JP2008151551A - 半導体デバイス検査用の接触治具、および検査治具装置、および半導体デバイス検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体デバイスの測定経路を切り替えられ、検査用の測定装置の回路基板の実装面積を確保し、チャンネル数が制限された測定装置においても多数個同測ができる半導体デバイス検査用の接触治具等を提供する。
【解決手段】導電領域１８ｃと絶縁領域１８ｂとを有する筒状体１８と、この筒状体１８内に配置されたばね１７と、このばね１７の両端側に配置されて、筒状体１８内をその摺動部１５ａ、１６ａで摺動するとともに筒状体１８内から外部に出退自在な接触部１５ｂ、１６ｂを有する２つの接触子１５、１６とを備え、筒状体１８において導電領域１８ｃと絶縁領域１８ｂとを一方の接触子１５の摺動部１５ａの摺動方向に対して区分して形成し、半導体デバイスの外部端子が前記一方の接触子を押し下げたストローク量により、接触治具１０を導電状態と絶縁状態とに切り替えられるよう構成した。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイスの電気特性を検査する際に用いられる接触治具、および検査治具装置、およびその検査方法に関するものである。

図７に示すように、半導体デバイス１の電気的特性を検査する際には、半導体デバイス１の外部端子である半田ボール２と電気的に接触する半導体デバイス検査用の接触治具９が用いられる。ここで、図７は従来の接触治具９を備えた検査治具装置の断面図である。接触治具９は導電体からなる被摺動枠体としての筒状体１８にばね１７を内蔵し、そのばね１７の上方と下方とに、それぞれ摺動部１５ａ、１６ａと接触部１５ｂ、１６ｂとを有する接触子（以下、プランジャーという）１５、１６が設けられた構成である。上部プランジャー１５は、半導体デバイス１の外部端子である半田ボール２がその接触部１５ｂで接触する構造であり、下部プランジャー１６は、検査を行う測定装置の基板の電極端子にばね１７のばね圧を利用して接触部１６ｂで接触する構造である（特許文献１等）。

そして、別途に設けられたコンタクトプッシャ治具（図示せず）で半導体デバイス１の上面を加圧することにより、半導体デバイス１の半田ボール２と対応する位置に配置された接触治具９の上部プランジャー１５が半導体デバイス１の半田ボール２と導通する。上部プランジャー１５は導電体でできた筒状体１８の内面と電気的に接触しており、ばね１７の両端側に接触した状態で配設されプランジャー１５、１６が導電体の筒状体１８を電気的な経路として、半導体デバイス１と測定装置とを導通させるよう構成されている。

なお、図７における２０は、内部に接触治具９を保持する保持体で、接触治具９は、保持体２０の上蓋２１と基台２２とにより上下から挟持されて保持された姿勢で配設される。半導体デバイス１の半田ボール２に対応して、保持体２０には透孔２３が形成され、この保持体２０の透孔２３に対応して、接触治具９が設置されている。
特開２００１−２０８７９３公報

アナログ回路等の複雑な機能が搭載された半導体デバイスの検査では、検査を行う測定装置の回路基板上に多数のBOST(Built Out Self Test)等のテスト機能を有する電子部品と、アナログ回路等の検査を実施する際に半導体デバイスの測定経路を切り替える電気リレーなどの電子部品などが実装されている。さらに、多数の半導体デバイスを同時に測定する検査工程において、テストコスト削減のために測定装置のチャンネル数が制限されている場合、測定対象である複数の端子が一つのチャンネルを共有するために、その導通経路を切り替える電気リレーなどの電子部品が必要となる。

しかしながら、図７に示す上記従来の半導体デバイス検査用の接触治具９では、上部プランジャー１５と下部プランジャー１６とが筒状体１８を介して常時導通している構造であるため、上記したように導通経路を切り替える必要がある場合には、同測個数（同時に測定する半導体デバイスの数）の増加に伴って増加する電子部品を検査用回路基板上に実装できないこととなり、多数個同測を実施できないという問題を生じていた。

