JP2008124380A - 電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システム - Google Patents
電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008124380A JP2008124380A JP2006309171A JP2006309171A JP2008124380A JP 2008124380 A JP2008124380 A JP 2008124380A JP 2006309171 A JP2006309171 A JP 2006309171A JP 2006309171 A JP2006309171 A JP 2006309171A JP 2008124380 A JP2008124380 A JP 2008124380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- electronic component
- manufacturing
- wafer
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の処理装置50で第1の処理が施された物体Wに第2の処理装置10で第2の処理を行う。第1の処理装置50の処理能力と第2の処理装置10の処理能力の差により生じる空き時間に、第1の処理と第2の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行う調整工程を有する。
【選択図】図1
Description
このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体の露光(リソグラフィ)工程では、例えば基板上に感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置(以下C/D装置)を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある。
この種のインライン・リソグラフィシステムでは、C/D装置において定期的なメンテナンス、部品交換等、運転を停止した場合に露光装置の運転も停止しなければならないことから、露光装置の稼働率を低下させる要因が露光装置単体の場合に比べて、明らかに多くなる。
C/D装置と露光装置とでは処理能力に差があり、多くの場合、露光装置の方が処理能力が優れていることから、露光装置にはC/D装置が運転を停止させない通常の稼働状態でも、待ち時間が生じる場合がある。
このように、装置間で処理能力に差がある場合でも、いずれかの装置で生じる待ち時間を有効に活用できる方策が望まれていた。
本発明の電子部品の製造方法は、第1の処理装置(50)で第1の処理が施された物体(W)に第2の処理装置(10)で第2の処理を行う電子部品の製造方法であって、第1の処理装置の処理能力と第2の処理装置の処理能力の差により生じる空き時間に、第1の処理と第2の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行う調整工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の電子部品の製造方法では、第1の処理装置(50)の処理能力と第2の処理装置(10)の処理能力の差により生じる空き時間に、第1の処理と第2の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行うため、別途、上記関連処理の調整時間を確保する必要がなくなり、空き時間を有効活用でき、生産性の向上に寄与できる。
この関連としては、第2の処理に関する計測処理、この計測処理の較正処理、第2の処理に用いる材料の交換処理の少なくとも一つを選択可能である。
従って、本発明のデバイス製造方法では、空き時間を有効に活用してデバイスを製造することができる。
従って、本発明の電子部品の製造システムでは、第1の処理装置(50)の処理能力と第2の処理装置(10)の処理能力の差により生じる空き時間に、第1の処理と第2の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行うため、別途、上記関連処理の調整時間を確保する必要がなくなり、空き時間を有効活用でき、生産性の向上に寄与できる。
ここでは、例えば、第1の処理装置として、半導体デバイス製造用の半導体ウエハに対する感光材塗布処理を第1の処理として行うとともに、露光処理が施されたウエハに現像処理を施すコータデベロッパ装置(以下、C/D装置と称する)を用い、第2の処理装置として、C/D装置から搬送されたウエハに対して、第2の処理として露光処理を施す露光装置を用いる場合について説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図1には、本発明に係る露光装置及びC/D装置を含んで構成された第1実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
この図1に示されるリソグラフィシステム(電子部品の製造システム)100は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム100は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置(第2の処理装置)10と、該露光装置10の−Y側(図1における紙面左側)に、インライン・インタフェース部(以下、「インラインI/F部」と呼ぶ)110を介して接続された第1の処理装置としてのC/D装置50とを備えている。このリソグラフィシステム100は、クリーンルーム内に設置されている。
この照明ユニットILUは、レチクルステージRST上に保持されたレチクルR上でX軸方向に細長く延びる矩形(例えば長方形)スリット状の照明領域IAR(固定ブラインドの開口で規定される)を均一な照度分布で照明する。本実施形態と同様の照明ユニットの内部構成は、例えば特開平6−349701号公報などに詳細に開示されている。
レチクルステージRSTの位置情報(又は速度情報)は、主制御装置120に送られ、主制御装置120では該位置情報(又は速度情報)に基づいてレチクルステージ駆動部112を介してレチクルステージRSTを駆動する。レチクルステージRSTのレチクルRの載置領域の−Y側の位置には、不図示のレチクルフィデューシャルマーク板(RFM板)が設けられている。このRFM板には、複数種類の計測用マークが形成されている。本実施形態と同様の、RFM板については、例えば特開2002−198303号公報などに詳細に開示されている。
ここでは、基板(物体)としての第1枚目のウエハW(以下、便宜上「ウエハW1」と記述する)がウエハ受け渡し部64上に載置されているものとする。そこで、スカラーロボット68は、ウエハ受け渡し部64上からウエハWを例えば第1塗布部76内に搬入する。これにより、ウエハWは、第1塗布部76内でレジストの塗布が開始される。そして、ウエハWのレジスト塗布が終了すると、ロボット68は、ウエハWを第1塗布部76からベーク部74に搬入する。これにより、ウエハWは、ベーク部74内で加熱処理(PB)される。
一方、PEBが終了したウエハWは、ロボット68によりベーク部74から取り出され、例えば第1現像部70内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハWは、ロボット68によりウエハ受け渡し部64上に載置される。
