 및 그 외의 피처리체이다. 피처리체(40)에는 포토레지스트가 도포되어 있다.
웨이퍼 스테이지(45)는, 웨이퍼 척(45a)을 개재해서 피처리체(40)을 지지하고, 이동기구(도시하지 않은)에 접속되어 있다. 이동기구는, 예를 들면, 리니어 모터를 이용해서 X-Y-Z방향으로 피처리체(40)를 이동시킨다. 웨이퍼 스테이지(45)는, 피처리체(40)의 소정의 영역을 투영광학계(30)의 바로 밑으로 이동시키고, 피사체의 자세보정을 실시한다. 또, 레티클(20)과 피처리체(40)는, 예를 들면, 동기로 주사되고, 레티클 스테이지(25)의 위치와 웨이퍼 스테이지(45)의 위치는, 예를 들면, 레이저 간섭계 등에 의해 감시되어, 양자는 일정한 속도비율로 구동된다.
액체급배기구(50)은, 급배노즐(52)를 개재해서, 투영광학계(30)와 피처리체(40)와의 사이에, 상세하게는, 투영광학계(30)의 피처리체(40)측의 최종광학소자 (투영광학계(30)의 피처리체(40)측 최종의 에지에 배치되어 있는 광학소자)와 피처리체(40)과의 사이에 액체(LW)를 공급하고, 공급한 액체(LW)를 급배노즐(52)을 개재해서 회수한다. 즉, 투영광학계(30)와, 피처리체(40)의 표면에 형성된 공간은, 액체급배기구(50)으로부터 공급되는 액체(LW)로 충전되고 있다.
본 실시예에서는, 액체(LW)는 순수한 물이다. 또, 투영광학계(30)와 피처리체(40)의 공간은 100㎛정도이다. 그러나, 액체(LW)는, 특히 순수한 물로 한정되는 것은 아니고, 노광광의 파장에 대해서 높은 투과특성 및 높은 굴절률특성을 가지고, 투영광학계(30)와 피처리체(40)에 도포되어 있는 포토레지스트에 대해서 화학 적 안정성이 높은 액체를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불소계 불활성 액체를 사용해도 된다. 또, 투영광학계(30)와 피처리체(40)의 공간은 100㎛로 한정되는 것은 아니다.
액체급배기구(50)의 급배노즐(52)은, 투영광학계(30)의 바닥쪽 에지에 있는 피사체(40)주변에 복수개 배치되어 있다. 본 실시예에서는, 급배노즐(52)를 2개 설치하고 있지만, 개수는 이것에 한정되는 것은 아니다. 액체급배기구(50)와 급배노즐(52)는, 액체(LW)의 공급과 회수를 겸용하는 구조로 되어 있고, 후술하는 제어부(100)에서 제어되며, 노광시의 웨이퍼 스테이지(45)의 구동방향 등의 조건에 근거해서 액체(LW)의 공급과 회수, 또는, 정지의 절환 및 액체(LW)의 급배량이 제어된다. 액체급배기구(50)는, 액체(LW)를 순환시키는 기능도 가진다. 또 액체(LW)를 순환시키는 경우에는, 액체(LW)에 기포가 혼입할 가능성이 있기 때문에, 후술하는 바와 같이, 항상 초음파를 조사하는 것이 바람직하다. 또, 본 발명은, 상기한 로컬 필형(local fill type)의 액침형노광장치 뿐만이 아니라, 피처리체를 스테이지에 고정하는 척을 액체에 담그는 액침노광장치, 액체에 척과 스테이지를 담그는 액침노광장치, 및 피처리체를 격납하는 캐세트 내에 액체를 채우는 액침노광장치에도 적용할 수 있다.
초음파 조사기구(60)는, 웨이퍼 척(45a)의 내부에 매입되도록 설치되어 액체(LW)에 초음파를 조사한다. 환언하면, 초음파 조사기구(60)는, 초음파에 의해, 액체(LW), 피처리체(40) 및 투영광학계(30)의 적어도 1개를 진동시키는 가진수단으로서 초음파에 의해 기능한다. 구체적으로는, 초음파 조사기구(60)는, 후술하는 제 어부(100)에 의해 제어되고, 제어부(100)으로부터 지령된 진폭 및 주파수로 근거해서 초음파를 발생한다. 발생한 초음파는, 피처리체(40)을 개재해서, 액체(LW)에 전달된다. 액체(LW)에 기포가 존재하는 경우에는, 초음파의 진동에너지에 의해 내부의 액체(LW)중의 기포를 소멸시킬 수가 있다. 단, 초음파 조사기구(60)가, 액체(LW)에 진동에너지를 주어 기포를 소멸시키는 효과를 얻을 수 있는 것이면, 본 실시예에 한정하지 않고 다른 실시예라도 된다. 예를 들면, 초음파 조사기구(60)을, 웨이퍼 척(45a)의 내부에 설치하지 않고, 액체(LW)에 초음파를 직접 조사할 수 있는 구성으로 해도 된다.
