JP6206644B2 - Method for producing template for nanoimprint lithography - Google Patents

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description

本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography.

半導体デバイス製造においては、従来から、フォトマスクを使って縮小（例えば１／４縮小）露光するフォトリソグラフィの技術が用いられており、近年では、より解像度を向上させる技術として、位相シフトマスクを用いたフォトリソグラフィによって、超ＬＳＩ等の微細なパターンを製造している。
しかしながら、さらなる微細化に対応するためには、露光波長の問題や製造コストの問題などから上記のフォトリソグラフィによる方式の限界が指摘されており、次世代のリソグラフィ技術として、反射型マスクを使うＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）リソグラフィや、テンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を使うナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ：Ｎａｎｏ Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）が提案されている。
特に、ナノインプリントリソグラフィは、フォトリソグラフィのような高額な露光装置（ステッパー）を用いないため、経済的にも有利であることから、注目を集めている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, a photolithographic technique that uses a photomask to perform reduction (for example, 1/4 reduction) exposure has been used. In recent years, a phase shift mask has been used as a technique for further improving the resolution. A fine pattern such as a VLSI is manufactured by photolithography.
However, in order to cope with further miniaturization, the limitations of the above-described photolithography method have been pointed out due to the problem of exposure wavelength and the problem of manufacturing cost, and EUV using a reflective mask as the next generation lithography technology. (Extreme Ultra Violet) lithography and nanoimprint lithography (NIL: Nano Imprint Lithography) using a template (also called a mold, a stamper, or a mold) have been proposed.
In particular, nanoimprint lithography is attracting attention because it is economically advantageous because it does not use an expensive exposure apparatus (stepper) such as photolithography.

上記のナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したテンプレートを、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に密着させ、前記樹脂の表面側の形状を、前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型した後に前記テンプレートを離型し、次いで、ドライエッチング等により余分な樹脂部分（残膜部分）を除去することで、前記被転写基板の上の樹脂に前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を転写させる技術である。   In the nanoimprint lithography described above, a template having a fine concavo-convex transfer pattern formed on its surface is brought into close contact with a resin formed on a transfer substrate such as a semiconductor wafer, and the shape of the surface of the resin is changed to the template. The template is released after being molded into a concavo-convex shape of the transfer pattern, and then the excess resin part (residual film part) is removed by dry etching or the like, so that the template is applied to the resin on the transfer substrate. This is a technique for transferring the concave / convex shape of the transfer pattern (more specifically, the concave / convex inverted shape).

このナノインプリントリソグラフィに用いる方法には、熱可塑性樹脂を用いて、まず、前記樹脂をガラス転移温度以上に加熱して変形可能とし、この状態でテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、ガラス転移温度以下に冷却することでテンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する熱インプリント法や（例えば、特許文献１）、紫外線硬化性樹脂を用いて、硬化前の変形可能な樹脂をテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させて、テンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する光インプリント法などが提案されている（例えば、特許文献２）。   In this nanoimprint lithography method, a thermoplastic resin is used. First, the resin is heated to a temperature higher than the glass transition temperature so that the resin can be deformed. By using a thermal imprint method (for example, Patent Document 1) that transfers the uneven shape of the transfer pattern of the template to the resin by cooling to a temperature lower than the transition temperature, a deformable resin before curing is used. An optical imprint method has been proposed in which the resin is cured by irradiating with ultraviolet rays, and then the uneven shape of the template transfer pattern is transferred to the resin. Patent Document 2).

上記のように、光インプリント法は、熱インプリント法のような加熱と冷却の工程が不要であり、室温でパターン転写できる。また、テンプレートや被転写基板が、熱によって寸法変化を生じてしまうリスクを低減できる。
それゆえ、一般的には、熱インプリント法よりも光インプリント法の方が、生産性、解像性、アライメント精度などの点で優れている。 As described above, the optical imprint method does not require heating and cooling steps like the thermal imprint method, and the pattern can be transferred at room temperature. Further, it is possible to reduce a risk that the template and the substrate to be transferred undergo a dimensional change due to heat.
Therefore, in general, the optical imprint method is superior to the thermal imprint method in terms of productivity, resolution, alignment accuracy, and the like.

上記の光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの理想モデルの一例を、図１１に示す。
光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの技術を用いて所望の樹脂パターンを形成するには、例えば、図１１（ａ）に示すように、まず、凹凸形状の転写パターンを設けたナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００、および、紫外線硬化性の樹脂層３２２Ａを設けた被転写基板３１０を準備する。
次に、テンプレート１００を被転写基板３１０の上に設けた樹脂層３２２Ａに接触させ、紫外線３３０を照射して樹脂層３２２Ａの樹脂を硬化させて樹脂パターン３２２を形成し（図１１（ｂ））、その後、テンプレート１００を離型する（図１１（ｃ））。
次いで、得られた樹脂パターン３２２に、例えば、酸素イオン等の反応性イオン３４０によるドライエッチングを施して（図１１（ｄ））、厚さＴ1の余分な残膜部分を除去し、テンプレート１００の転写パターンとは凹凸形状が反転した所望の樹脂パターン３２３を形成する（図１１（ｅ））。 An example of an ideal model of nanoimprint lithography by the above-described photoimprint method is shown in FIG.
In order to form a desired resin pattern using the nanoimprint lithography technique based on the optical imprint method, for example, as shown in FIG. 11A, first, a nanoimprint lithography template 100 provided with a concavo-convex transfer pattern, Then, a transfer substrate 310 provided with an ultraviolet curable resin layer 322A is prepared.
Next, the template 100 is brought into contact with the resin layer 322A provided on the substrate 310 to be transferred, and the resin pattern 322 is formed by irradiating the ultraviolet ray 330 to cure the resin of the resin layer 322A (FIG. 11B). Thereafter, the template 100 is released (FIG. 11C).
Next, the obtained resin pattern 322 is dry-etched with, for example, reactive ions 340 such as oxygen ions (FIG. 11D) to remove an excess remaining film portion having a thickness T 1 , and the template 100 A desired resin pattern 323 having a concavo-convex shape inverted from the transfer pattern is formed (FIG. 11E).

ここで、上述の残膜部分の厚さＴ1は、ナノインプリントリソグラフィにおいて、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ Ｌａｙｅｒ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれるものである。このＲＬＴに対しては、膜厚均一性が厳しく求められており、例えば、最大膜厚と最小膜厚の差が３ｎｍ以下に抑えることを求められている。ＲＬＴの大きさは、転写パターンのサイズや樹脂材料等にもよるが、例えば、転写パターンの深さ（樹脂パターンの高さに相当）が５０ｎｍ程度の場合、ＲＬＴの大きさは１０ｎｍ程度である。 Here, the thickness T 1 of the above-mentioned remaining film portion is called RLT (Residual Layer Thickness) in nanoimprint lithography. For this RLT, film thickness uniformity is strictly required, and for example, it is required to suppress the difference between the maximum film thickness and the minimum film thickness to 3 nm or less. The size of the RLT depends on the size of the transfer pattern, the resin material, and the like. For example, when the depth of the transfer pattern (corresponding to the height of the resin pattern) is about 50 nm, the size of the RLT is about 10 nm. .

上記のようなナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００を製造するには、例えば、図１２（ａ）に示すように、まず、石英等から構成される基板１１０の主面上に、クロム（Ｃｒ）等から構成されるハードマスク層２２１Ａを有する構造体（ブランクスと呼ぶ）を準備する。
次に、ハードマスク層２２１Ａの上にレジスト層２２２Ａを形成し（図１２（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２２を形成する（図１２（ｃ））。
続いて、レジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成する（図１２（ｄ））。
その後、レジストパターン２２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして凹部１１０ｓを形成し（図１２（ｅ））、最後に、ハードマスクパターン２２１を除去して、所望の凹凸形状の転写パターンを有するテンプレート１００を得る（図１２（ｆ））。
なお、図１２（ｆ）において、符号１１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１１０ｔは転写パターンの凸部を示す。 In order to manufacture the nanoimprint lithography template 100 as described above, for example, as shown in FIG. 12A, first, the main surface of the substrate 110 made of quartz or the like is made of chromium (Cr) or the like. A structure (referred to as blanks) having a hard mask layer 221A is prepared.
Next, a resist layer 222A is formed on the hard mask layer 221A (FIG. 12B), and a resist pattern 222 is formed by a plate making technique such as electron beam drawing (FIG. 12C).
Subsequently, the hard mask layer 221A exposed from the resist pattern 222 is etched to form a hard mask pattern 221 (FIG. 12D).
Thereafter, the resist pattern 222 is removed, and then the substrate 110 exposed from the hard mask pattern 221 is etched to form a recess 110s (FIG. 12E). Finally, the hard mask pattern 221 is removed to obtain a desired A template 100 having a concavo-convex shaped transfer pattern is obtained (FIG. 12F).
In FIG. 12F, reference numeral 110s indicates a concave portion of the transfer pattern, and reference numeral 110t indicates a convex portion of the transfer pattern.

ここで、従来のフォトマスクの製造においては、黒欠陥と呼ばれる不要な余剰パターンである残渣欠陥を生じることがあり、この残渣欠陥部を、例えば、電子線とアシストガスを用いた部分エッチング等の方法で除去する工程を、黒欠陥の修正工程と呼んでいる（例えば、特許文献３）。
そして、不要な余剰パターンである残渣欠陥は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においても生じるものである。 Here, in the manufacture of a conventional photomask, a residual defect, which is an unnecessary surplus pattern called a black defect, may occur, and this residual defect portion is subjected to, for example, partial etching using an electron beam and an assist gas. The process of removing by the method is called a black defect correcting process (for example, Patent Document 3).
And the residue defect which is an unnecessary surplus pattern arises also in manufacture of the template for nanoimprint lithography.

図１３は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの残渣欠陥の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
なお、図１３に示す例において、符号１００ｄはラインアンドスペース状の転写パターンの一部に残渣欠陥部を有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを、符号１１０ｄは残渣欠陥部を、符号１１０ｔは転写パターンの凸部を、符号１００ｄは転写パターンの凹部を、それぞれ示す。
ここで、従来のフォトマスクにおいてはマスクパターン（遮光パターン）がＣｒ等の遮光材から構成されていたため、その残渣欠陥（黒欠陥）も主にＣｒ等の遮光材からなる余剰パターンであったが、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいては、通常、転写パターンは基板と同じ材料（例えば石英）で構成されるため、その残渣欠陥も主に石英等の基板と同じ材料からなる余剰パターンになる。 FIG. 13 is an explanatory view showing an example of a residual defect of a template for nanoimprint lithography, (a) is a schematic plan view, and (b) is an AA cross-sectional view in (a).
In the example shown in FIG. 13, reference numeral 100d denotes a template for nanoimprint lithography having a residual defect part in a part of a line-and-space transfer pattern, reference numeral 110d denotes a residual defect part, and reference numeral 110t denotes a convex part of the transfer pattern. Reference numeral 100d denotes a concave portion of the transfer pattern.
Here, in the conventional photomask, the mask pattern (light-shielding pattern) is made of a light-shielding material such as Cr. Therefore, the residual defect (black defect) is also an excessive pattern mainly made of a light-shielding material such as Cr. In the template for nanoimprint lithography, the transfer pattern is usually made of the same material (for example, quartz) as that of the substrate, so that the residual defect is also a surplus pattern mainly made of the same material as that of the substrate such as quartz.

上記のような残渣欠陥が、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造において発生する事例について、図１４を用いて説明する。
例えば、上述の図１２に示したナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法において、レジスト層２２２Ａを形成する工程（図１２（ｂ））の後に、図１４（ａ）に示すように、レジスト層２２２Ａの上に異物２３０が付着した場合、製版後のレジストパターン２２２には、レジストパターンの残渣欠陥部２２２ｄも形成されてしまう（図１４（ｂ））。
そして、この残渣欠陥部２２２ｄを有するレジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成した場合、レジストパターンの残渣欠陥部２２２ｄの下には、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２２１ｄも形成されてしまうことになる（図１４（ｃ）、（ｄ））。
同様に、続く工程で残渣欠陥部２２１ｄを有するハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして凹部１１０ｓを形成した場合、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２２１ｄの下には、転写パターンの残渣欠陥部１１０ｄも形成されてしまうことになる（図１４（ｅ）、（ｆ））。 An example in which such a residual defect occurs in the manufacture of a template for nanoimprint lithography will be described with reference to FIG.
For example, in the method of manufacturing the template for nanoimprint lithography shown in FIG. 12 described above, after the step of forming the resist layer 222A (FIG. 12B), as shown in FIG. When the foreign matter 230 adheres to the resist pattern 222, a resist pattern residual defect 222d is also formed in the resist pattern 222 after the plate making (FIG. 14B).
When the hard mask layer 221A exposed from the resist pattern 222 having the residual defect portion 222d is etched to form the hard mask pattern 221, the residual defect of the hard mask pattern is located under the residual defect portion 222d of the resist pattern. The part 221d is also formed (FIGS. 14C and 14D).
Similarly, when the recess 110s is formed by etching the substrate 110 exposed from the hard mask pattern 221 having the residual defect portion 221d in the subsequent process, the residual defect of the transfer pattern is located under the residual defect portion 221d of the hard mask pattern. The portion 110d is also formed (FIGS. 14E and 14F).

現状、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造において、上記のような残渣欠陥を全く発生させないことは、技術的にも製造コスト的にも困難である。
それゆえ、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの現実的な製造工程は、例えば、図１５に示すように、ブランクス準備工程（Ｓ１０１）、ハードマスクパターンの形成工程（Ｓ１０２）、転写パターンの形成工程（Ｓ１０３）、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ１０４）、に加えて、欠陥検査工程（Ｓ１０５）、および、欠陥検査工程（Ｓ１０６）を含むものになる。 At present, in producing a template for nanoimprint lithography, it is difficult from the technical and production cost points to prevent the occurrence of the above-described residual defects.
Therefore, for example, as shown in FIG. 15, a realistic manufacturing process of a conventional template for nanoimprint lithography includes a blanks preparation process (S101), a hard mask pattern formation process (S102), and a transfer pattern formation process (S103). ), A hard mask pattern removal step (S104), a defect inspection step (S105), and a defect inspection step (S106).

ここで、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは、従来のフォトマスクのような４倍マスクではなく等倍マスクであり、その転写パターンの寸法は、例えば、１０ｎｍレベルと非常に小さいため、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においては、転写パターンをエッチング形成するためのハードマスクパターンも極めて薄膜にする必要がある。例えば、ハードマスクパターンの膜厚は数ｎｍレベルである。
このように、ハードマスクパターンが極めて薄膜であるため、転写パターンをエッチング形成する前の表面平坦な基板上に形成されたハードマスクパターンの残渣欠陥を、既存の欠陥検査装置で検出することは困難である。
それゆえ、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においては、例えば、図１５に示すように、転写パターンの形成工程（Ｓ１０３）の後に、欠陥検査工程（Ｓ１０５）を行っている。通常、転写パターンは凸部の上面（Ｔｏｐ面）と凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）の高さ位置の差が凹部の幅の３倍程度のアスペクト比を有しているため、転写パターン形成後であれば、既存の欠陥検査装置を用いて残渣欠陥を検出することが容易になるからである。 Here, the template for nanoimprint lithography is not a quadruple mask like a conventional photomask, but an equal magnification mask, and the size of the transfer pattern is very small, for example, 10 nm level. In this case, the hard mask pattern for etching the transfer pattern needs to be extremely thin. For example, the film thickness of the hard mask pattern is on the order of several nm.
As described above, since the hard mask pattern is an extremely thin film, it is difficult to detect a residual defect of the hard mask pattern formed on the flat substrate before etching the transfer pattern by an existing defect inspection apparatus. It is.
Therefore, in the manufacture of the template for nanoimprint lithography, for example, as shown in FIG. 15, the defect inspection step (S105) is performed after the transfer pattern formation step (S103). Usually, a transfer pattern has an aspect ratio in which the height position of the top surface (Top surface) of the convex portion and the bottom surface (Bottom surface) of the concave portion is about three times the width of the concave portion. This is because it is easy to detect a residual defect using an existing defect inspection apparatus.

上記の欠陥修正工程（Ｓ１０６）では、従来の位相シフトマスクにおける透明基材（主に石英）の残渣欠陥部の修正技術を用いることができる。
例えば、上記の欠陥修正工程（Ｓ１０６）の詳細は、図１６に示すように、残渣欠陥を有するテンプレートを欠陥修正装置内に配置して、アシストガスを供給しながら電子線を照射することにより基板と同じ材料（主に石英）からなる残渣欠陥部をエッチングする、転写パターンの修正工程（Ｓ１１１）、前記アシストガスの排出工程（Ｓ１１２）、前記転写パターンの修正後の形状を電子線の走査により得られる二次電子等の検出像で確認する、転写パターンの確認工程（Ｓ１１３）、を順に施す一連の工程になる。 In the defect correcting step (S106), a technique for correcting a residual defect portion of a transparent substrate (mainly quartz) in a conventional phase shift mask can be used.
For example, the details of the defect correcting step (S106) are as follows. As shown in FIG. 16, a template having a residual defect is placed in a defect correcting apparatus and irradiated with an electron beam while supplying an assist gas. Etching residual defect parts made of the same material (mainly quartz) as in (1), a transfer pattern correction step (S111), the assist gas discharge step (S112), and the shape of the transfer pattern after correction is scanned by an electron beam. This is a series of steps for sequentially performing a transfer pattern confirmation step (S113), which is confirmed by the obtained detection image of secondary electrons or the like.

特表２００４−５０４７１８号公報JP-T-2004-504718 特開２００２−９３７４８号公報JP 2002-93748 A 特開２００４−２９４６１３号公報JP 2004-294613 A

上述のように、前記転写パターンの修正にはアシストガスが用いられ、このアシストガスは修正後には排出されるが、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの表面に付着したアシストガスを完全に排出することは困難である。
それゆえ、前記転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの表面を電子線で走査すると、その走査領域の転写パターンもエッチングされてしまうという過剰エッチングの問題がある。 As described above, an assist gas is used to correct the transfer pattern, and the assist gas is discharged after the correction. However, it is difficult to completely discharge the assist gas attached to the surface of the nanoimprint lithography template. is there.
Therefore, when the surface of the template for nanoimprint lithography is scanned with an electron beam in the step of confirming the corrected shape of the transfer pattern, there is an overetching problem that the transfer pattern in the scanning region is also etched.

そして、ナノインプリントリソグラフィは、上述のように、テンプレートの転写パターンを直に被転写基板の上の樹脂に接触させて、その凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を等倍の大きさで前記樹脂に転写させる技術であるため、上記のような過剰エッチングにより転写パターンの形状が変化してしまうと、転写された樹脂のパターンもそのまま変化した形状になってしまう。
特に、ナノインプリントリソグラフィにおいては、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされて、一部の領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題がある。 Then, as described above, the nanoimprint lithography is such that the template transfer pattern is directly brought into contact with the resin on the substrate to be transferred, and the concave and convex shape (more specifically, the concave and convex reverse shape) is the same size as the above. Since this is a technique for transferring to a resin, if the shape of the transfer pattern changes due to excessive etching as described above, the transferred resin pattern also has a changed shape.
In particular, in nanoimprint lithography, the upper surface (Top surface) of the convex portion of the template transfer pattern is excessively etched, and the height position of the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern in a part of the region is different. Then, there is a problem that the residual film thickness (RLT) of the resin pattern on the transferred substrate becomes non-uniform, and a defective pattern is generated in a wide range.

上記の問題について、図１７および図１８を用いてより詳細に説明する。
ここで、図１７は、従来の欠陥修正工程によってテンプレートの表面が過剰エッチングされる様子を示す説明図であり、図１８は、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされたテンプレートを用いてパターン転写した場合に残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になる様子を示す説明図である。 The above problem will be described in more detail with reference to FIGS. 17 and 18.
Here, FIG. 17 is an explanatory view showing a state where the surface of the template is excessively etched by the conventional defect correction process, and FIG. 18 is a diagram showing that the upper surface (Top surface) of the convex portion of the template transfer pattern is excessively etched. It is explanatory drawing which shows a mode that a residual film thickness (RLT) becomes non-uniform | heterogenous when pattern transfer is carried out using the prepared template.

例えば、従来の方法で、図１７（ａ）に示すナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００ｄの残渣欠陥部１１０ｄを修正する場合、まず、テンプレート１００ｄを欠陥修正装置内に配置し、欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいてテンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３０で走査して、修正用の電子線１３１を照射する位置および範囲を決める（図１７（ｂ））。
次に、アシストガス１４２を供給しながら、修正用の電子線１３１を照射することにより、残渣欠陥部１１０ｄをエッチングする（図１７（ｃ））。
所定のエッチングが終了した後は、電子線１３１の照射を停止し、アシストガス１４２を排出し（図１７（ｄ））、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３２で走査して、転写パターンの修正後の形状を確認するが（図１７（ｅ））、この確認工程における電子線１３２の走査によって、その走査領域の転写パターンが過剰エッチングされてしまう。 For example, when the residual defect portion 110d of the nanoimprint lithography template 100d shown in FIG. 17A is corrected by a conventional method, the template 100d is first placed in a defect correction apparatus and detected in a defect inspection process. Based on the defect position information, the surface of the template 100d is scanned with the observation electron beam 130 to determine the position and range of irradiation of the correction electron beam 131 (FIG. 17B).
Next, the residue defect portion 110d is etched by irradiating the electron beam 131 for correction while supplying the assist gas 142 (FIG. 17C).
After the predetermined etching is completed, the irradiation of the electron beam 131 is stopped, the assist gas 142 is discharged (FIG. 17D), and the surface of the template 100d is scanned with the electron beam 132 for observation, thereby transferring the transfer pattern. The shape after the correction is confirmed (FIG. 17E), but the scanning pattern of the scanning region is excessively etched by the scanning of the electron beam 132 in the confirmation step.

例えば、上記の修正工程を経て得られたテンプレート１００ｅにおいては、図１７（ｆ）に示すように、電子線１３２の走査領域に相当する過剰エッチング領域１１０ｅの転写パターンの凸部１１０ｔの上面（Ｔｏｐ面）は、当初の高さ位置からｈ2の深さに過剰エッチングされており、同様に、過剰エッチング領域１１０ｅの転写パターンの凹部１１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、当初の高さ位置からｈ3の深さにエッチングされている。 For example, in the template 100e obtained through the above correction process, as shown in FIG. 17 (f), the upper surface (Top) of the convex portion 110t of the transfer pattern in the excessive etching region 110e corresponding to the scanning region of the electron beam 132. Surface) is excessively etched to a depth of h 2 from the initial height position. Similarly, the bottom surface (Bottom surface) of the recess 110s of the transfer pattern in the excessive etching region 110e is h from the initial height position. Etched to a depth of 3 .

この過剰エッチングは、基板１１０の材料やアシストガス１４２の種類等の条件によって変化するものであるが、例えば、上記のエッチング深さｈ2やｈ3の値は、数ｎｍ程度である。
しかしながら、ナノインプリントリソグラフィは、寸法幅が１０ｎｍレベルの転写パターンを等倍転写する技術であるため、わずかな過剰エッチングであってもその影響は大きい。
また、上述のように、ナノインプリントリソグラフィにおいては、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされて、一部の領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという特有の問題がある。 This excessive etching changes depending on conditions such as the material of the substrate 110 and the type of the assist gas 142. For example, the values of the etching depths h 2 and h 3 are about several nm.
However, since nanoimprint lithography is a technique for transferring a transfer pattern having a dimension width of 10 nm level to the same magnification, even a slight over-etching has a great influence.
Further, as described above, in nanoimprint lithography, the upper surface (Top surface) of the convex portion of the template transfer pattern is excessively etched, and the height of the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern in a part of the region. If the positions are different, there is a specific problem that the residual film thickness (RLT) of the resin pattern on the substrate to be transferred becomes non-uniform and a defective pattern is generated in a wide range.

次に、この残膜厚さ（ＲＬＴ）に係る問題について詳細に説明する。
例えば、図１７（ｆ）に示すテンプレート１００ｅを用いて、上述の図１１に示した工程と同様に、光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィを行った場合には、図１８（ｃ）に示すように、形成された樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は不均一なものになる。
より具体的に述べると、図１８（ｃ）に示す例において、テンプレート１００ｅの過剰エッチング領域１１０ｅとは異なる領域の転写パターンが転写された領域の樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）はＴ2となるのに対し、テンプレート１００ｅの過剰エッチング領域１１０ｅの転写パターンが転写された領域の樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）はＴ3になる。ここで、厚さＴ3は、厚さＴ2にテンプレート１００ｅの深さｈ2を加えた値に相当する。 Next, the problem relating to the remaining film thickness (RLT) will be described in detail.
For example, in the case of performing nanoimprint lithography by the optical imprint method using the template 100e shown in FIG. 17 (f) as in the process shown in FIG. 11, as shown in FIG. 18 (c). The thickness (RLT) of the remaining film portion of the formed resin pattern 322E becomes non-uniform.
More specifically, in the example shown in FIG. 18C, the thickness (RLT) of the remaining film portion of the resin pattern 322E in the region where the transfer pattern of the region different from the overetched region 110e of the template 100e is transferred. Is T 2 , whereas the thickness (RLT) of the remaining film portion of the resin pattern 322E in the region where the transfer pattern of the excessively etched region 110e of the template 100e is transferred is T 3 . Here, the thickness T 3 corresponds to a value obtained by adding the depth h 2 of the template 100e to the thickness T 2 .

そして、図１８（ｄ）に示すように、この残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が不均一な樹脂パターン３２２Ｅに対して反応性イオン３４０によるドライエッチングを施した場合には、例えば、図１８（ｅ）に示すように、残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）がＴ2であった領域においては、余分な残膜部分が除去された樹脂パターン３２３Ａを得ることができるが、残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）がＴ3であった領域においては、厚さＴ4の残膜部分が残留した不良の樹脂パターン３２３Ｂが形成されてしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうことになる。ここで、厚さＴ4は、厚さＴ3から反応性イオン３４０によるドライエッチング量を差し引いた値に相当する。 As shown in FIG. 18D, when dry etching with reactive ions 340 is performed on the resin pattern 322E having a non-uniform thickness (RLT) of the remaining film portion, for example, FIG. (e), the in the region thickness of the residual film portion (RLT) was T 2, it is possible to obtain a resin pattern 323A extra residual film portion is removed, the remaining film portion In the region where the thickness (RLT) is T 3 , a defective resin pattern 323B in which the remaining film portion having the thickness T 4 remains is formed, and a defective pattern is generated in a wide range. Here, the thickness T 4 corresponds to a value obtained by subtracting the dry etching amount by the reactive ions 340 from the thickness T 3 .

一方、図１８（ｅ）に示す厚さＴ4の残膜部分を完全に除去する目的で、図１８（ｄ）に示す反応性イオン３４０によるドライエッチングを過剰に施す場合には、良好に形成された樹脂パターン３２３Ａもエッチングを受けることから、その高さ（厚さ）が所望の高さ（厚さ）よりも小さくなってしまい、以降の被転写基板３１０の加工におけるレジストマスクとして不足することになるおそれがある。 On the other hand, when the dry etching with the reactive ions 340 shown in FIG. 18D is excessively performed for the purpose of completely removing the remaining film portion having the thickness T 4 shown in FIG. Since the formed resin pattern 323A is also etched, the height (thickness) becomes smaller than the desired height (thickness), which is insufficient as a resist mask in the subsequent processing of the transferred substrate 310. There is a risk of becoming.

以上、詳しく説明したように、ナノインプリントリソグラフィは、転写パターンを等倍転写する技術であるため、テンプレートのわずかな過剰エッチングであってもその影響は大きく、特に、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされて、一部の領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという特有の問題がある。
それゆえ、残渣欠陥部を修正しても、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が変化してしまうことを防ぐことが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法が求められている。 As described above in detail, since nanoimprint lithography is a technology that transfers a transfer pattern at the same magnification, even a slight over-etching of the template has a significant effect, and in particular, the upper surface of the convex portion of the template transfer pattern. If the (Top surface) is excessively etched and the height position of the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern in a part of the region is different, the remaining film thickness (RLT) of the resin pattern on the transfer substrate is changed. ) Becomes non-uniform, and there is a peculiar problem that defective patterns occur in a wide range.
Therefore, there is a need for a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography that can prevent the height position of the top surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern from changing even if the residual defect portion is corrected. Yes.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程、より詳しくは、電子線を走査して転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が変化してしまうことを防止して、残渣欠陥が無く、かつ、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が揃ったテンプレートを製造することが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and more specifically, in a defect correction step of a template for nanoimprint lithography, more specifically, in a step of checking the shape after correction of a transfer pattern by scanning an electron beam. A template in which the height position of the upper surface (Top surface) of the convex portion is prevented from changing, there is no residue defect, and the height position of the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern is aligned. An object of the present invention is to provide a method for producing a template for nanoimprint lithography that can be produced.

本発明者は、種々研究した結果、基板の主面上に形成したハードマスクパターンを残した形態で前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正し、次いで、前記修正により露出する転写パターンの残渣欠陥部を修正し、前記転写パターンの残渣欠陥部の修正を確認した後に、前記ハードマスクパターンを除去することにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。   As a result of various studies, the present inventor corrected the residual defect portion of the hard mask pattern in a form that left the hard mask pattern formed on the main surface of the substrate, and then the residual defect of the transfer pattern exposed by the correction The present invention has been completed by finding that the above problems can be solved by removing the hard mask pattern after correcting the portion and confirming the correction of the residual defect portion of the transfer pattern.

すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を順に備え、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の前に、前記第１のアシストガスを排出する工程と、前記ハードマスクパターンの修正後の形状を第３の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、を順に備え、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、前記ハードマスクパターンを除去する工程の前に、前記第２のアシストガスを排出する工程と、前記転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。 That is, the invention according to claim 1 of the present invention is a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography having a concavo-convex shaped transfer pattern on a main surface of a substrate, the step of forming a hard mask pattern on the main surface of the substrate Etching the main surface of the substrate exposed from the hard mask pattern to form a concavo-convex shaped transfer pattern; and inspecting a residual defect portion of the transfer pattern in a form leaving the hard mask pattern; A step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern at the position of the residual defect portion detected by the inspection, and correcting the residual defect portion of the transfer pattern exposed by correcting the residual defect portion of the hard mask pattern And removing the hard mask pattern after correcting the residual defect portion of the transfer pattern. And degree turn Bei example a step of modifying the scum defect portion of the hard mask pattern, while supplying a first assist gas, irradiating the first electron beam to the residue defect portion of the hard mask pattern The step of etching the residual defect portion of the hard mask pattern is performed by the step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern while supplying the second assist gas to the residual defect portion of the transfer pattern. Is a step of etching the residual defect portion of the transfer pattern by irradiating the electron beam, and after the step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern, the residual defect portion of the transfer pattern is corrected Before the step of performing, the step of discharging the first assist gas and the corrected shape of the hard mask pattern are obtained by scanning with a third electron beam. And a step of confirming with a detection image, wherein the second assist gas is discharged after the step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern and before the step of removing the hard mask pattern. And a step of confirming the corrected shape of the transfer pattern with a detection image obtained by scanning with a fourth electron beam in order .

また、本発明の請求項２に係る発明は、前記第１の電子線を照射する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、前記第２の電子線を照射する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、前記第３の電子線を走査する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含み、前記第４の電子線を走査する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含むことを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。 In the invention according to claim 2 of the present invention, the region irradiated with the first electron beam overlaps with the region where the residual defect portion of the hard mask pattern exists, and the second electron beam is irradiated. A region overlaps with a region where a residual defect portion of the transfer pattern exists, and a region where the third electron beam is scanned includes a region where the residual defect portion of the hard mask pattern is etched, and the fourth electron area for scanning the lines, is a manufacturing method of a nanoimprint lithography template according to claim 1, characterized in that it comprises said etching residue defective portion of the transfer pattern area.

また、本発明の請求項３に係る発明は、前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含む混合ガス、塩素系ガス、のいずれか１種であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。 In the invention according to claim 3 of the present invention, the hard mask pattern is made of a material containing chromium (Cr), and the first assist gas includes xenon fluoride (XeF 2 ) and oxygen (O mixed gas containing 2), a mixed gas containing xenon fluoride (XeF 2) and water vapor (H 2 O), chlorine-based gas, to claim 1 or claim 2, characterized in that it is any one of It is a manufacturing method of the template for described nanoimprint lithography.

また、本発明の請求項４に係る発明は、基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を順に備え、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されており、前記第２のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）ガスであることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。 The invention according to claim 4 of the present invention is a method for producing a template for nanoimprint lithography having a concavo-convex shaped transfer pattern on a main surface of a substrate, the step of forming a hard mask pattern on the main surface of the substrate Etching the main surface of the substrate exposed from the hard mask pattern to form a concavo-convex shaped transfer pattern; and inspecting a residual defect portion of the transfer pattern in a form leaving the hard mask pattern; A step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern at the position of the residual defect portion detected by the inspection, and correcting the residual defect portion of the transfer pattern exposed by correcting the residual defect portion of the hard mask pattern And a step of removing the hard mask pattern after correcting a residual defect portion of the transfer pattern The step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern is configured to irradiate the residual defect portion of the hard mask pattern with the first electron beam while supplying the first assist gas. Etching the residual defect portion of the hard mask pattern, and the step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern includes supplying a second assist gas and supplying a second electron beam to the residual defect portion of the transfer pattern. , The residual defect portion of the transfer pattern is etched, the substrate is made of a material containing silicon oxide (SiO x ), and the second assist gas is xenon fluoride ( XeF 2) it is a production method of a nanoimprint lithography template, which is a gas.

また、本発明の請求項５に係る発明は、基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を順に備え、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスが同じガスであることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。 The invention according to claim 5 of the present invention is a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography having a concavo-convex shaped transfer pattern on a main surface of a substrate, the step of forming a hard mask pattern on the main surface of the substrate Etching the main surface of the substrate exposed from the hard mask pattern to form a concavo-convex shaped transfer pattern; and inspecting a residual defect portion of the transfer pattern in a form leaving the hard mask pattern; A step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern at the position of the residual defect portion detected by the inspection, and correcting the residual defect portion of the transfer pattern exposed by correcting the residual defect portion of the hard mask pattern And a step of removing the hard mask pattern after correcting a residual defect portion of the transfer pattern The step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern is configured to irradiate the residual defect portion of the hard mask pattern with the first electron beam while supplying the first assist gas. Etching the residual defect portion of the hard mask pattern, and the step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern includes supplying a second assist gas and supplying a second electron beam to the residual defect portion of the transfer pattern. by irradiating a step of etching the residue defect of the transfer pattern, the manufacturing method of the first nano-imprint lithography template, wherein the assist gas second assist gas is the same gas It is.

また、本発明の請求項６に係る発明は、前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスがフッ化キセノン（ＸｅＦ2）ガスであることを特徴とする請求項５に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
In the invention according to claim 6 of the present invention, the hard mask pattern is made of a material containing chromium (Cr), and the substrate is made of a material containing silicon oxide (SiO x ), 6. The method for producing a template for nanoimprint lithography according to claim 5 , wherein the first assist gas and the second assist gas are xenon fluoride (XeF 2 ) gas.

本発明によれば、残渣欠陥が無く、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さが揃ったナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造することができる。
また、本発明の製造方法により製造したナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを用いてパターン転写した場合には、残膜厚さ（ＲＬＴ）が均一な樹脂パターンを得ることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the template for nanoimprint lithography in which the height of the upper surface (Top surface) of the convex part of a transfer pattern is uniform can be manufactured without a residue defect.
Moreover, when pattern transfer is performed using the template for nanoimprint lithography manufactured by the manufacturing method of the present invention, a resin pattern having a uniform residual film thickness (RLT) can be obtained.

本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography concerning this invention. 本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第１の実施形態の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of 1st Embodiment of the defect correction process of the template for nanoimprint lithography which concerns on this invention. 本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第２の実施形態の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of 2nd Embodiment of the defect correction process of the template for nanoimprint lithography which concerns on this invention. 本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of 1st Embodiment of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography which concerns on this invention. 図４に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図である。FIG. 5 is a schematic process diagram illustrating an example of a first embodiment of a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to the present invention following FIG. 4. 図５に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図である。FIG. 6 is a schematic process diagram illustrating an example of the first embodiment of the method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to the present invention following FIG. 5. 本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法により製造されたテンプレートを用いてパターン転写された樹脂パターンの形態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the form of the resin pattern pattern-transferred using the template manufactured with the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography which concerns on this invention. 本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of 2nd Embodiment of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography which concerns on this invention. 図８に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図である。FIG. 9 is a schematic process diagram illustrating an example of a second embodiment of a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to the present invention following FIG. 8. 図９に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図である。FIG. 10 is a schematic process diagram illustrating an example of the second embodiment of the method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to the present invention following FIG. 9. ナノインプリントリソグラフィの一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of nanoimprint lithography. ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography. ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの残渣欠陥の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。It is explanatory drawing which shows an example of the residue defect of the template for nanoimprint lithography, (a) is a schematic plan view, (b) is AA sectional drawing in (a). ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの残渣欠陥が発生する例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example which the residue defect of the template for nanoimprint lithography generate | occur | produces. 従来の欠陥修正工程を含むナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography including the conventional defect correction process. 従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the defect correction process of the template for conventional nanoimprint lithography. 従来の欠陥修正工程によってテンプレートの表面が過剰エッチングされる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the surface of a template is excessively etched by the conventional defect correction process. 従来のテンプレートの転写パターンの凸部の上面が過剰エッチングされたテンプレートを用いてパターン転写した場合に残膜厚さが不均一になる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a residual film thickness becomes non-uniform | heterogenous when pattern transfer is performed using the template by which the upper surface of the convex part of the transfer pattern of the conventional template was excessively etched.

以下、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography concerning the present invention is explained in detail using a drawing.

まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の概要について、図１〜図３を用いて説明する。
ここで、図１は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートであり、図２は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第１の実施形態の一例を示すフローチャートである。また、図３は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第２の実施形態の一例を示すフローチャートである。 First, the outline | summary of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography concerning this invention is demonstrated using FIGS. 1-3.
Here, FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to the present invention, and FIG. 2 shows an example of a first embodiment of a defect correction process for a template for nanoimprint lithography according to the present invention. It is a flowchart which shows. FIG. 3 is a flowchart showing an example of the second embodiment of the defect correcting step of the template for nanoimprint lithography according to the present invention.

従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法においては、上述の図１５に示したように、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ１０４）の後に、欠陥修正工程（Ｓ１０６）を行う流れになっていた。そして、その欠陥修正工程（Ｓ１０６）は、上述の図１６に示したように、転写パターンの修正工程（Ｓ１１１）、アシストガスの排出工程（Ｓ１１２）、転写パターンの修正確認工程（Ｓ１１３）で構成されていた。   In the conventional method for manufacturing a template for nanoimprint lithography, as shown in FIG. 15 described above, the defect correction step (S106) is performed after the hard mask pattern removal step (S104). The defect correcting step (S106) includes a transfer pattern correcting step (S111), an assist gas discharging step (S112), and a transfer pattern correction checking step (S113), as shown in FIG. It had been.

一方、本発明においては、例えば、図１に示すように、欠陥修正工程（Ｓ５）の後に、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ６）を行う流れになっている。
そして、その欠陥修正工程（Ｓ５）は、例えば、図２に示す第１の実施形態においては、ハードマスクパターンの修正工程（Ｓ１１）、第１のアシストガスの排出工程（Ｓ１２）、ハードマスクパターンの修正確認工程（Ｓ１３）、転写パターンの修正工程（Ｓ１４）、第２のアシストガスの排出工程（Ｓ１５）、転写パターンの修正確認工程（Ｓ１６）で構成されている。
また、図３に示す第２の実施形態においては、ハードマスクパターンの修正工程（Ｓ２１）、転写パターンの修正工程（Ｓ２２）、アシストガスの排出工程（Ｓ２３）、転写パターンの修正確認工程（Ｓ２４）で構成されている。 On the other hand, in the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a hard mask pattern removal step (S6) is performed after the defect correction step (S5).
And the defect correction process (S5) is, for example, in the first embodiment shown in FIG. 2, the hard mask pattern correction process (S11), the first assist gas discharge process (S12), the hard mask pattern. Correction check step (S13), transfer pattern correction step (S14), second assist gas discharge step (S15), and transfer pattern correction check step (S16).
In the second embodiment shown in FIG. 3, a hard mask pattern correction step (S21), a transfer pattern correction step (S22), an assist gas discharge step (S23), and a transfer pattern correction confirmation step (S24). ).

次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の詳細について、図４〜図６、および、図８〜図１０を用いて説明する。
ここで、図４〜図６は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す一連の概略工程図であり、図８〜図１０は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す一連の概略工程図である。 Next, the detail of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography which concerns on this invention is demonstrated using FIGS. 4-6 and FIGS. 8-10.
4 to 6 are a series of schematic process diagrams showing an example of the first embodiment of the method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to the present invention. FIGS. 8 to 10 are related to the present invention. It is a series of schematic process diagrams showing an example of a second embodiment of a method for manufacturing a template for nanoimprint lithography.

（第１の実施形態）
まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法によりナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造するには、例えば、図４（ａ）に示すように、まず、基板１０の主面上にハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備する。 (First embodiment)
First, a first embodiment of a method for producing a template for nanoimprint lithography according to the present invention will be described.
In order to manufacture a template for nanoimprint lithography by the manufacturing method of the present embodiment, for example, as shown in FIG. 4A, first, a structure (blanks) having a hard mask layer 21A on the main surface of the substrate 10 is formed. prepare.

本発明において、基板１０の材料は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの基板として使用できる材料であって、アシストガスを供給しながら電子線を照射する方法によってエッチング可能な材料であれば用いることができる。例えば、基板１０の材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料とすることができる。
また、本発明において、ハードマスク層２１Ａの材料は、基板１０のエッチングマスクとして使用できる材料であって、アシストガスを供給しながら電子線を照射する方法によってエッチング可能な材料であれば用いることができる。例えば、ハードマスク層２１Ａの材料は、クロム（Ｃｒ）を含む材料とすることができる。 In the present invention, the material of the substrate 10 can be used as long as it can be used as a substrate for a template for nanoimprint lithography and can be etched by a method of irradiating an electron beam while supplying an assist gas. For example, the material of the substrate 10 can be a material containing silicon oxide (SiO x ).
In the present invention, the material of the hard mask layer 21A is a material that can be used as an etching mask for the substrate 10 and can be used if it can be etched by a method of irradiating an electron beam while supplying an assist gas. it can. For example, the material of the hard mask layer 21A can be a material containing chromium (Cr).

次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し（図４（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２を形成する（図４（ｃ））。なお、本例では、この工程においてレジストパターン２２の残渣欠陥部２２ｄも形成される。
続いて、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２１を形成する（図４（ｄ））。なお、この工程において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄもレジストパターンの残渣欠陥部２２ｄの下に形成される。
その後、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２を除去し（図４（ｅ））、次いで、残渣欠陥部２１ｄを含むハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得る（図４（ｆ））。なお、この工程において、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄもハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄの下に形成される。 Next, a resist layer 22A is formed on the hard mask layer 21A (FIG. 4B), and a resist pattern 22 is formed by a plate making technique such as electron beam drawing (FIG. 4C). In this example, a residual defect portion 22d of the resist pattern 22 is also formed in this step.
Subsequently, the hard mask layer 21A exposed from the resist pattern 22 including the residual defect portion 22d is etched to form the hard mask pattern 21 (FIG. 4D). In this step, the residual defect portion 21d of the hard mask pattern is also formed under the residual defect portion 22d of the resist pattern.
Thereafter, the resist pattern 22 including the residual defect portion 22d is removed (FIG. 4E), and then the substrate 10 exposed from the hard mask pattern 21 including the residual defect portion 21d is etched to form a recessed portion 10s of the transfer pattern. Then, the structure 11d having the hard mask pattern 21 on the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern is obtained (FIG. 4F). In this step, the residual defect portion 10d of the transfer pattern is also formed under the residual defect portion 21d of the hard mask pattern.

ここまでの工程、すなわち図４（ａ）〜（ｆ）に示す工程が、図１に示すＳ１〜Ｓ３の工程に相当する。
続いて、図１に示すＳ４の欠陥検査工程、Ｓ５の欠陥修正工程を行うが、本実施形態においては、ハードマスクパターン２１を残した形態で転写パターンの残渣欠陥を検査し、この欠陥検査工程において検出した欠陥位置情報に基づいて、まずハードマスクパターンを修正し（図２のＳ１１〜Ｓ１３）、次いで、転写パターンを修正し（図２のＳ１４〜Ｓ１６）、その後、図１に示すＳ６のハードマスクパターンの除去工程を行う。
上記のハードマスクパターンの修正、および、転写パターンの修正について、以下、詳細に説明する。 The steps so far, that is, the steps shown in FIGS. 4A to 4F correspond to the steps S1 to S3 shown in FIG.
Subsequently, although the defect inspection process of S4 and the defect correction process of S5 shown in FIG. 1 are performed, in this embodiment, the residual defect of the transfer pattern is inspected with the hard mask pattern 21 left, and this defect inspection process. First, the hard mask pattern is corrected (S11 to S13 in FIG. 2) based on the defect position information detected in FIG. 2, and then the transfer pattern is corrected (S14 to S16 in FIG. 2), and then in S6 shown in FIG. A hard mask pattern removal step is performed.
Hereinafter, the correction of the hard mask pattern and the correction of the transfer pattern will be described in detail.

本実施形態において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄを修正するには、例えば、構造体１１ｄを欠陥修正装置内に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、得られる検出像から修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決める（図５（ｇ））。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングする（図５（ｈ））。
所定のエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し（図５（ｉ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第３の電子線）３３で走査し、得られる検出像でハードマスクパターンの修正後の形状を確認する（図５（ｊ））。 In the present embodiment, in order to correct the residual defect portion 21d of the hard mask pattern, for example, the structure 11d is arranged in a defect correction apparatus, and the structure is based on the defect position information detected in the defect inspection process. The surface of the body 11d is scanned with the observation electron beam 30, and the position and range where the correction electron beam (first electron beam) 31 is irradiated are determined from the obtained detection image (FIG. 5G).
Next, the residue defect portion 21d of the hard mask pattern is etched by irradiating a correction electron beam (first electron beam) 31 while supplying the first assist gas 41 (FIG. 5H). ).
After the predetermined etching is completed, the irradiation of the correction electron beam (first electron beam) 31 is stopped, the first assist gas 41 is discharged (FIG. 5 (i)), and the surface of the structure 11d Are scanned with an observation electron beam (third electron beam) 33, and the corrected shape of the hard mask pattern is confirmed from the obtained detection image (FIG. 5 (j)).

ここで、第１の電子線３１を照射する領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが存在する領域と重複し、第３の電子線３３を走査する領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングした領域を含むものである。
すなわち、第１の電子線３１の照射領域は、正常なハードマスクパターンの部分もエッチングしてしまうことを防止するために、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが存在する領域に限定される。一方、修正後の形状を確認するためには周囲との比較が必要なことから、第３の電子線３３の走査領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングした領域のみならず、その周囲も含むものである。 Here, the region irradiated with the first electron beam 31 overlaps the region where the residual defect portion 21d of the hard mask pattern is present, and the region scanned with the third electron beam 33 is the residual defect portion of the hard mask pattern. It includes a region where 21d is etched.
That is, the irradiation region of the first electron beam 31 is limited to a region where the residual defect portion 21d of the hard mask pattern exists in order to prevent the normal hard mask pattern portion from being etched. On the other hand, since the comparison with the surroundings is necessary to confirm the corrected shape, the scanning region of the third electron beam 33 is not only the region where the residual defect portion 21d of the hard mask pattern is etched, The surroundings are included.

本実施形態において、第１のアシストガス４１は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングできるガスであれば用いることができ、ハードマスクパターン２１を構成する材料等に応じて適宜選択される。また、第１のアシストガス４１は、単一成分のガスのみならず、複数種の成分を含む混合ガスであっても良い。
例えば、ハードマスクパターン２１がクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されている場合には、第１のアシストガス４１として、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いることができる。フッ素系ガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を含むガスを用いることができ、中でも、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）を含む混合ガス、または、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含む混合ガスを好適に用いることができる。 In the present embodiment, the first assist gas 41 can be any gas that can etch the residual defect portion 21d of the hard mask pattern, and is appropriately selected according to the material constituting the hard mask pattern 21 and the like. Further, the first assist gas 41 may be a mixed gas containing a plurality of types of components as well as a single component gas.
For example, when the hard mask pattern 21 is made of a material containing chromium (Cr), a fluorine-based gas or a chlorine-based gas can be used as the first assist gas 41. As the fluorine-based gas, a gas containing xenon fluoride (XeF 2 ) can be used, and among them, a mixed gas containing xenon fluoride (XeF 2 ) and oxygen (O 2 ), or xenon fluoride (XeF 2). ) And water vapor (H 2 O) can be suitably used.

そして、エッチングの際には、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射により生じるクロム（Ｃｒ）の２次電子信号を確認しながらエッチングを進め、クロム（Ｃｒ）の２次電子信号がなくなる時点でエッチングを止めることにより、基板１０がエッチングされることを抑制しつつ、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄを高い選択比でエッチングすることができる。   During the etching, the etching proceeds while confirming the secondary electron signal of chromium (Cr) generated by the irradiation of the electron beam (first electron beam) 31 for correction, and the secondary electrons of chromium (Cr). By stopping the etching when the signal disappears, the residual defect portion 21d of the hard mask pattern can be etched with a high selectivity while suppressing the etching of the substrate 10.

上記の確認工程により、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが消失したことを確認したら、続いて、転写パターンの修正工程に移る。
なお、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが残留している場合には、図２に示すように、ハードマスクパターンを修正する工程（Ｓ１１）と、第１のアシストガスを排出する工程（Ｓ１２）と、ハードマスクパターンの修正後の形状を第３の電子線３３の走査により得られる検出像で確認する工程（Ｓ１３）の一連の工程をハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが消失したことを確認するまで複数回繰り返す。 After confirming that the residual defect portion 21d of the hard mask pattern has disappeared by the above confirmation process, the process proceeds to a transfer pattern correction process.
If the residual defect portion 21d of the hard mask pattern remains, as shown in FIG. 2, the step of correcting the hard mask pattern (S11) and the step of discharging the first assist gas (S12) And confirming that the residual defect portion 21d of the hard mask pattern has disappeared through a series of steps (S13) of confirming the corrected shape of the hard mask pattern with a detection image obtained by scanning the third electron beam 33. Repeat several times until

次に、本実施形態において、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄを修正するには、例えば、図６（ｋ）に示すように、ハードマスクパターン２１の残渣欠陥部２１ｄをエッチングしたことによって露出する転写パターンの残渣欠陥部１０ｄに、第２のアシストガス４２を供給しながら、修正用の電子線（第２の電子線）３２を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングする。
なお、本実施形態において、第２の電子線３２は、上記の第１の電子線３１と同じものであっても良い。すなわち、第１の電子線３１、第２の電子線３２のいずれも、前記欠陥修正装置に備えられた電子線照射機構から修正用の電子線として照射される同一の電子線とすることができる。 Next, in the present embodiment, in order to correct the residual defect portion 10d of the transfer pattern, for example, as shown in FIG. 6K, the transfer exposed by etching the residual defect portion 21d of the hard mask pattern 21. The residual defect portion 10d of the transfer pattern is etched by irradiating the electron beam for correction (second electron beam) 32 while supplying the second assist gas 42 to the residual defect portion 10d of the pattern.
In the present embodiment, the second electron beam 32 may be the same as the first electron beam 31 described above. That is, both the first electron beam 31 and the second electron beam 32 can be the same electron beam irradiated as a correction electron beam from the electron beam irradiation mechanism provided in the defect correction apparatus. .

所定のエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第２の電子線）３２の照射を停止し、第２のアシストガス４２を排出し（図６（ｌ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査し、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認する（図６（ｍ））。   After the predetermined etching is completed, the irradiation of the correction electron beam (second electron beam) 32 is stopped, the second assist gas 42 is discharged (FIG. 6 (l)), and the surface of the structure 11d Are scanned with an observation electron beam (fourth electron beam) 34, and the corrected shape of the transfer pattern is confirmed with the obtained detection image (FIG. 6 (m)).

なお、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが残留している場合には、図２に示すように、転写パターンを修正する工程（Ｓ１４）と、第２のアシストガスを排出する工程（Ｓ１５）と、転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程（Ｓ１６）と、を転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認するまで複数回繰り返す。   When the residual defect portion 10d of the transfer pattern remains, as shown in FIG. 2, a step of correcting the transfer pattern (S14), a step of discharging the second assist gas (S15), The step (S16) of confirming the corrected shape of the transfer pattern with the detection image obtained by scanning with the fourth electron beam is repeated a plurality of times until it is confirmed that the residual defect portion 10d of the transfer pattern has disappeared.

ここで、第２の電子線３２を照射する領域は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域と重複し、第４の電子線３４を走査する領域は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域を含むものである。
すなわち、第２の電子線３２の照射領域は、正常な転写パターンの部分もエッチングしてしまうことを防止するために、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域に限定される。一方、修正後の形状を確認するためには周囲との比較が必要なことから、第４の電子線３４の走査領域は、前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域のみならず、その周囲も含むものである。 Here, the region irradiated with the second electron beam 32 overlaps with the region where the residual defect portion 10d of the transfer pattern is present, and the region scanning the fourth electron beam 34 applies the residual defect portion 10d of the transfer pattern. It includes an etched region.
That is, the irradiation region of the second electron beam 32 is limited to a region where the residual defect portion 10d of the transfer pattern exists in order to prevent the normal transfer pattern portion from being etched. On the other hand, since the comparison with the surroundings is necessary to confirm the corrected shape, the scanning region of the fourth electron beam 34 is not only the region where the residual defect portion 10d of the transfer pattern is etched, The surroundings are included.

本実施形態において、第２のアシストガス４２は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングできるガスであれば用いることができ、転写パターンを構成する材料等に応じて適宜選択される。また、第２のアシストガス４２は、単一成分のガスのみならず、複数種の成分を含む混合ガスであっても良い。
例えば、基板１０が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されている場合には、第２のアシストガス４２として、フッ素系ガスを用いることができる。フッ素系ガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を含むガスを用いることができ、中でも、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを好適に用いることができる。
第２のアシストガス４２として、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた場合、酸化ケイ素（ＳｉＯx）のエッチング速度はクロム（Ｃｒ）のエッチング速度の概ね１０倍〜１５倍となるため、ハードマスクパターン２１がクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されている場合において、残渣欠陥部１０ｄ周辺のハードマスクパターン２１がエッチングされることを抑制しつつ、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄを高い選択比でエッチングすることができる。 In the present embodiment, the second assist gas 42 can be used as long as it is a gas that can etch the residual defect portion 10d of the transfer pattern, and is appropriately selected according to the material constituting the transfer pattern. The second assist gas 42 may be a mixed gas containing a plurality of types of components as well as a single component gas.
For example, when the substrate 10 is made of a material containing silicon oxide (SiO x ), a fluorine-based gas can be used as the second assist gas 42. As the fluorine-based gas, a gas containing xenon fluoride (XeF 2 ) can be used, and among these, a single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) can be preferably used.
When a single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) is used as the second assist gas 42, the etching rate of silicon oxide (SiO x ) is approximately 10 to 15 times the etching rate of chromium (Cr). Therefore, when the hard mask pattern 21 is made of a material containing chromium (Cr), the residual defect portion 10d of the transfer pattern is suppressed while suppressing the etching of the hard mask pattern 21 around the residual defect portion 10d. Can be etched with a high selectivity.

上記の確認工程により、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認したら、最後に、ハードマスクパターン２１を除去して、残渣欠陥が無く、かつ、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が揃ったテンプレート１を得る（図６（ｏ））。なお、図６（ｏ）において、符号１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１０ｔは転写パターンの凸部を示す。   After confirming that the residual defect portion 10d of the transfer pattern has disappeared by the above confirmation process, finally, the hard mask pattern 21 is removed, there is no residual defect, and the top surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern. ) Are obtained (FIG. 6 (o)). In FIG. 6 (o), reference numeral 10s indicates a concave portion of the transfer pattern, and reference numeral 10t indicates a convex portion of the transfer pattern.

ここで、従来の方法では、転写パターンの修正確認工程における電子線の走査によって、その走査領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうという問題があった（図１７（ｆ））。
一方、本実施形態においては、図６（ｍ）に示すように、転写パターンの修正確認工程の段階では、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）はハードマスクパターン２１で被覆されている。
それゆえ、例え、第２のアシストガス４２が残留していても、第４の電子線３４の走査によって、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうということは生じない。 Here, the conventional method has a problem that the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern in the scanning region is excessively etched by scanning the electron beam in the correction check process of the transfer pattern (FIG. 17). (F)).
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 6M, the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern is covered with the hard mask pattern 21 at the stage of the transfer pattern correction confirmation step.
Therefore, even if the second assist gas 42 remains, the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern is not excessively etched by the scanning of the fourth electron beam 34. .

なお、本実施形態においても、第４の電子線３４の走査領域の転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、過剰エッチングされる。例えば、図６（ｎ）に示すように、第４の電子線３４の走査領域１０ｅの転写パターンの凹部１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、当初の高さ位置からｈ1の深さに過剰エッチングされている。
しかしながら、上述のナノインプリントリソグラフィにおける残膜厚さ（ＲＬＴ）は、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さに応じて変化するものであるため、例え、テンプレートの転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）が過剰エッチングされていたとしても、転写された樹脂パターンは、その過剰エッチングされた領域において凸部の高さ（厚さ）が他の領域よりもｈ1だけ高く（厚く）なるものの、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題が生じることは無い。 Also in this embodiment, the bottom surface (Bottom surface) of the concave portion of the transfer pattern in the scanning region of the fourth electron beam 34 is excessively etched. For example, as shown in FIG. 6 (n), the recess 10s of the bottom surface of the transfer pattern of the scanning area 10e of the fourth electron beam 34 (Bottom surface), an excess of the initial height at a depth of h 1 etching Has been.
However, since the remaining film thickness (RLT) in the above-described nanoimprint lithography changes depending on the height of the upper surface (Top surface) of the convex portion of the template transfer pattern, for example, the concave portion of the template transfer pattern the bottom even (bottom surface) has been over-etched, resin pattern transferred, the excess height of the convex portions in the etched regions (thickness) higher by h 1 than the other regions (thick However, there is no problem that a defective pattern is generated in a wide range.

上記について、図７を用いてより詳細に説明する。図７は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法により製造されたテンプレートを用いてパターン転写された樹脂パターンの形態を示す説明図である。
例えば、図６（ｏ）に示すテンプレート１を用いて、上述の図１１に示した工程と同様に、光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィを行った場合、図７（ｃ）に示すように、テンプレート１の転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）の深さに応じて、樹脂パターン３２２の凸部の高さは不均一（高低差ｈ1）になるものの、テンプレート１の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置は同じであるため、樹脂パターン３２２の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は均一なものになる（厚さＴ1）。 The above will be described in more detail with reference to FIG. FIG. 7 is an explanatory diagram showing the form of a resin pattern that is pattern-transferred using a template manufactured by the method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to the present invention.
For example, when the template 1 shown in FIG. 6 (o) is used and nanoimprint lithography is performed by the optical imprint method in the same manner as the process shown in FIG. 11, the template shown in FIG. 7 (c) is used. Depending on the depth of the bottom surface (Bottom surface) of the concave portion of the transfer pattern 1, the height of the convex portion of the resin pattern 322 becomes uneven (height difference h 1 ). Since the height position of the upper surface (Top surface) is the same, the thickness (RLT) of the remaining film portion of the resin pattern 322 becomes uniform (thickness T 1 ).

そして、図７（ｄ）に示すように、この樹脂パターン３２２に対して反応性イオン３４０によるドライエッチングを施した場合、図７（ｅ）に示すように、樹脂パターン３２３の高さは不均一（高低差ｈ1）になるものの、前記樹脂パターン３２２の残膜部分は、厚さが均一なため、いずれの箇所においても除去されることになる。
それゆえ、本実施形態の製造方法により製造されたテンプレートを用いてナノインプリントリソグラフィを行った場合には、従来のような、残膜部分が残留することにより広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題を解決することができる。 When the resin pattern 322 is dry-etched with reactive ions 340 as shown in FIG. 7D, the height of the resin pattern 323 is not uniform as shown in FIG. 7E. Although the height difference is h 1, the remaining film portion of the resin pattern 322 has a uniform thickness and is removed at any location.
Therefore, when nanoimprint lithography is performed using a template manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, a problem that a defective pattern occurs in a wide range due to the remaining film portion remaining as in the conventional case. Can be solved.

なお、上記のように、樹脂パターン３２３の高さは不均一（高低差ｈ1）になる（図７（ｅ））。
しかしながら、樹脂パターン３２３は、所望の高さ（設計値）よりも一部の領域の高さがｈ1だけ高くなることから、すなわち、所望の高さ（設計値）よりも低くなるわけではないため、続く被転写基板加工のドライエッチング工程において不利になることは無い。
また、樹脂パターン３２３を除去する工程においても、上述のように、例えば、樹脂パターン３２３の高さ（設計値）が５０ｎｍ程度であるのに対し、ｈ1の値は数ｎｍ程度であること、さらには、通常、除去工程では、完全に樹脂を除去する目的で過剰な条件が用いられることから、他よりもｈ1だけ高い部分の樹脂パターン３２３が除去しきれずに残ってしまうということは生じ難い。
それゆえ、上記のように、樹脂パターン３２３の高さが不均一（高低差ｈ1）になっても、何ら問題は生じない。 As described above, the height of the resin pattern 323 is not uniform (the height difference h 1 ) (FIG. 7E).
However, the resin pattern 323 is not lower than the desired height (design value) because the height of a part of the region is higher than the desired height (design value) by h 1. Therefore, there is no disadvantage in the subsequent dry etching process for processing the transferred substrate.
Also in the process of removing the resin pattern 323, as described above, for example, the height (design value) of the resin pattern 323 is about 50 nm, whereas the value of h 1 is about several nm. Furthermore, since an excessive condition is usually used in the removal process for the purpose of completely removing the resin, a portion of the resin pattern 323 that is higher than h 1 may not be completely removed. hard.
Therefore, as described above, no problem occurs even if the height of the resin pattern 323 is nonuniform (height difference h 1 ).

（第２の実施形態）
次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態について、図８〜図１０を用いて説明する。
例えば、図８（ａ）に示すように、本実施形態の製造方法によりナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造する場合も、上述の第１の実施形態と同様に、まず、基板１０の主面上にハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備する。 (Second Embodiment)
Next, 2nd Embodiment of the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography concerning this invention is described using FIGS. 8-10.
For example, as shown in FIG. 8A, when a nanoimprint lithography template is manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, first, a hard surface is first formed on the main surface of the substrate 10 as in the first embodiment. A structure (blanks) having the mask layer 21A is prepared.

次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し（図８（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２を形成する（図８（ｃ））。なお、本例においても、この工程においてレジストパターン２２の残渣欠陥部２２ｄも形成される。
続いて、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２１を形成する（図８（ｄ））。なお、この工程において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄもレジストパターンの残渣欠陥部２２ｄの下に形成される。
その後、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２を除去し（図８（ｅ））、次いで、残渣欠陥部２１ｄを含むハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得る（図８（ｆ））。なお、この工程において、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄもハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄの下に形成される。 Next, a resist layer 22A is formed on the hard mask layer 21A (FIG. 8B), and a resist pattern 22 is formed by a plate making technique such as electron beam drawing (FIG. 8C). Also in this example, the residual defect portion 22d of the resist pattern 22 is also formed in this step.
Subsequently, the hard mask layer 21A exposed from the resist pattern 22 including the residual defect 22d is etched to form the hard mask pattern 21 (FIG. 8D). In this step, the residual defect portion 21d of the hard mask pattern is also formed under the residual defect portion 22d of the resist pattern.
Thereafter, the resist pattern 22 including the residual defect portion 22d is removed (FIG. 8E), and then the substrate 10 exposed from the hard mask pattern 21 including the residual defect portion 21d is etched to form a recessed portion 10s of the transfer pattern. Then, the structure 11d having the hard mask pattern 21 on the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern is obtained (FIG. 8F). In this step, the residual defect portion 10d of the transfer pattern is also formed under the residual defect portion 21d of the hard mask pattern.

ここまでの工程、すなわち図８（ａ）〜（ｆ）に示す工程が、図１に示すＳ１〜Ｓ３の工程に相当する。
続いて、図１に示すＳ４の欠陥検査工程、Ｓ５の欠陥修正工程を行うが、本実施形態においては、ハードマスクパターン２１を残した形態で転写パターンの残渣欠陥を検査し、この欠陥検査工程において検出した欠陥位置情報に基づいて、まずハードマスクパターンを修正し（図３のＳ２１）、続いて転写パターンを修正し（図３のＳ２２〜Ｓ２４）、その後、図１に示すＳ６のハードマスクパターンの除去工程を行う。
上記のハードマスクパターンの修正、および、転写パターンの修正について、以下、詳細に説明する。 The steps so far, that is, the steps shown in FIGS. 8A to 8F correspond to the steps S1 to S3 shown in FIG.
Subsequently, although the defect inspection process of S4 and the defect correction process of S5 shown in FIG. 1 are performed, in this embodiment, the residual defect of the transfer pattern is inspected with the hard mask pattern 21 left, and this defect inspection process. First, the hard mask pattern is corrected (S21 in FIG. 3) based on the defect position information detected in FIG. 3, and then the transfer pattern is corrected (S22 to S24 in FIG. 3), and then the hard mask in S6 shown in FIG. A pattern removal step is performed.
Hereinafter, the correction of the hard mask pattern and the correction of the transfer pattern will be described in detail.

本実施形態において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄを修正するには、例えば、構造体１１ｄを欠陥修正装置内に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、得られる検出像から修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決める（図９（ｇ））。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングし（図９（ｈ））、続いて、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングする（図９（ｉ））。 In the present embodiment, in order to correct the residual defect portion 21d of the hard mask pattern, for example, the structure 11d is arranged in a defect correction apparatus, and the structure is based on the defect position information detected in the defect inspection process. The surface of the body 11d is scanned with the observation electron beam 30, and the position and range where the correction electron beam (first electron beam) 31 is irradiated are determined from the obtained detection image (FIG. 9 (g)).
Next, while supplying the first assist gas 41, the residue defect portion 21d of the hard mask pattern is etched by irradiating a correction electron beam (first electron beam) 31 (FIG. 9H). Subsequently, the residual defect portion 10d of the transfer pattern is etched (FIG. 9 (i)).

ここで、上述の第１の実施形態においては、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し（図５（ｉ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第３の電子線）３３で走査し、得られる検出像でハードマスクパターンの修正後の形状を確認し（図５（ｊ））、その後、転写パターンの修正工程に移って、第２のアシストガス４２を供給しながら、修正用の電子線（第２の電子線）３２を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングしていた（図６（ｋ））。   Here, in the above-described first embodiment, after the etching of the residual defect portion 21d of the hard mask pattern is finished, the irradiation of the correction electron beam (first electron beam) 31 is stopped, and the first The assist gas 41 is discharged (FIG. 5 (i)), the surface of the structure 11d is scanned with an observation electron beam (third electron beam) 33, and the hard mask pattern is corrected with the obtained detection image. After confirming the shape (FIG. 5 (j)), the process proceeds to a transfer pattern correction step, and a correction electron beam (second electron beam) 32 is irradiated while supplying the second assist gas. As a result, the residual defect portion 10d of the transfer pattern was etched (FIG. 6 (k)).

一方、この第２の実施形態においては、上述の第１の実施形態における第１のアシストガス４１と第２のアシストガス４２に同じガスを用い、上述の第１の実施形態における第１のアシストガス４１の排出から第２のアシストガス４２の供給までの工程を省いて、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングから転写パターンの残渣欠陥部１０ｄのエッチングの工程を連続的に行う。
なお、上述の第１の実施形態における第２の電子線３２は、本実施形態において、第１の電子線３１と同じである。本実施形態において、第１の電子線３１は、前記欠陥修正装置に備えられた電子線照射機構から修正用の電子線として照射される電子線とすることができる。 On the other hand, in the second embodiment, the same gas is used for the first assist gas 41 and the second assist gas 42 in the first embodiment described above, and the first assist in the first embodiment described above. The steps from the discharge of the gas 41 to the supply of the second assist gas 42 are omitted, and the steps of etching the residual defect portion 21d of the hard mask pattern to the etching of the residual defect portion 10d of the transfer pattern are continuously performed.
Note that the second electron beam 32 in the first embodiment is the same as the first electron beam 31 in the present embodiment. In the present embodiment, the first electron beam 31 can be an electron beam irradiated as a correction electron beam from the electron beam irradiation mechanism provided in the defect correction apparatus.

本実施形態において、第１のアシストガス４１（第２のアシストガス４２と同じ）には、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄと転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングできるガスであれば用いることができる。
例えば、ハードマスクパターン２１がクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、基板１０が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されている場合には、第１のアシストガス４１として、フッ素系ガスを用いることができ、中でも、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを好適に用いることができる。 In the present embodiment, the first assist gas 41 (same as the second assist gas 42) may be any gas that can etch the residue defect portion 21d of the hard mask pattern and the residue defect portion 10d of the transfer pattern. it can.
For example, when the hard mask pattern 21 is made of a material containing chromium (Cr) and the substrate 10 is made of a material containing silicon oxide (SiO x ), fluorine is used as the first assist gas 41. A system gas can be used, and among these, a single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) can be preferably used.

ここで、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスは、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）を含む混合ガスや、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含む混合ガスに比べて、クロム（Ｃｒ）をエッチングする速度は遅い。
しかしながら、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄの厚み、すなわち、クロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されるハードマスクパターン２１の厚みの大きさは、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄの厚み、すなわち、酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成される転写パターンの凸部１０ｔの高さの大きさよりも、通常、小さい。例えば、転写パターンの凸部１０ｔの高さが５０ｎｍ程度の場合、ハードマスクパターンの厚みは３ｎｍ以上あれば足りうる。 Here, a single-component gas xenon fluoride (XeF 2), the xenon fluoride (XeF 2) and or oxygen mixed gas containing (O 2), xenon difluoride (XeF 2) and water vapor (H 2 O), Compared with the mixed gas containing, the etching rate of chromium (Cr) is slow.
However, the thickness of the residual defect portion 21d of the hard mask pattern, that is, the thickness of the hard mask pattern 21 made of a material containing chromium (Cr) is equal to the thickness of the residual defect portion 10d of the transfer pattern, that is, oxidation. Usually, it is smaller than the height of the convex portion 10t of the transfer pattern made of a material containing silicon (SiO x ). For example, when the height of the convex portion 10t of the transfer pattern is about 50 nm, the thickness of the hard mask pattern may be 3 nm or more.

そして、上述のように、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスは、酸化ケイ素（ＳｉＯx）のエッチング速度は速い。
それゆえ、本実施形態において、第１のアシストガス４１として、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いる場合、上述の第１の実施形態と比べて、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングには、より多くの時間を要するおそれがあるものの、その不利益の影響は小さく、第１の実施形態における第１のアシストガス４１の排出から第２のアシストガス４２の供給までの工程を省くことができることによる時間短縮の効果から得られる利益の方が、より大きいと言える。
特に、残渣欠陥の数が多い場合には、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングから転写パターンの残渣欠陥部１０ｄのエッチングの工程を連続的に行うことができる本実施形態は、時間短縮の効果が大きい。さらに、アシストガスの消費量も低減させることができ、製造コスト削減の観点からも有益である。 As described above, the single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) has a high etching rate of silicon oxide (SiO x ).
Therefore, in the present embodiment, when a single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) is used as the first assist gas 41, the residual defect portion of the hard mask pattern as compared with the first embodiment described above. Although the etching of 21d may take more time, the influence of the disadvantage is small, and from the discharge of the first assist gas 41 to the supply of the second assist gas 42 in the first embodiment. It can be said that the profit obtained from the effect of shortening the time by being able to omit the process is larger.
In particular, when the number of residual defects is large, the process of etching from the residual defect portion 21d of the hard mask pattern to the etching of the residual defect portion 10d of the transfer pattern can be continuously performed. Great effect. Furthermore, the consumption amount of the assist gas can be reduced, which is beneficial from the viewpoint of reducing the manufacturing cost.

図９（ｉ）に示す転写パターンの残渣欠陥部１０ｄのエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し（図９（ｊ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査し、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認する（図１０（ｋ））。   After the etching of the residual defect portion 10d of the transfer pattern shown in FIG. 9 (i) is completed, the irradiation of the correction electron beam (first electron beam) 31 is stopped, and the first assist gas 41 is discharged. (FIG. 9 (j)), the surface of the structure 11d is scanned with an electron beam for observation (fourth electron beam) 34, and the corrected shape of the transfer pattern is confirmed with the obtained detection image (FIG. 10). (K)).

なお、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが残留している場合には、図３に示すように、転写パターンを修正する工程（Ｓ２２）と、第１のアシストガスを排出する工程（Ｓ２３）と、転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程（Ｓ２４）と、を転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認するまで複数回繰り返す。   When the residual defect portion 10d of the transfer pattern remains, as shown in FIG. 3, the step of correcting the transfer pattern (S22), the step of discharging the first assist gas (S23), The step (S24) of confirming the corrected shape of the transfer pattern with the detection image obtained by scanning with the fourth electron beam is repeated a plurality of times until it is confirmed that the residual defect portion 10d of the transfer pattern has disappeared.

ここで、第１の電子線３１を照射する領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄおよび転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域と重複し、第４の電子線３４を走査する領域は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域を含むものである。
すなわち、第１の電子線３１の照射領域は、正常な転写パターンの部分もエッチングしてしまうことを防止するために、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄおよび転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域に限定される。一方、修正後の形状を確認するためには周囲との比較が必要なことから、第４の電子線３４の走査領域は、前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域のみならず、その周囲も含むものである。 Here, the region irradiated with the first electron beam 31 overlaps with the region where the residual defect portion 21d of the hard mask pattern and the residual defect portion 10d of the transfer pattern exist, and the region where the fourth electron beam 34 is scanned is This includes a region obtained by etching the residual defect portion 10d of the transfer pattern.
That is, the irradiation region of the first electron beam 31 includes the residual defect portion 21d of the hard mask pattern and the residual defect portion 10d of the transfer pattern in order to prevent the normal transfer pattern portion from being etched. Limited to area. On the other hand, since the comparison with the surroundings is necessary to confirm the corrected shape, the scanning region of the fourth electron beam 34 is not only the region where the residual defect portion 10d of the transfer pattern is etched, The surroundings are included.

上記の確認工程により、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認したら、最後に、ハードマスクパターン２１を除去して、残渣欠陥が無く、かつ、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が揃ったテンプレート１を得る（図１０（ｍ））。なお、図１０（ｍ）において、符号１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１０ｔは転写パターンの凸部を示す。   After confirming that the residual defect portion 10d of the transfer pattern has disappeared by the above confirmation process, finally, the hard mask pattern 21 is removed, there is no residual defect, and the top surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern. ) Is obtained (FIG. 10 (m)). In FIG. 10 (m), reference numeral 10s indicates a concave portion of the transfer pattern, and reference numeral 10t indicates a convex portion of the transfer pattern.

ここで、従来の方法では、転写パターンの修正確認工程における電子線の走査によって、その走査領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうという問題があった（図１７（ｆ））。
一方、本実施形態においては、図１０（ｋ）に示すように、転写パターンの修正確認工程の段階では、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）はハードマスクパターン２１で被覆されている。
それゆえ、例え、第１のアシストガス４１が残留していても、第４の電子線３４の走査によって、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうということは生じない。 Here, the conventional method has a problem that the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern in the scanning region is excessively etched by scanning the electron beam in the correction check process of the transfer pattern (FIG. 17). (F)).
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 10K, the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern is covered with the hard mask pattern 21 at the stage of the transfer pattern correction confirmation step.
Therefore, even if the first assist gas 41 remains, the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern is not excessively etched by the scanning of the fourth electron beam 34. .