本発明は、上記従来の問題を解決するもので、半導体デバイスの測定経路を切り替えることができるとともに、検査用の測定装置の回路基板の実装面積を確保し、チャンネル数が制限された測定装置においても多数個同測ができる半導体デバイス検査用の接触治具、検査治具装置および半導体デバイス検査方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の半導体デバイス検査用の接触治具は、導電領域と絶縁領域とを有する被摺動枠体と、前記被摺動枠体内に配置されたばねと、前記ばねの両端側に配置されて、被摺動枠体内をその摺動部で摺動するとともに被摺動枠体内から外部に出退自在な接触部を有する２つの接触子とを備えた半導体デバイス検査用の接触治具であって、前記被摺動枠体において導電領域と絶縁領域とを一方の接触子の摺動部の摺動方向に対して区分して形成し、半導体デバイスの外部端子が前記一方の接触子を押し下げたストローク量により、前記一方の接触子の摺動部が接触する領域を前記導電領域と前記絶縁領域との何れかに切り替えられるよう構成したことを特徴とする。

この構成により、半導体デバイスの外部端子が前記接触子を押し下げたストローク量に応じて、前記一方の接触子に対して、他方の接触子が導通する導電状態と導通しない絶縁状態とに切り替えることができる。

また、本発明の請求項２に記載の半導体デバイス検査用の接触治具は、一方の接触子の接触部が半導体デバイスの外部端子と接触して電気的に接続され、他方の接触子の接触部が測定装置と接触して電気的に接続されることを特徴とする。

この構成により、半導体デバイスの外部端子が前記接触子を押し下げたストローク量に応じて、半導体デバイスの外部端子と測定装置とを、導電状態と絶縁状態とに切り替えることができる。

また、本発明の請求項３に記載の半導体デバイス検査用の接触治具は、他方の接触子が被摺動枠体に対して固定されていることを特徴とする。
また、本発明の請求項４に記載の半導体デバイス検査用の接触治具は、各接触子とばねの端部とが絶縁されていることを特徴とする。

また、本発明の請求項５に記載の半導体デバイス検査用の接触治具は、被摺動枠体の本体部が筒状の導電体で形成され、筒状体の本体部の内壁面に、導電材料が設けられてなる導電領域と、絶縁材料が設けられてなる絶縁領域とが区分されて形成されていることを特徴とする。

また、本発明の請求項６に記載の半導体デバイス検査用の治具装置は、請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体デバイス検査用の接触治具と、この接触治具を保持する保持体とを備え、半導体デバイスの外部端子に対応して、保持体に透孔が形成され、この透孔に対応して、透孔から突出する一方の接触子の接触部を半導体デバイスの外部端子に接触させる前記接触治具が配設されていることを特徴とする。

また、本発明の請求項７に記載の半導体デバイス検査用の治具装置は、半導体デバイスの外部端子と対応した位置に導電領域と絶縁領域とを有する摺動連通孔が設けられ、この摺動連通孔内に、ばねと、ばねの両端側に設けられて、導電領域と絶縁領域とに摺動可能な２つの接触子とが配設されていることを特徴とする。

また、本発明の請求項８に記載の半導体デバイス検査用の治具装置は、摺動連通孔に、電気的に独立した複数の導電領域を有し、前記各導電領域がそれぞれ異なる検査治具の外部端子に接続されており、半導体デバイスの外部端子が前記接触部を押し下げたストローク量により、前記摺動子が接触する導電領域を切り替えられるよう構成したことを特徴とする。

また、本発明の請求項９に記載の半導体デバイス検査方法は、請求項６または請求項７または請求項８記載の半導体デバイス検査用の治具装置を用いて、半導体デバイスの外部端子が一方の接触子を押し下げるストローク量を変化させることにより、測定装置と電気的に接続させる半導体デバイスの外部端子を全て、または一部の外部端子に切り替えて測定することを特徴とする。