진동센서(70)는, 투영광학계(30)에 지지되고 (장착되고), 액체(LW)의 진동을 검출할 수 있다. 또, 진동센서(70)는, 액체(LW)의 진동에만 한정하지 않고, 초음파 조사기구(60)의 초음파의 조사에 의한 투영광학계(30)의 진동, 피처리체(40)의 진동 및 액체(LW)의 진동 중 적어도 하나 이상을 검출하는 기능을 가지면 된다. 진동센서(70)이 투영광학계(30)의 진동이나 피처리체(40)의 진동을 검출하는 경우에는, 검출결과로부터 후술하는 제어부(100)이 액체(LW)의 진동을 산출한다.
제어부(100)는, CPU(도시하지 않음) 및 메모리를 가지고, 노광장치(1)의 동작을 제어한다. 제어부(100)는, 조명장치(10), 레티클 스테이지(25)(즉, 레티클 스테이지(25)의 이동기구(도시하지 않음)), 웨이퍼 스테이지(45)(즉, 웨이퍼 스테이지(45)의 이동기구(도시하지 않음)), 액체 급배기구(50), 초음파조사기구(60) 및 진동 센서(70)와 전기적으로 접속되어 있다. CPU는, MPU 등 이름의 여하를 불문하고 어떠한 프로세서도 포함하고, 각 모듈을 제어한다. 메모리는, ROM 및 RAM 으로 구성되어 노광장치(1)의 동작을 제어하는 펌웨어를 격납한다.
제어부(100)는, 본 실시예에서는, 피처리체(40)가 노광되고 있을 때(노광시에) 액체(LW)의 진동이 허용범위 내가 되도록, 초음파조사기구(60)를 제어한다. 상세하게는, 제어부(100)는, 진동센서(70)가 검출하는 액체(LW)의 진동에 근거해, 초음파 조사기구(60)이 조사하는 초음파의 진폭 및 주파수의 적어도 하나를 조정한다. 구체적으로는, 제어부(100)는, 피처리체(40)가 노광되고 있을 때에 액체(LW), 피처리체(40) 및 투영광학계(30)에 대해서 허용되는 진동에 관한 제 1의 정보와, 액체(LW), 피처리체(40) 및 투영광학계(30)에 존재하는 각 단위량 당의 기포를 제거하기 위해서 필요한 진동에 관한 제 2의 정보와, 액체(LW), 피처리체(40) 및 투영광학계(30)에 발생할 수 있는 기포의 양에 관한 제 3의 정보를 취득하고, 초음파 조사기구(60)의 동작모드(즉, 조사하는 초음파)를 제어한다. 제어부(100)는, 액체(LW)의 진동이 기포를 제거하기 위해서 필요한 최저한의 진동과 전사정밀도를 열화시키지 않기 위해 필요한 최저한의 진동과의 사이의 양이 되도록, 초음파 조사기구(60)의 동작을 제어한다.
제어부(100)는, 복수의 모듈을 가지며, 본 실시예에서의 제어부(100)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 노광제어부(110)과, 얼라이먼트제어부(120)과, 웨이퍼 스테이지 제어부(130)과, 액침제어부(140)과, 기포발생 특성 관리부(160)을 가진다. 여기서, 도 2는, 제어부(100)의 모듈 구성을 표시하는 도면이다.
노광제어부(110)은, 광원제어부(112)와 투영광학계제어부(11)를 가지고, 노광장치(1)의 노광의 제어를 실시한다. 예를 들면, 광원제어부(112)는, 조명장치 (10)가 사출하는 광의 사출 타이밍과 광강도 등을 제어하고, 투영광학계제어부(114)는, 투영광학계(30)의 수차보정 등을 위해, 투영광학계(30)을 구성하는 광학소자의 구동을 제어한다.
얼라이먼트제어부(120)은, AA검출부(122)와 AF검출부(124)를 가지고, 레티클(20) 및 피처리체(40)의 얼라이먼트의 제어를 실시한다. AA검출부(122)는, 레티클(20) 및 피처리체(40)의 수평방향(광축에 수직인 면)의 위치를 검출하고, AF검출부(124)는 레티클(20) 및 피처리체(40)의 포커스 방향(광축 방향)의 위치를 검출한다. 얼라이먼트제어부(120)은, AA검출부(122) 및 AF검출부(124)의 검출 결과를 제어부(100)에 통지한다. 제어부(100)는, 노광시에 수평방향과 포커스방향의 계측결과에 근거해서, 레티클 스테이지(25) 및 웨이퍼 스테이지(45)를 개재해서, 레티클(20)및 피처리체(40)의 얼라이먼트를 제어한다.
