JP2008132722A

JP2008132722A - Mold for nano-imprinting, its fabricating method and method of manufacturing device using this mold

Info

Publication number: JP2008132722A
Application number: JP2006321944A
Authority: JP
Inventors: Ikuo Yoneda; 郁男米田; Kazuo Tawarayama; 和雄俵山; Takeshi Koshiba; 健小柴; Tetsuo Nakasugi; 哲郎中杉; Yumi Watanabe; 由美渡辺; Hisayuki Mizuno; 央之水野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2006-11-29
Filing date: 2006-11-29
Publication date: 2008-06-12

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mold for nano-imprinting which can control lowering of the dimensional precision of patterns to be formed on a target substrate. <P>SOLUTION: The mold for nano-imprinting 10 has a transparent substrate 11 having, on its surface, a projected part 7 corresponding to a to-be-formed pattern and a translucent membrane 12 arranged on the projected part 7. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子、光素子、バイオ製品等のデバイスの製造に使用されるナノインプリント用モールドおよびその作成方法、ならびにデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a nanoimprint mold used for manufacturing a device such as a semiconductor element, an optical element, or a bio product, a manufacturing method thereof, and a device manufacturing method.

現在の高集積ＬＳＩ、微細光学素子、バイオ関連製品などの製造においては、微細パターン加工を低コストで実現するための技術がますます重要になっている。そのような技術の一つとして、ナノインプリント技術がある。 In the manufacture of current highly integrated LSIs, micro optical elements, bio-related products, etc., techniques for realizing micro pattern processing at low cost are becoming increasingly important. One such technology is nanoimprint technology.

ナノインプリント技術は、形成するべきパターンと等倍のパターンを有するモールド（スタンパまたはテンプレートとも呼ばれる。）を予め作成し、このモールドのパターンを被加工基板上に形成した樹脂膜に直接押し付けることにより、上記樹脂膜に形成するべきパターンを転写する技術を指す。 In the nanoimprint technology, a mold (also referred to as a stamper or a template) having a pattern that is the same size as the pattern to be formed is created in advance, and the pattern of this mold is directly pressed against a resin film formed on a substrate to be processed, thereby A technique for transferring a pattern to be formed on a resin film.

このようにナノインプリント技術では、モールドのパターンを樹脂膜に直接押し付けることにより、型取りが行われる。そのため、樹脂膜には、以下の２点が要求される。一つは、樹脂膜はプレス時には十分柔らかいこと、もう一つは、樹脂膜は離型時には形を保持できるほどに固化していることである。 Thus, in the nanoimprint technique, the mold is taken by directly pressing the mold pattern against the resin film. Therefore, the following two points are required for the resin film. One is that the resin film is sufficiently soft at the time of pressing, and the other is that the resin film is solidified so that the shape can be maintained at the time of release.

上記二つの要求を実現する方法の違いによって、ナノインプリント技術は、熱ナノインプリント、室温ナノインプリント、光（ＵＶ）ナノインプリントなどに分類される。 The nanoimprint technology is classified into thermal nanoimprint, room temperature nanoimprint, optical (UV) nanoimprint, and the like depending on a difference in a method for realizing the above two requirements.

上記光ナノインプリントは、被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布する工程、被加工基板とモールドとを位置合わせする工程（アライメント）、光硬化性樹脂にモールドを直接押し付ける工程（プレス）、光照射により光硬化性樹脂を硬化する工程、光硬化性樹脂からモールドを離す工程（離型）、被加工基板および光硬化性樹脂をリンスする工程、被加工基板上の不要な光硬化性樹脂（残膜）を除去する工程などの工程から構成されている（特許文献１)。 The optical nanoimprint includes a step of applying a photocurable resin on a substrate to be processed, a step of aligning the substrate to be processed and a mold (alignment), a step of directly pressing the mold on the photocurable resin (press), and light irradiation. The step of curing the photocurable resin by the step, the step of releasing the mold from the photocurable resin (mold release), the step of rinsing the substrate to be processed and the photocurable resin, the unnecessary photocurable resin on the substrate to be processed (residual) It is comprised from processes, such as the process of removing a film | membrane (patent document 1).

ここで、上記残膜の除去は、主として酸素プラズマによる異方性エッチングにて行われる。そのため、上記残膜を除去する時に、被加工基板上の除去すべきでない光硬化性樹脂（マスク）もエッチングされる。これにより、マスクの厚さ（マスク厚）が薄くなり、被加工基板をエッチングする際に必要なマスク厚を確保できなくなることがある。さらに、異方性エッチングであっても、多少は横方向のエッチングが生じる。そのため、被加工基板をエッチングして得られるパターンには、寸法誤差が生じたり、あるいは、基板面内での寸法ばらつきが生じる。その結果、従来の技術は、被加工基板上に形成されるパターンの寸法精度が低くなるという問題を抱えていた。
特開２０００−１９４１４２号公報 Here, the removal of the remaining film is performed mainly by anisotropic etching using oxygen plasma. Therefore, when the remaining film is removed, the photo-curable resin (mask) that should not be removed on the substrate to be processed is also etched. As a result, the thickness of the mask (mask thickness) becomes thin, and it may not be possible to secure a mask thickness necessary for etching the substrate to be processed. Further, even in anisotropic etching, some lateral etching occurs. Therefore, the pattern obtained by etching the substrate to be processed has a dimensional error or a dimensional variation in the substrate surface. As a result, the conventional technique has a problem that the dimensional accuracy of the pattern formed on the substrate to be processed is lowered.
JP 2000-194142 A

本発明の目的は、被加工基板上に形成されるパターンの寸法精度の低下を抑制できるナノインプリント用モールドおよびその作成方法、ならびに該ナノインプリント用モールドを用いたデバイスの製造方法を提供することにある。 The objective of this invention is providing the mold for nanoimprint which can suppress the fall of the dimensional accuracy of the pattern formed on a to-be-processed substrate, its manufacturing method, and the manufacturing method of the device using this mold for nanoimprint.

本発明に係るナノインプリント用モールドは、形成するべきパターンに対応した凸部が表面に設けられた透明基板と、前記凸部上面に設けられた半透明膜とを具備してなることを特徴とする。 The mold for nanoimprinting according to the present invention comprises a transparent substrate having a convex portion corresponding to a pattern to be formed on the surface, and a translucent film provided on the upper surface of the convex portion. .

本発明に係るナノインプリント用モールドは、形成するべきパターンに対応した凸部が表面に設けられた透明基板と、前記透明基板の側面に設けられた遮光体とを具備してなることを特徴とする。 The mold for nanoimprinting according to the present invention comprises a transparent substrate having a convex portion corresponding to a pattern to be formed on the surface, and a light-shielding body provided on a side surface of the transparent substrate. .

本発明に係るナノインプリント用モールドの作成方法は、透明基板上に半透明膜を形成する工程と、前記半透明膜上にレジスト膜を形成する工程と、リソグラフィプロセスにより、前記レジスト膜からなり、形成するべきパターンと等倍のパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記半透明膜および前記半透明基板をエッチングすることにより、前記透明基板の表面に前記形成するべきパターンに対応した凸部を形成する工程とを含むことを特徴とする。 The method for producing a mold for nanoimprinting according to the present invention comprises a step of forming a semitransparent film on a transparent substrate, a step of forming a resist film on the semitransparent film, and the resist film by a lithography process. Forming a resist pattern including a pattern equal to the pattern to be formed, and etching the semitransparent film and the semitransparent substrate using the resist pattern as a mask to form the resist pattern on the surface of the transparent substrate; Forming a convex portion corresponding to the pattern.

本発明に係るデバイスの製造方法は、被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布する工程と、本発明に係るナノインプリント用モールドを前記光硬化性樹脂に押し付ける工程と、前記ナノインプリント用モールドを介して前記光硬化性樹脂に光を照射する工程と、前記光硬化性樹脂から前記ナノインプリント用モールドを離す工程と、前記被加工基板および前記光硬化性樹脂をリンスする工程と、前記光硬化性樹脂をマスクにして、前記被加工基板をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 The device manufacturing method according to the present invention includes a step of applying a photocurable resin on a substrate to be processed, a step of pressing the nanoimprint mold according to the present invention against the photocurable resin, and the nanoimprint mold. Irradiating the photocurable resin with light, separating the nanoimprint mold from the photocurable resin, rinsing the substrate to be processed and the photocurable resin, and the photocurable resin. And etching the substrate to be processed using a mask.

本発明によれば、被加工基板上に形成されるパターンの寸法精度の低下を抑制できるナノインプリント用モールドおよびその作成方法、ならびに該ナノインプリント用モールドを用いたデバイスの製造方法を実現できるようになる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the nanoimprint mold which can suppress the fall of the dimensional accuracy of the pattern formed on a to-be-processed substrate, its manufacturing method, and the manufacturing method of a device using this nanoimprint mold can be implement | achieved.

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１−図７は、第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図である。 1 to 7 are cross-sectional views illustrating a device manufacturing method according to the first embodiment.