以上のように本発明によれば、半導体デバイス検査用の接触治具自体で測定装置への導通経路を切り替えることができるので、アナログ回路等の検査を実施する際の測定装置への導通経路を切り替える電気リレーなどの電子部品を削減でき、その他電子部品を測定装置の回路基板上に実装する面積を確保することができる。また、テストコスト削減のためにチャンネル数を制限された測定装置で検査する場合、測定対象である複数端子が一つのチャネルを共有するための測定経路を切り替える電気リレーなどの電子部品の個数を削減でき、多数の半導体デバイスを同時に測定することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を示す半導体デバイス検査用の接触治具、およびこの接触治具を備えた治具装置、および半導体デバイス検査方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。

本実施の形態の半導体デバイス検査用の接触治具（以下、単に接触治具と略す）の構成について、図１〜図６を用いて説明する。図１〜図６は本実施の形態１、２、３の接触治具を備えた治具装置の断面図であり、接触治具における検査対象の半導体デバイスを電気的に切り替えられるように構成されている。なお、従来の接触治具、または実施の形態同士で、概略的に同様な機能の構成要素には同符号を付す。

（実施の形態１）
図１、図２に示すように、本実施の形態１に係る半導体デバイス検査用の接触治具１０と、この接触治具１０を保持する保持体２０とにより、検査治具装置としてのＩＣソケットが構成されている。半導体デバイス１の外部端子としての半田ボール２に対応して、保持体２０の透孔２３が形成され、この保持体２０の透孔２３に対応して、接触治具１０が設置されている。

接触治具１０は、被摺動枠体としての筒形状の筒状体１８と、この筒状体１８内に配置されたばね１７と、このばね１７の両端側（上方側と下方側）に配置された上下２つの接触子である上部プランジャー１５と下部プランジャー１６などからなる。すなわち、筒状体１８内の、上部側に上部プランジャー１５が配設され、下部側に下部プランジャー１６が配設され、これらのプランジャー１５、１６の間にばね１７が収容されている。上部プランジャー１５は、筒状体１８内を摺動可能な摺動部１５ａと、半田ボール２と接触する接触部１５ｂとを有する。下部プランジャー１６は、筒状体１８内を摺動可能な摺動部１６ａと、検査を行う測定装置と接続する接触部１６ｂとを有する。これらのプランジャー１５、１６は、ばね１７の両端と接触する面にそれぞれ絶縁部１９を設けており、絶縁部１９以外は導電材料で形成されている。

接触治具１０は、その筒状体１８が、保持体としての保持体２０の上蓋２１と基台２２とにより上下から挟まれた姿勢で保持されている。そして、上部プランジャー１５の接触部１５ｂが、上蓋２１に形成された透孔２３を通して突出されている。また、下部プランジャー１６の接触部１６ｂが、基台２２に設けられた孔部２２ａを通して突出されている。なお、２４、２５は、保持体２０の縦枠である。

そして、本実施の形態では、筒状体１８が、導電体（例えば鉄等）からなる本体部１８ａの、それぞれの摺動部１５ａ、１５ａが接触する内壁面部において、絶縁領域１８ｂと導電領域１８ｃとが、プランジャー１５、１６の摺動部１５ａ、１６ａの摺動方向に対して区分して形成されている。この実施の形態では、筒状体１８の内壁面部が、例えば、上方寄り（半導体デバイス１が配設される側寄り）の領域からなる絶縁領域１８ｂと、下方寄り（測定装置が配設される側寄り）の領域からなる導電領域１８ｃとに分けられ、絶縁領域１８ｂは絶縁物（例えばアルマイト等）を内壁面に塗布して構成し、導電領域１８ｃは導電物（例えば金等）を内壁面に塗布して構成している。そして、定常状態では、ばね１７の付勢力により、それぞれのプランジャー１５、１６の摺動部１５ａ、１６ａが、筒状体１８の上部側、または下部側に押し付けられる構造とされている。なお、下部プランジャー１６の摺動部１６ａが筒状体１８内を可動する領域は、常に導電領域１８ｃとなるように構成されている。なお、この実施の形態では、筒状体１８が上面部分と下面底部とを有する構成とされ、それぞれに、各プランジャー１５、１６の接触部１５ｂ、１６ｂが挿通する貫通孔が形成されている。

上記構成において、本実施の形態１の半導体デバイスの検査方法は、以下のとおりである。図１、図２に示すように、別途設けられたコンタクトプッシャー治具（図示せず）により半導体デバイス１の上面を加圧するように配置されている。図１に示すように、上部プランジャー１５を少量しか（例えば数百μｍ）押し下げていない状態では、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが筒状体１８内において絶縁領域１８ｂに位置し、この場合には、上部プランジャー１５が電気的に筒状体１８と導通経路を確保できないために、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と測定装置の基板上の電極端子は絶縁状態となる。

一方、図２に示すように、コンタクトプッシャー治具により半導体デバイス１を介して上部プランジャー１５をさらに押し下げた状態とすると、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが導電領域１８ｃに位置して、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが筒状体１８内で電気的に接触し、導電体である筒状体１８の本体部１８ａおよび導電領域１８ｃを経由して下部プランジャー１６への導通経路を確保できるようになっている。これにより、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と測定装置の基板上の電極端子とは導電状態となる。

なお、図１、図２においては、筒状体１８の内壁面における上半部に絶縁領域１８ｂを形成し、下半部に導電領域１８ｃを形成した場合を示し、絶縁領域１８ｂと導電領域１８とがほぼ同様の面積（簡略的には同様の形状）で２分割されている場合を図示したが、これに限るものではなく、２分割でも、その面積が異なったり、接触治具１０の筒状体１８（本体部１８ａ）内における、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが筒状体１８内を可動する領域において、摺動方向（この実施の形態では上下方向）に対して複数（例えば、３つ以上）の領域に分割し（周方向に対しては、帯状となり同様の状態となるようにして）、様々な組み合わせで導電領域１８ｃと絶縁領域１８ｂとを有する構造とすることも可能である。これにより、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と測定装置の基板上の電極端子を、上部プランジャー１５の位置（ストローク量）に応じて、個々に導電状態または絶縁状態に切り替えることができ、従来必要であった検査回路基板上のリレーなどの電子部品を削減することができる。

（実施の形態２）
図３、図４は、本発明の実施の形態２に係る接触治具１０およびこの接触治具１０を備えた検査治具装置（ＩＣソケット）を説明するための断面図である。図３、図４に示すように、この実施の形態２では、接触治具１０の筒状体１８全体が、絶縁領域１８ｂと導電領域１８ｃとに上下に２分割された構成とされている。そして、絶縁領域１８ｂが絶縁材料で構成され、また、導電領域１８ｃが導電材料で構成され、これらの材料が上下方向に対して筒状に接合されて構成されており、これらの絶縁領域１８ｂの孔部空間とこれに続く導電領域１８ｃの孔部空間とが連通する摺動連通孔２６内で、上部プランジャー１５の摺動部１５ａと下部プランジャー１６の摺動部１６ａとがばね１７を介して昇降する構成とされている。他は上記実施の形態１と同様な構成とされている。

なお、この実施の形態２では、筒状体１８が、上面部分や下面底部分を有しない無底の円筒形状とされ、上蓋２１によって、上部プランジャー１５の摺動部１５ａの上方への移動範囲が規制され、基台２２によって、下部プランジャー１６の摺動部１６ａの下方への移動範囲が規制されているが、これに限るものではない。また、この実施の形態では、絶縁領域１８ｂよりも絶縁領域１８ｂの面積（すなわち、摺動方向の寸法もこれに対向している）が若干広い場合を図示しているがこれに限るものではない。