웨이퍼 스테이지 제어부(130)는, 웨이퍼 스테이지 계측부(132)와 웨이퍼 스테이지 구동부(134)를 가지고, 웨이퍼 스테이지(45)의 구동의 제어를 실시한다. 웨이퍼 스테이지 계측부(132)는, 예를 들면, 피처리체(40)을 주사할 때에, 웨이퍼 스테이지(45)의 위치를 계측한다. 웨이퍼 스테이지 구동부(134)는, 웨이퍼 스테이지 계측부(132)의 검출 결과에 근거해서 레티클(20)과 피처리체(40)을 동기시키도록, 웨이퍼 스테이지(45)를 주사한다.
액침제어부(140)는, 액체급배기구(50), 초음파 조사기구(60) 및 진동센서(70)를 개재해서 액침노광의 제어를 실시한다. 즉, 액침제어부(140)는, 액체급배기구(50)에 대해서는, 액체(LW)의 공급 및 회수의 절환, 정지, 공급 및 회수하는 액 체(LW)의 양의 제어를 실시한다. 또, 액침제어부(140)은, 진동센서(70)의 검출결과를 근거로, 초음파 조사기구(60)에의 진폭 및 주파수의 지령을 실시한다. 또, 액침제어부(140)은, 진동센서(70)이 검출한 투영광학계(30)의 진동 및/또는 피처리체(40)의 진동으로부터 액체(LW)의 진동을 산출하는 기능도 가진다.
기포발생 특성관리부(160)는, 액체(LW), 투영광학계(30)의 피처리체(40)측의 최종광학소자 및 피처리체(40)의 각각의 특성에 의해 정해지는 기포의 발생의 비율(제 3의 정보)을 제어부(100)에 준다. 예를 들면, 액체(LW)와 고체 표면(즉, 투영광학계(30)의 피처리체(40)측의 최종광학소자, 또는 피처리체(40) 등)에서의 접촉각과 기포의 발생비율은 실험에 의해 미리 구해 둔다. 다음에, 사용하는 액체(LW)와, 투영광학계(30)의 피처리체(40)측에서의 최종광학소자 또는 피처리체(40) 사이에 있어서의 접촉각을 계측하고, 그 결과로부터, 기포의 발생비율을 산출한다. 기포발생 특성관리부(160)는, 전사정밀도를 열화시키지 않는 정도로 허용 할 수 있는 액체(LW)의 진동(제1의 정보) 및 액체(LW)에 존재하는 기포를 제거하기 위해서 필요한 진동에너지(제2의 정보)도 제어부(100)에 준다. 이들 정보도 실험 등에 의해 미리 구해 둔다. 기포발생 특성관리부(160)는, 데이타베이스나 맨머신인터페이스에 의한 입력수단, 혹은, 기포의 발생을 검출하는 수단을 이용해서 실제로 기포의 발생의 비율을 검출해도 된다. 기포발생 특성관리부(160)으로부터의 정보에 근거해서, 액침제어부(140)에 조사하는 초음파의 진폭 및 주파수를 송신한다.
다음에, 도 3및 도 4를 참조해서, 노광장치(1)의 동작(노광장치(1)를 이용한 노광방법)에 대해 설명한다. 여기에서는, 레지스트가 도포된 1매의 웨이퍼(피처 리체(40))를 노광하는 경우를 설명한다. 도 3은, 노광장치(1)의 동작을 설명하기 위한 플로차트이다. 또, 복수의 웨이퍼를 연속처리하는 경우에는, 일반적으로, 동작의 일부는 평행처리가 된다. 1대의 노광장치(1)에 있어서, 동시에 노광광이 조사되는 웨이퍼가 1매라고 하면, 본 실시예의 요점인 노광시에 초음파의 조사를 정지시키는 동작에 대해서는, 복수의 웨이퍼를 연속 처리하는 경우에서도 같은 플로차트로 나타낼 수 있다.
도 3을 참조하면, 웨이퍼 반송계(도시하지 않음)에 의해, 웨이퍼 스테이지(45)에 웨이퍼를 반입하고(스텝 S1002), 웨이퍼 얼라이먼트(웨이퍼의 위치맞춤)를 실시한다(스텝 S1004). 웨이퍼 얼라이먼트의 예로서는, 웨이퍼를 장치기준에 대해서 프리얼라이먼트한 후, 레티클(20)에 대해서 글로벌얼라이먼트를 실시하는 방법이 있다.
다음에, 액체급배기구(50)에 의해, 투영광학계(30)의 웨이퍼측의 최종광학소자와 웨이퍼와의 사이를 채우도록 액체(LW)를 공급하고(스텝 S1006), 초음파 조사 태스크를 개시한다(스텝 S1008). 실제적으로는, 제어부(100)(액침제어부 (140))은, 도 4에 표시하는 초음파조사 태스크를 개시한다. 또, 도 3에 있어서, 스텝 S1008 내지 스텝 S1018의 루프는, 스텝·앤드·스캔방식의 동작을 나타내고 있기때문에, 초음파 조사 태스크만을 표시하는 도 4와는 다르다. 여기서, 도 4는, 스텝 S1008의 초음파 조사 태스크의 상세한 플로차트이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 초음파조사 태스크(스텝 S1008)는, 초음파조사 플래그를 ON로 하는 것에 의해(스텝 S1010), 초음파의 조사를 실시한다(스텝 S1011). 다음에, 웨이퍼상의 노광 쇼트의 위치까지 웨이퍼 스테이지(45)(노광장치(1)는 스캐너이기 때문에, 레티클 스테이지(25))를 구동하고(스텝 S1012), 해당 노광쇼트의 노광을 실시하기(스텝 S1016) 전에, 초음파 작동 플래그를 OFF로 한다(스텝 S1014). 이것에 의해, 노광쇼트가 노광될(스텝 S1016) 때에는, 초음파의 조사가 정지된다(스텝 S1015). 모든 노광쇼트에 대해서 스텝 S1010 내지 스텝 S1016를 실시하고, 모든 노광쇼트의 노광이 완료하면(스텝 S1018), 초음파 조사 태스크를 종료한다(스텝 S1020).
그 후, 액체(LW)를 회수하고(스텝 S1022), 노광한 웨이퍼를 반출해서(스텝 S1024), 1매의 웨이퍼의 노광을 종료한다.
이상과 같이, 본 실시예의 노광장치(1) 및 노광방법은, 투영광학계(30)의 웨이퍼측의 최종광학소자와 웨이퍼와의 사이를 채우고 있는 액체중에 존재하는 기포를 초음파에 의해 효과적으로 제거할 수가 있다. 또, 이 때, 초음파의 조사에 의해 액체는 진동하지만, 웨이퍼의 노광시에는 초음파의 조사를 정지하도록 제어되고 있기 때문에(즉, 액체가 진동하고 있지 않기 때문에), 기포의 제거에 기인하는 전사 정밀도의 열화를 방지할 수가 있다. 환언하면, 웨이퍼의 비노광시에 초음파를 조사하는 것에 의해 액체의 진동을 고려할 필요가 없어지고, 이러한 초음파의 진동 및 주파수를 기포의 제거에 의해 크게 할 수가 있고(즉, 액체의 진동이 허용범위를 넘어도 된다), 보다 많은 기포를 단시간에 제거하는 것이 가능하게 되며, 따라서, 액체에 기포가 존재하는 것에 의한 전사정밀도의 열화도 억제할 수가 있다.
또, 도 3 및 도 4에 표시하는 노광장치(1)의 동작의 타이밍차트를 도 5에 표 시한다. 도 5를 참조하면, 웨이퍼에 노광광이 조사되고 있을 때에는(노광시에는), 초음파의 조사가 정지되고, 웨이퍼의 비노광시에는, 초음파를 가능한 한 장시간 동안 조사한다. 그 결과, 액체에 존재하는 기포를 효과적으로 제거할 수 있다. 여기서, d1는, 초음파 조사 플래그를 OFF할 때까지, 즉, 초음파의 조사의 정지를 지령하고 나서 초음파의 조사에 의한 액체의 진동이 노광에 영향을 주지 않는 조건(액체의 진동의 허용범위 미만의 진동)으로 진동이 감쇠할 때까지의 지연시간이다. 따라서, 노광을 개시하는 시간 이전에, 또 d1만 초음파조사 플래그를 OFF로 할 필요가 있다. 또, 본 실시예에서는 생략하고 있지만, 초음파의 정지로부터 조사시킬 때도 마찬가지로 지연시간을 발생시키다.
본 실시예에서는, 미리 결정된 노광쇼트의 이동시간에 따라서 초음파를 조사하는 시간을 결정하고 있다. 그러나, 초음파의 조사시간과 장치의 쓰루풋은 트레이드 오프의 역관계에 있고, 기포를 제거하는 효과가 보다 높은 경우에는, 쓰루풋이 더 낮아지며, 그것은 초음파의 조사시간에 우선하고, 제 N쇼트의 노광과 제 N+1 쇼트의 노광의 간격을 초음파의 조사시간에 연동해서 결정해도 된다.
여기서, 도 6 및 도 7을 참조해서, 스텝 S1008의 초음파조사 태스크의 변형예인 초음파조사 태스크(스텝 S1008A)에 대해서 설명한다. 또, 노광장치(1)의 동작(노광장치(1)를 이용한 노광방법)은, 도 3에 표시하는 플로차트와 같다. 본 실시예의 초음파조사 태스크는, 웨이퍼의 노광시 및 비노광시와 연동해서, 기포를 제거하기 위한 초음파의 강도를 조정한다. 보다 상세하게는, 각 노광쇼트의 노광시에는, 조사하는 초음파의 진폭은 작고, 비노광시에는, 예를 들면, 노광쇼트간의 이동시 (스텝 이동중)에는 조사하는 초음파의 진폭을 크게 한다. 즉, 제어부(100)(액침제어부(140)의 초음파조사기구(60)에 대한 제어가 다르다. 본 실시예에서는, 제어부(100)은, 초음파조사기구(60)이 조사하는 초음파의 진폭을, 제로, 소진폭 및 대진폭의 3개 상태로 제어한다.
또, 소진폭의 초음파의 조사에 의해서도 액체(LW)는 진동하지만, 이러한 진동은 허용범위내이며, 전사 정밀도의 열화도 허용치 이하인 것을 상정하고 있다. 환언하면, 노광시에도 액체(LW)에 존재하는 기포를 제거하는 효과를 얻기 위해서는, 전사 정밀도의 열화가 허용되는 범위 내에서 액체(LW)에의 초음파의 조사를 실시한다. 초음파의 진폭과 전사 정밀도의 열화 사이의 관계는, 테스트 노광 등에 의해 미리 구한다. 이러한 관계로부터, 진동센서(70)의 검출결과에 의거해서, 조사하는 초음파의 진폭을 결정할 수가 있다.
도 6은, 스텝 S1008A로서의 초음파조사태스크의 상세한 플로차트이다. 초음파조사태스크(스텝 S1008A)는, 초음파 조사 플래그를 ON으로 하는 것에 의해(스텝 S1009A), 초음파를 대진폭으로 조사한다(스텝 S1011A). 이때, 웨이퍼는 비노광이며, 예를 들면, 웨이퍼 상의 노광쇼트의 위치까지 웨이퍼 스테이지(45)를 구동한다(스텝 S1012). 웨이퍼 스테이지(45)의 구동이 종료하면 초음파조사플래그를 OFF로 하는 것에 의해(스텝 S1014A), 초음파를 소진폭으로 조사한다(스텝 S1015A). 이것에 의해, 노광쇼트가 노광되는(스텝 S1016) 때에는, 액체(LW)의 진동이 허용범위 내가 된다. 모든 노광쇼트에 대해서 스텝 S1010 내지 스텝 S1016이 행해지고. 모든 노광쇼트의 노광이 완료하면(스텝 S1018), 초음파의 진동을 0으로 조정해서 조사를 정지하고(스텝 S1019A), 초음파조사테스크를 종료한다(스텝 S1020A).
이상과 같이, 본 실시예의 초음파조사태스크에 의하면, 초음파의 진폭을 조정하는 것에 의해, 웨이퍼의 노광시에 초음파를 조사할 수가 있으므로, 투영광학계(30)의 웨이퍼측의 최종 광학소자와 웨이퍼와의 사이를 채우고 있는 액체에 존재하는 기포를 효과적으로 제거할 수가 있다. 또, 소진폭의 초음파의 조사에 의해서도 액체는 진동 하지만, 전사 정밀도에는 영향을 주지 않는 정도의 작은 진동이므로, 기포의 제거에 기인하는 전사 정밀도의 열화를 방지할 수 가 있다. 즉, 웨이퍼의 비노광시에는 기포의 제거를 위해 대진폭의 초음파를 조사하고, 웨이퍼의 노광시에는 전사 정밀도에 영향을 주지 않고, 또한, 최저한의 기포의 제거를 실시할 수 있는 소진폭의 초음파를 조사하며, 따라서, 보다 많은 기포를 단시간에 제거하는 것이 가능하게 됨과 동시에, 액체에 기포가 존재하는 것에 의한 전사 정밀도의 열화도 억제할 수가 있다.
도 7에, 도 6에 표시하는 초음파 조사 태스크를 이용했을 경우의 노광장치(1)의 동작의 타이밍 차트를 표시한다. 도 7을 참조하면, 웨이퍼에 노광광이 조사되고 있을 때에는(노광시) 소진폭의 초음파를 조사해서 전사 정밀도의 열화를 억제하고, 웨이퍼의 비노광시에는 대진폭의 초음파를 조사해서 효과적으로 기포의 제거를 실시한다. 여기서, d2는, 초음파 조사 플래그를 OFF로 할 때로부터의 지연시간, 즉, 소진폭의 초음파의 조사를 지령하고 나서, 대진폭의 초음파의 조사에 의한 액체의 진동이 노광에 영향을 주지 않는 조건(액체의 진동의 허용범위 미만)으로 감쇠할 때까지의 지연시간이다. 따라서, 노광을 개시하는 시간부터 (d2)만큼 빨리 초 음파 작동 플래그를 OFF로 할 필요가 있다. 또, 본 실시예에서는 생략하고 있지만, 초음파의 정지로부터 조사시킬 때에도 마찬가지로 지연시간을 발생시킨다.
본 실시예에서는, 초음파의 진폭을 복수 상태로 제어하고 있지만, 연속적으로 제어해도 된다. 즉, 소진폭의 초음파로부터 대진폭의 초음파로의 변경시, 및, 대진폭의 초음파로부터 소진폭의 초음파로의 변경에 시에는, 진폭을 서서히 변화시켜도 된다.
상술한 초음파 조사태스크는, 레티클(20)과 피처리체(40)의 얼라이먼트시에 적용할 수가 있다. 레티클(20)과 피처리체(40)의 얼라이먼트 시에, 액체(LW)에 기포가 존재하면, 레티클(20)이나 피처리체(40)의 위치를 검출하기 위해서 조사되는 검출광이 기포에 의해 산란하고, 레티클(20)과 피처리체(40)의 위치의 검출정밀도(얼라이먼트 정밀도)가 열화하는 경우가 있다. 또, 기포를 제거하기 위해서 액체 (LW)에 초음파를 조사하면, 액체(LW)가 진동하고, 마찬가지로 검출정밀도(얼라이먼트 정밀도)가 열화한다.
여기서, 레티클(20)과 피처리체(40)의 위치를 검출하기 전에 초음파를 조사하고(또는 대진폭의 초음파를 조사하고), 레티클(20)과 피처리체(40)의 위치를 검출할 때에는, 초음파의 조사를 정지하는(또는 검출정밀도에 영향을 주지 않는 정도의 소진폭의 초음파를 조사하는)것에 의해, 효과적으로 액체에 존재하는 기포를 제거하는 것이 가능해져서, 기포의 제거에 기인하는 검출정밀도(얼라이먼트 정밀도)의 열화를 방지할 수가 있다. 환언하면, 레티클(20)과 피처리체(40)의 비얼라이먼트시에 초음파를 조사하는 것에 의해 액체의 진동을 고려할 필요가 없어지고, 이러 한 초음파의 진동 및 주파수를 기포의 제거에 따라서 크게 할 수가 있고(즉, 액체의 진동이 허용범위를 넘어도 된다), 액체에 기포가 존재하는 것에 의한 얼라이먼트 정밀도의 열화를 억제할 수 있다. 또, 조사하는 초음파의 진폭을 제어하는 것에 의해, 얼라이먼트시 및 비얼라이먼트시에 관계하지 않고, 항상 초음파를 조사할 수가 있으므로, 투영 광학계(30)의 웨이퍼측의 최종광학소자와 웨이퍼와의 사이를 채우고 있는 액체에 존재하는 기포를 보다 효과적으로 제거할 수가 있다.
노광장치(1)은, 액체(LW)에 존재하는 기포를 제거함과 동시에, 이러한 제거에 기인하는 전사 정밀도의 열화를 방지하고, 소망의 해상도를 달성하는 것이 가능하기 때문에, 상기 노광장치(1)는 고정밀도로 피처리체(40)에 패턴을 전사하고, 높은 쓰루풋으로 경제성 좋게 디바이스(반도체소자, LCD 소자, 촬상소자(CCD 등), 박막자기헤드 등)를 제공한다.