露光装置10における処理能力がC/D装置50における処理能力よりも高い場合、露光装置10においてウエハWに対する処理開始までに空き時間(待ち時間)が生じることがある。また、ウエハの処理動作を長期間に亘り円滑に行うためには、リソグラフィシステム100を構成する露光装置10やC/D装置50の構成各部のメンテナンスなどの装置の性能維持のために、露光処理に関連して必要な特定動作(関連処理)を行うことが必要である。なお、この特定動作とは、メンテナンス(定期メンテナンス、その他のメンテナンスの他、部品交換なども含む)、及び自己キャリブレーションなどの、装置の性能維持のために必要な動作であって装置の本来の動作を停止することが必要となる動作の全てを含む。
そこで、本実施形態では、上記装置10、50間の処理能力の差により生じる空き時間に、上記特定動作の調整を行う。
なお、図4に示す関連処理の実施時間として、比較的短時間のものを「短」、比較的長時間のものを「長」、比較的短時間のものと比較的長時間のものとの間のものを「中」と示している。
図5(a)は、第1モード(第2工程)における1ロット25枚のウエハに対するリソグラフィシステム100での処理が開始されてから終了するまでの、露光装置10側における空き時間と露光処理時間とを示したタイムチャートである。この図に示すように、C/D装置50においてロット先頭のウエハに対する処理が開始された時間T0から、レジスト塗布処理が完了して空き時間T1が経過した後に、露光装置10では1枚目のウエハWに対して処理時間Teで露光処理を実施し、以後は、空き時間T2を介して2枚目以降のウエハW2〜W25に対してそれぞれ処理時間Teで露光処理を実施する。この空き時間T1、T2は、塗布・現像制御装置62から主制御装置120に出力されるものである。
続いて、第2モード(第1工程)について説明する。
例えば上記のキャリブレーション以外の例えば露光に用いるレーザの材料であるガスの交換や、光学系と液体を介してパターンを形成する液浸露光装置に用いられる液体の交換は、場合によっては30分程度の長い処理時間を要するため、上記第1モードでの空き時間T1、T2で処理時間を確保することが困難である。そこで、このように処理時間が長い関連処理を実施する必要が生じる場合には、ウエハに対する総処理時間を増やすことなく、長い処理時間を確保できるモードを選択する。
なお、本実施形態では、露光装置10における処理能力がC/D装置50における処理能力よりも高い場合について説明したが、露光装置10における処理能力がC/D装置50における処理能力よりも低い場合でも本発明を用いることができることはいうまでもない。
また、本実施形態では、従来では実施していないタイミングで、例えば各種計測処理に係るキャリブレーションを実施できるため、それ以降の露光処理における計測精度が向上し、パターンの転写精度やパターン線幅の微細化等、露光精度の向上にも寄与できる。
さらに、本実施形態では、実施すべき関連処理に要する時間に応じて第1モード、第2モードを選択できるため、処理時間が長い関連処理が存在する場合でも、露光処理時間を長くすることなく当該関連処理を実施して露光装置10の性能を確保することができる。
次に、本発明の第2実施形態について、図6を参照して説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を省略するものとする。この第2実施形態のリソグラフィシステムは、制御系の構成が、前述した第1実施形態と相違するのみであるから、以下では、この相違点を中心として説明する。
続いて、本発明の第3実施形態について説明する。
上記実施形態では、空き時間または空き時間に相当(対応)する時間を使って、関連処理を開始する手順としているが、本実施形態では、この空き時間または空き時間に相当する時間を用い、関連処理時間を延ばして実施する場合について説明する。
なお、処理時間を延ばすことで、精度向上に寄与する関連処理としては、上記のEGA計測の他に、例えば冷却部80における温度調節処理が挙げられる。
この場合、上述した空き時間を利用して、レジスト塗布後のウエハに対する冷却時間を長くして、より露光室12A内の温度に近づけることができ、温度差に起因してウエハWに歪が生じたり、ウエハホルダ25を膨張させたりすることを防止して、露光精度の向上に寄与できる。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
Claims (21)
- 第1の処理装置で第1の処理が施された物体に第2の処理装置で第2の処理を行う電子部品の製造方法であって、
前記第1の処理装置の処理能力と前記第2の処理装置の処理能力の差により生じる空き時間に、前記第1の処理と前記第2の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理の調整を行う調整工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1記載の電子部品の製造方法において、
前記調整工程では、前記関連処理の処理時間を前記空き時間に応じて延ばして実施することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1記載の電子部品の製造方法において、
前記調整工程では、前記関連処理を前記空き時間に応じて複数選択して実施することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項3記載の電子部品の製造方法において、
前記複数の関連処理は、互いに異なる処理であることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項3または4記載の電子部品の製造方法において、
前記物体に前記第2の処理を行った結果に基づいて、実施する前記関連処理を変更することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記物体に前記第2の処理を行った結果に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理の調整を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記物体に前記第1の処理を行った情報に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理の調整を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1から7のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記第2の処理で前記物体毎に設定される所定の空き時間を、複数の前記物体の数に応じて合計した時間内に前記調整工程を行った後に、前記複数の物体に対して連続して前記第2の処理を行う第1工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項8記載の電子部品の製造方法において、
前記第1の処理が施された前記物体にそれぞれ前記所定の空き時間をあけて複数、第2の処理を施す第2工程と、前記第1工程とを選択して実施することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1から9のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記関連処理は、前記第2の処理に関する計測処理、該計測処理の較正処理、前記第2の処理に用いる材料の交換処理の少なくとも一つであることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1から10のいずれかに記載の電子部品の製造方法において、
前記第2の処理装置で行う前記第2の処理は、露光装置で行う露光処理であることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 請求項1から11のいずれかに記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 物体に第1の処理を施す第1の処理装置と、前記第1の処理が施された物体に第2の処理を施す第2の処理装置とを有する電子部品の製造システムであって、
前記第1の処理と前記第2の処理の少なくともいずれか一方に関連する関連処理を行う関連処理装置と、
前記第1の処理装置の処理能力と前記第2の処理装置の処理能力の差により生じる空き時間に、前記関連処理装置の調整を行わせる調整装置とを有することを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項13記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記関連処理装置の処理時間を前記空き時間に応じて延ばして実施させることを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項13記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記関連処理装置を前記空き時間に応じて複数選択して調整させることを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項15記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記複数の関連処理装置は、互いに異なる関連処理を実施することを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項15または16記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記物体に前記第2の処理を行った結果に基づいて、選択する前記関連処理装置を変更することを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項13から17のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記物体に前記第2の処理を行った結果に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理装置に調整を行わせることを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項13から17のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記調整装置は、前記物体に前記第1の処理を行った結果に基づいて前記空き時間を予測し、
予測した空き時間に応じて前記関連処理装置に調整を行わせることを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項13から19のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記関連処理装置は、前記第2の処理に関する計測処理を行う計測装置、前記第2の処理に用いる材料を交換する材料交換装置の少なくとも一つであることを特徴とする電子部品の製造システム。 - 請求項13から20のいずれかに記載の電子部品の製造システムにおいて、
前記第2の処理装置は、露光処理を行う露光装置であることを特徴とする電子部品の製造システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006309171A JP5087907B2 (ja) | 2006-11-15 | 2006-11-15 | 電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006309171A JP5087907B2 (ja) | 2006-11-15 | 2006-11-15 | 電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124380A true JP2008124380A (ja) | 2008-05-29 |
JP5087907B2 JP5087907B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=39508787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006309171A Active JP5087907B2 (ja) | 2006-11-15 | 2006-11-15 | 電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5087907B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076579A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nikon Corp | 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法 |
JP2009076580A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nikon Corp | 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068351A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 基板処理装置 |
JP2001006999A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Nikon Corp | 基板処理システム |
JP2002353106A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Sony Corp | 工程管理システム、工程管理方法、プログラム及び記録媒体 |
JP2003022962A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP2005057290A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | 基板処理のための方法、コンピュータ・プログラム製品および装置 |
JP2005191571A (ja) * | 2003-12-23 | 2005-07-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置またはリソグラフィ処理セルを作動する方法、リソグラフィ装置およびリソグラフィ処理セル |
WO2006025302A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 露光装置、動作決定方法、基板処理システム及びメンテナンス管理方法、並びにデバイス製造方法 |
-
2006
- 2006-11-15 JP JP2006309171A patent/JP5087907B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068351A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 基板処理装置 |
JP2001006999A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Nikon Corp | 基板処理システム |
JP2002353106A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Sony Corp | 工程管理システム、工程管理方法、プログラム及び記録媒体 |
JP2003022962A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Canon Inc | 露光システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
JP2005057290A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | 基板処理のための方法、コンピュータ・プログラム製品および装置 |
JP2005191571A (ja) * | 2003-12-23 | 2005-07-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置またはリソグラフィ処理セルを作動する方法、リソグラフィ装置およびリソグラフィ処理セル |
WO2006025302A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 露光装置、動作決定方法、基板処理システム及びメンテナンス管理方法、並びにデバイス製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009076579A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nikon Corp | 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法 |
JP2009076580A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Nikon Corp | 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5087907B2 (ja) | 2012-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7692764B2 (en) | Exposure apparatus, operation decision method, substrate processing system, maintenance management method, and device manufacturing method | |
JP4974049B2 (ja) | 露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
EP1791169A1 (en) | Aligning method, processing system, substrate loading repeatability measuring method, position measuring method, exposure method, substrate processing apparatus, measuring method and measuring apparatus | |
TWI390373B (zh) | 傳送基板之方法、電腦可讀媒體及傳送系統 | |
JP5040657B2 (ja) | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法、デバイス組立方法 | |
JP2004031921A (ja) | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010186918A (ja) | アライメント方法、露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光システム | |
JPH10163097A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
JP4304169B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JPH10163098A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
JP2009200122A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP5087907B2 (ja) | 電子部品の製造方法及びデバイス製造方法並びに電子部品の製造システム | |
JP2003156322A (ja) | 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法 | |
JP2009088018A (ja) | ステージ制御方法、ステージ制御装置、露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 | |
JP2007256577A (ja) | 異物検査装置及び露光装置並びに光露光用マスク | |
JP2008311479A (ja) | 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2008300770A (ja) | 露光装置、露光方法、リソグラフィシステム、デバイス製造システム、デバイスの製造方法、及び基板処理方法 | |
JP2003060000A (ja) | 基板搬送装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2009076581A (ja) | 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法 | |
JP2007335611A (ja) | 面位置計測装置及び面位置計測方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2009049060A (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法 | |
JP2009076579A (ja) | 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法 | |
JP2009076580A (ja) | 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法 | |
JP2009076582A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2008066463A (ja) | 基板搬送装置、露光装置、コータ・デベロッパ装置、露光システム及び基板搬送方法並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120814 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120827 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5087907 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |