JP2008096991A - パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 139
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 238000013461 design Methods 0.000 description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
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Abstract
【解決手段】このプロセスは、印刷されるフィーチャを第1パターンと第2パターンに分離するステップ、第1パターンおよび第2パターンに第1光近接効果補正プロセスを行うステップ、第1パターンおよび第2パターンの結像結像性能を決定するステップ、第1パターンと第1パターンの結像結像性能との間の第1誤差、および、第2パターンと第2パターンの結像結像性能との間の第2誤差を決定するステップ、第1誤差を使用して第1パターンを調整し、修正第1パターンを作成するステップ、第2誤差を使用して第2パターンを調整し、修正第2パターンを作成するステップ、修正第1パターンおよび修正第2パターンに第2光近接効果補正プロセスを適用するステップ、を含む。
【選択図】図6
Description
− 放射投影ビームPBを供給するための放射システムEx、ILであって、この特定の場合において放射源LAも含むシステムと、
− マスクMA(例えばレチクル)を保持するマスクホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めする第1位置決め手段に接続された第1オブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
− 基板W(例えばレジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダが設けられ、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め手段に接続された第2オブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
− マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む)に結像する投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折、反射、または屈折反射光学システム)と、を含む。
− ステップモードにおいては、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に維持され、マスクイメージ全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一「フラッシュ」)。次いで、別のターゲット部分CをビームPBにより照射できるように、基板テーブルWTがx方向および/またはy方向にシフトされる。
− スキャンモードにおいては、基本的に同じシナリオが当てはまるが、任意のターゲット部分Cが単一「フラッシュ」では露光されない。代わりに、マスクテーブルMTは、任意の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えばy方向)に速度vで移動可能となっており、これにより投影ビームPBはマスクイメージにわたり走査させられ、これと同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同一方向または逆方向に同時に移動される。ここで、MはレンズPLの倍率(一般的にM=1/4または1/5)である。このようにして、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (16)
- ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解するための方法であって、
前記印刷されるフィーチャを第1パターンと第2パターンに分離するステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンに第1光近接効果補正プロセスを行うステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンの結像結像性能を決定するステップ、
前記第1パターンと前記第1パターンの前記結像結像性能との間の第1誤差、および前記第2パターンと前記第2パターンの前記結像結像性能との間の第2誤差を決定するステップ、
修正第1第1前記第1誤差を使用して前記第1パターンを調整し、修正第1パターンを作成するステップ、
修正第2第2前記第2誤差を使用して前記第2パターンを調整し、修正第2パターンを作成するステップ、および
前記修正第1パターンおよび前記修正第2パターンに第2光近接効果補正プロセスを適用するステップ、
を含む方法。 - 前記フィーチャは、ルールベース分解プロセスを使用して前記第1パターンおよび前記第2パターンに分離される、請求項1に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
- 前記フィーチャは、モデルベース分解プロセスを使用して前記第1パターンおよび前記第2パターンに分離される、請求項1に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
- 前記第1光近接効果補正プロセスと前記第2光近接効果補正プロセスは同じプロセスである、請求項1に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
- 前記第1光近接効果補正プロセスと前記第2光近接効果補正プロセスはルールベース補正プロセスを使用する、請求項4に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
- 前記第1光近接効果補正プロセスと前記第2光近接効果補正はモデルベース補正プロセスを使用する、請求項4に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
- 前記第1誤差および前記第2誤差は前記第1パターンおよび前記第2パターンに伴うステッチング領域において決定される、請求項1に記載のターゲット回路パターンを分解するための方法。
- ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解するためのコンピュータプログラムを保存するコンピュータ読取可能記憶媒体であって、実行時、
前記印刷されるフィーチャを第1パターンと第2パターンに分離するステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンに第1光近接効果補正プロセスを行うステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンの結像結像性能を決定するステップ、