上記構成においても、別途設けられたコンタクトプッシャー治具（図示せず）により半導体デバイス１の上面を加圧することで、図３に示すように、上部プランジャー１５を少量しか（例えば数百μｍ）押し下げていない状態では、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが絶縁領域１８ｂに位置し、この場合には、上部プランジャー１５が電気的に筒状体１８と導通経路を確保できないために、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と測定装置の基板上の電極端子は絶縁状態となる。

一方、図４に示すように、コンタクトプッシャー治具により半導体デバイス１を介して上部プランジャー１５をさらに押し下げた状態とすると、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが導電領域１８ｃに位置して、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが筒状体１８内で電気的に接触し、導電体である筒状体１８の本体部１８ａおよび導電領域１８ｃを経由して下部プランジャー１６への導通経路を確保できる。これにより、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と測定装置の基板上の電極端子とは導電状態となる。

また、この実施の形態２においても、接触治具１０の筒状体１８における上部プランジャー１５の摺動部１５ａが摺動する範囲内で、摺動方向に対して複数の領域に分割することで、様々な組み合わせで導電領域１８ｃと絶縁領域１８ｂとを有する構造とし、これにより、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と測定装置の基板上の電極端子を、上部プランジャー１５の位置（摺動連通孔２６内のストローク量）に応じて、個々に導電状態または絶縁状態に切り替えることができ、従来必要であった検査回路基板上のリレーなどの電子部品を削減することができる。

（実施の形態３）
図５、図６は、本発明の実施の形態３に係る接触治具１０およびこの接触治具１０を備えた検査治具装置（ＩＣソケット）を説明するための断面図である。

図５、図６に示すように、この実施の形態３でも、半導体デバイス検査用の接触治具１０とこの接触治具１０を保持する保持体としての保持体２０とから、検査治具装置であるＩＣソケットが構成されている。半導体デバイス１の外部端子としての半田ボール２に対応して、保持体２０の透孔２３が形成され、この保持体２０の透孔２３に対応して、接触治具１０が設置されている。

接触治具１０は、円環状の絶縁部３１を介して上部導電領域１８ｇと下部導電領域１８ｆとに上下に２分割された被摺動枠体としての筒形状の筒状体１８と、筒状体１８内に配置されたばね１７と、このばね１７の両端側（上方側と下方側）に配置された上下２つの接触子である上部プランジャー１５と下部プランジャー１６などを備えているが、さらにこれに加えて、筒状体１８の上部導電領域１８ｇに導通経路３２を介して接続された外部端子３４が設けられている。

詳しくは、筒状体１８については、筒状体１８全体が、それぞれ導電材料で個別に形成された上部導電領域１８ｇと下部導電領域１８ｆとに上下に区分されて構成されているとともに、絶縁材料で形成された絶縁部３１を介してこれらの部材が上下方向に対して筒状に接合されている。すなわち、絶縁部３１を介することで、上部導電領域１８ｇと下部導電領域１８ｆとが電気的に独立するよう構成されている。そして、これらの上部導電領域１８ｇの孔部と絶縁部３１の孔部と下部導電領域１８ｆの孔部とが連通する摺動連通孔１３内で、上部プランジャー１５の摺動部１５ａと下部プランジャー１６の摺動部１６ａとがばね１７を介して昇降可能な構成とされている。なお、絶縁部３１は基材に絶縁物（例えばアルマイト等）を塗布して構成し、導電領域１８ａ、１８ｂは基材（導電材が望ましい）に導電材（例えば金等）を塗布した構造とするとよいが、これに限るものではない。

さらに、筒状体１８の上部導電領域１８ｇに導通経路３２を介して接続された外部端子３４は、導電体からなる第２筒状体３５内にばね３６を介して補助接触子としての補助プランジャー３７が配設された構成とされ、補助プランジャー３７は、第２筒状体３５内を摺動可能な摺動部３７ａと、検査を行う測定装置と接続する接触部３７ｂとを有する。

ここで、下部プランジャー１６の接触部１６ｂが接触される測定装置の基板上の電極端子と、外部端子３４が接触される測定装置の基板上の電極端子とは異なるものである。
上記構成において、別途設けられたコンタクトプッシャー治具（図示せず）により半導体デバイス１の上面を加圧することで、図５に示すように、上部プランジャー１５を少量しか（例えば数百μｍ）押し下げていない状態では、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが上部導電領域１８ｇに位置して接触し、この場合には、上部導電領域１８ｇに導通経路３２を介して接続された外部端子３４と導通し、この外部端子３４が接触している箇所の測定装置の基板上の電極端子が、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と導電状態となる。なお、上部プランジャー１５は、下部導電領域１８ｆには導通しないため、下部プランジャー１６に接触している測定装置の基板上の電極端子とは絶縁状態となる。

さらに、コンタクトプッシャー治具により半導体デバイス１を介して上部プランジャー１５をさらに押し下げて、図６に示すような状態とすると、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが下部導電領域１８ｆに位置して、上部プランジャー１５の摺動部１５ａが下部導電領域１８ｆと電気的に接触し、導電体である下部導電領域１８ｆを経由して下部プランジャー１６への導通経路を確保でき、これにより、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と測定装置の基板上の電極端子とは導電状態となる。なお、上部プランジャー１５は、上部導電領域１８ｇには導通しないため、外部端子３４が接触している箇所の測定装置の基板上の電極端子とは絶縁状態となる。

これにより、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２に対して、上部プランジャー１５の位置（摺動連通孔２６内のストローク量）に応じて、導通する個々の導電領域１８ｇ、１８ｆを切り換えることができ、ひいては、導通する測定装置の基板上の個々の電極端子を切り換えることができ、従来必要であった検査回路基板上のリレーなどの電子部品を削減することができる。

また、この実施の形態３においても、接触治具１０の筒状体１８における上部プランジャー１５の摺動部１５ａが摺動する範囲内で、摺動方向に対して複数の領域に分割することで、様々な組み合わせで複数の導電領域を有して選択できる構造とし、これにより、半導体デバイス１の外部端子である半導体ボール２と、測定装置の基板上の複数種類の電極端子を、上部プランジャー１５の位置（摺動連通孔２６内のストローク量）に応じて、切り替えることができ、さらには、下部プランジャー１６の接触部１６ｂと、外部端子３４とを別個の測定装置に接触させることで、測定装置自体の切換も可能である。

また、上記実施の形態１〜３では、何れも、下部プランジャー１６が摺動自在である状態を図示しているが、これに限るものではなく、測定装置側に良好に接触できる構造であれば、筒状体１８に固定してもよい。

また、上記実施の形態では、何れも被摺動枠体が筒形状の筒状体１８である場合を述べ、この場合には、上部プランジャー１５や下部プランジャー１６を全周で良好に摺動方向に案内できるとともに各摺動部１５ａ、１６ａが全周で良好に接触できる利点を有するが、これに限るものではなく、摺動方向に対して所定の部分（少なくとも周方向の一部）が接触可能な形状のものを採用することも可能である。

本発明の半導体デバイス検査用の接触治具、および検査治具装置および半導体デバイス検査方法によれば、アナログ回路等の検査を実施する際の測定部への導通経路を切り替える電子部品を削減でき、その他電子部品を検査回路基板上に実装できる面積を確保することができるもので、テストコスト削減のためにチャンネル数を制限された測定装置を用いた半導体デバイス検査治具による半導体デバイス検査技術に有用である。

本発明の実施の形態１に係る接触治具および検査治具装置の断面図（上部プランジャーの下方へ押し下げられたストローク量が小さい状態） 同実施の形態１に係る接触治具および検査治具装置の断面図（上部プランジャーの下方へ押し下げられたストローク量が大きい状態） 本発明の実施の形態２に係る接触治具および検査治具装置の断面図（上部プランジャーの下方へ押し下げられたストローク量が小さい状態） 同実施の形態２に係る接触治具および検査治具装置の断面図（上部プランジャーの下方へ押し下げられたストローク量が大きい状態） 本発明の実施の形態３に係る接触治具および検査治具装置の断面図（上部プランジャーの下方へ押し下げられたストローク量が小さい状態） 同実施の形態３に係る接触治具および検査治具装置の断面図（上部プランジャーの下方へ押し下げられたストローク量が大きい状態） 従来の接触治具および検査治具装置の断面図

符号の説明

１ 半導体デバイス
２ 半田ボール（外部端子）
１０ 接触治具
１５ 上部プランジャー（接触子）
１５ａ、１６ａ 摺動部
１５ｂ、１６ｂ 接触部
１６ 下部プランジャー（接触子）
１７ ばね
１８ 筒状体（被摺動枠体）
１８ａ 本体部
１８ｂ 絶縁領域
１８ｃ 導電領域
１８ｇ 上部導電領域
１８ｆ 下部導電領域
１９ 絶縁部
２０ 保持体
２１ 上蓋
２２ 基台
３１ 絶縁部
３２ 導通経路
３４ 外部端子

Claims (9)

1. 導電領域と絶縁領域とを有する被摺動枠体と、前記被摺動枠体内に配置されたばねと、前記ばねの両端側に配置されて、被摺動枠体内をその摺動部で摺動するとともに被摺動枠体内から外部に出退自在な接触部を有する２つの接触子とを備えた半導体デバイス検査用の接触治具であって、前記被摺動枠体において導電領域と絶縁領域とを一方の接触子の摺動部の摺動方向に対して区分して形成し、半導体デバイスの外部端子が前記一方の接触子を押し下げたストローク量により、前記一方の接触子の摺動部が接触する領域を前記導電領域と前記絶縁領域との何れかに切り替えられるよう構成したことを特徴とする半導体デバイス検査用の接触治具。
2. 一方の接触子の接触部が半導体デバイスの外部端子と接触して電気的に接続され、他方の接触子の接触部が測定装置と接触して電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス検査用の接触治具。
3. 他方の接触子が被摺動枠体に対して固定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス検査用の接触治具。
4. 各接触子とばねの端部とが絶縁されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体デバイス検査用の接触治具。
5. 被摺動枠体の本体部が筒状の導電体で形成され、筒状体の本体部の内壁面に、導電材料が設けられてなる導電領域と、絶縁材料が設けられてなる絶縁領域とが区分されて形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体デバイス検査用の接触治具。
6. 請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体デバイス検査用の接触治具と、この接触治具を保持する保持体とを備え、半導体デバイスの外部端子に対応して、保持体に透孔が形成され、この透孔に対応して、透孔から突出する一方の接触子の接触部を半導体デバイスの外部端子に接触させる前記接触治具が配設されていることを特徴とする検査治具装置。
7. 半導体デバイスの外部端子と対応した位置に導電領域と絶縁領域とを有する摺動連通孔が設けられ、この摺動連通孔内に、ばねと、ばねの両端側に設けられて、導電領域と絶縁領域とに摺動可能な２つの接触子とが配設されていることを特徴とする請求項６記載の検査治具装置。
8. 摺動連通孔に、電気的に独立した複数の導電領域を有し、前記各導電領域がそれぞれ異なる検査治具の外部端子に接続されており、半導体デバイスの外部端子が前記接触部を押し下げたストローク量により、前記摺動子が接触する導電領域を切り替えられるよう構成したことを特徴とする請求項７記載の検査治具装置。
9. 請求項６または請求項７または請求項８記載の検査治具装置を用いて、半導体デバイスの外部端子が一方の接触子を押し下げるストローク量を変化させることにより、測定装置と電気的に接続させる半導体デバイスの外部端子を全て、または一部の外部端子に切り替えて測定することを特徴とする半導体デバイス検査方法。

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