JP2008120648A - 半導体封止用ガラス、半導体電子部品及び半導体封止用ガラスセラミックス - Google Patents
半導体封止用ガラス、半導体電子部品及び半導体封止用ガラスセラミックス Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体封止用ガラスは、半導体とリード線の一部を被覆封止する半導体封止用ガラスであって、該ガラスが、封止することで結晶相を析出し、且つ、結晶相の割合が50体積%以上となる性質を有する結晶性ガラス粉末からなることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
2 リード線
3 半導体封止用ガラス(半導体封止用ガラスセラミックス、半導体封止材料)
10 サーミスタ
Claims (17)
- 半導体とリード線の一部を被覆封止する半導体封止用ガラスであって、該ガラスが、封止することで結晶相を析出し、且つ、結晶相の割合が50体積%以上となる性質を有する結晶性ガラス粉末からなることを特徴とする半導体封止用ガラス。
- 結晶析出後の軟化変形温度が1000℃以上となる性質を有することを特徴とする請求項1記載の半導体封止用ガラス。
- チタン酸ランタノイド結晶を析出する性質を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封止用ガラス。
- 質量百分率で、SiO2 10〜35%、Ln2O3(ランタノイド系酸化物) 5〜35%、TiO2 15〜50%、RO(アルカリ土類金属酸化物) 3〜45%、ZnO 0〜25%、Bi2O3 0〜30%、ZrO2 0〜25%の組成を含有することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体封止用ガラス。
- ディオプサイド(MgCaSi2O6)結晶を析出する性質を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封止用ガラス。
- 質量百分率で、SiO2 40〜70%、CaO 20〜35%、MgO 11〜30%、Al2O3 0〜15%、SrO 0〜20%、ZnO 0〜20%、TiO2 0〜20%の組成を含有することを特徴とする請求項1、2及び5の何れかに記載の半導体封止用ガラス。
- 結晶性ガラス粉末を用いて半導体とリード線の一部を被覆封止することで結晶が析出する半導体封止用ガラスセラミックスにおいて、結晶相の割合が50体積%以上であることを特徴とする半導体封止用ガラスセラミックス。
- 軟化変形温度が1000℃以上であることを特徴とする請求項7記載の半導体封止用ガラスセラミックス。
- 30〜380℃における熱膨張係数が60〜100×10-7/℃であることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体封止用ガラスセラミックス。
- 500℃における体積抵抗値がlogρで5以上であることを特徴とする請求項7〜9の何れかに記載の半導体封止用ガラスセラミックス。
- 結晶相がチタン酸ランタノイド結晶であることを特徴とする請求項7〜10の何れかに記載の半導体封止用ガラスセラミックス。
- 結晶性ガラス粉末が、質量百分率で、SiO2 10〜35%、Ln2O3(ランタノイド系酸化物) 5〜35%、TiO2 15〜50%、RO(アルカリ土類金属酸化物) 3〜45%、ZnO 0〜25%、Bi2O3 0〜30%、ZrO2 0〜25%の組成を含有するガラスからなることを特徴とする請求項7〜11の何れかに記載の半導体封止用ガラスセラミックス。
- 結晶相がディオプサイド(MgCaSi2O6)結晶であることを特徴とする請求項70〜10の何れかに記載の半導体封止用ガラスセラミックス。
- 結晶性ガラス粉末が、質量百分率で、SiO2 40〜70%、CaO 20〜35%、MgO 11〜30%、Al2O3 0〜15%、SrO 0〜20%、ZnO 0〜20%、TiO2 0〜20%の組成を含有するガラスからなることを特徴とする請求項7〜10及び13の何れかにに記載の半導体封止用ガラスセラミックス。
- 半導体と、リード線と、半導体封止用ガラスとからなる半導体電子部品において、半導体封止用ガラスが請求項1〜6の何れかに記載の半導体封止用ガラスであることを特徴とする半導体電子部品。
- 請求項1〜6の何れかに記載の半導体封止ガラスと液体を混練し、スラリー状にしたものを半導体及びリード線の一部に塗布した後、焼成してなることを特徴とする請求項15記載の半導体電子部品。
- 半導体が、900℃まで測定可能な高温型サーミスタチップであることを特徴とする請求項15または16に記載の半導体電子部品。
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