前記第1パターンと前記第1パターンの前記結像結像性能との間の第1誤差、および前記第2パターンと前記第2パターンの前記結像結像性能との間の第2誤差を決定するステップ、
前記第1誤差を使用して前記第1パターンを調整し、修正第1パターンを作成するステップ、
前記第2誤差を使用して前記第2パターンを調整し、修正第2パターンを作成するステップ、および
前記修正第1パターンおよび前記修正第2パターンに第2光近接効果補正プロセスを適用するステップ、
をコンピュータに行わせる、コンピュータ読取可能記憶媒体。 - 前記フィーチャは、ルールベース分解プロセスを使用して前記第1パターンおよび前記第2パターンに分離される、請求項8に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記フィーチャは、モデルベース分解プロセスを使用して前記第1パターンおよび前記第2パターンに分離される、請求項8に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記第1光近接効果補正プロセスと前記第2光近接効果補正プロセスは同じプロセスである、請求項8に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記第1光近接効果補正プロセスと前記第2光近接効果補正はルールベース補正プロセスを使用する、請求項11に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記第1光近接効果補正プロセスと前記第2光近接効果補正はモデルベース補正プロセスを使用する、請求項11に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記第1誤差および前記第2誤差は前記第1パターンおよび前記第2パターンに伴うステッチング領域において決定される、請求項8に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- (a)放射感応性材料層により少なくとも部分的に覆われている基板を設けるステップ、
(b)結像システムを使用して放射投影ビームを提供するステップ、
(c)前記投影ビームにその断面にてパターンを与えるためのマスク上のパターンを使用するステップ、
(d)パターン形成された放射ビームを前記放射感応性材料層のターゲット部分に投影するステップ、
を含み、
前記ステップ(c)において、マスクにパターンを提供するステップは、
印刷されるフィーチャを第1パターンと第2パターンに分離するステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンに第1光近接効果補正プロセスを行うステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンの結像結像性能を決定するステップ、
前記第1パターンと前記第1パターンの前記結像結像性能との間の第1誤差、および前記第2パターンと前記第2パターンの前記結像結像性能との間の第2誤差を決定するステップ、
前記第1誤差を使用して前記第1パターンを調整し、修正第1パターンを作成するステップ、
前記第2誤差を使用して前記第2パターンを調整し、修正第2パターンを作成するステップ、および
前記修正第1パターンおよび前記修正第2パターンに第2光近接効果補正プロセスを適用するステップ、
を含む、デバイス製造方法。 - フォトリソグラフィプロセスにおいて利用されるマスクを製作するための方法であって、
印刷されるフィーチャを第1パターンと第2パターンに分離するステップによりウェーハ上に印刷される前記フィーチャを含むターゲット回路パターンを複数パターンに分解するステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンに第1光近接効果補正プロセスを行うステップ、
前記第1パターンおよび前記第2パターンの結像結像性能を決定するステップ、
前記第1パターンと前記第1パターンの前記結像結像性能との間の第1誤差、および前記第2パターンと前記第2パターンの前記結像結像性能との間の第2誤差を決定するステップ、
前記第1誤差を使用して前記第1パターンを調整し、修正第1パターンを作成するステップ、
前記第2誤差を使用して前記第2パターンを調整し、修正第2パターンを作成するステップ、
前記修正第1パターンおよび前記修正第2パターンに第2光近接効果補正プロセスを適用するステップ、および
前記第2光近接効果補正プロセスの後に前記修正第1パターンに対応した第1マスク、および前記第2光近接効果補正プロセスの後に前記修正第2パターンに対応した第2マスクを製作するステップ、
を含む、マスクを製作するための方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US84407406P | 2006-09-13 | 2006-09-13 | |
US60/844,074 | 2006-09-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008096991A true JP2008096991A (ja) | 2008-04-24 |
JP4922112B2 JP4922112B2 (ja) | 2012-04-25 |
Family
ID=38870358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007237170A Expired - Fee Related JP4922112B2 (ja) | 2006-09-13 | 2007-09-12 | パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8111921B2 (ja) |
EP (1) | EP1901122B1 (ja) |
JP (1) | JP4922112B2 (ja) |
KR (1) | KR100882260B1 (ja) |
CN (1) | CN101276141B (ja) |
SG (1) | SG141386A1 (ja) |
TW (1) | TWI382282B (ja) |
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CN101276141A (zh) | 2008-10-01 |
KR20080024457A (ko) | 2008-03-18 |
US20120122023A1 (en) | 2012-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100930 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R371 | Transfer withdrawn |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |