JP2008085338A - オプトエレクトロニクス素子を製造する方法及びオプトエレクトロニクス素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の特定の実施形態の少なくとも１つの課題は、イオンアシスト適用法を含むオプトエレクトロニクス素子の製造方法を提供することである。さらに、本発明の特定の実施形態のもう１つの課題は、オプトエレクトロニクス素子を提供することである。
【解決手段】前記課題は、Ａ）少なくとも１つの活性領域を有する半導体層列を設け、該活性領域は動作中に電磁放射を放出するのに適した領域であるステップと、Ｂ）前記半導体層列の第１の表面上に、イオンアシスト適用法によって少なくとも１つの層を適用するステップとによって解決される。
【選択図】図１
【解決手段】前記課題は、Ａ）少なくとも１つの活性領域を有する半導体層列を設け、該活性領域は動作中に電磁放射を放出するのに適した領域であるステップと、Ｂ）前記半導体層列の第１の表面上に、イオンアシスト適用法によって少なくとも１つの層を適用するステップとによって解決される。
【選択図】図１
Description
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００６０４５４３９．１号及び１０２００６０５４０６９．７号の優先権を主張するものであり、その開示内容は引用によって本願に含まれるものとする。
本発明は、請求項１の上位概念に記載のオプトエレクトロニクス素子の製造方法と、請求項１６および１７の上位概念に記載のオプトエレクトロニクス素子とに関する。
たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオードまたはフォトダイオード等であるオプトエレクトロニクス半導体チップはたとえばコンパクトであり低コストの製造が可能であるため、このようなオプトエレクトロニクス半導体チップはますます、たとえば照明技術、プロジェクション、データ記憶または印刷技術におけるアプリケーションの重要な構成要素になってきている。たとえば経年安定性のレーザダイオードまたはＬＥＤの製造は、特殊な技術的挑戦である。
M. Okayasu, M. Fukuda, T. Takeshita, S. Uehara, K. Kurumadaによる『"Facet oxidation of InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers』（J. Appl, Phys., Volume 69, 1991）第８３４６〜８３５１頁によれば、たとえばエッジ発光型のＧａＡｓレーザの場合、光誘発されたレーザファセットの酸化によって吸収損失が引き起こされ、ひいては加熱が引き起こされることにより、レーザファセットが熱破壊され（cathastrophic optical damage）、ひいては部品破壊にも繋がる。
さらに、V. Kuemmler, A. Lell, V. Haerle, U. T. Schwarz, T. Schoedl, W. Wegscheiderによる『Gradual facet degradation of (Al,In)GaN quantum well lasers』（Applied Physics Letters, Volume 84, Number 16, 2004）第２９８９〜２９９１頁と、T. Schoedl, U. T. Schwarz, S. Miller, A. Leber, M. Furitsch, A. Lell, V. Haerleによる『Facet degradation of (Al,In)GaN heterostructure laser diodes』（Phys. stat. sol. (a), Volume 201、第１２号、２００４年）第２６３５〜２６３８頁とから、レーザファセットがパッシベーションされていないＡｌＩｎＧａＮレーザの場合、湿気中で動作すると、部品の劣化の促進が観察されることが公知になっている。
たとえば、レーザダイオードをたとえば気密封止されたケーシング内に、保護ガスを使用して取り付けることができる。しかし、ケーシングを開けると激しい部品劣化が引き起こされる。また、このような気密封止されたケーシングではたとえば、取り付けの手間の増大に付随する付加的コストの上昇と、数多くのアプリケーションでは構成形状サイズと別の光学的構成要素の組み込みとに関してフレキシビリティに制限があるため、このようなケーシングは不利にもなる。
『"Facet oxidation of InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers』（M. Okayasu, M. Fukuda, T. Takeshita, S. Uehara, K. Kurumada著、J. Appl, Phys., Volume 69, 1991）第２９８９〜２９９１頁 『Gradual facet degradation of (Al,In)GaN quantum well lasers』（V. Kuemmler, A. Lell, V. Haerle, U. T. Schwarz, T. Schoedl, W. Wegscheider著、Applied Physics Letters, Volume 84, Number 16, 2004）第２９８９〜２９９１頁 『Facet degradation of (Al,In)GaN heterostructure laser diodes』（T. Schoedl, U. T. Schwarz, S. Miller, A. Leber, M. Furitsch, A. Lell, V. Haerle著、Phys. stat. sol. (a), Volume 201、第１２号、２００４年）第２６３５〜２６３８頁 Appl. Phys. Lett. 63 (16), I. Schnitzer等 著、１９９３年１０月１８日, 2174-2176
『"Facet oxidation of InGaAs/GaAs strained quantum-well lasers』（M. Okayasu, M. Fukuda, T. Takeshita, S. Uehara, K. Kurumada著、J. Appl, Phys., Volume 69, 1991）第２９８９〜２９９１頁 『Gradual facet degradation of (Al,In)GaN quantum well lasers』（V. Kuemmler, A. Lell, V. Haerle, U. T. Schwarz, T. Schoedl, W. Wegscheider著、Applied Physics Letters, Volume 84, Number 16, 2004）第２９８９〜２９９１頁 『Facet degradation of (Al,In)GaN heterostructure laser diodes』（T. Schoedl, U. T. Schwarz, S. Miller, A. Leber, M. Furitsch, A. Lell, V. Haerle著、Phys. stat. sol. (a), Volume 201、第１２号、２００４年）第２６３５〜２６３８頁 Appl. Phys. Lett. 63 (16), I. Schnitzer等 著、１９９３年１０月１８日, 2174-2176
本発明の特定の実施形態の少なくとも１つの課題は、イオンアシスト適用法を含むオプトエレクトロニクス素子の製造方法を提供することである。さらに、本発明の特定の実施形態のもう１つの課題は、オプトエレクトロニクス素子を提供することである。
前記課題は、独立請求項である請求項１の特徴を有する方法と、独立請求項である請求項１６および１７の特徴を有する構成とによって解決される。
従属請求項に本方法および本構成の有利な実施形態および発展形態が規定されており、また以下の説明および図面にも記載されている。
本発明の少なくとも１つの実施形態によるオプトエレクトロニクス素子の製造方法は、とりわけ以下のステップを有する：
Ａ）少なくとも１つの活性領域を有する半導体層列を設け、該活性領域は動作中に電磁放射を放出するのに適した領域であるステップ。
Ａ）少なくとも１つの活性領域を有する半導体層列を設け、該活性領域は動作中に電磁放射を放出するのに適した領域であるステップ。
Ｂ）前記半導体層列の第１の表面上に、イオンアシスト適用法によって少なくとも１つの層を適用するステップ。
前記半導体層列の活性領域は動作中に、とりわけ紫外線〜赤外線の波長領域にあるスペクトルを有する電磁放射を生成することができる。とりわけ前記スペクトルは、たとえば１つの波長であるスペクトル成分を有するか、または波長領域内にあるスペクトル成分を有することができる。さらに前記スペクトルは、異なる波長または波長領域を有する１つまたは複数のスペクトル成分を含むことができる。
別の実施形態では、半導体層列はエピタクシー層列として形成するか、またはエピタクシー層列を有する放射放出半導体チップとして、すなわちエピタキシャル成長によって形成された半導体層列として構成することができる。ここでは半導体層列は、たとえば無機材料をベースとして、たとえばＩｎＧａＡｌＮをベースとして形成することができ、たとえばＧａＮ薄膜半導体チップを形成することができる。ＩｎＧａＡｌＮベースの半導体チップにはとりわけ、通常は異なる個々の層から成る層列を有するエピタクシー形成された半導体層列が、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮのIII‐Ｖ化合物半導体材料系から成る材料を有する個層を少なくとも１つ有する半導体チップが含まれる。ここでは、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１およびｘ＋ｙ≦１である。ＩｎＧａＡｌＮをベースとする少なくとも１つの活性層を有する半導体層列はたとえば、有利には紫外線〜緑色の波長領域にある１つまたは複数のスペクトル成分を有する電磁放射を放出する。