（第１の実施形態）
［図１］
被加工基板１上に光硬化性樹脂２が塗布される。被加工基板１は、例えば、石英基板（透明基板）、シリコン基板（半導体基板）、ＳＯＩ基板（半導体基板）である。被加工基板１は、多層構造のものであっても構わない。例えば、上記透明基板もしくは上記半導体基板と、その上に設けられた絶縁膜とで構成されたもの（多層構造の被加工基板）であっても構わない。上記絶縁膜は、例えば、ハードマスクとなるシリコン窒化膜やシリコン酸化膜である。上記絶縁膜は、多層の絶縁膜であっても構わない。 (First embodiment)
[Figure 1]
A photocurable resin 2 is applied on the substrate 1 to be processed. The substrate 1 to be processed is, for example, a quartz substrate (transparent substrate), a silicon substrate (semiconductor substrate), or an SOI substrate (semiconductor substrate). The substrate 1 to be processed may have a multilayer structure. For example, it may be a substrate composed of the transparent substrate or the semiconductor substrate and an insulating film provided on the transparent substrate (substrate to be processed having a multilayer structure). The insulating film is, for example, a silicon nitride film or a silicon oxide film that serves as a hard mask. The insulating film may be a multilayer insulating film.

［図２］
被加工基板１と光ナノインプリント用モールド（以下、モールドという。）１０との位置合わせ（アライメント）が行われる。 [Figure 2]
Position alignment (alignment) between the substrate 1 to be processed and the optical nanoimprint mold (hereinafter referred to as a mold) 10 is performed.

モールド１０は、表面に凸部が設けられた透明基板１１と、該凸部上面に設けられた半透明膜１２とを備えている。 The mold 10 includes a transparent substrate 11 having a convex portion on the surface and a translucent film 12 provided on the top surface of the convex portion.

透明基板１１は、例えば、石英基板である。透明基板１１の材料は、照射する光に対応して適宜変更可能である。 The transparent substrate 11 is, for example, a quartz substrate. The material of the transparent substrate 11 can be appropriately changed according to the light to be irradiated.

透明基板１１の表面に設けられた凸部は、形成するべきパターンの凸パターンに対応する。 The convex portion provided on the surface of the transparent substrate 11 corresponds to the convex pattern of the pattern to be formed.

半透明膜１２は、例えば、ハーフトーンマスクで使用されているモリブデンシリコン（ＭｏxＳｉy）膜である。半透明膜１２の透過率は、代表的には、５−６％である。モールド１０の作成方法については第２の実施形態で説明する。 The translucent film 12 is, for example, a molybdenum silicon (MoxSiy) film used in a halftone mask. The transmissivity of the translucent film 12 is typically 5-6%. A method for creating the mold 10 will be described in a second embodiment.

［図３］
光硬化性樹脂２にモールド１０が直接押し付けられる（プレス）。このとき、モールド１０の凸部と被加工基板１との間（隙間）には光硬化性樹脂２が薄く残る。この薄く残った光硬化性樹脂２が残膜となる。 [Fig. 3]
The mold 10 is directly pressed against the photocurable resin 2 (press). At this time, the photocurable resin 2 remains thin between the convex portion of the mold 10 and the substrate 1 to be processed (gap). This thin remaining photocurable resin 2 becomes a remaining film.

［図４］
光硬化性樹脂２に光（ＵＶ〜ＥＵＶを含む）５を照射することにより、光硬化性樹脂２の硬化が行われる。このとき、モールド１０の凸部上面には半透明膜１２が設けられているので、凸部に相対する光硬化性樹脂２（残膜）は完全には硬化されない。そのため、光硬化性樹脂２（残膜）は後工程のリンス工程で除去される。 [Fig. 4]
The photocurable resin 2 is cured by irradiating the photocurable resin 2 with light (including UV to EUV) 5. At this time, since the translucent film 12 is provided on the upper surface of the convex portion of the mold 10, the photocurable resin 2 (residual film) facing the convex portion is not completely cured. Therefore, the photocurable resin 2 (residual film) is removed in a subsequent rinsing step.

ここで、モールド１０の凸部の外側近傍に照射された光５ａは、半透明膜１２を通らないが、回折現象により、凸部のエッジ近傍下の光硬化性樹脂２に照射される。上記エッジ近傍下の光硬化性樹脂２には、半透明膜１２を通った光５ｂも照射される。光５ａの位相と光５ｂの位相との差（位相差）が１８０°であれば、上記エッジ近傍下の光硬化性樹脂２に照射される光の強度はゼロになる。この場合、上記エッジ近傍下の光硬化性樹脂２はほとんど硬化されない。 Here, the light 5a irradiated near the outside of the convex portion of the mold 10 does not pass through the semi-transparent film 12, but is irradiated to the photocurable resin 2 near the edge of the convex portion due to the diffraction phenomenon. The light curable resin 2 near the edge is also irradiated with the light 5b that has passed through the translucent film 12. If the difference (phase difference) between the phase of the light 5a and the phase of the light 5b is 180 °, the intensity of the light applied to the photocurable resin 2 near the edge becomes zero. In this case, the photocurable resin 2 near the edge is hardly cured.

上記位相差は、後工程のリンス工程で、上記エッジ近傍下の光硬化性樹脂２を除去できるのであれば、１８０°以外でも構わない。光５ａと光５ｂとの位相差を１８０°にするには、半透明膜１２の厚さや、半透明膜１２の材料の組成比（例えばＭｏxＳｉyのx/y）を調整することにより可能である。すなわち、周知のハーフトーンマスク技術により可能である。 The phase difference may be other than 180 ° as long as the photocurable resin 2 near the edge can be removed in a subsequent rinsing step. The phase difference between the light 5a and the light 5b can be set to 180 ° by adjusting the thickness of the semitransparent film 12 and the composition ratio of the material of the semitransparent film 12 (eg, x / y of MoxSiy). . That is, it is possible by a known halftone mask technique.

なお、半透明膜１２の代わりに、遮光膜（例えばクロム膜）を使用した場合には、上記エッジ近傍下の光硬化性樹脂２には、半透明膜１２を通った光５ｂしか照射されない。したがって、上記エッジ近傍下の光硬化性樹脂２は、リンス工程で除去できない程度に、硬化される。 When a light-shielding film (for example, a chromium film) is used instead of the semitransparent film 12, only the light 5b that has passed through the semitransparent film 12 is irradiated to the photocurable resin 2 near the edge. Therefore, the photocurable resin 2 near the edge is cured to such an extent that it cannot be removed by the rinsing process.

［図５］
光硬化性樹脂２からモールド１０が離される（離型）。 [Fig. 5]
The mold 10 is released from the photocurable resin 2 (release).

［図６］
被加工基板１および光硬化性樹脂２がリンスされる。このとき、モールド１０の凸部に相対する光硬化性樹脂２（残膜）は、完全には硬化されていないので、リンス時に除去される。このようにして、残膜がない光硬化性樹脂からなるマスク（光硬化性樹脂マスク）２が得られる。 [Fig. 6]
The substrate 1 and the photocurable resin 2 are rinsed. At this time, since the photocurable resin 2 (residual film) facing the convex portion of the mold 10 is not completely cured, it is removed during rinsing. In this way, a mask (photocurable resin mask) 2 made of a photocurable resin having no residual film is obtained.

ここで、リンスでは、被加工基板１上の完全に硬化した光硬化性樹脂（光硬化性樹脂マスク）２は除去されない。したがって、本実施形態によれば、マスク厚の減少、パターンの寸法誤差、基板面内におけるパターン寸法のばらつきを解消でき、これにより、被加工基板１上に形成されるパターンの寸法精度の低下を抑制できるようになる。 Here, the rinse does not remove the completely cured photocurable resin (photocurable resin mask) 2 on the substrate 1 to be processed. Therefore, according to the present embodiment, reduction in mask thickness, pattern dimensional error, and variation in pattern dimension within the substrate surface can be eliminated, thereby reducing the dimensional accuracy of the pattern formed on the substrate 1 to be processed. It becomes possible to suppress.

［図７］
光硬化性樹脂マスク２をエッチングマスクに用いて、被加工基板１をエッチングすることにより、被加工基板１上にパターンが形成される。その後、光硬化性樹脂マスク２が除去される。 [Fig. 7]
A pattern is formed on the processed substrate 1 by etching the processed substrate 1 using the photocurable resin mask 2 as an etching mask. Thereafter, the photocurable resin mask 2 is removed.

被加工基板１が透明基板または半導体基板の場合、透明基板または半導体基板がエッチングされる。一方、被加工基板１が多層構造の場合（透明基板／絶縁膜、半導体基板／絶縁膜）、絶縁膜がエッチングされる。これにより、光硬化性樹脂マスク２のパターンが転写された絶縁膜（ハードマスク）が得られる。その後、このハードマスクを用いて、透明基板または半導体基板をエッチングすることにより、パターンが形成される。 When the substrate 1 to be processed is a transparent substrate or a semiconductor substrate, the transparent substrate or the semiconductor substrate is etched. On the other hand, when the substrate 1 to be processed has a multilayer structure (transparent substrate / insulating film, semiconductor substrate / insulating film), the insulating film is etched. Thereby, an insulating film (hard mask) to which the pattern of the photocurable resin mask 2 is transferred is obtained. Then, a pattern is formed by etching a transparent substrate or a semiconductor substrate using this hard mask.

本実施形態では、モールド１０の凸部の断面形状が矩形状であるが、その形状は形成するべきデバイスのパターン（デバイスパターン）によって適宜変更される。例えば、ＣＣＤに用いられるマイクロレンズアレイ（サイズ２μｍ程度）の場合であれば、図８に示すように、モールド１０の凸部の側面は円弧状の形状を含む。 In the present embodiment, the cross-sectional shape of the convex portion of the mold 10 is rectangular, but the shape is appropriately changed depending on the pattern of the device to be formed (device pattern). For example, in the case of a microlens array (size: about 2 μm) used in a CCD, as shown in FIG. 8, the side surface of the convex portion of the mold 10 includes an arc shape.

