JP2006106757A - 半導体素子製造用マスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このマスクセットは、第1ハーフトーンパターンが形成されて前記第1パターン領域を画定する第1露光領域を含む第1マスクレイヤと、バイナリパターン及び第2ハーフトーンパターンが形成されて前記第2パターン領域を画定する第2露光領域を含む第2マスクレイヤを含む。バイナリパターンとハーフトーンパターンで構成された第2マスクレイヤを使用することで、第1マスクレイヤを使用して1次露光した後、ハーフトーン膜と遮光膜の誤整列及びレジストレーションによって誘発される1次露光の異常露光を2次露光で補正することができる。
【選択図】図5
Description
40 第2マスクレイヤ
54 第1ハーフトーンパターン
56 第1パターン領域
64 第2ハーフトーンパターン
66 第2パターン領域
67 バイナリパターン
Claims (22)
- 第1パターン領域と第2パターン領域とを画定するためのマスクセットにおいて、
第1遮光領域と、第1ハーフトーンパターンが形成されて第1パターン領域を画定する第1露光領域と、を含む第1マスクレイヤと、
バイナリパターン及び第2ハーフトーンパターンが形成されて前記第2パターン領域を画定する第2露光領域を含む第2マスクレイヤと、を含むことを特徴とするマスクセット。 - 前記第1ハーフトーンパターンは第1ピッチを有し、
前記第2ハーフトーンパターンは前記第1ピッチより大きい第2ピッチを有することを特徴とする請求項1に記載のマスクセット。 - 前記バイナリパターンは前記第1パターン領域に隣接した第2パターン領域を画定することを特徴とする請求項1に記載のマスクセット。
- 前記バイナリパターンは前記第1ハーフトーンパターンと連結されるパターンを画定することを特徴とする請求項3に記載のマスクセット。
- 前記第1露光領域と前記第2露光領域の一部分がオーバーラップされることを特徴とする請求項1に記載のマスクセット。
- 前記バイナリパターンは、第1露光領域にオーバーラップされた第2露光領域部分と、前記第1露光領域にオーバーラップされた第2露光領域部分に隣接した第2露光領域の第2パターン領域とを画定することを特徴とする請求項5に記載のマスクセット。
- 第1ピッチのパターンが形成された第1パターン領域と、第2ピッチのパターンが形成された第2パターン領域と、を画定するマスクセットにおいて、
前記第1パターン領域を画定する第1ハーフトーンパターンが形成された第1露光領域と、少なくとも第2パターン領域の一部分を覆う第1遮光膜が形成された第1スクリーン領域に区分された第1マスクレイヤと、
前記第2パターン領域を画定する第2ハーフトーンパターンが形成された第2露光領域と、少なくとも前記第1パターン領域の一部を覆う第2遮光膜が形成された第2スクリーン領域とを含み、前記第2遮光膜が前記第2スクリーン領域から伸張されて前記第2ハーフトーンパターンの一部分を覆う第2マスクレイヤと、を含むことを特徴とする半導体素子用マスクセット。 - 前記第1露光領域と前記第2露光領域は所定幅だけオーバーラップされてオーバーラップ領域を画定することを特徴とする請求項7に記載の半導体素子用マスクセット。
- 前記オーバーラップ領域は所定幅より小さいことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子用マスクセット。
- 前記第2ハーフトーンパターンが前記第2遮光膜で覆われた部分は前記オーバーラップ領域の広さの少なくとも2倍であることを特徴とする請求項8に記載のマスクセット。
- 前記第2ピッチは前記第1ピッチより大きいことを特徴とする請求項8に記載のマスクセット。
- 前記第1ハーフトーンパターンは周期的に繰り返されるパターンを画定し、前記第2ハーフトーンパターンは不規則なパターンを画定することを特徴とする請求項8に記載のマスクセット。
- 半導体記憶装置の製造でセルアレイ領域と周辺回路領域とを画定するマスクセットにおいて、
セルアレイ領域を画定する第1ハーフトーンパターンと、周辺回路領域を覆う第1遮光膜と、を含む第1マスクレイヤと、
周辺回路領域を画定する第2ハーフトーンパターンと、セルアレイ領域及び前記第2ハーフトーンパターンの一部分を覆う遮光膜とを含む第2マスクレイヤと、を含むことを特徴とするマスクセット。 - 前記第1ハーフトーンパターンは第1露光領域に位置し、前記第2ハーフトーンパターンは第2露光領域に位置し、第1露光領域と第2露光領域はオーバーラップされてオーバーラップ領域を画定することを特徴とする請求項13に記載のマスクセット。
- 前記第2ハーフトーンパターンが前記第2遮光膜で覆われた部分は前記オーバーラップ領域の広さの少なくとも2倍であることを特徴とする請求項14に記載のマスクセット。
- 前記第1ハーフトーンマスクの所定領域は、前記オーバーラップ領域であって前記第2ハーフトーンパターンとオーバーラップされない領域であることを特徴とする請求項14に記載のマスクセット。
- 前記第1露光領域は前記セルアレイ領域に隣接した周辺回路領域の一部まで伸張されたことを特徴とする請求項14に記載のマスクセット。
- 前記第1ハーフトーンパターンは周期的に繰り返されたパターンを画定し、前記第2ハーフトーンパターンは不規則なパターンを画定することを特徴とする請求項13に記載のマスクセット。
- 第1パターン領域と第2パターン領域で構成されたパターンを画定するマスクセットの製造方法において、
第1マスク基板に第1ハーフトーン膜を形成する段階と、
前記第1ハーフトーン膜上に第1遮光膜を形成する段階と、
前記第1ハーフトーン膜及び前記第1遮光膜をパターニングして、第1パターン領域が画定された第1露光領域と第2パターン領域を覆う第1スクリーン領域を含む第1マスクレイヤを形成する段階と、
第2マスク基板に第2ハーフトーン膜を形成する段階と、
前記第2ハーフトーン膜上に第2遮光膜を形成する段階と、
前記第2ハーフトーン膜及び前記第2遮光膜をパターニングして第2パターン領域が画定された第2露光領域と第1パターン領域を覆う第2スクリーン領域を含む第2マスクレイヤを形成する段階と、
前記第1露光領域の前記第1遮光膜を除去する段階と、
前記第2遮光膜が前記第2スクリーン領域から前記第2露光領域まで伸張されるように、前記第2露光領域の一部の前記第2遮光膜を除去する段階と、を含むことを特徴とするマスクセット製造方法。 - 前記第1露光領域と前記第2露光領域を部分的にオーバーラップしてオーバーラップ領域を画定することを特徴とする請求項19に記載のマスクセット製造方法。
- 前記第2遮光膜を含む前記第2露光領域は前記オーバーラップ領域の広さの少なくとも2倍であることを特徴とする請求項20に記載のマスクセット製造方法。
- 前記第1パターン領域は第1ピッチを有し、前記第2パターン領域は前記第1ピッチより大きい第2ピッチを有することを特徴とする請求項19に記載のマスクセット製造方法。
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