択一的または付加的に半導体層列は、ＩｎＧａＡｌＰをベースとすることもできる。すなわち半導体層列は、異なる個層を有することができ、そのうち少なくとも１つの個層は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＰのIII‐Ｖ化合物半導体材料系から成る材料を有することができ、ここでは０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１およびｘ＋ｙ≦１である。ＩｎＧａＡｌＰをベースとする少なくとも１つの活性層を有する半導体層列はたとえば、有利には緑色〜赤色の波長領域にある１つまたは複数のスペクトル成分を有する電磁放射を放出する。
択一的または付加的に半導体層列は別のIII‐Ｖ化合物半導体材料を有することもでき、たとえばＡｌＧａＡｓベースの材料を有するか、またはII‐VI化合物半導体材料系を有することができる。とりわけ、ＡｌＧａＡｓベースの材料を含む活性層は、赤色〜赤外線の波長領域にある１つまたは複数のスペクトル成分を有する電磁放射を放出するのに適している。
別の実施形態では、半導体層列または放射放出半導体チップは薄膜半導体チップとして構成される。薄膜半導体チップは、とりわけ以下の特徴を有する：
‐放射を発生するエピタキシャル層列において担体エレメントの方に向いた側に位置する第１の主面に反射層が被着または形成されており、この反射層はエピタキシャル層列において発生した電磁放射の少なくとも一部分をこのエピタキシャル層列に反射して戻す。
‐放射を発生するエピタキシャル層列において担体エレメントの方に向いた側に位置する第１の主面に反射層が被着または形成されており、この反射層はエピタキシャル層列において発生した電磁放射の少なくとも一部分をこのエピタキシャル層列に反射して戻す。
‐エピタキシャル層列は、２０μｍ以下の領域とりわけ１０μｍの領域にある厚さを有している。
‐エピタキシャル層列には、混合構造をもつ少なくとも１つの面を備えた少なくとも１つの半導体層が含まれており、理想的なケースではこの混合構造によりエピタキシャル層列内に近似的に光のエルゴード分布を生じさせる。つまりこの分布は、可能な限りエルゴード的に確率論的な散乱特性を有している。
この種の薄膜半導体チップの原理については、たとえばI. Schnitzer等によるAppl. Phys. Lett. 63 (16), １９９３年１０月１８日, 2174-2176に記載されている。この刊行物の開示内容は、引用によって本願の開示内容とする。
半導体層列は活性領域としてたとえば、従来のｐｎ接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）あるいは多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有することができる。半導体層列は活性領域の他に、別の機能層および機能領域も有することができ、たとえばｐドーピングまたはｎドーピングされた電荷担体輸送層、すなわち電子輸送層または正孔輸送層、および／または、ｐドーピングまたはｎドーピングされた閉じ込め層、および／または、ｐドーピングまたはｎドーピングされたクラッド層、および／または、成長基板または担体基板、および／またはバッファ層および／または保護層および／または電極を有するか、またはこれらの組み合わせを有することができる。活性領域または別の機能層および別の機能領域に関するこのような構造は、当業者にはとりわけ、構成、機能および構造に関して公知であるから、ここでは詳細に説明しない。
本方法の１つの実施形態では、半導体層列は２つの主面を有する。これらの主面はたとえば、半導体層列の最上部と最下部とに配置された層の、半導体層列とそれぞれ反対側の面によって成された面である。とりわけ主面は、半導体層の主延在面に対して垂直方向の半導体層列の境界面であり、ひいては半導体層列の成長方向の境界面である。さらに半導体層列は、次のような側面を有することができる。すなわち、前記２つの主面に接し、半導体層列を主延在面に対して平行な方向に、すなわち横方向に制限する側面を有することができ、とりわけ第１の表面はこのような側面を有するか、またはこのような側面とすることができる。その際にはとりわけ、第１の表面を活性領域に隣接させることができる。択一的または付加的に、第１の表面は主面を有するかまたは主面とすることができる。
本方法の別の実施形態では半導体層列は放射出射面を有し、この放射出射面を介して、活性層で動作中に生成された電磁放射を放射することができる。特に有利には、第１の表面は放射出射面を有するか、または放射出射面とされる。たとえば半導体層列は、エッジ放出型のレーザダイオードまたは側面発光型のＬＥＤとし、放射出射面が側面を有するかまたは放射出射面を側面とすることができる。さらに、放射出射面はたとえば２つの側面を有することができ、この２つの側面は有利には、半導体層列の有利には２つの相互に対向する側面によって形成される。さらに、放射出射面はたとえば、複数の側面またはすべての側面を有することができる。択一的に、半導体層列を垂直放出型のレーザダイオード（「ＶＣＳＥＬ」）とするか、または少なくとも１つの主面を介して放出するＬＥＤとすることができる。したがって、放射出射面は主面を有するか、または放射出射面を主面とすることができると言える。