本実施形態のデバイスの製造方法は、マイクロレンズアレイ（光素子）以外にも、半導体デバイス（例えばＣＭＯＳロジックを構成するＭＯＳトランジスタ）、ＤＮＡチップ（バイオ製品）を構成するＳｉウェハ上に形成されるパターンにも適用できる（他の実施形態も同様）。 The device manufacturing method of the present embodiment is formed on a Si wafer constituting a semiconductor device (for example, a MOS transistor constituting a CMOS logic) and a DNA chip (bio product) in addition to a microlens array (optical element). It can also be applied to patterns (the same applies to other embodiments).

なお、本実施形態では、上記デバイスパターンに対応した凸部しかモールド１０には設けられていないが、被加工基板１とのアライメントのための凸部（アライメントマーク）がさらに設けられていても構わない。 In the present embodiment, only the convex portion corresponding to the device pattern is provided in the mold 10, but a convex portion (alignment mark) for alignment with the substrate 1 may be further provided. Absent.

図９に、上記デバイスパターンに対応した凸部７およびアライメントマーク８が設けられたモールド１０の一例を示す。アライメントは、アライメントマーク８を透過した光、または、アライメントマーク８で反射した光を検出することにより行われる。なお、被加工基板１上にもアライメントマークは設けられている。すなわち、通常のアライメントと同様に、位置合わせが行われる二つの部材にマークは設けられる。 FIG. 9 shows an example of a mold 10 provided with convex portions 7 and alignment marks 8 corresponding to the device pattern. The alignment is performed by detecting light transmitted through the alignment mark 8 or light reflected by the alignment mark 8. An alignment mark is also provided on the substrate 1 to be processed. That is, as in normal alignment, marks are provided on the two members to be aligned.

（第２の実施形態）
図１０−図１４は、第２の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図である。以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。 (Second Embodiment)
10 to 14 are cross-sectional views illustrating a mold making method according to the second embodiment. In the following drawings, the same reference numerals as those in the previous drawings are attached to portions corresponding to those in the previous drawings, and detailed description thereof will be omitted.

［図１０］
透明基板１１上に半透明膜１２が形成される。半透明膜１２は、例えば、スパッタプロセスにより形成される。半透明膜１２上にレジスト膜１３が形成される。 [FIG. 10]
A translucent film 12 is formed on the transparent substrate 11. The translucent film 12 is formed by, for example, a sputtering process. A resist film 13 is formed on the semitransparent film 12.

［図１１］
光または電子ビームを用いた露光プロセスにより、形成するべきデバイスのパターン（デバイスパターン）の潜像がレジスト膜１３に形成される。現像プロセスによりレジスト膜１３が現像される。現像されたレジスト膜（レジストパターン）１３が、デバイスパターンと等倍のパターンを持つように、上記露光プロセスおよび現像プロセスを含むプロセス（リソグラフィプロセス）は行われる。 [Fig. 11]
A latent image of a device pattern to be formed (device pattern) is formed on the resist film 13 by an exposure process using light or an electron beam. The resist film 13 is developed by a development process. The process (lithography process) including the exposure process and the development process is performed so that the developed resist film (resist pattern) 13 has a pattern equal to the device pattern.

［図１２］
レジストパターン１３をマスクにして半透明膜１２をエッチングすることにより、モールドの凸部となる領域上に半透明膜１２を選択的に残置させる。 [Fig. 12]
By etching the semitransparent film 12 using the resist pattern 13 as a mask, the semitransparent film 12 is selectively left on the region to be the convex portion of the mold.

［図１３］
レジストパターン１３をマスクにして透明基板１１をエッチングすることにより、モールドの凸部（デバイスパターンの凸部に対応した凸部）が形成される。 [FIG. 13]
By etching the transparent substrate 11 using the resist pattern 13 as a mask, a convex portion of the mold (a convex portion corresponding to the convex portion of the device pattern) is formed.

［図１４］
レジストパターン１３が剥離される。このようにして、第１の実施形態で説明したモールド１０が得られる。 [FIG. 14]
The resist pattern 13 is peeled off. In this way, the mold 10 described in the first embodiment is obtained.

従来のモールドには半透明膜１２は使用されていない。すなわち、従来のモールドは、透明材料（透明基板１１）のみで構成されている。そのため、従来のモールドの場合、欠陥を光や電子ビームで検出することは困難である。この点について、図１４を用いてさらに説明する。 The semi-transparent film 12 is not used in the conventional mold. That is, the conventional mold is composed only of a transparent material (transparent substrate 11). Therefore, in the case of a conventional mold, it is difficult to detect a defect with light or an electron beam. This point will be further described with reference to FIG.

図１５は、モールドに光を照射し、モールドを通過した光の検出信号の強度分布が示されている。モールド１０上に形成された欠陥１４は、透明材料（透明基板１１）のみで構成されている。 FIG. 15 shows the intensity distribution of the detection signal of the light that irradiates the mold and passes through the mold. The defect 14 formed on the mold 10 is composed of only a transparent material (transparent substrate 11).

図１５において、Ａ１はモールド１０の凸部での検出信号のレベル、Ａ２はモールド１０の凹部での検出信号のレベル、Ａ３はモールド１０上の欠陥１４での検出信号のレベルを示している。 In FIG. 15, A1 indicates the level of the detection signal at the convex portion of the mold 10, A2 indicates the level of the detection signal at the concave portion of the mold 10, and A3 indicates the level of the detection signal at the defect 14 on the mold 10.

図１５に示されるように、レベルＡ１は、レベルＡ２，レベルＡ３との差が小さいので（検査感度が小さいので）、検出号信号のレベルの差に基づいて、欠陥１４を検出することは困難である。電子ビームを用いた検査の場合も同様に、検出号信号のレベルの差が小さく、欠陥１４を検出することは困難である。これは、透明基板１１から電子が逃げしまうからである。 As shown in FIG. 15, since the difference between level A1 and level A2 is small (because inspection sensitivity is small), it is difficult to detect defect 14 based on the difference in the level of the detection signal. It is. Similarly, in the case of inspection using an electron beam, the difference in the level of the detection signal is small, and it is difficult to detect the defect 14. This is because electrons escape from the transparent substrate 11.

一方、本実施形態の場合、モールド１０の凸部上には半透明膜１２が設けられているので、レベルＡ１は、レベルＡ２，Ａ３に比べて、十分に低くなるので（検査感度が高くなるので）、検出号信号のレベルの差に基づいて、欠陥１４を容易に検出することが可能となる。電子ビームを用いた検査の場合も同様に、欠陥１４を容易に検出することが可能となる。これは、半透明膜１２上に電子が溜まりやすくなるからである。 On the other hand, in the case of the present embodiment, since the translucent film 12 is provided on the convex portion of the mold 10, the level A1 is sufficiently lower than the levels A2 and A3 (inspection sensitivity is increased). Therefore, the defect 14 can be easily detected based on the difference in the level of the detection signal. Similarly, in the case of inspection using an electron beam, the defect 14 can be easily detected. This is because electrons tend to accumulate on the translucent film 12.

（第３の実施形態）
図１６は、第３の実施形態に係るモールドを示す断面図である。 (Third embodiment)
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a mold according to the third embodiment.

本実施形態のモールド１０は、表面に凸部が設けられた透明基板１１と、透明基板１１の側面に設けられた遮光体２０とを備えている。遮光体２０は、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜等の金属膜である。第１の実施形態と同様に、モールド１０は、半透明膜１２を備えていても構わない。 The mold 10 of the present embodiment includes a transparent substrate 11 having a convex portion on the surface and a light shielding body 20 provided on a side surface of the transparent substrate 11. The light shield 20 is a metal film such as a Cr film or an Al film, for example. Similar to the first embodiment, the mold 10 may include a translucent film 12.

次に、図１７−図２２を用いて、本実施形態のモールド１０を用いたデバイスパターンの製造方法について説明する。 Next, the manufacturing method of the device pattern using the mold 10 of this embodiment is demonstrated using FIGS.

［図１７］
ステージ２１上に被加工基板１が載置される。周知の方法により、被加工基板１上に硬化した光硬化性樹脂からなるパターン（第１の転写パターン）２₁が形成される。なお、第１の転写パターン２₁は、一般には、本実施形態の遮光体を含むモールドを用いて形成する必要はない。また、第１の転写パターン２₁は、第１の実施形態の方法を用いて形成しても構わない。第１の実施形態でも、被加工基板１はステージ２１上に載置されるが、簡単のため、省略した。 [Fig. 17]
The substrate 1 to be processed is placed on the stage 21. By well known methods, the pattern consisting of the cured photo-curable resin on a substrate to be processed 1 (first transfer pattern) 2 ₁ is formed. The first transfer pattern 2 ₁ generally does not need to be formed using a mold comprising a light shielding body of the present embodiment. The first transfer pattern 2 ₁ may be formed using a method of the first embodiment. Even in the first embodiment, the substrate 1 to be processed is placed on the stage 21, but it is omitted for simplicity.

［図１８］
第２の転写パターンを形成するべき領域上に光硬化性樹脂２が塗布される。光硬化性樹脂２は、第１の転写パターン２₁のエッジ（図では右側のエッジ）上にも塗布される。これは、第２の転写パターンを形成するべき領域の外側に光硬化性樹脂２がはみ出すことなく、光硬化性樹脂２を塗布することが困難であるからである。 [FIG. 18]
The photocurable resin 2 is applied on the region where the second transfer pattern is to be formed. Photocurable resin 2, (in the figure right edge) the first transfer pattern 2 ₁ edges are also coated on. This is because it is difficult to apply the photocurable resin 2 without the photocurable resin 2 protruding outside the region where the second transfer pattern is to be formed.

［図１９］
光硬化性樹脂２に、図１６に示した実施形態のモールド１０が直接押し付けられる（プレス）。このときのプレス圧は、例えば、０．１ＭＰａである。 [FIG. 19]
The mold 10 of the embodiment shown in FIG. 16 is directly pressed against the photocurable resin 2 (press). The press pressure at this time is, for example, 0.1 MPa.

［図２０］
光硬化性樹脂２に光５を照射することにより、光硬化性樹脂２の硬化が行われる。 [FIG. 20]
By irradiating the photocurable resin 2 with the light 5, the photocurable resin 2 is cured.

ここでは、光５として、波長３６５ｎｍ（ｉ−ｌｉｎｅ）のＵＶを用いた。このＵＶの照射量は２０ｍＪ／ｃｍ²とした。このようなＵＶを光硬化性樹脂２に照射することにより、光硬化性樹脂２のポリマー同士が架橋し、光硬化性樹脂２は硬化する。 Here, UV having a wavelength of 365 nm (i-line) was used as the light 5. The UV irradiation dose was 20 mJ / cm ² . By irradiating the photocurable resin 2 with such UV, the polymers of the photocurable resin 2 are cross-linked and the photocurable resin 2 is cured.

このとき、モールド１０の側面には遮光体２０が設けられているので、モールド１０の側面から光５は漏れない。したがって、モールド１０の側面の外側（転写領域間）にある光硬化性樹脂２ｓには光５は照射されず、光硬化性樹脂２ｓの硬化は抑制される。 At this time, since the light shielding body 20 is provided on the side surface of the mold 10, the light 5 does not leak from the side surface of the mold 10. Therefore, the light 5 is not irradiated to the photocurable resin 2s outside the side surface of the mold 10 (between the transfer regions), and curing of the photocurable resin 2s is suppressed.

［図２１］
光硬化性樹脂２からモールド１０が離され、第２の転写パターン２₂が得られる。 [FIG. 21]
The mold 10 from the light-curable resin 2 is released, the second transfer pattern 2 ₂ is obtained.

［図２２］
被加工基板１および光硬化性樹脂２がリンスされる。このとき、光硬化性樹脂２ｓは、硬化が抑制されているので、リンス時に除去される。これにより、光硬化性樹脂２ｓが残ること、つまり、欠陥（パターン欠陥）が発生することを防止できる。その結果、被加工基板１上に形成されるパターンの寸法精度の低下を防止でき、製品歩留まりを高められるようになる。 [FIG. 22]
The substrate 1 and the photocurable resin 2 are rinsed. At this time, since the curing of the photo-curable resin 2s is suppressed, it is removed at the time of rinsing. Thereby, it can prevent that photocurable resin 2s remains, ie, a defect (pattern defect) generate | occur | produces. As a result, it is possible to prevent a reduction in the dimensional accuracy of the pattern formed on the substrate 1 to be processed, and to increase the product yield.

この後は、周知の方法により、残膜を除去する工程、第１および第２の転写パターン２₁，２₂で構成された光硬化性樹脂マスク２をエッチングマスクに用いて、被加工基板１をエッチングする工程、光硬化性樹脂マスク２を除去する工程等を経て、被加工基板１上にパターンが形成される。 Thereafter, the step of removing the remaining film by a known method, and using the photocurable resin mask 2 constituted by the first and second transfer patterns 2 ₁ and 2 ₂ as an etching mask, the substrate 1 to be processed. A pattern is formed on the substrate to be processed 1 through a step of etching the substrate, a step of removing the photocurable resin mask 2, and the like.

モールド１０が半透明膜１２を備えている場合には、残膜はリンス時に除去され、第１の実施形態で述べた効果が得られる。 When the mold 10 includes the translucent film 12, the remaining film is removed at the time of rinsing, and the effect described in the first embodiment can be obtained.

本実施形態では、転写パターンの数が二つの場合について説明したが、三つ以上の場合も同様に実施できる。 In the present embodiment, the case where the number of transfer patterns is two has been described. However, the case where there are three or more transfer patterns can be similarly implemented.

図２３−図２６は、本実施形態のモールドの作成方法を示す断面図である。 FIG. 23 to FIG. 26 are cross-sectional views showing a method for producing a mold according to this embodiment.

［図２３］
周知の方法により、表面に凸部が設けられた透明基板１１が作成される。 [FIG. 23]
A transparent substrate 11 having a convex portion on the surface is produced by a known method.

［図２４］
透明基板１１の表面および裏面を覆うレジスト膜２２が形成される。ここでは、透明基板１１の表面の二つのエッジはレジスト膜２２で覆われていない。 [FIG. 24]
A resist film 22 that covers the front and back surfaces of the transparent substrate 11 is formed. Here, the two edges on the surface of the transparent substrate 11 are not covered with the resist film 22.

［図２５］
透明基板１１の一方の側面を上にして、スパッタプロセスにより、前記一方の側面およびエッジ上に遮光体２０が形成される。遮光体２０は、先にも述べたように、例えば、Ｃｒ膜やＡｌ膜等の金属膜であるが、スパッタプロセスにより形成することができる他の遮光性を有する膜でも構わない。 [FIG. 25]
The light shielding body 20 is formed on the one side surface and the edge by a sputtering process with one side surface of the transparent substrate 11 facing up. As described above, the light shielding body 20 is, for example, a metal film such as a Cr film or an Al film, but other light shielding films that can be formed by a sputtering process may be used.

［図２６］
透明基板１１の他方の側面を上にして、スパッタプロセスにより、前記他方の側面およびエッジ上に遮光体２０が形成される。この後、レジスト膜２２が除去される。 [FIG. 26]
The light shielding body 20 is formed on the other side surface and the edge by the sputtering process with the other side surface of the transparent substrate 11 facing up. Thereafter, the resist film 22 is removed.

図２７は、本実施形態のモールドの変形例を示す断面図である。この変形例では、遮光体２０は、透明基板１１の側面のみに形成されている。このようなモールド１０を用いても本実施形態のモールドを用いた場合と同様の効果が得られる。 FIG. 27 is a cross-sectional view showing a modification of the mold of this embodiment. In this modification, the light shielding body 20 is formed only on the side surface of the transparent substrate 11. Even when such a mold 10 is used, the same effect as that obtained when the mold of this embodiment is used can be obtained.

図２８は、実施形態のモールドの他の変形例を示す断面図である。この変形例では、透明基板１１の側面にナノオーダーのサイズの凹凸２３が設けられている。これにより、透明基板１１の表面から側面に達した光は、凹凸２３にて内側に向かうように散乱し、外にはほとんど漏れない。これにより、転写領域間の光硬化性樹脂の硬化を抑制でき、リンス工程で転写領域間の光硬化性樹脂を除去できるので、実施形態のモールドを用いた場合と同様の効果が得られる。凹凸２３は、例えば、ウエットエッチングやスパッタリングエッチングにより形成することができる。 FIG. 28 is a cross-sectional view illustrating another modification of the mold of the embodiment. In this modified example, the nano-sized unevenness 23 is provided on the side surface of the transparent substrate 11. Thereby, the light which reached the side surface from the surface of the transparent substrate 11 is scattered so as to be directed inward by the unevenness 23 and hardly leaks outside. Thereby, the curing of the photocurable resin between the transfer regions can be suppressed, and the photocurable resin between the transfer regions can be removed in the rinsing step, so that the same effect as when the mold of the embodiment is used can be obtained. The unevenness 23 can be formed by, for example, wet etching or sputtering etching.

（第４の実施形態）
図２９は、第４の実施形態に係るモールドを示す断面図である。 (Fourth embodiment)
FIG. 29 is a cross-sectional view showing a mold according to the fourth embodiment.

本実施形態のモールド１０は、表面に第１の凸部３１および第２の凸部３２が設けられた透明基板１１を備えている。 The mold 10 of the present embodiment includes a transparent substrate 11 having a first convex portion 31 and a second convex portion 32 provided on the surface.

第２の凸部３２の面積は、第１の凸部３１の面積よりも広い。第２の凸部３２の表面には、第１の溝４１および第２の溝４２が設けられている。ここでは、第１の溝４１の断面形状は三角形、第２の溝４２の断面形状は四角形であるが、断面形状は適宜変更可能である。 The area of the second protrusion 32 is larger than the area of the first protrusion 31. A first groove 41 and a second groove 42 are provided on the surface of the second convex portion 32. Here, the cross-sectional shape of the first groove 41 is a triangle, and the cross-sectional shape of the second groove 42 is a quadrangle, but the cross-sectional shape can be changed as appropriate.

第１の溝４１の深さＤ１および第２の溝４２の深さＤ２は、第１の凸部３１および第２の凸部３２の高さＨよりも小さい（Ｄ１，Ｄ２＜Ｈ）。深さＤ１と深さＤ２との大小関係は特に制限はない。 The depth D1 of the first groove 41 and the depth D2 of the second groove 42 are smaller than the height H of the first convex portion 31 and the second convex portion 32 (D1, D2 <H). The magnitude relationship between the depth D1 and the depth D2 is not particularly limited.

なお、凸部３１，３２の表面に第１の実施形態のように半透明膜が設けられていても構わない。 Note that a semitransparent film may be provided on the surfaces of the convex portions 31 and 32 as in the first embodiment.

図３０−図３４は、本実施形態のモールド１０を用いたデバイスパターンの製造方法を示す断面図である。 30 to 34 are cross-sectional views showing a device pattern manufacturing method using the mold 10 of this embodiment.

［図３０］
被加工基板１上に光硬化性樹脂２が塗布される。被加工基板１とモールド１０との位置合わせ（アライメント）が行われる。 [FIG. 30]
A photocurable resin 2 is applied on the substrate 1 to be processed. Position alignment (alignment) between the substrate 1 to be processed and the mold 10 is performed.

［図３１］
光硬化性樹脂２にモールド１０が直接押し付けられる（プレス）。 [FIG. 31]
The mold 10 is directly pressed against the photocurable resin 2 (press).

凸部３２は凸部３１よりも面積が広いので、凸部３２が押し退ける光硬化性樹脂２の体積は、凸部３１が押し退ける光硬化性樹脂２の体積よりも大きくなる。そのため、モールド１０の凸部３２の表面に溝４１，４２がない場合（従来技術）、凸部３２下の残膜は凸部３１下の残膜よりも厚くなる。 Since the convex part 32 has a larger area than the convex part 31, the volume of the photocurable resin 2 that the convex part 32 pushes away is larger than the volume of the photocurable resin 2 that the convex part 31 pushes away. Therefore, when there are no grooves 41 and 42 on the surface of the convex portion 32 of the mold 10 (prior art), the remaining film under the convex portion 32 is thicker than the residual film under the convex portion 31.

このように従来技術の場合、凸部の面積が大きい領域（凸部が多い領域）と凸部の面積が小さい領域（凸部が少ない領域）とで、残膜の厚さに差（残膜の面内差）が生じる。 Thus, in the case of the prior art, the difference in the thickness of the remaining film (residual film) between the region where the convex area is large (the region where there are many convex portions) and the region where the convex area is small (the region where there are few convex portions) In-plane difference) occurs.

残膜はエッチング等によって除去する必要がある。厚い残膜に合わせてエッチング等は行われるので、薄い残膜の領域においては必要以上にエッチング等が行われる。これは、均一な微細パターンを形成することの妨げになる。 The remaining film needs to be removed by etching or the like. Etching or the like is performed in accordance with the thick residual film, so that etching or the like is performed more than necessary in the thin residual film region. This hinders the formation of a uniform fine pattern.

しかし、本実施形態の場合、面積が大きい方の凸部３２によって押し退けられた光硬化性樹脂２の一部は、溝４１，４２内に流れ込む。その結果、凸部３２下の残膜は薄くなるので、残膜の面内差の問題は解消される。 However, in the case of this embodiment, a part of the photocurable resin 2 pushed away by the convex portion 32 having the larger area flows into the grooves 41 and 42. As a result, the remaining film under the convex portion 32 becomes thin, so that the problem of the in-plane difference of the remaining film is solved.

［図３２］
光硬化性樹脂２に光５を照射することにより、光硬化性樹脂２が硬化される。 [FIG. 32]
By irradiating the photocurable resin 2 with light 5, the photocurable resin 2 is cured.

［図３３］
光硬化性樹脂２からモールド１０が離される（離型）。光硬化性樹脂２上には、溝４１，４２に対応したパターン２ｒが形成される。溝４１，４２は、一般には、微小で深く形成されるので、パターン２ｒは微小で細長いものとなる。 [FIG. 33]
The mold 10 is released from the photocurable resin 2 (release). A pattern 2 r corresponding to the grooves 41 and 42 is formed on the photocurable resin 2. Since the grooves 41 and 42 are generally minute and deep, the pattern 2r is minute and elongated.

［図３４］
酸素等を用いたプラズマエッチングにより残膜を除去することにより、光硬化性樹脂マスク２が得られる。このとき、パターン２ｒは微小で細長いので容易に除去され。したがって、エッチング時間が長くなるなどの問題は起こらない。 [FIG. 34]
The photocurable resin mask 2 is obtained by removing the remaining film by plasma etching using oxygen or the like. At this time, since the pattern 2r is minute and elongated, it can be easily removed. Therefore, problems such as a long etching time do not occur.

この後は、周知の方法により、光硬化性樹脂マスク２をエッチングマスクに用いて、被加工基板１をエッチングする工程、光硬化性樹脂マスク２を除去する工程を経て、被加工基板１上にパターンが形成される。 After this, the process of etching the substrate 1 to be processed using the photocurable resin mask 2 as an etching mask and the step of removing the photocurable resin mask 2 by a known method are performed on the substrate 1 to be processed. A pattern is formed.

モールド１０が半透明膜１２を備えている場合には、残膜およびパターン２ｒはリンス時に除去され、第１の実施形態で述べた効果が得られる。 When the mold 10 includes the translucent film 12, the remaining film and the pattern 2r are removed at the time of rinsing, and the effects described in the first embodiment are obtained.

以上述べたように本実施形態によれば、モールドの凸部に溝（光硬化性樹脂の逃げ用の溝）を設けることにより、粗密差の大きなパターンが混在していても精度良くパターンを形成できるようになる。粗密差の大きなパターンが混在しているデバイスを製造するために使用する、本実施形態を適用したモールドの一例を図３５に示す。図３５において、３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅは凸部、４３ａ，４３ｂ，４３ｃは溝を示している。 As described above, according to the present embodiment, by providing a groove (a groove for photocurable resin escape) on the convex portion of the mold, a pattern can be formed with high accuracy even if patterns having a large density difference are mixed. become able to. FIG. 35 shows an example of a mold to which the present embodiment is used, which is used for manufacturing a device in which patterns having a large density difference are mixed. In FIG. 35, 32a, 32b, 32c, 32d, and 32e indicate convex portions, and 43a, 43b, and 43c indicate grooves.

なお、モールドの凸部の表面に設けられる溝の数、深さ、幅および長さは適宜変更可能である。すなわち、モールドの凸部の表面に設けられる溝の数、深さ、幅および長さの少なくとも一つは、上記凸部の面積、幅および体積の少なくとも一つに基づいて、残膜の面内差が解消されるように設定すれば良い。 The number, depth, width and length of the grooves provided on the surface of the convex portion of the mold can be changed as appropriate. That is, at least one of the number, depth, width and length of grooves provided on the surface of the convex portion of the mold is determined based on at least one of the area, width and volume of the convex portion. What is necessary is just to set so that a difference may be eliminated.

（第５の実施形態）
図３６−図４３は、第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図である。 (Fifth embodiment)
36 to 43 are cross-sectional views illustrating a device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment.

［図３６］
被加工基板１上に第１の薄膜５１が形成される。 [FIG. 36]
A first thin film 51 is formed on the substrate 1 to be processed.

ここでは、被加工基板１は、シリコン基板１ａと、このシリコン基板１ａ上に形成されたシリコン酸化膜１ｂとを備えている。本実施形態では、シリコン酸化膜１ｂが加工される。 Here, the substrate 1 to be processed includes a silicon substrate 1a and a silicon oxide film 1b formed on the silicon substrate 1a. In the present embodiment, the silicon oxide film 1b is processed.

第１の薄膜５１は、Ｓｉを含まない薄膜、または、Ｓｉ含有率が低い薄膜である。ここでは、第１の薄膜５１は、塗布型カーボン膜である。第１の薄膜５１は、シリコン酸化膜１ｂのエッチングマスクとなる。第１の薄膜５１は、被加工基板１（シリコン酸化膜１ｂの表面）を平坦化する役割も持つ。 The first thin film 51 is a thin film not containing Si or a thin film having a low Si content. Here, the first thin film 51 is a coating-type carbon film. The first thin film 51 serves as an etching mask for the silicon oxide film 1b. The first thin film 51 also has a role of flattening the substrate 1 to be processed (the surface of the silicon oxide film 1b).

第１の薄膜５１上に第２の薄膜５２が形成される。第２の薄膜５２は、Ｓｉ薄膜、または、Ｓｉ含有率が高い薄膜である。ここでは、第２の薄膜５２は、ＳＯＧ膜である。第２の薄膜５２は、第１の薄膜５１のエッチングマスクとなる。 A second thin film 52 is formed on the first thin film 51. The second thin film 52 is a Si thin film or a thin film having a high Si content. Here, the second thin film 52 is an SOG film. The second thin film 52 serves as an etching mask for the first thin film 51.

第２の薄膜５２上に光硬化性樹脂２が形成される。光硬化性樹脂２は、例えば、スピンコート方式により、第２の薄膜５２の全面上に一括して形成される。一括形成ではなく、インクジェット方式を用いた複数のショットにより、第２の薄膜５２上に光硬化性樹脂２を形成しても構わない。 The photocurable resin 2 is formed on the second thin film 52. The photocurable resin 2 is collectively formed on the entire surface of the second thin film 52 by, for example, a spin coating method. The photocurable resin 2 may be formed on the second thin film 52 by a plurality of shots using an ink jet method instead of batch formation.

［図３７］
被加工基板１とモールド１０との位置合わせが行われ、光硬化性樹脂２にモールド１０が直接押し付けられる（プレス）。その後、光硬化性樹脂２に光５を照射することにより、光硬化性樹脂２は硬化される。ここでは、光５として、波長３６５ｎｍ（ｉ−ｌｉｎｅ）のＵＶを用いた。このＵＶの照射量は２０ｍＪ／ｃｍ²とした。 [FIG. 37]
Position alignment with the to-be-processed board | substrate 1 and the mold 10 is performed, and the mold 10 is directly pressed on the photocurable resin 2 (press). Thereafter, the photocurable resin 2 is cured by irradiating the photocurable resin 2 with light 5. Here, UV having a wavelength of 365 nm (i-line) was used as the light 5. The UV irradiation dose was 20 mJ / cm ² .

［図３８］
光硬化性樹脂２からモールド１０が離される（離型）。 [FIG. 38]
The mold 10 is released from the photocurable resin 2 (release).

［図３９］
酸素プラズマ系の異方性エッチングにより、残膜（本実施形態では残膜厚３０ｎｍ）が除去される。 [FIG. 39]
The residual film (the residual film thickness of 30 nm in this embodiment) is removed by oxygen plasma-based anisotropic etching.

［図４０］
モールド１０のパターンが転写された光硬化性樹脂（第１のマスク）２をエッチングマスクに用いて、第２の薄膜５２をエッチングすることにより、第２の薄膜５２に第１のマスク２のパターンが転写される。第２の薄膜５２（ここではＳＯＧ膜）のエッチングは、例えば、ＣＦ₄またはＣＨＦ₃ベースのプラズマの異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 40]
The pattern of the first mask 2 is formed on the second thin film 52 by etching the second thin film 52 using the photocurable resin (first mask) 2 to which the pattern of the mold 10 is transferred as an etching mask. Is transcribed. Etching of the second thin film 52 (here, the SOG film) is performed by, for example, anisotropic etching of plasma based on CF ₄ or CHF ₃ .

［図４１］
第１のマスク２のパターンが転写された第２の薄膜（第２のマスク）５２をエッチングマスクに用いて、第１の薄膜５１をエッチングすることにより、第１の薄膜５１に第２のマスク５２のパターンが転写される。このとき、光硬化性樹脂２が残っている場合には、光硬化性樹脂２もエッチングマスクとして使用される。第１の薄膜５１（ここでは塗布型カーボン膜）のエッチングは、例えば、酸素プラズマ系の異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 41]
By using the second thin film (second mask) 52 to which the pattern of the first mask 2 is transferred as an etching mask, the first thin film 51 is etched, so that the first thin film 51 has a second mask. 52 patterns are transferred. At this time, when the photocurable resin 2 remains, the photocurable resin 2 is also used as an etching mask. The etching of the first thin film 51 (here, the coating type carbon film) is performed by, for example, oxygen plasma-based anisotropic etching.

［図４２］
第２のマスク５２が転写された第１の薄膜（第３のマスク）５１をエッチングマスクに用いて、シリコン酸化膜１ｂをエッチングすることにより、シリコン酸化膜１ｂに第３のマスク５１のパターンが転写される。このとき、第２のマスク５２が残っている場合には、第２のマスク５２もエッチングマスクとして使用される。シリコン酸化膜１ｂのエッチングは、例えば、フッ素系ガスを用いた異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 42]
By etching the silicon oxide film 1b using the first thin film (third mask) 51 to which the second mask 52 is transferred as an etching mask, the pattern of the third mask 51 is formed on the silicon oxide film 1b. Transcribed. At this time, if the second mask 52 remains, the second mask 52 is also used as an etching mask. Etching of the silicon oxide film 1b is performed, for example, by anisotropic etching using a fluorine-based gas.

［図４３］
塗布型カーボン膜からなる第３のマスク５２は、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去される。 [FIG. 43]
The third mask 52 made of a coating-type carbon film is removed by ashing using oxygen plasma.

本実施形態によれば、ナノインプリントのプロセスにＳｉ含有率を変化させた多層薄膜５１，５２を用いた多層マスクプロセスを適用したことで、被加工基板１に対するエッチング耐性を確保しながら、光硬化性樹脂２に転写される凹部（パターン）のアスペクト比を低く抑えることができるので、図３８の離型時における剥がれ欠陥の発生を防ぐことができる。また、上記多層マスクプロセスにより、被加工基板１が平坦化されるので、被加工基板１上に寸法精度の高いパターンを形成することも可能となる。 According to the present embodiment, the multi-layer mask process using the multilayer thin films 51 and 52 in which the Si content is changed is applied to the nanoimprint process, so that the photocuring property is secured while ensuring the etching resistance to the substrate 1 to be processed. Since the aspect ratio of the recess (pattern) transferred to the resin 2 can be kept low, it is possible to prevent the occurrence of a peeling defect at the time of releasing in FIG. Further, since the substrate 1 to be processed is planarized by the multilayer mask process, it is possible to form a pattern with high dimensional accuracy on the substrate 1 to be processed.

（第６の実施形態）
図４４−図５３は、第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図である。 (Sixth embodiment)
44 to 53 are cross-sectional views showing a device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment.

［図４４］
被加工基板１上に第１の薄膜５１、第２の薄膜５２が順次形形成される。ここまでは、第５の実施形態と同じである。 [FIG. 44]
A first thin film 51 and a second thin film 52 are sequentially formed on the substrate 1 to be processed. Up to this point, the process is the same as in the fifth embodiment.

［図４５］
第２の薄膜５２上にＳｉを含む光硬化性樹脂２’（反転材）が形成される。Ｓｉを含む光硬化性樹脂２’を用いる理由は、本実施形態ではパターンを反転させるためである。 [Fig. 45]
On the second thin film 52, a photocurable resin 2 ′ (inverted material) containing Si is formed. The reason for using the photocurable resin 2 ′ containing Si is to reverse the pattern in the present embodiment.

［図４６］
被加工基板１とモールド１０との位置合わせが行われ、光硬化性樹脂２’にモールド１０が直接押し付けられる（プレス）。その後、光硬化性樹脂２’に光５を照射することにより、光硬化性樹脂２’は硬化される。 [FIG. 46]
Position alignment with the to-be-processed board | substrate 1 and the mold 10 is performed, and the mold 10 is directly pressed on photocurable resin 2 '(press). Thereafter, the photocurable resin 2 ′ is cured by irradiating the photocurable resin 2 ′ with light 5.

［図４７］
光硬化性樹脂２’からモールド１０が離される（離型）。 [FIG. 47]
The mold 10 is released from the photocurable resin 2 ′ (release).

［図４８］
光硬化性樹脂２’上に、Ｓｉを含まない有機膜６１が形成される。有機膜６１には、光硬化性樹脂２’の反転パターンが転写される。有機膜６１は、例えば、スピンコート方式により、光硬化性樹脂２’の全面上に一括して形成される。一括形成ではなく、インクジェット方式を用いた複数のショットにより、有機膜６１上に光硬化性樹脂２’を形成しても構わない。 [FIG. 48]
An organic film 61 not containing Si is formed on the photocurable resin 2 ′. A reverse pattern of the photocurable resin 2 ′ is transferred to the organic film 61. The organic film 61 is collectively formed on the entire surface of the photocurable resin 2 ′ by, for example, a spin coating method. The photocurable resin 2 ′ may be formed on the organic film 61 by a plurality of shots using an ink jet method instead of batch formation.

［図４９］
光硬化性樹脂２’が露出するまで、有機膜６１はエッチバックされる。有機膜６１のエッチバックは、例えば、酸素プラズマ系の異方性エッチングまたはＣＭＰプロセスにより行われる。 [FIG. 49]
The organic film 61 is etched back until the photocurable resin 2 ′ is exposed. The organic film 61 is etched back by, for example, oxygen plasma anisotropic etching or a CMP process.

［図５０］
有機膜６１をエッチングマスクに用いて、光硬化性樹脂２’、第２の薄膜５２をエッチングすることにより、光硬化性樹脂２’、第２の薄膜５２に有機膜６１のパターンが転写される。光硬化性樹脂２’、第２の薄膜５２（ここではＳＯＧ膜）のエッチングは、例えば、ＣＦ₄またはＣＨＦ₃ベースのプラズマの異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 50]
The pattern of the organic film 61 is transferred to the photocurable resin 2 ′ and the second thin film 52 by etching the photocurable resin 2 ′ and the second thin film 52 using the organic film 61 as an etching mask. . Etching of the photocurable resin 2 ′ and the second thin film 52 (here, the SOG film) is performed by anisotropic etching of plasma based on CF ₄ or CHF ₃ , for example.

［図５１］
光硬化性樹脂２’、第２の薄膜５２をエッチングマスクに用いて、第１の薄膜５１をエッチングすることにより、第１の薄膜５１に光硬化性樹脂２’、第２の薄膜５２のパターンが転写される。このとき、有機膜６１が残っている場合には、有機膜６１もエッチングマスクとして使用される。第１の薄膜５１（ここでは塗布型カーボン膜）のエッチングは、例えば、酸素プラズマ系の異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 51]
The pattern of the photocurable resin 2 ′ and the second thin film 52 is formed on the first thin film 51 by etching the first thin film 51 using the photocurable resin 2 ′ and the second thin film 52 as an etching mask. Is transcribed. At this time, when the organic film 61 remains, the organic film 61 is also used as an etching mask. The etching of the first thin film 51 (here, the coating type carbon film) is performed by, for example, oxygen plasma-based anisotropic etching.

［図５２］
第１の薄膜５１をエッチングマスクに用いて、シリコン酸化膜１ｂをエッチングすることにより、シリコン酸化膜１ｂに第１の薄膜５１のパターンが転写される。このとき、光硬化性樹脂２’、第２の薄膜５２が残っている場合には、光硬化性樹脂２’、第２の薄膜５２もエッチングマスクとして使用される。シリコン酸化膜１ｂのエッチングは、例えば、フッ素系ガスを用いた異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 52]
By etching the silicon oxide film 1b using the first thin film 51 as an etching mask, the pattern of the first thin film 51 is transferred to the silicon oxide film 1b. At this time, when the photocurable resin 2 ′ and the second thin film 52 remain, the photocurable resin 2 ′ and the second thin film 52 are also used as an etching mask. Etching of the silicon oxide film 1b is performed, for example, by anisotropic etching using a fluorine-based gas.

［図５３］
塗布型カーボン膜からなる第１の薄膜５２は、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去される。 [FIG. 53]
The first thin film 52 made of a coating-type carbon film is removed by ashing using oxygen plasma.

本実施形態でも第５の実施形態と同様に、多層マスクプロセスを適用したことで、光硬化性樹脂２’に転写される凹部（パターン）のアスペクト比を低く抑えることができるので、図４７の離型時における剥がれ欠陥の発生を防ぐことができる。また、上記多層マスクプロセスにより、被加工基板１が平坦化されるので、被加工基板１上に寸法精度の高いパターンを形成することも可能となる。 In the present embodiment as well as the fifth embodiment, by applying the multilayer mask process, the aspect ratio of the recess (pattern) transferred to the photocurable resin 2 ′ can be suppressed to a low level. Generation of a peeling defect at the time of mold release can be prevented. Further, since the substrate 1 to be processed is planarized by the multilayer mask process, it is possible to form a pattern with high dimensional accuracy on the substrate 1 to be processed.

（第７の実施形態）
図５４−図６２は、第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図である。 (Seventh embodiment)
54 to 62 are cross-sectional views showing a device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment.

［図５４］
被加工基板１上に第１の薄膜５１、第２の薄膜５２が順次形形成される。ここまでは、第５の実施形態と同じである。 [FIG. 54]
A first thin film 51 and a second thin film 52 are sequentially formed on the substrate 1 to be processed. Up to this point, the process is the same as in the fifth embodiment.

第２の薄膜５２上に、レジスト膜７１が形成される。ここでは、レジスト膜７１は電子ビーム（ＥＢ）用のレジスト膜とするが、光（ＵＶ、ＥＵＶを含む）用のレジスト膜でも構わない。 A resist film 71 is formed on the second thin film 52. Here, the resist film 71 is a resist film for electron beam (EB), but may be a resist film for light (including UV and EUV).

レジスト膜７１上に光硬化性樹脂２が形成される。ここでは、光硬化性樹脂２として、Ｓｉを含み、光（ＵＶ）により架橋・硬化する有機膜が用いられる。光硬化性樹脂２は、例えば、スピンコート方式により、レジスト膜７１の全面上に一括して形成される。一括形成ではなく、インクジェット方式を用いた複数のショットにより、レジスト膜７１上に光硬化性樹脂２を形成しても構わない。 A photocurable resin 2 is formed on the resist film 71. Here, as the photocurable resin 2, an organic film containing Si and being crosslinked and cured by light (UV) is used. The photocurable resin 2 is collectively formed on the entire surface of the resist film 71 by, for example, a spin coating method. The photocurable resin 2 may be formed on the resist film 71 by a plurality of shots using an ink jet method instead of batch formation.

［図５５］
被加工基板１とモールド１０との位置合わせが行われ、光硬化性樹脂２にモールド１０が直接押し付けられる（プレス）。その後、光硬化性樹脂２に光５を照射することにより、光硬化性樹脂２は硬化される。ここでは、光５として、波長３６５ｎｍ（ｉ−ｌｉｎｅ）のＵＶを用いた。このＵＶの照射量は３０ｍＪ／ｃｍ²とした。 [FIG. 55]
Position alignment with the to-be-processed board | substrate 1 and the mold 10 is performed, and the mold 10 is directly pressed on the photocurable resin 2 (press). Thereafter, the photocurable resin 2 is cured by irradiating the photocurable resin 2 with light 5. Here, UV having a wavelength of 365 nm (i-line) was used as the light 5. The irradiation amount of this UV was 30 mJ / cm ² .

［図５６］
光硬化性樹脂２からモールド１０が離される（離型）。 [FIG. 56]
The mold 10 is released from the photocurable resin 2 (release).

［図５７］
フッ素を含むガス（例えばＣＦ₄）に酸素が添加されたソースガスを用いたプラズマ系の異方性エッチングにより、残膜（本実施形態では残膜厚３０ｎｍ）が除去される。 [FIG. 57]
The residual film (residual film thickness of 30 nm in this embodiment) is removed by plasma-based anisotropic etching using a source gas in which oxygen is added to a fluorine-containing gas (for example, CF ₄ ).

［図５８］
モールド１０のパターンが転写された光硬化性樹脂２をエッチングマスクに用いて、レジスト膜７１をエッチングすることにより、レジスト膜７１に光硬化性樹脂２のパターンが転写される。レジスト膜７１のエッチングは、例えば、酸素プラズマ系の異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 58]
The resist film 71 is etched using the photocurable resin 2 to which the pattern of the mold 10 has been transferred as an etching mask, whereby the pattern of the photocurable resin 2 is transferred to the resist film 71. Etching of the resist film 71 is performed, for example, by oxygen plasma anisotropic etching.

［図５９］
光硬化性樹脂２のパターンが転写されたレジスト膜（レジストパターン）７１をエッチングマスクに用いて、第２の薄膜５２をエッチングすることにより、第２の薄膜５２にレジストパターン７１が転写される。このとき、光硬化性樹脂２が残っている場合には、光硬化性樹脂２もエッチングマスクとして使用される。第２の薄膜５２（ここではＳＯＧ膜）のエッチングは、例えば、ＣＦ₄またはＣＨＦ₃ベースのプラズマ系の異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 59]
The resist film 71 is transferred to the second thin film 52 by etching the second thin film 52 using the resist film (resist pattern) 71 to which the pattern of the photocurable resin 2 is transferred as an etching mask. At this time, when the photocurable resin 2 remains, the photocurable resin 2 is also used as an etching mask. Etching of the second thin film 52 (here, the SOG film) is performed by, for example, anisotropic etching of a plasma system based on CF ₄ or CHF ₃ .

［図６０］
レジストパターン７１が転写された第２の薄膜（第２のマスク）５２をエッチングマスクに用いて、第１の薄膜５１をエッチングすることにより、第１の薄膜５１に第２のマスク５２のパターンが転写される。このとき、レジストパターン７１が残っている場合には、レジストパターン７１もエッチングマスクとして使用される。第１の薄膜５１（ここでは塗布型カーボン膜）のエッチングは、例えば、酸素プラズマ系の異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 60]
By using the second thin film (second mask) 52 to which the resist pattern 71 has been transferred as an etching mask, the first thin film 51 is etched, whereby the pattern of the second mask 52 is formed on the first thin film 51. Transcribed. At this time, if the resist pattern 71 remains, the resist pattern 71 is also used as an etching mask. The etching of the first thin film 51 (here, the coating type carbon film) is performed by, for example, oxygen plasma-based anisotropic etching.

［図６１］
第２のマスク５２が転写された第１の薄膜（第３のマスク）５１をエッチングマスクに用いて、シリコン酸化膜１ｂをエッチングすることにより、シリコン酸化膜１ｂに第３のマスク５１のパターンが転写される。このとき、第２のマスク５２が残っている場合には、第２のマスク５２もエッチングマスクとして使用される。シリコン酸化膜１ｂのエッチングは、例えば、フッ素系ガスを用いた異方性エッチングにより行われる。 [FIG. 61]
By etching the silicon oxide film 1b using the first thin film (third mask) 51 to which the second mask 52 is transferred as an etching mask, the pattern of the third mask 51 is formed on the silicon oxide film 1b. Transcribed. At this time, if the second mask 52 remains, the second mask 52 is also used as an etching mask. Etching of the silicon oxide film 1b is performed, for example, by anisotropic etching using a fluorine-based gas.

［図６２］
塗布型カーボン膜からなる第３のマスク５２は、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去される。 [FIG. 62]
The third mask 52 made of a coating-type carbon film is removed by ashing using oxygen plasma.

本実施形態でも第５の実施形態と同様に、多層マスクプロセスを適用したことで、光硬化性樹脂２に転写される凹部（パターン）のアスペクト比を低く抑えることができるので、図５６の離型時における剥がれ欠陥の発生を防ぐことができる。また、上記多層マスクプロセスにより、被加工基板１が平坦化されるので、被加工基板１上に寸法精度の高いパターンを形成することも可能となる。 Also in this embodiment, as in the fifth embodiment, by applying the multilayer mask process, the aspect ratio of the recesses (patterns) transferred to the photocurable resin 2 can be kept low. Occurrence of peeling defects during molding can be prevented. Further, since the substrate 1 to be processed is planarized by the multilayer mask process, it is possible to form a pattern with high dimensional accuracy on the substrate 1 to be processed.

なお、図５４の工程で、光硬化性樹脂２の代わりに、第６の実施形態と同様に光硬化性樹脂２’を用い、図６３に示すように、光硬化性樹脂２’からなるパターンを形成し、第６の実施形態と同様の方法により、デバイスパターンを形成しても構わない。 In the step of FIG. 54, instead of the photocurable resin 2, a photocurable resin 2 ′ is used as in the sixth embodiment, and as shown in FIG. 63, a pattern made of the photocurable resin 2 ′. The device pattern may be formed by the same method as in the sixth embodiment.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。 In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device which concerns on 1st Embodiment. 図１に続く第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device which concerns on 1st Embodiment following FIG. 図２に続く第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device which concerns on 1st Embodiment following FIG. 図３に続く第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device which concerns on 1st Embodiment following FIG. 図４に続く第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device which concerns on 1st Embodiment following FIG. 図５に続く第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device which concerns on 1st Embodiment following FIG. 図６に続く第１の実施形態に係るデバイスの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device which concerns on 1st Embodiment following FIG. 第１の実施形態のモールドの変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification of the mold of 1st Embodiment. 第１の実施形態のモールドの他の変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other modification of the mold of 1st Embodiment. 第２の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the production method of the mold which concerns on 2nd Embodiment. 図９に続く第２の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the production method of the mold which concerns on 2nd Embodiment following FIG. 図１０に続く第２の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the production method of the mold which concerns on 2nd Embodiment following FIG. 図１１に続く第２の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the production method of the mold which concerns on 2nd Embodiment following FIG. 図１２に続く第２の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the production method of the mold which concerns on 2nd Embodiment following FIG. 従来のモールドを通過した光の検出信号の強度分布を示す図。The figure which shows intensity distribution of the detection signal of the light which passed the conventional mold. 第３の実施形態に係るモールドを示す断面図。Sectional drawing which shows the mold which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施形態のモールドを用いたデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern using the mold of 3rd Embodiment. 図１７に続く第３の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 3rd Embodiment following FIG. 図１８に続く第３の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 3rd Embodiment following FIG. 図１９に続く第３の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 3rd Embodiment following FIG. 図２０に続く第３の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 3rd Embodiment following FIG. 図２１に続く第３の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 3rd Embodiment following FIG. 第３の実施形態のモールドの作成方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the production method of the mold of 3rd Embodiment. 図２３に続く第３の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。FIG. 24 is a cross-sectional view showing a mold making method according to the third embodiment following FIG. 23. 図２４に続く第３の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a mold making method according to the third embodiment following FIG. 24. 図２５に続く第３の実施形態に係るモールドの作成方法を示す断面図。FIG. 26 is a cross-sectional view showing a mold making method according to the third embodiment following FIG. 25. 第３の実施形態に係るモールドの変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification of the mold which concerns on 3rd Embodiment. 第３の実施形態に係るモールドの他の変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other modification of the mold which concerns on 3rd Embodiment. 第４の実施形態に係るモールドを示す断面図。Sectional drawing which shows the mold which concerns on 4th Embodiment. 第４の実施形態のモールドを用いたデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern using the mold of 4th Embodiment. 図３０に続く第４の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 4th Embodiment following FIG. 図３１に続く第４の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 4th Embodiment following FIG. 図３２に続く第４の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 33 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fourth embodiment following FIG. 32; 図３３に続く第４の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 4th Embodiment following FIG. 第４の実施形態に係る他のモールドを示す斜視図。The perspective view which shows the other mold which concerns on 4th Embodiment. 第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 5th Embodiment. 図３７に続く第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 38 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment following FIG. 37; 図３８に続く第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 39 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment following FIG. 38; 図３９に続く第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 40 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment following FIG. 39; 図４０に続く第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 41 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment following FIG. 40; 図４１に続く第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 42 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment following FIG. 41; 図４２に続く第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 43 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment following FIG. 42; 図４３に続く第５の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 44 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the fifth embodiment following FIG. 43; 第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 6th Embodiment. 図４４に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 45 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 44; 図４５に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 46 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 45; 図４６に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 47 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 46; 図４７に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 48 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 47; 図４８に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 49 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 48; 図４９に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 50 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 49; 図５０に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 50 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 50; 図５１に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 52 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 51; 図５２に続く第６の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 53 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the sixth embodiment following FIG. 52; 第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the device pattern which concerns on 7th Embodiment. 図５４に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 55 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment following FIG. 54; 図５５に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 56 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment following FIG. 55; 図５６に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 57 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment following FIG. 56; 図５７に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 58 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment following FIG. 57; 図５８に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 59 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment following FIG. 58; 図５９に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 60 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment following FIG. 59; 図６０に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 61 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment following FIG. 60; 図６１に続く第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法を示す断面図。FIG. 62 is a cross-sectional view showing the device pattern manufacturing method according to the seventh embodiment, following FIG. 61; 第７の実施形態に係るデバイスパターンの製造方法の変更例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of a change of the manufacturing method of the device pattern which concerns on 7th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１…被加工基板、１ａ…シリコン基板、１ｂ…シリコン酸化膜、２，２’…光硬化性樹脂、２₁…光硬化性樹脂（第１の転写パターン）、２₂…光硬化性樹脂（第２の転写パターン）、２ｓ…転写領域間の光硬化性樹脂、２ｒ…第１の溝に対応したパターン、４…隙間、５，５ａ，５ｂ…光、７…凸部、８…アライメントマーク、１０…ナノインプリント用モールド、１１…透明基板、１２…半透明膜、１３…レジスト膜、１４…欠陥、２０…遮光体、２１…ステージ、２２…レジスト膜、２３…凹凸、３１…第１の凸部、３２…第２の凸部、３２ａ〜３２ｅ…凸部、４１…第１の溝、４２…第２の溝、４３ａ〜４３ｃ…溝、５１…第１の薄膜、５２…第２の薄膜、６１…有機膜、７１…レジスト膜。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate to be processed, 1a ... Silicon substrate, 1b ... Silicon oxide film, 2, 2 '... Photo-curing resin, 2 ₁ ... Photo-curing resin (first transfer pattern), 2 ₂ ... Photo-curing resin ( (Second transfer pattern), 2s ... photocurable resin between transfer regions, 2r ... pattern corresponding to the first groove, 4 ... gap, 5, 5a, 5b ... light, 7 ... convex, 8 ... alignment mark DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Nanoimprint mold, 11 ... Transparent substrate, 12 ... Semi-transparent film, 13 ... Resist film, 14 ... Defect, 20 ... Shading body, 21 ... Stage, 22 ... Resist film, 23 ... Concavity and convexity, 31 ... First Convex part, 32 ... second convex part, 32a to 32e ... convex part, 41 ... first groove, 42 ... second groove, 43a to 43c ... groove, 51 ... first thin film, 52 ... second Thin film, 61 ... organic film, 71 ... resist film.

Claims

形成するべきパターンに対応した凸部が表面に設けられた透明基板と、前記凸部上面に設けられた半透明膜とを具備してなることを特徴とするナノインプリント用モールド。 A mold for nanoimprinting, comprising: a transparent substrate having a convex portion corresponding to a pattern to be formed on a surface thereof; and a translucent film provided on the upper surface of the convex portion.

形成するべきパターンに対応した凸部が表面に設けられた透明基板と、前記透明基板の側面に設けられた遮光体とを具備してなることを特徴とするナノインプリント用モールド。 A mold for nanoimprinting, comprising: a transparent substrate having a convex portion corresponding to a pattern to be formed on a surface thereof; and a light-shielding body provided on a side surface of the transparent substrate.

前記遮光体は、前記透明基板の側面に設けられた金属膜、または、前記透明基板の側面に形成された凹凸であることを特徴とする請求項２に記載のナノインプリント用モールド。 The nanoimprint mold according to claim 2, wherein the light shielding body is a metal film provided on a side surface of the transparent substrate or an unevenness formed on a side surface of the transparent substrate.

透明基板上に半透明膜を形成する工程と、
前記半透明膜上にレジスト膜を形成する工程と、
リソグラフィプロセスにより、前記レジスト膜からなり、形成するべきパターンと等倍のパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記半透明膜および前記半透明基板をエッチングすることにより、前記透明基板の表面に前記形成するべきパターンに対応した凸部を形成する工程と
を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの作成方法。 Forming a translucent film on a transparent substrate;
Forming a resist film on the translucent film;
A step of forming a resist pattern that includes the resist film and includes a pattern that is the same size as the pattern to be formed by a lithography process;
Forming a projection corresponding to the pattern to be formed on the surface of the transparent substrate by etching the semitransparent film and the semitransparent substrate using the resist pattern as a mask. A method for creating a mold for nanoimprinting.

被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布する工程と、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールドを前記光硬化性樹脂に押し付ける工程と、
前記ナノインプリント用モールドを介して前記光硬化性樹脂に光を照射する工程と、
前記光硬化性樹脂から前記ナノインプリント用モールドを離す工程と、
前記被加工基板および前記光硬化性樹脂をリンスする工程と、
前記光硬化性樹脂をマスクにして、前記被加工基板をエッチングする工程と
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。 Applying a photocurable resin on the substrate to be processed;
Pressing the nanoimprint mold according to any one of claims 1 to 3 against the photocurable resin;
Irradiating the photocurable resin with light through the nanoimprint mold; and
Separating the nanoimprint mold from the photocurable resin;
Rinsing the substrate to be processed and the photocurable resin; and
And a step of etching the substrate to be processed by using the photo-curable resin as a mask.