이하, 도 8 및 도 9를 참조해서, 상술의 노광장치(1)을 이용한 디바이스 제조방법의 일실시예를 설명한다. 도 8은, 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체 칩, LCD, CCD 등)의 제조방법을 설명하기 위한 플로차트이다. 여기에서는, 반도체 칩의 제조를 예로 설명한다. 스텝 1(회로설계)에서는, 반도체디바이스의 회로설계를 실시한다. 스텝 2(마스크 제작)에서는, 설계한 회로패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는, 실리콘 등의 재료를 이용해 웨이퍼를 제조한다. 스텝 4 (웨이퍼 프로세스)는, 전공정으로도 불리우고 마스크와 웨이퍼를 이용해서 석판인쇄기술에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 5(조립)는, 후공정으로도 불리우고 스텝 4에서 작성된 웨이퍼를 이용해서 반도체 칩화하는 공정이며, 어셈블 리 공정(예를 들면, 다이싱, 본딩), 패키징 공정(칩 봉입) 등의 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는, 스텝 5에서 작성된 반도체 디바이스의 동작확인 테스트, 내구성 테스트 등의 각종 검사를 실시한다. 이러한 공정을 거쳐 반도체 디바이스가 완성하고, 이것이 출하(스텝 7)된다.
도 9는, 스텝 4의 웨이퍼 프로세스의 상세한 플로차트이다. 스텝 11(산화)에서는, 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12 (CVD)에서는, 웨이퍼의 표면에 절연층을 형성한다. 스텝 13(전극 형성)에서는, 웨이퍼상에 전극을 증착 등에 의해 형성한다. 스텝 14(이온 주입)에서는, 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(레지스터 처리)에서는, 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는, 노광장치(1)에 의해 마스크의 회로패턴을 웨이퍼에 노광한다. 스텝 17(현상)에서는, 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 18(에칭)에서는, 현상한 레지스트상 이외의 부분을 에칭한다. 스텝 19(레지스터 박리)에서는, 에칭이 끝나 불필요해진 레지스트를 제거한다. 이러한 스텝을 반복해 실시하는 것에 의해 웨이퍼상에 다중으로 회로패턴이 형성된다. 본 실시예의 디바이스 제조방법에 의하면, 종래보다 고품질의 디바이스를 제조할 수가 있다. 이와 같이, 노광 장치(1)을 사용하는 디바이스 제조방법, 및 결과물로서의 디바이스도 본 발명의 일측면을 구성한다.
본 발명은 이들 바람직한 실시예에 한정되지 않는 것이며, 본 발명의 범위로부터 일탈하지 않고 여러가지의 변형과 변경이 이루어질 수 있다.
본 발명에 의하면, 액체에 존재하는 기포를 효과적으로 제거함과 동시에, 이 러한 제거에 기인하는 전사정밀도의 열화를 방지하는 노광장치 및 방법을 제공할 수 있다.

Claims (17)

  1. 투영광학계와 피처리체와의 사이의 공간에 충전되어 있는 액체를 개재해서 레티클의 패턴의 상을 피처리체에 투영하는 투영광학계와;
    상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영 광학계의 적어도 하나를 진동시키는 가진수단과,
    상기 피처리체가 처리되고 있을 때에 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계 중 적어도 하나의 진동이 허용범위 내가 되도록, 상기 가진수단을 제어하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 가진수단은 상기 액체에 초음파를 조사하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 진동의 진폭 및 주파수 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 피처리체가 처리되고 있을 때와 상기 피처리체가 처리 되고 있지 않을 때에 상기 가진수단의 다른 동작모드를 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 피처리체가 처리되고 있지 않을 때에 상기 동작모드의 절환을 실행하도록, 상기 동작모드의 절환시기를 설정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 처리는, 노광인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 처리는, 상기 피처리체와 상기 레티클과의 얼라이먼트인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영 광학계의 적어도 하나의 진동을 검출하는 검출수단을 또 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 액체는, 순환하고 있는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 레티클의 패턴을 피처리체에 투영하는 투영광학계를 구비하고, 상기 투영광학계와 상기 피처리체와의 사이의 액체 및 상기 투영 광학계를 개재해서 상기 피처리체를 노광하는 노광장치를 사용하는 노광방법으로서,
    상기 피처리체가 처리되고 있을 때의 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영광학계에 대해서 허용되는 진동에 관한 제 1의 정보를 취득하는 제 1스텝과;
    상기 액체, 상기 피처리체 및/또는 상기 투영 광학계에 존재하는 각 단위량 당의 기포를 제거하는데 필요한 진동에 관한 제 2의 정보를 취득하는 제 2스텝과;
    상기 액체, 상기 피처리체 및/또는 상기 투영 광학계에 발생할 수 있는 기포의 양에 관한 제 3의 정보를 취득하는 제 3스텝과;
    상기 제 1 내지 제 3의 정보에 근거해서 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영 광학계의 적어도 하나를 진동시키는 가진수단의 동작모드를 제어하는 제 4스텝을 가지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 동작모드는, 상기 피처리체가 처리되고 있을 때와 상기 피처리체가 처리되고 있지 않을 때에 다른 것을 특징으로 하는 노광방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 피처리체가 처리되고 있을 때의 진동은, 상기 피처리체가 처리되고 있지 않을 때의 진동보다 작은 것을 특징으로 하는 노광방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 피처리체가 처리되고 있을 때는 상기 진동을 정지시키는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영 광학계에 있어서의 상기 진동의 감쇠기간에 의거해서 상기 피처리체가 처리되고 있지 않을 때에 상기 동작모드의 절환을 실행하도록, 상기 동작모드의 절환시기를 설정하는 제5스텝을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광방법.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 처리는, 노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 처리는, 상기 피처리체와 상기 레티클과의 얼라이먼트인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  17. 노광 장치를 이용해서 피처리체를 노광하는 스텝과,