なお、本実施形態においても、上述の第１の実施形態と同様に、第４の電子線３４の走査領域の転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、過剰エッチングされる。例えば、図１０（ｌ）に示すように、第４の電子線３４の走査領域１０ｅの転写パターンの凹部１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、当初の高さ位置からｈ1の深さに過剰エッチングされている。
しかしながら、上述のナノインプリントリソグラフィにおける残膜厚さ（ＲＬＴ）は、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さに応じて変化するものであるため、例え、テンプレートの転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）が過剰エッチングされていたとしても、転写された樹脂パターンは、その過剰エッチングされた領域において凸部の高さ（厚さ）が他の領域よりもｈ1だけ高く（厚く）なるものの、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題が生じることは無い。 In this embodiment as well, the bottom surface (Bottom surface) of the concave portion of the transfer pattern in the scanning region of the fourth electron beam 34 is excessively etched, as in the first embodiment. For example, as shown in FIG. 10 (l), the recess 10s of the bottom surface of the transfer pattern of the scanning area 10e of the fourth electron beam 34 (Bottom surface), an excess of the initial height at a depth of h 1 etching Has been.
However, since the remaining film thickness (RLT) in the above-described nanoimprint lithography changes depending on the height of the upper surface (Top surface) of the convex portion of the template transfer pattern, for example, the concave portion of the template transfer pattern the bottom even (bottom surface) has been over-etched, resin pattern transferred, the excess height of the convex portions in the etched regions (thickness) higher by h 1 than the other regions (thick However, there is no problem that a defective pattern is generated in a wide range.

以上、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法についてそれぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   As mentioned above, although each embodiment was described about the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography concerning the present invention, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

（実施例１）
基板１０の主面上に、ハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２を形成し、続いて、レジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２１を形成した。
その後、レジストパターン２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得た。
なお、上記の基板１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。
また、上記の転写パターンは、凹部１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。 Example 1
A structure (blanks) having a hard mask layer 21A is prepared on the main surface of the substrate 10, then a resist layer 22A is formed on the hard mask layer 21A, and resist is produced by a plate making technique using electron beam drawing. The pattern 22 was formed, and then the hard mask layer 21A exposed from the resist pattern 22 was dry etched to form the hard mask pattern 21.
Thereafter, the resist pattern 22 is removed, and then the substrate 10 exposed from the hard mask pattern 21 is etched to form a concave portion 10s of the transfer pattern, and the hard mask pattern 21 is formed on the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern. A structure 11d having the structure was obtained.
Note that a synthetic quartz substrate having a length of 152 mm, a width of 152 mm, and a thickness of 0.25 inch was used for the substrate 10, and a 5 nm thick Cr sputter layer was used for the hard mask layer 21 </ b> A.
The transfer pattern was a line and space pattern in which the depth of the recess 10s was 50 nm, the width of the recess 10s was 20 nm, and the width of the protrusion 10t was 20 nm.

次に、ハードマスクパターン２１を残した形態で前記構造体１１ｄの転写パターンの残渣欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記構造体１１ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングし、その後、第１の電子線３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第３の電子線）３３で走査して、得られる検出像で前記ハードマスクパターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記の第１のアシストガス４１には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）の混合ガスを用いた。 Next, a residual defect of the transfer pattern of the structure 11d is inspected using a photomask defect inspection apparatus (MATRICS X700) manufactured by Lasertec with the hard mask pattern 21 left, and then the structure 11d is curled. Based on the defect position information detected in the defect inspection process, the surface of the structure 11d is scanned with the electron beam 30 for observation based on the defect correction apparatus (MeRiT HR32) manufactured by Tsuis Corp. The position and range of irradiation of the electron beam (first electron beam) 31 were determined.
Next, while supplying the first assist gas 41, the electron beam for correction (first electron beam) 31 is irradiated to etch the residual defect portion 21d of the hard mask pattern. Irradiation of the electron beam 31 is stopped, the first assist gas 41 is discharged, the surface of the structure 11d is scanned with an observation electron beam (third electron beam) 33, and the hard detection is performed on the obtained detection image. The corrected shape of the mask pattern was confirmed.
Note that a mixed gas of xenon fluoride (XeF 2 ) and oxygen (O 2 ) was used as the first assist gas 41.

前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが消失したことを確認後、露出した前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄに、第２のアシストガス４２を供給しながら、修正用の電子線（第２の電子線）３２を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした。
その後、第２の電子線３２の照射を停止し、第２のアシストガス４２を排出し、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査して、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記の第２のアシストガス４２には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた。また、上記の第４の電子線３４の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。 After confirming that the residual defect portion 21d of the hard mask pattern has disappeared, the second assist gas 42 is supplied to the exposed residual defect portion 10d of the transfer pattern, and a correction electron beam (second electron) is supplied. Line) 32 was irradiated to etch the residual defect portion 10d of the transfer pattern.
Thereafter, irradiation with the second electron beam 32 is stopped, the second assist gas 42 is discharged, and the surface of the structure 11d is scanned with an observation electron beam (fourth electron beam) 34. The shape after correction of the transfer pattern was confirmed with the detection image.
As the second assist gas 42, a single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) was used. The scanning region of the fourth electron beam 34 was set to 1.5 μm in the X direction and 1.5 μm in the Y direction.

前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認後、欠陥修正装置から前記構造体１１ｄを取り出し、ハードマスクパターン２１を除去して、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１を得た。
上記のテンプレート１の欠陥検査をした結果、残渣欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ Ｘ７００）を用いた。
次に、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１の表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域とそれ以外の領域とで、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）に高さの違いは検出されなかった。なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。 After confirming that the residual defect portion 10d of the transfer pattern had disappeared, the structure 11d was taken out from the defect correction apparatus, the hard mask pattern 21 was removed, and the template 1 for nanoimprint lithography was obtained.
As a result of the defect inspection of the template 1, no residue defect was detected. For the above defect inspection, a photomask defect inspection apparatus (MATRICS X700) manufactured by Lasertec was used.
Next, based on the defect position information detected in the defect inspection of the structure 11d, the surface of the template 1 is inspected with an atomic force microscope (L-trace) of SII Nanotechnology, No difference in height was detected on the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern between the scanning region of the fourth electron beam 34 and the other region. The inspection area by the atomic force microscope was an area of 3 μm in the X direction and 3 μm in the Y direction centering on the defect position detected in the defect inspection of the structure 11d.

また、上記のテンプレート１を用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が均一な樹脂パターン３２２を得ることができた。
さらに、前記樹脂パターン３２２に対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより所定の残膜除去工程を施したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分が除去された良好な樹脂パターン３２３を得ることができた。 In addition, when the above template 1 is used to transfer a pattern onto the resin on the substrate to be transferred by the optical imprint method, either the region corresponding to the scanning region of the fourth electron beam 34 or the other region is used. Even in this region, a resin pattern 322 having a uniform thickness (RLT) of the remaining film portion could be obtained.
Furthermore, when a predetermined residual film removal step was performed on the resin pattern 322 by dry etching using oxygen ions as the reactive ions 340, a region corresponding to the scanning region of the fourth electron beam 34, A good resin pattern 323 from which the remaining film portion was removed in any other region could be obtained.

（実施例２）
基板１０の主面上に、ハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２を形成し、続いて、レジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２１を形成した。
その後、レジストパターン２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得た。
なお、上記の基板１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。
また、上記の転写パターンは、凹部１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。 (Example 2)
A structure (blanks) having a hard mask layer 21A is prepared on the main surface of the substrate 10, then a resist layer 22A is formed on the hard mask layer 21A, and resist is produced by a plate making technique using electron beam drawing. The pattern 22 was formed, and then the hard mask layer 21A exposed from the resist pattern 22 was dry etched to form the hard mask pattern 21.
Thereafter, the resist pattern 22 is removed, and then the substrate 10 exposed from the hard mask pattern 21 is etched to form a concave portion 10s of the transfer pattern, and the hard mask pattern 21 is formed on the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern. A structure 11d having the structure was obtained.
Note that a synthetic quartz substrate having a length of 152 mm, a width of 152 mm, and a thickness of 0.25 inch was used for the substrate 10, and a 5 nm thick Cr sputter layer was used for the hard mask layer 21 </ b> A.
The transfer pattern was a line and space pattern in which the depth of the recess 10s was 50 nm, the width of the recess 10s was 20 nm, and the width of the protrusion 10t was 20 nm.

次に、ハードマスクパターン２１を残した形態で前記構造体１１ｄの転写パターンの残渣欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記構造体１１ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングし、続いて、露出する転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした。
その後、第１の電子線３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査して、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記の第１のアシストガス４１には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた。
また、上記の第４の電子線の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。 Next, a residual defect of the transfer pattern of the structure 11d is inspected using a photomask defect inspection apparatus (MATRICS X700) manufactured by Lasertec with the hard mask pattern 21 left, and then the structure 11d is curled. Based on the defect position information detected in the defect inspection process, the surface of the structure 11d is scanned with the electron beam 30 for observation based on the defect correction apparatus (MeRiT HR32) manufactured by Tsuis Corp. The position and range of irradiation of the electron beam (first electron beam) 31 were determined.
Next, while supplying the first assist gas 41, the electron beam for correction (first electron beam) 31 is irradiated to etch the residual defect portion 21d of the hard mask pattern, which is subsequently exposed. The residual defect portion 10d of the transfer pattern was etched.
After that, irradiation with the first electron beam 31 is stopped, the first assist gas 41 is discharged, and the surface of the structure 11d is scanned with an observation electron beam (fourth electron beam) 34. The shape after correction of the transfer pattern was confirmed with the detection image.
As the first assist gas 41, a single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) was used.
The scanning region of the fourth electron beam was 1.5 μm in the X direction and 1.5 μm in the Y direction.

転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認後、欠陥修正装置から構造体１１ｄを取り出し、ハードマスクパターン２１を除去して、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１を得た。
上記のテンプレート１の欠陥検査をした結果、残渣欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ Ｘ７００）を用いた。
次に、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１の表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域とそれ以外の領域とで、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）に高さの違いは検出されなかった。なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。 After confirming that the residual defect portion 10d of the transfer pattern had disappeared, the structure 11d was taken out from the defect correction apparatus, the hard mask pattern 21 was removed, and the template 1 for nanoimprint lithography was obtained.
As a result of the defect inspection of the template 1, no residue defect was detected. For the above defect inspection, a photomask defect inspection apparatus (MATRICS X700) manufactured by Lasertec was used.
Next, based on the defect position information detected in the defect inspection of the structure 11d, the surface of the template 1 is inspected with an atomic force microscope (L-trace) of SII Nanotechnology, No difference in height was detected on the upper surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern between the scanning region of the fourth electron beam 34 and the other region. The inspection area by the atomic force microscope was an area of 3 μm in the X direction and 3 μm in the Y direction centering on the defect position detected in the defect inspection of the structure 11d.

また、上記のテンプレート１を用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が均一な樹脂パターン３２２を得ることができた。
さらに、前記樹脂パターン３２２に対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより所定の残膜除去工程を施したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分が除去された良好な樹脂パターン３２３を得ることができた。 In addition, when the above template 1 is used to transfer a pattern onto the resin on the substrate to be transferred by the optical imprint method, either the region corresponding to the scanning region of the fourth electron beam 34 or the other region is used. Even in this region, a resin pattern 322 having a uniform thickness (RLT) of the remaining film portion could be obtained.
Furthermore, when a predetermined residual film removal step was performed on the resin pattern 322 by dry etching using oxygen ions as the reactive ions 340, a region corresponding to the scanning region of the fourth electron beam 34, A good resin pattern 323 from which the remaining film portion was removed in any other region could be obtained.

（比較例１）
基板１１０の主面上に、ハードマスク層２２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２２１Ａの上にレジスト層２２２Ａを形成し、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２２を形成し、続いて、レジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成した。
その後、レジストパターン２２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして転写パターンの凹部１１０ｓを形成し、最後に、ハードマスクパターン２２１を除去して、テンプレート１００ｄを得た。
なお、上記の基板１１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。また、上記の転写パターンは、凹部１１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。 (Comparative Example 1)
A structure (blanks) having a hard mask layer 221A is prepared on the main surface of the substrate 110. Next, a resist layer 222A is formed on the hard mask layer 221A, and resist is formed by a plate making technique using electron beam drawing. A pattern 222 was formed, and then the hard mask layer 221A exposed from the resist pattern 222 was dry etched to form a hard mask pattern 221.
Thereafter, the resist pattern 222 is removed, and then the substrate 110 exposed from the hard mask pattern 221 is etched to form a concave portion 110s of the transfer pattern. Finally, the hard mask pattern 221 is removed to obtain a template 100d. .
Note that a synthetic quartz substrate having a length of 152 mm, a width of 152 mm, and a thickness of 0.25 inches was used as the substrate 110, and a Cr sputter layer having a thickness of 5 nm was used as the hard mask layer 221A. The transfer pattern was a line and space pattern in which the depth of the recess 110s was 50 nm, the width of the recess 110s was 20 nm, and the width of the protrusion 110t was 20 nm.

次に、前記テンプレート１００ｄの転写パターンの残渣欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記テンプレート１００ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３０で走査して、修正用の電子線１３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、アシストガス１４２を供給しながら、修正用の電子線１３１を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１１０ｄをエッチングした。
その後、電子線１３１の照射を停止し、アシストガス１４２を排出し、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３２で走査して、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記のアシストガス１４２には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた。また、上記の電子線１３２の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。 Next, the residual defect of the transfer pattern of the template 100d is inspected using a photomask defect inspection apparatus (MATRICS X700) manufactured by Lasertec, and then the template 100d is subjected to a defect correction apparatus (MeRiT HR32) manufactured by Carl Zeiss. Based on the defect position information that has been arranged and detected in the defect inspection step, the surface and the range of irradiation of the correction electron beam 131 are determined by scanning the surface of the template 100d with the observation electron beam 130. It was.
Next, the residue defect portion 110d of the transfer pattern was etched by irradiating the electron beam 131 for correction while supplying the assist gas 142.
Thereafter, the irradiation of the electron beam 131 is stopped, the assist gas 142 is discharged, the surface of the template 100d is scanned with the electron beam 132 for observation, and the corrected shape of the transfer pattern is confirmed with the obtained detection image. .
As the assist gas 142, a single component gas of xenon fluoride (XeF 2 ) was used. The scanning region of the electron beam 132 was set to 1.5 μm in the X direction and 1.5 μm in the Y direction.

前記転写パターンの残渣欠陥部１１０ｄが消失したことを確認後、欠陥修正装置から修正後のテンプレート１００ｅを取り出し、欠陥検査をした結果、残渣欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ Ｘ７００）を用いた。
次に、上記のテンプレート１００ｅの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１００ｅの表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、上記の電子線１３２の走査領域における転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さは、他の領域（非走査領域）の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さよりも、０．６ｎｍ〜１．０ｎｍ低いことが判明した。
なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。 After confirming that the residual defect portion 110d of the transfer pattern disappeared, the corrected template 100e was taken out from the defect correction apparatus, and as a result of the defect inspection, no residual defect was detected. For the above defect inspection, a photomask defect inspection apparatus (MATRICS X700) manufactured by Lasertec was used.
Next, based on the defect position information detected in the defect inspection of the template 100e, the surface of the template 100e was inspected with an atomic force microscope (L-trace) of SII Nanotechnology, Inc. The height of the top surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern in the scanning region of the electron beam 132 is 0 than the height of the top surface (Top surface) of the convex portion of the transfer pattern in the other region (non-scanning region). It was found to be 0.6 nm to 1.0 nm lower.
The inspection area by the atomic force microscope was an area of 3 μm in the X direction and 3 μm in the Y direction centering on the defect position detected in the defect inspection of the structure 11d.

また、上記のテンプレート１００ｅを用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、得られた樹脂パターン３２２Ｅは、上記の電子線１３２の走査領域に相当する領域の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が、他の領域（非走査領域）の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）よりも、０．６ｎｍ〜１．０ｎｍ厚いものであった。
さらに、前記樹脂パターン３２２Ｅに対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより所定の残膜除去工程を施したところ、得られた樹脂パターンにおいては、上記の電子線１３２の走査領域に相当する領域の残膜部分が残留しており、広範囲に不良パターン３２３Ｂが発生してしまっていた。 In addition, when the above-described template 100e is used to perform pattern transfer onto the resin on the transfer substrate by the optical imprint method, the obtained resin pattern 322E is a residual film in a region corresponding to the scanning region of the electron beam 132. The thickness (RLT) of the portion was 0.6 nm to 1.0 nm thicker than the thickness (RLT) of the remaining film portion in the other region (non-scanning region).
Furthermore, when a predetermined residual film removal step was performed on the resin pattern 322E by dry etching using oxygen ions as the reactive ions 340, in the obtained resin pattern, in the scanning region of the electron beam 132 described above. The remaining film portion of the corresponding region remains, and the defective pattern 323B is generated in a wide range.

１・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
１０・・・基板
１０ｄ・・・・残渣欠陥部
１０ｅ・・・走査領域
１０ｓ・・・凹部
１０ｔ・・・凸部
１１ｄ・・・構造体
２１・・・ハードマスクパターン
２１Ａ・・・ハードマスク層
２１ｄ・・・残渣欠陥部
２２・・・レジストパターン
２２Ａ・・・レジスト層
２２ｄ・・・残渣欠陥部
３０・・・電子線
３１・・・第１の電子線
３２・・・第２の電子線
３３・・・第３の電子線
３４・・・第４の電子線
４１・・・第１のアシストガス
４２・・・第２のアシストガス
１００、１００ｄ、１００ｅ・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
１１０・・・基板
１１０ｄ・・・残渣欠陥部
１１０ｅ・・・過剰エッチング領域
１１０ｓ・・・凹部
１１０ｔ・・・凸部
１３０、１３１、１３２・・・電子線
１４２・・・アシストガス
２２１・・・ハードマスクパターン
２２１Ａ・・・ハードマスク層
２２１ｄ・・・残渣欠陥部
２２２・・・レジストパターン
２２２Ａ・・・レジスト層
２２２ｄ・・・残渣欠陥部
２３０・・・異物
３１０・・・被転写基板
３２２・・・樹脂パターン
３２２Ａ・・・樹脂層
３２３・・・樹脂パターン
３２３Ａ、３２３Ｂ・・・樹脂パターン
３３０・・・紫外線
３４０・・・反応性イオン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Template for nanoimprint lithography 10 ... Board | substrate 10d ... Residue defect part 10e ... Scanning region 10s ... Concave part 10t ... Convex part 11d ... Structure 21 ... Hard mask Pattern 21A ... Hard mask layer 21d ... Residue defect 22 ... Resist pattern 22A ... Resist layer 22d ... Residue defect 30 ... Electron beam 31 ... First electron beam 32 ... second electron beam 33 ... third electron beam 34 ... fourth electron beam 41 ... first assist gas 42 ... second assist gas 100, 100d, 100e .... Template for nanoimprint lithography 110 ... Substrate 110d ... Residue defect 110e ... Excess etching region 110s ... Concave 110t ... Convex 30, 131, 132 ... electron beam 142 ... assist gas 221 ... hard mask pattern 221A ... hard mask layer 221d ... residual defect 222 ... resist pattern 222A ... resist layer 222d ... residue defect 230 ... foreign matter 310 ... transfer substrate 322 ... resin pattern 322A ... resin layer 323 ... resin pattern 323A, 323B ... resin pattern 330 ... ultraviolet 340 ... Reactive ions

Claims (6)

基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、
前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、
前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、
を順に備え、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の前に、
前記第１のアシストガスを排出する工程と、
前記ハードマスクパターンの修正後の形状を第３の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、
を順に備え、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、
前記ハードマスクパターンを除去する工程の前に、
前記第２のアシストガスを排出する工程と、
前記転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。 A method for producing a template for nanoimprint lithography having a concavo-convex transfer pattern on a main surface of a substrate,
Forming a hard mask pattern on the main surface of the substrate;
Etching the main surface of the substrate exposed from the hard mask pattern to form an uneven transfer pattern;
A step of inspecting a residual defect portion of the transfer pattern in a form leaving the hard mask pattern;
Correcting the residue defect portion of the hard mask pattern at the position of the residue defect portion detected by the inspection;
Correcting the residual defect portion of the transfer pattern exposed by the correction of the residual defect portion of the hard mask pattern;
Removing the hard mask pattern after correcting the residual defect portion of the transfer pattern;
The order Bei example,
The step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern includes irradiating the residual defect portion of the hard mask pattern with a first electron beam while supplying a first assist gas, thereby forming a residue of the hard mask pattern. It is a process of etching a defective part,
The step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern includes irradiating the residual defect portion of the transfer pattern with a second electron beam while supplying the second assist gas, thereby removing the residual defect portion of the transfer pattern. Etching process,
After the step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern,
Before the step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern,
Discharging the first assist gas;
Confirming the corrected shape of the hard mask pattern with a detection image obtained by scanning with a third electron beam;
In order,
After the step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern,
Before the step of removing the hard mask pattern,
Discharging the second assist gas;
Confirming the corrected shape of the transfer pattern with a detection image obtained by scanning with a fourth electron beam;
In order, the manufacturing method of the template for nanoimprint lithography characterized by the above-mentioned. 前記第１の電子線を照射する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、The region irradiated with the first electron beam overlaps with a region where a residual defect portion of the hard mask pattern exists,
前記第２の電子線を照射する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、The region irradiated with the second electron beam overlaps with a region where a residual defect portion of the transfer pattern exists,
前記第３の電子線を走査する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含み、The region where the third electron beam is scanned includes a region where a residual defect portion of the hard mask pattern is etched,
前記第４の電子線を走査する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含むことを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。2. The method for manufacturing a template for nanoimprint lithography according to claim 1, wherein the region for scanning the fourth electron beam includes a region obtained by etching a residual defect portion of the transfer pattern. 前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ 2 ）と酸素（Ｏ 2 ）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ 2 ）と水蒸気（Ｈ 2 Ｏ）を含む混合ガス、塩素系ガス、のいずれか１種であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。 The hard mask pattern is made of a material containing chromium (Cr), and the first assist gas is a mixed gas containing xenon fluoride (XeF 2 ) and oxygen (O 2 ), xenon fluoride (XeF 2). 3) and a mixed gas containing water vapor (H 2 O) and a chlorine-based gas, the method for producing a template for nanoimprint lithography according to claim 1 or 2 . 基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、
前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、
前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、
を順に備え、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、
前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯ x ）を含む材料から構成されており、前記第２のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ 2 ）を含むガスであることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。 A method for producing a template for nanoimprint lithography having a concavo-convex transfer pattern on a main surface of a substrate,
Forming a hard mask pattern on the main surface of the substrate;
Etching the main surface of the substrate exposed from the hard mask pattern to form an uneven transfer pattern;
A step of inspecting a residual defect portion of the transfer pattern in a form leaving the hard mask pattern;
Correcting the residue defect portion of the hard mask pattern at the position of the residue defect portion detected by the inspection;
Correcting the residual defect portion of the transfer pattern exposed by the correction of the residual defect portion of the hard mask pattern;
Removing the hard mask pattern after correcting the residual defect portion of the transfer pattern;
In order,
The step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern includes irradiating the residual defect portion of the hard mask pattern with a first electron beam while supplying a first assist gas, thereby forming a residue of the hard mask pattern. It is a process of etching a defective part,
The step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern includes irradiating the residual defect portion of the transfer pattern with a second electron beam while supplying the second assist gas, thereby removing the residual defect portion of the transfer pattern. Etching process,
A method of manufacturing a template for nanoimprint lithography, wherein the substrate is made of a material containing silicon oxide (SiO x ), and the second assist gas is a gas containing xenon fluoride (XeF 2 ). . 基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、
前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、
前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、
を順に備え、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、
前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスが同じガスであることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。 A method for producing a template for nanoimprint lithography having a concavo-convex transfer pattern on a main surface of a substrate,
Forming a hard mask pattern on the main surface of the substrate;
Etching the main surface of the substrate exposed from the hard mask pattern to form an uneven transfer pattern;
A step of inspecting a residual defect portion of the transfer pattern in a form leaving the hard mask pattern;
Correcting the residue defect portion of the hard mask pattern at the position of the residue defect portion detected by the inspection;
Correcting the residual defect portion of the transfer pattern exposed by the correction of the residual defect portion of the hard mask pattern;
Removing the hard mask pattern after correcting the residual defect portion of the transfer pattern;
In order,
The step of correcting the residual defect portion of the hard mask pattern includes irradiating the residual defect portion of the hard mask pattern with a first electron beam while supplying a first assist gas, thereby forming a residue of the hard mask pattern. It is a process of etching a defective part,
The step of correcting the residual defect portion of the transfer pattern includes irradiating the residual defect portion of the transfer pattern with a second electron beam while supplying the second assist gas, thereby removing the residual defect portion of the transfer pattern. Etching process,
The method for producing a template for nanoimprint lithography, wherein the first assist gas and the second assist gas are the same gas . 前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯ x ）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスがフッ化キセノン（ＸｅＦ 2 ）を含むガスであることを特徴とする請求項５に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。 The hard mask pattern is made of a material containing chromium (Cr), the substrate is made of a material containing silicon oxide (SiO x ), and the first assist gas and the second assist gas are The method for producing a template for nanoimprint lithography according to claim 5 , wherein the gas contains xenon fluoride (XeF 2 ) .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5962353B2 (en) * 2012-09-06 2016-08-03 大日本印刷株式会社 Method for producing template for nanoimprint lithography
JP6420958B2 (en) * 2014-03-04 2018-11-07 Hoya株式会社 Imprint mold blank and imprint mold
JP6417761B2 (en) * 2014-07-14 2018-11-07 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of imprint mold

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3312703B2 (en) * 1993-04-15 2002-08-12 大日本印刷株式会社 How to fix a phase shift photomask
JP2003102988A (en) * 2001-09-28 2003-04-08 Sankyo Kk Game machine
JP2004273933A (en) * 2003-03-11 2004-09-30 Seiko Instruments Inc Fine machining method for metal and metal oxide
JP2005044843A (en) * 2003-07-23 2005-02-17 Sii Nanotechnology Inc Defect correcting method of original form for nano imprint lithography
JP5398502B2 (en) * 2009-12-10 2014-01-29 株式会社東芝 Pattern creating method, process determining method, and device manufacturing method
JP5707696B2 (en) * 2009-12-16 2015-04-30 大日本印刷株式会社 Method for manufacturing a reflective mask
JP2011197375A (en) * 2010-03-19 2011-10-06 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing reflective mask and reflective mask blank used for the manufacture

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