本方法の別の実施形態では、第１の表面は半導体層列のすべての側面を有する。したがってステップＢ）では、層は半導体層列のすべての側面に適用される。択一的または付加的に、第１の表面は１つの主面を含むか、または両主面を含むことができる。たとえば、半導体層列がＬＥＤまたはレーザダイオードであるか、またはＬＥＤまたはレーザダイオードを含む場合、半導体層列のすべての側面に層を適用することは有利である。ここでは前記層によって、たとえばチップエッジまたはメサエッジにおいて、とりわけ活性領域の領域において、漏れ電流経路および／またはＥＳＤ破壊および／または経年作用を低減または阻止することができる。
本方法の別の有利な実施形態は別のステップＣ）を有し、このステップＣ）では、第２の表面に少なくとも１つの層をイオンアシスト適用法によって適用する。この第２の表面は、半導体層列の第１の表面と反対側の面に配置されている。
このことはとりわけ、半導体層列の第１の表面に対向する第２の表面上に層が適用されることを意味することができる。たとえば、第２の表面は側面および／または放射出射面を有するか、または側面および／または放射出射面とすることができる。さらに、第２の表面を活性層に隣接させることもできる。
本方法の別の実施形態では、ステップＢ）で適用される層は、ステップＣ）で適用される層と異なる。その際には、ステップＢ）およびＣ）を連続して実施することができる。択一的に、ステップＢ）およびＣ）でそれぞれ適用される層を同一にすることができる。すなわち、これらの層は同一の材料を含み、かつ／または等しい厚さを有することができる。その際には、ステップＢ）およびＣ）を同時に実施することもできる。
本方法の特に有利な実施形態では、ステップＢ）で第１の表面に、酸化物を有するかまたは酸化物である層を適用する。この酸化物はとりわけ、金属酸化物および／または半金属酸化物である。この層はたとえば、湿気および／または酸素等の酸化性の物質が第１の表面と接触するのを阻止するのに適した層とすることができる。このことにより、前記層によって第１の表面の酸化および／または劣化を低減または阻止することができる。択一的または付加的に、ステップＢ）で第１の表面に適用される層は、たとえば窒化物を有することもできる。
さらに、ステップＢ）で第１の層に適用される層および／またはステップＣ）で第２の表面に適用される層は光学的特性を有することができ、たとえば動作中に活性層で生成された電磁放射に対して透過性または反射性を有することができる。ここではたとえば第１の表面には、第２の表面に適用される層の反射性および／または透過性と異なる反射性および／または透過性を有する層が適用される。
本方法の別の実施形態では、複数の層をステップＢ）において第１の表面に適用し、かつ／または、ステップＣ）において第２の表面に適用する。このことは、第１の層および第２の層が適用される場合に特に有利である。第１の層および第２の層は層対を構成することができる。さらに、複数の層対を第１の表面に適用し、かつ／または、複数の層対を第２の表面に適用すると有利である。
特に有利には、第１の層が第１の屈折率を有し第２の層が第２の屈折率を有し第２の屈折率は第１の屈折率と異なる層対を適用することができる。とりわけ、屈折率が異なり厚さがそれぞれ波長の約１／４である第１の層および第２の層を有する層対は、該波長を少なくとも部分的に反射することができる。とりわけ、反射率は層対の数とともに上昇し、所望の反射率を得るために複数の層対を適用し、たとえば２〜１０個の層対を適用することができる。
択一的に、層は波長の約半分の厚さを有するか、または波長の約半分の整数倍の厚さを有することができる。このような層はとりわけ、このような波長に対して少なくとも部分的に透過性とすることができる。その際にはたとえば、有利には波長の半分のたとえば１〜３倍に相応する厚さを有する層を適用することができる。このような層は、パッシベーション層として半導体層列を湿気および／または酸素等の酸化性物質から保護し、所望の透過性を保証するのに適した層とすることができる。
とりわけ「波長の約１／４の厚さ」または「波長の約半分の厚さ」は、電磁放射が層を透過する光路長が波長の約１／４または約半分に相応するように層の厚さが選択されることを意味することができる。この光路長は、層の屈折率と幾何的厚さとの積である。
本方法の別の実施形態では金属酸化物または半金属酸化物は、アルミニウム、シリコン、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオビウムまたはハフニウムを含む。さらに窒化物も、上記金属および半金属のうち少なくとも１つを含むことができ、たとえば窒化シリコンが可能である。特に有利には金属酸化物または半金属酸化物は、五酸化ニオビウム、二酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、二酸化チタン、五酸化タンタルおよび二酸化ジルコニウムのうち少なくとも１つの材料を含む。とりわけ有利なのは、五酸化タンタルおよび／または二酸化ジルコニウムを含むかまたは五酸化タンタルおよび／または酸化ジルコニウムである第１の層と、二酸化シリコンを含むかまたは二酸化シリコンである第２の層とから成る層対を適用することである。
本方法の有利な実施形態ではイオンアシスト適用法は、イオンプレーティング（「ion plating」）または反応性イオンプレーティング（「reactive ion plating」）の特徴を含むか、またはこれらのイオンアシスト適用法である。択一的または付加的にイオンアシスト適用法は、イオンアシスト堆積法（「ion assisted deposition」）および／またはイオンビームアシスト堆積法（「ion beam assited deposition」）および／またはイオンビーム誘発堆積法（「ion beam induced deposition」）の特徴を有するか、またはこれらの適用法のうち１つとすることができる。
イオンアシスト適用法は、次の特徴のうち少なくとも１つを有することができる：
‐たとえばアルゴンおよび／または酸素および／または別の反応性ガスまたは付加的な反応性ガスを有する気体雰囲気を生成する。択一的または付加的にたとえば、酸化物を形成するための酸素ビームを第１の表面および／または第２の表面に当てることもできる。
‐たとえばアルゴンおよび／または酸素および／または別の反応性ガスまたは付加的な反応性ガスを有する気体雰囲気を生成する。択一的または付加的にたとえば、酸化物を形成するための酸素ビームを第１の表面および／または第２の表面に当てることもできる。
‐適用すべき材料、たとえば金属、半金属、酸化物または窒化物を、固体状態から気体状態に移行させる。とりわけ、複数の適用すべき材料は固体混合状態にあることもできる。たとえば蒸発であるこのような移行は、たとえば反応性電子ビーム蒸発によって実施することができ、たとえば気体雰囲気中の低電圧プラズマアークによって実施することができる。
‐適用すべき材料をイオン化し、イオン化された適用すべき材料を電場で半導体層列まで加速することにより、材料は第１の表面および／または第２の表面に適用される。択一的または付加的に、たとえば酸素または別の気体を含むイオン化された気体および／またはイオン化された気体ビームも、適用すべき材料を第１の表面および／または第２の表面まで加速するのに適している。イオン化された酸素気体または酸素ビームを使用することにより、たとえば酸化物の形成が有利になる。
イオンアシスト適用法では、蒸発した適用すべき材料の運動エネルギーが別の蒸着法と比較して高くなるのが有利な点であり、このことにより平均自由距離が長くなる。それによって、別の蒸着法と比較して高い密度を有する層を製造することができる。「別の蒸着法」という表現はここでは、イオンアシスト適用法ではない化学的または物理的な蒸着法を指す。特に有利には、イオンアシスト適用法によって形成される層は、気体または汚染の混入物をごく僅か有さないかまたは全く有さず、このような層の粗度は小さく、別の蒸着法と比較して屈折率が高い。高い密度は、湿度および／または酸素に対する透過性を有利には低減されるかまたは阻止することができる。粗度が小さいということは、活性領域で動作中に生成された電磁放射の散乱損失を低減するかまたは回避するのに有利である。またイオンアシスト適用法によって、第１の表面および／または第２の表面に対する層の付着性、または第１の表面および／または第２の表面に対する別の層の付着性が有利に上昇され、層をより良好に保持することが可能になる。
とりわけ、半導体層列の部分領域にマスクを使用して、半導体層列の該部分領域に材料が適用されるのを回避することができる。
さらに本発明は、上記実施形態のうち少なくとも１つの方法によって形成されるオプトエレクトロニクス素子にも関する。
さらに、本発明の少なくとも１つの実施形態によるオプトエレクトロニクス素子は、以下のものも有する。
‐動作中に電磁放射を放出するのに適した領域である少なくとも１つの活性領域を有する半導体層列。
‐少なくとも１つの表面上にある少なくとも１つの層。この層は、イオンアシスト適用法によって製造され、金属酸化物および／または半金属酸化物を含む。
とりわけイオンアシスト適用法は、上記に記載された実施形態のうち１つの実施形態にしたがって実施される。
有利な実施形態では、層または層の少なくとも１つの部分領域は、たとえば凹入部または上昇部等のトポグラフィー表面構造によって形成された粗度を有する。この層は、半導体層列に対向する面および／または半導体層列と反対側の面に粗度を有することができる。とりわけ、最も高いトポグラフィー表面構造部と最も低いトポグラフィー表面構造部との差、すなわち両トポグラフィー構造部の高さの最大差が、ピークトゥピーク粗度を定義することができる。この層または層の部分領域のピークトゥピーク粗度は約４ｎｍ未満とすることができ、有利には約２ｎｍ以下であり、特に有利には約１ｎｍ以下である。
別の有利な実施形態では、層は２．２５以上の屈折率を有する。とりわけ層は五酸化タンタルまたは二酸化ジルコニウムを有することができる。屈折率は有利には、約３９０ｎｍ〜約４３０ｎｍの波長領域にある電磁放射に対する屈折率を意味することができる。
別の実施形態では、表面は半導体層列の少なくとも１つの側面を有する。この側面はたとえば、半導体層列の活性層に隣接する。とりわけ表面は、活性領域で生成された電磁放射に対する光出射面とすることができる。
以下で図１Ａ〜３Ｂに関連して記載した実施形態から、本発明のさらなる利点、有利な実施形態および発展形態を理解できる。
実施例および図面において、同じ構成要素または同機能の構成要素にはそれぞれ同じ参照符号を付してある。ここに図示された要素および該要素相互間のサイズ比は、基本的に拡大比率どおりであると見なすべきではない。むしろ、たとえば層、構成部分、構成要素および領域等は、より良好に見やすくし、かつ／または理解しやすくするため、過度に厚く、ないしは過度に大きく図示されていることがある。
図１Ａ〜１Ｃに示された実施例では、オプトエレクトロニクス素子１００の製造方法の異なる段階が示されている。
図１Ａは、第１のステップで設けられる半導体層列１０を示す。半導体層列１０は、基板１上に成長したエピタクシー層列２を有し、このエピタクシー層列２は活性領域２０を有する。択一的に基板１は、薄膜半導体層列１０に対する担体基板とすることもできる。半導体層列１０は２つの電気的コンタクト３，４によって電気的にコンタクトされ、動作することができる。電気的コンタクト３は有利には、ｎ導電型のコンタクトないしはｎ導電型の電極として形成され、電気的コンタクト４はｐ導電型コンタクトないしはｐ導電型電極として形成される。択一的に、電気的コンタクト４をｎ導電型として形成し、電気的コンタクト３をｐ導電型として形成することもできる。これに相応してエピタクシー層列２は、ｎ導電型およびｐ導電型の層および領域も有する。活性領域２０は、動作中に電磁放射を放出するのに適したものである。半導体層列２の材料および活性領域２０の構造は、本明細書の全般的な部分に挙げられた１つまたは複数の実施形態にしたがって形成することができる。とりわけ半導体層列１０は、側面１１０，１２０と、少なくとも部分的に主面１３０とを含む第１の表面を有する。
半導体層列１０はたとえばＬＥＤ用の半導体層列とすることができ、ＬＥＤはここではたとえば、側面１１０，１２０および／または主面１３０を含む放射出射面を有する。択一的に、半導体層列１０はレーザダイオード用の半導体層列とすることができる。
図１Ｂには上記実施例の別のステップにしたがい、第１の表面すなわち側面１１０，１２０および主面１３０への層５０（図１Ｃに示されている）の適用５００が示されている。層５０を第１の表面にのみ適用するためには、たとえばマスクを使用する（図示されていない）。ここでは層５０はイオンアシスト適用法によって、とりわけイオンプレーティング法または反応性イオンプレーティング法によって適用される。こうするためには半導体層列１０は有利にはアルゴン雰囲気内に配置され、このアルゴン雰囲気内で低電圧プラズマアークにより、たとえばタンタルまたは五酸化タンタルが蒸発されてイオン化され、電場および／または付加的な酸素ビーム（Sauerstoffstahl）によって側面１１０，１２０と主面１３０とに適用され、五酸化タンタルを含む層として形成される。前記酸素ビームもまた、イオン化することができる。択一的に、たとえば二酸化シリコン層または酸化ジルコニウム層を適用することもできる。層５０はとりわけパッシベーションに使用される。すなわち層５０は、湿度と、たとえば酸素等の酸化性物質に対して透過性が低い。
図１Ｃに示されているようにオプトエレクトロニクス素子１００は、パッシベーション層として形成された層５０を有する半導体層列１０を備えている。層５０は特に有利には、活性領域２０で生成される電磁放射の波長の約１．５倍の厚さを有し、含有物または不純物を有さない高い層均質性を有する。層５０はエピタクシー層列２および活性領域２０に隣接しているので、とりわけ活性領域２０およびエピタクシー層２は、湿度とたとえば酸素等である酸化性物質から保護される。さらに、たとえば漏れ電流またはＥＳＤ破壊等の不利な作用および経年作用が低減されるかまたは阻止される。
図２Ａに、実施例の概略的な立体図が示されており、第１のステップでエッジ放出型レーザダイオードとして形成された、いわゆる「リッジ導波路レーザ」（Ridge-Waveguide Laser）用の半導体層列１０が示されている。半導体層列１０は第１の表面２１０と第２の表面２２０とを有し、これらは放射出射面として形成されている。後続のステップで、半導体層列１０が設けられた後に半導体層列１０上に、とりわけ側面２４０，２５０および／または主面２３０上に、上記の実施例によるパッシベーション層を適用することができる。
図２Ｂに、図２Ａに示された切断線Ａ１に沿って切断された半導体層列１０の断面が概略的に示されている。後続のステップ５０１および５０２で、第１の表面２１０および第２の表面２２０上にイオンアシスト適用法によってそれぞれ、複数の層対５１，５２が適用される（図２Ｃに示されている）。複数の層対５１は、それぞれ第１の層５１１と第２の層５１２とを有する層対を含む。第１の層５１１は五酸化タンタルまたは酸化亜鉛を含むかまたは五酸化タンタルまたは酸化亜鉛から成り、第２の層５１２は二酸化シリコンを含むかまたは二酸化シリコンである。第２の表面２２０上の複数の層対５２は、それぞれ第１の層５２１と第２の層５２２とを有する層対を有する。これら第１の層５２１および第２の層５２２は、第１の表面上の複数の層対５１のうち幾つかの層対と同じである。とりわけ、ステップ５０１および５０２は部分的に同時に実施することができる。
図２Ｃは、このようにして製造されたオプトエレクトロニクス素子２００の図２Ｂと同じ断面を示している。第１の層５１１，５２１および第２の層５１２，５２２は、半導体層列１０の活性領域で生成された電磁放射の波長の約１／４の層厚さを有する。これにより、双方の複数の層対５１，５２はそれぞれ、活性領域で生成された電磁放射に対して反射性を有する。それぞれの反射性は、オプトエレクトロニクス素子２００に対する要求に相応して選択することができる。たとえば複数の層対５１は、少なくとも９０％の反射性に対応する層対を約５つ有するか、または少なくとも９９％の反射性に対応する層対を約７〜１０個有する。複数の層対５１は透過性も有することにより、半導体層列１０の活性領域で生成された電磁放射の僅かな割合が第１の表面２１０および複数の層列５１を介して放出されるようにすることもできる。この僅かな割合はたとえば、生成された電磁放射の出力安定化または周波数安定化のための監視信号として使用することができる。
第２の表面２２０上の複数の層対５２が有する層対は有利には、第１の表面２１０上の複数の層対５１より少なく、たとえば約２つまたは１つである。このことにより、第２の表面２２０および複数の層対５２を介して、半導体層列１０の活性領域で生成された電磁放射の一部が放出されると同時に、別の一部分は活性領域へ反射し戻されることにより、半導体層列１０のレーザ動作を支援することができる。
択一的に、第２の表面２２０上に複数の層対５２を設ける代わりに、パッシベーション層である層を１つだけ、イオンアシスト適用法によって適用することもできる。
その際には、上記の実施例で適用された層対は、図３Ａで説明されるような特性を有する。
図３Ａおよび３Ｂは、それぞれ第１の層５１１，６１１と第２の層５１２，６１２とを有する層対の一部分の透過顕微鏡写真を２つずつ示す。図３Ａに示された層対はイオンプレーティングによって製造されたのに対し、図３Ｂの層対は、イオンアシスト式でない別の蒸着法によって製造されたものである。図３Ａの写真の拡大率と図３Ｂの写真の拡大率はほぼ等しい。第１の層５１１，６１１はそれぞれ五酸化タンタル層を有し、第２の層５１２，６１２はそれぞれ二酸化シリコン層を有する。これらの層はそれぞれＧａＮ基板６１０上に設けられており、このＧａＮ基板６１０は図３Ｂの写真でも見られる。
図３Ａの写真に示されている、イオンプレーティング法によって形成された第１の層５１１および第２の層５１２のピークトゥピーク粗度は、層境界面では１ｎｍ未満と小さい。また、第１の層５１１および第２の層５１２は識別可能な混入物を有さず、写真中の均質な着色からも識別できるように、それぞれ非常に均質な密度を有する。第１の層５１１における楕円偏光計測定により、約３９０ｎｍ〜約４３０ｎｍの波長の場合には屈折率は２．２５であることが判明した。
それに対し、イオンアシスト方式でない蒸着法によって形成された図３Ｂの層対は、第１の層６１１と第２の層６１２との層境界面で、約４ｎｍのピークトゥピーク粗度を有する。さらに、図中の写真において層の着色が均質でないことから、混入物および汚染物による各層における密度差が認められる。第１の層６１１の屈折率は、約３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの波長では約２．０８しかない。このことにより、密度は図３Ａの層５１１より小さいことが推定できる。
したがって、図３Ａに示された均質な第１の層５１１および第２の層５１２を有する層列を製造するためにイオンプレーティング法を実施することにより、均質かつより高い密度によって、イオンアシスト方式でない蒸着法によって形成された層列より湿度および酸素のバリア特性が改善されかつ光学的特性が改善された層対を製造することができる。
本発明は、実施例に基づく発明の詳細な説明によってこれらの実施例に制限されるものではなく、むしろ本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴のあらゆる組み合わせが含まれる。このことはこのような特徴又はこのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていない場合であっても当てはまる。
１ 基板
２ エピタクシー層列
３，４ 電気的コンタクト
１０ 半導体層列
２０ 活性領域
５０ 層
１１０，１２０ 側面
５００ 層の適用
２１０ 第１の表面
２２０ 第２の表面
２３０ 主面
２４０，２５０ 側面
５１１，６１１ 第１の層
５１２，６１２ 第２の層
２ エピタクシー層列
３，４ 電気的コンタクト
１０ 半導体層列
２０ 活性領域
５０ 層
１１０，１２０ 側面
５００ 層の適用
２１０ 第１の表面
２２０ 第２の表面
２３０ 主面
２４０，２５０ 側面
５１１，６１１ 第１の層
５１２，６１２ 第２の層
Claims (23)
- オプトエレクトロニクス素子の製造方法において、
Ａ）動作中に電磁放射を放出するのに適した少なくとも１つの活性領域（２０）を有する半導体層列（１０）を設けるステップと、
Ｂ）該半導体層列（１０）の第１の表面（１１０，２１０）上に少なくとも１つの層（５０）をイオンアシスト適用法によって適用するステップ（５００，５０１）
とを有することを特徴とする製造方法。 - 前記第１の表面は前記半導体層列の側面（１１０）である、請求項１記載の製造方法。
- 前記第１の表面は前記活性領域（２０）に隣接する、請求項１または２記載の製造方法。
- 前記第１の表面は放射出射面を含む、請求項１から３までのいずれか１項記載の製造方法。
- 前記ステップＢ）において金属酸化物および／または半金属酸化物を適用する、請求項１から４までのいずれか１項記載の製造方法。
- 前記ステップＢ）において窒化物を適用する、請求項１から５までのいずれか１項記載の製造方法。
- 前記ステップＢ）において、第１の層（５１１）と第２の層（５１２）とを層対として適用する、請求項１から６までのいずれか１項記載の製造方法。
- 複数の層対（５１）を適用する、請求項１から７までのいずれか１項記載の製造方法。
- 前記金属酸化物または半金属酸化物は、
・五酸化ニオビウムと、
・酸化ハフニウムと、
・酸化アルミニウムと、
・二酸化シリコンと、
・二酸化チタンと、
・五酸化タンタルと、
・二酸化ジルコニウム
とから成る群のうち少なくとも１つの材料を含む、請求項５記載の製造方法。 - 前記窒化物は窒化シリコンを含む、請求項６記載の製造方法。
- 第１の層（５１１）として五酸化タンタルおよび／または二酸化ジルコニウムを適用し、第２の層（５１２）として二酸化シリコンを適用する、請求項７または８記載の製造方法。
- さらに別のステップとして、
Ｃ）前記半導体層列（１０）の前記第１の表面（２１０）と反対側に位置する第２の表面（２２０）上に、少なくとも１つの層をイオンアシスト適用法によって適用するステップ（５０２）
を有する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の製造方法。 - 前記ステップＢ）で適用される少なくとも１つの層は、前記ステップＣ）で適用される層と異なる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の製造方法。
- 前記ステップＢ）およびＣ）を同時に実施する、請求項１２記載の製造方法。
- 前記ステップＢ）において、層をすべての側面に適用する、請求項２から１１までのいずれか１項記載の製造方法。
- 前記イオンアシスト適用法は、イオンプレーティング法または反応性イオンプレーティング法である、請求項１から１５までのいずれか１項記載の製造方法。
- 請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法によって形成されたことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
- オプトエレクトロニクス素子において、
・動作中に電磁放射を放出するのに適した少なくとも１つの活性領域（２０）を有する半導体層列（１０）と、
・少なくとも１つの表面（１１０，１２０，１３０）上に、イオンアシスト適用法によって形成された少なくとも１つの層（５０）
とを有し、
該少なくとも１つの層（５０）は金属酸化物および／または半金属酸化物を含むことを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。 - 前記少なくとも１つの層（５０）は、約４ｎｍより小さいピークトゥピーク粗度を有する、請求項１８記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記層（５０）は２．２５以上の屈折率を有する、請求項１８または１９記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記表面は、前記半導体層列の側面（１１０，１２０）を含む、請求項１８から２０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記側面（１１０，１２０）は前記活性層（２０）に隣接する、請求項１７から２１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記表面は光出射面を含む、請求項１８から２２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
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