    노광한 상기 피처리체를 현상처리하는 스텝을 구비한 디바이스 제조방법으로서,
    상기 노광장치는, 상기 투영 광학계와 상기 피처리체와의 사이의 공간에 충전되어 있는 액체를 개재해서 레티클의 패턴상을 상기 피처리체에 투영하는 투영광학계와; 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영 광학계의 적어도 1개를 진동시키는 가진수단과; 상기 피처리체가 처리되고 있을 때에 상기 액체, 상기 피처리체 및 상기 투영 광학계의 적어도 한 개의 진동이 허용범위 내가 되도록, 상기 가진수단을 제어하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100779372B1 (ko) * 2006-12-06 2007-11-23 동부일렉트로닉스 주식회사 진동측정수단이 구비된 노광장치 및 진동저감방법
KR100882968B1 (ko) * 2006-08-14 2009-02-12 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스의 제조방법

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040184467A1 (en) * 2003-03-21 2004-09-23 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Gateway apparatus and IPv6 network system
EP2261741A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528929B2 (en) * 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) * 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) * 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101427056B1 (ko) 2005-01-31 2014-08-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN101128775B (zh) 2005-02-10 2012-07-25 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US7378025B2 (en) * 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) * 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102005053751B4 (de) * 2005-11-10 2008-08-07 Taiwan Semiconductor Mfg. Co., Ltd. Megaschall-Immersionslithografie-Belichtungs-Vorrichtung und Verfahren
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) * 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) * 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7841352B2 (en) * 2007-05-04 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
WO2008146819A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Nikon Corporation 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
NL2006272A (en) 2010-05-04 2011-11-07 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
WO2022012830A1 (en) * 2020-07-14 2022-01-20 Asml Netherlands B.V. A fluid handling system, method and lithographic apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3353510B2 (ja) 1994-04-21 2002-12-03 ソニー株式会社 化学的機械研磨方法および化学的機械研磨装置とそれを用いた半導体装置の製造方法
US5688364A (en) * 1994-12-22 1997-11-18 Sony Corporation Chemical-mechanical polishing method and apparatus using ultrasound applied to the carrier and platen
JP3558484B2 (ja) 1997-04-23 2004-08-25 株式会社リコー 基板洗浄装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3075468B2 (ja) 1997-06-24 2000-08-14 株式会社日立製作所 電子線描画方法および電子線描画装置
JPH1154427A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Nittetsu Semiconductor Kk フォトリソグラフィー工程における現像処理方法
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000216126A (ja) 1999-01-22 2000-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法およびその装置
JP2001250773A (ja) 1999-08-12 2001-09-14 Uct Kk レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法
US6610168B1 (en) * 1999-08-12 2003-08-26 Sipec Corporation Resist film removal apparatus and resist film removal method
JP4990439B2 (ja) 2001-02-26 2012-08-01 芝浦メカトロニクス株式会社 超音波発振装置及び超音波発振方法、洗浄装置及び洗浄方法
JP4868667B2 (ja) 2001-07-18 2012-02-01 株式会社東芝 超音波洗浄ユニット、超音波洗浄装置、超音波洗浄方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100882968B1 (ko) * 2006-08-14 2009-02-12 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스의 제조방법
KR100779372B1 (ko) * 2006-12-06 2007-11-23 동부일렉트로닉스 주식회사 진동측정수단이 구비된 노광장치 및 진동저감방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20050213065A1 (en) 2005-09-29
US7180574B2 (en) 2007-02-20
CN1677241A (zh) 2005-10-05
TW200534052A (en) 2005-10-16
JP2005286068A (ja) 2005-10-13
TWI297815B (en) 2008-06-11

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