JP2008059641A - 磁気ヘッドおよび記録媒体駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】スライダ本体に対する読み出し配線の容量を簡単に調整することができる磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】下部シールド層54や上部シールド層53は読み出し素子52に電気接続される。下部シールド層54や上部シールド層53は読み出し配線を構成する。下部シールド層54およびスライダ本体31の間には第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bが配置される。第2絶縁層51bは、第1絶縁層51aの第1比誘電率と異なる第2比誘電率を有する。第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの比誘電率や厚みが調整されれば、絶縁層51の比誘電率は変化する。下部シールド層54およびスライダ本体31の間で容量は変化する。スライダ本体31に対する読み出し配線の容量は簡単に調整される。例えば読み出し配線の容量は相互に合わせ込まれる。スライダ本体31でノイズが発生しても、高い精度で磁気情報が読み出されることができる。
【選択図】図4
【解決手段】下部シールド層54や上部シールド層53は読み出し素子52に電気接続される。下部シールド層54や上部シールド層53は読み出し配線を構成する。下部シールド層54およびスライダ本体31の間には第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bが配置される。第2絶縁層51bは、第1絶縁層51aの第1比誘電率と異なる第2比誘電率を有する。第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの比誘電率や厚みが調整されれば、絶縁層51の比誘電率は変化する。下部シールド層54およびスライダ本体31の間で容量は変化する。スライダ本体31に対する読み出し配線の容量は簡単に調整される。例えば読み出し配線の容量は相互に合わせ込まれる。スライダ本体31でノイズが発生しても、高い精度で磁気情報が読み出されることができる。
【選択図】図4
Description
本発明は、例えばハードディスク駆動装置(HDD)といった記録媒体駆動装置に組み込まれる磁気ヘッドに関する。
例えばHDDのヘッドスライダでは、スライダ本体の空気流出側端面にヘッド素子内蔵膜が積層される。ヘッド素子内蔵膜には磁気ヘッドが埋め込まれる。磁気ヘッドは読み出しヘッドを備える。読み出しヘッドは、下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に電気接続される例えばトンネル接合磁気抵抗効果(TMR)素子とを備える。下部シールド層および上部シールド層には引き出し線が個別に電気接続される。引き出し線および下部シールド層で一方の読み出し配線が構成される。引き出し線および上部シールド層で他方の読み出し配線が構成される。
特許第2741837号公報
ヘッドスライダではスライダ本体はグラウンドとして機能する。スライダ本体に対して読み出し配線の容量が特定される。スライダ本体では例えば外部からの電磁波に基づきノイズが発生する。仮に一方の読み出し配線の容量と他方の読み出し配線の容量とが異なる場合、ノイズの発生に基づき読み出し配線同士の間で電位差が生じてしまう。この電位差がTMR素子の抵抗変化に基づく電位差と重なると、TMR素子の抵抗変化は正確に検出されることができない。磁気情報は正確に読み出されることができない。
その一方で、読み出し配線同士の間で容量が等しく設定されると、ノイズの発生にも拘わらず読み出し配線同士の間で電位差は生じない。こういった容量の設定にあたって、従来のヘッドスライダでは例えば上部シールドおよびスライダ本体の距離が変更される。こうして容量は等しく設定されることができる。しかしながら、距離の変更はヘッドスライダの浮上量や磁気特性の変更を引き起こす。ヘッドスライダは大幅に設計し直されなければならない。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、スライダ本体に対する読み出し配線の容量を簡単に調整することができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第1発明によれば、スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子とを備え、下部シールド層およびスライダ本体の間には、第1比誘電率を有して第1厚みに形成される第1絶縁層と、第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有して第2厚みに形成される第2絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッドが提供される。
こうした磁気ヘッドでは、下部シールド層や上部シールド層は読み出し素子に電気接続される。こうして下部シールド層や上部シールド層はともに読み出し配線を構成する。下部シールド層およびスライダ本体の間には第1絶縁層および第2絶縁層が配置される。第2絶縁層は、第1絶縁層の第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有する。こうして第1絶縁層および第2絶縁層の比誘電率や厚みが調整されれば、下部シールド層およびスライダ本体の間で絶縁層の比誘電率は変化する。その結果、下部シールド層およびスライダ本体の間で容量は変化する。こうしてスライダ本体に対する読み出し配線の容量は簡単に調整されることができる。例えば読み出し配線の容量は相互に合わせ込まれることができる。スライダ本体でノイズが発生しても、高い精度で磁気情報が読み出されることができる。
しかも、第1絶縁層および第2絶縁層の総膜厚は、下部シールド層およびスライダ本体の間に配置されるこれまで絶縁層の膜厚と同等に維持されることができる。磁気ヘッドでは下部シールド層およびスライダ本体の距離はこれまで通りに維持されることができる。下部シールド層や上部シールド層の形状や大きさはこれまで通りに維持されることができる。磁気ヘッドは新たに設計し直される必要はない。こういった磁気ヘッドは記録媒体駆動装置に組み込まれてもよい。
第2発明によれば、スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子と、上部シールド層に平行な一面に沿って広がる書き込み用の磁極層とを備え、磁極層および上部シールド層の間には、第1比誘電率を有して第1厚みに形成される第1絶縁層と、第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有して第2厚みに形成される第2絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッドが提供される。
こうした磁気ヘッドでは、前述と同様に、下部シールド層や上部シールド層は読み出し素子に電気接続される。こうして下部シールド層や上部シールド層はともに読み出し配線を構成する。上部シールド層に平行な一面に沿って書き込み用の磁極層が広がる。磁極層および上部シールド層の間には第1絶縁層および第2絶縁層が配置される。第2絶縁層は、第1絶縁層の第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有する。こうして第1絶縁層および第2絶縁層の比誘電率や厚みが調整されれば、磁極層および上部シールド層の間で絶縁層の比誘電率は変化する。その結果、磁極層および上部シールド層の間で容量は変化する。こうしてスライダ本体に対する読み出し配線の容量は簡単に調整されることができる。例えば読み出し配線の容量は相互に合わせ込まれることができる。スライダ本体でノイズが発生しても、高い精度で磁気情報が読み出されることができる。
しかも、第1絶縁層および第2絶縁層の総膜厚は、磁極層および上部シールド層の間に配置されるこれまで絶縁層の膜厚と同等に維持されることができる。磁気ヘッドでは磁極層および上部シールド層の距離はこれまで通りに維持されることができる。下部シールド層や上部シールド層の形状や大きさはこれまで通りに維持されることができる。磁気ヘッドは新たに設計し直される必要はない。こういった磁気ヘッドは記録媒体駆動装置に組み込まれてもよい。
以上のように本発明によれば、スライダ本体に対する読み出し配線の容量を簡単に調整することができる磁気ヘッドが提供される。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
図1は記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置(HDD)11の内部構造を概略的に示す。このHDD11は、例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する箱形の筐体本体12を備える。筐体本体12は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。筐体本体12には蓋体すなわちカバー(図示されず)が結合される。カバーと筐体本体12との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき1枚の板材から成形されればよい。
収容空間には、記録媒体としての1枚以上の磁気ディスク13が収容される。磁気ディスク13はスピンドルモータ14の回転軸に装着される。スピンドルモータ14は例えば5400rpmや7200rpm、10000rpm、15000rpmといった高速度で磁気ディスク13を回転させることができる。
収容空間にはヘッドアクチュエータ部材すなわちキャリッジ15がさらに収容される。キャリッジ15はキャリッジブロック16を備える。キャリッジブロック16は、垂直方向に延びる支軸17に回転自在に連結される。キャリッジブロック16には、支軸17から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム18が区画される。キャリッジブロック16は例えば押し出し成形に基づきアルミニウムから成型されればよい。
個々のキャリッジアーム18の先端には、キャリッジアーム18から前方に延びるヘッドサスペンション19が取り付けられる。ヘッドサスペンション19の先端にはいわゆるジンバルばね(図示されず)が接続される。ジンバルばねの表面に浮上ヘッドスライダ21は固定される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ21はヘッドサスペンション19に対してその姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダ21には後述の磁気ヘッドが搭載される。
磁気ディスク13の回転に基づき磁気ディスク13の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ21には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション19の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク13の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ21は浮上し続けることができる。
こういった浮上ヘッドスライダ21の浮上中にキャリッジ15が支軸17回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ21は磁気ディスク13の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ21上の磁気ヘッドは最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ21上の磁気ヘッドは目標の記録トラック上に位置決めされる。
キャリッジブロック16には例えばボイスコイルモータ(VCM)22といった動力源が接続される。このVCM22の働きでキャリッジブロック16は支軸17回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック16の回転に基づきキャリッジアーム18およびヘッドサスペンション19の揺動は実現される。
キャリッジブロック16上には、プリント基板すなわちフレキシブルプリント基板23が配置される。フレキシブルプリント基板23にはヘッドIC(集積回路)すなわちプリアンプIC24が実装される。磁気情報の読み出し時には、このプリアンプIC24から磁気ヘッドの読み出しヘッドに向けてセンス電流は供給される。
同様に、磁気情報の書き込み時には、プリアンプIC24から磁気ヘッドの書き込みヘッドに向けて書き込み電流は供給される。フレキシブルプリント基板23上のプリアンプIC24には、収容空間内に配置される小型の回路基板25や、本体筐体12の底板の裏側に取り付けられるプリント配線基板(図示されず)からセンス電流や書き込み電流は供給される。
こうしたセンス電流や書き込み電流の供給にあたってフレキシブルプリント基板26が用いられる。フレキシブルプリント基板26は個々の浮上ヘッドスライダ21ごとに配置される。フレキシブルプリント基板26は、例えばステンレス鋼といった金属薄板と、金属薄板上に順番に積層される絶縁層、導電層および保護層とを備える。導電層は、フレキシブルプリント基板26上で延びる配線パターン(図示されず)を構成する。導電層には例えばCuといった導電材料が用いられればよい。絶縁層および保護層には例えばポリイミド樹脂といった樹脂材料が用いられればよい。
フレキシブルプリント基板26上の配線パターンは浮上ヘッドスライダ21に接続される。フレキシブルプリント基板26はヘッドサスペンション19からキャリッジアーム18の側面に沿って後方に延びる。フレキシブルプリント基板26は他端でフレキシブルプリント基板23に連結される。配線パターンはフレキシブルプリント基板23上の配線パターン(図示されず)に接続される。こうして浮上ヘッドスライダ21およびフレキシブルプリント基板23は電気接続される。
図2は浮上ヘッドスライダ21の一具体例を示す。この浮上ヘッドスライダ21は、例えば平たい直方体に形成されるAl2O3−TiC(アルチック)製のスライダ本体31を備える。このスライダ本体31の空気流出側端面には、Al2O3(アルミナ)から構成されるヘッド素子内蔵膜32が積層される。ヘッド素子内蔵膜32に前述の磁気ヘッド33は埋め込まれる。スライダ本体31は媒体対向面すなわち浮上面34で磁気ディスク13に向き合う。浮上面34には平坦なベース面すなわち基準面が規定される。磁気ディスク13が回転すると、スライダ本体31の前端から後端に向かって浮上面34には気流35が作用する。
スライダ本体31の浮上面34には、前述の気流35の上流側すなわち空気流入側でベース面から立ち上がる1筋のフロントレール36と、気流35の下流側すなわち空気流出側でベース面から立ち上がるリアセンターレール37と、空気流出側でベース面から立ち上がる1対のリアサイドレール38、38とが形成される。フロントレール36、リアセンターレール37およびリアリアサイドレール38、38の頂上面にはいわゆるABS(空気軸受け面)39、41、42が規定される。ABS39、41、42の空気流入端は段差43、44、45でレール36、37、38の頂上面に接続される。
磁気ディスク13の回転に基づき生成される気流35は浮上面34に受け止められる。このとき、段差43、44、45の働きでABS39、41、42には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール36の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ21の浮上姿勢は確立される。
磁気ヘッド33の読み出しギャップや書き込みギャップはリアセンターレール37のABS41で露出する。ただし、ABS41の表面には、磁気ヘッド33の前端に覆い被さるDLC(ダイヤモンドライクカーボン)保護膜が形成されてもよい。磁気ヘッド33の詳細は後述される。なお、浮上ヘッドスライダ21の形態はこういった形態に限られるものではない。
この浮上ヘッドスライダ21では、ABS41、42に比べてABS39で大きな正圧すなわち浮力が生成される。したがって、スライダ本体31が磁気ディスク13の表面から浮上すると、スライダ本体31はピッチ角αの傾斜姿勢で維持されることができる。ここで、ピッチ角αとは、気流の流れ方向に沿ったスライダ本体31の前後方向の傾斜角をいう。
図3は浮上面34の様子を詳細に示す。磁気ヘッド33は書き込みヘッド47と読み出しヘッド48とを備える。書き込みヘッド47は、周知の通り、例えば磁気コイルで生起される磁界を利用して磁気ディスク13に2値情報を書き込むことができる。読み出しヘッド48には、例えば巨大磁気抵抗効果(GMR)素子やトンネル接合磁気抵抗効果(TMR)素子といった磁気抵抗効果(MR)素子が用いられればよい。読み出しヘッド48は、周知の通り、磁気ディスク13から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき2値情報を検出することができる。
書き込みヘッド47および読み出しヘッド48は絶縁層51上に形成される。絶縁層51は、第1厚みに形成される第1絶縁層51aと第2厚みに形成される第2絶縁層51bとから構成される。スライダ本体31の空気流出側端面に第1絶縁層51aが積層形成される。第1絶縁層51aの表面に第2絶縁層51bが積層形成される。第1絶縁層51aは第1比誘電率の誘電体から形成されればよい。第2絶縁層51bは、第1比誘電率と異なる第2比誘電率の誘電体から形成されればよい。誘電体にはAl2O3やSiO2が含まれることができる。
第1および第2比誘電率は、後述のスライダ本体31に対する読み出し配線の容量に応じて調整されればよい。ここでは、第1比誘電率は第2比誘電率より大きく設定されればよい。後述されるように、第1および第2比誘電率は例えばAl2O3の積層方法の違いに基づき設定されればよい。その他、第1および第2比誘電率の設定にあたって、例えば第1絶縁層51aがAl2O3から構成され、第2絶縁層51bがSiO2から構成されてもよい。
読み出しヘッド48では、GMR素子やTMR素子といった読み出し素子すなわち磁気抵抗効果膜52が上下1対の導電層すなわち上部シールド層53および下部シールド層54の間に配置される。上部シールド層53は下部シールド層54に平行な一面に沿って広がる。上部および下部シールド層53、54は例えばFeNやNiFeといった磁性材料から構成されればよい。下部シールド層54およびスライダ本体31の間には前述の絶縁層51が配置される。
磁気抵抗効果膜52には例えばトンネル接合膜やスピンバルブ膜が利用されればよい。トンネル接合膜では、反強磁性層、固定側強磁性層、絶縁層および自由側強磁性層が順番に積層される。その一方で、スピンバルブ膜では、反強磁性層、固定側強磁性層、導電層および自由側強磁性層が順番に積層される。
磁気抵抗効果膜52は、下部シールド層54の表面に覆い被さる例えばAl2O3製の絶縁層55内に埋め込まれる。上部シールド層53は絶縁層55の表面に沿って広がる。下部シールド層54は絶縁層51の表面に沿って広がる。磁気抵抗効果膜52は下部シールド層54および上部シールド層53に個別に電気接続される。上部シールド層53および下部シールド層54同士の間隔は磁気ディスク13上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
書き込みヘッド47は、ABS41で前端を露出させる導電層すなわち上部磁極層56および下部磁極層57とを備える。上部磁極層56および下部磁極層57は書き込み用の磁極層を構成する。下部磁極層57は上部シールド層53に平行な一面に沿って広がる。下部磁極層57上には前端でABS41に露出する磁極端層58が形成される。上部磁極層56、下部磁極層57および磁極端層58は例えばFeNやNiFeから形成されればよい。上部磁極層56、下部磁極層57および磁極端層58は協働して書き込みヘッド47の磁性コアを構成する。
磁極端層58は上部磁極層56に向き合わせられる。上部磁極層56および磁極端層58の間には例えばAl2O3製の非磁性ギャップ層59が挟み込まれる。周知の通り、後述の磁気コイルで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層59の働きで、上部磁極層56と下部磁極層57とを行き交う磁束は浮上面34から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。
図4を併せて参照し、下部磁極層57は、上部シールド層53上に均一な厚みで積層形成される非磁性層すなわち絶縁層61上に形成される。絶縁層61は上部シールド層53と下部磁極層57との間で磁気的な結合を断ち切る。下部磁極層57上には、絶縁層62に埋め込まれた磁気コイルすなわち薄膜コイル63が形成される。非磁性ギャップ層59の表面には前述の上部磁極層56が形成される。上部磁極層56の後端は薄膜コイル63の中心位置で下部磁極層57の後端に磁気的に連結される。こうして上部磁極層56と下部磁極層57とは、薄膜コイル63の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。
上部シールド層53および下部シールド層54の間には第1引き出し線64および第2引き出し線65が配置される。第1引き出し線64および第2引き出し線65は絶縁層55内に埋め込まれる。第1引き出し線64は上部シールド層53に電気接続される。第2引き出し線65は下部シールド層54に電気接続される。後述されるように、第1引き出し線64および第2引き出し線65から上部シールド層53および下部シールド層54にセンス電流は供給される。
前述の絶縁層51はスライダ本体31の空気流出側端面の全面に積層形成される。その結果、絶縁層51は下部シールド層54より大きく広がる。こうして絶縁層51すなわち第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bは第1引き出し線64およびスライダ本体31の間に配置される。同様に、第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bは第2引き出し線65およびスライダ本体31の間に配置される。
図5に示されるように、浮上ヘッドスライダ21の空気流出側端面すなわちヘッド素子内蔵膜32の表面には第1電極端子66および第2電極端子67が配置される。第1電極端子66は前述の第1引き出し線64に電気接続される。その一方で、第2電極端子67は前述の第2引き出し線65に電気接続される。第1電極端子66および第2電極端子67はフレキシブルプリント基板26上の配線パターンに電気接続される。ここで、第1引き出し線64および上部シールド層53は第1読み出し配線を構成する。第2引き出し線65および下部シールド層54は第2読み出し配線を構成する。
読み出しヘッド48の磁気抵抗効果膜52には第1電極端子66からセンス電流が供給される。磁気抵抗効果膜52から第2電極端子67にセンス電流は流通する。磁気抵抗効果膜52では磁気ディスク13から作用する磁界に基づき抵抗変化が引き起こされる。その結果、第1および第2読み出し配線ではセンス電流の電圧すなわち電位差が変化する。こうした変化がプリアンプIC24で取り出される。こうして磁気ディスク13から2値情報は読み出される。
書き込みヘッド47の下部磁極層57は引き出し線68でスライダ本体31に電気接続される。こうしてスライダ本体31はグラウンドとして機能する。なお、ヘッド素子内蔵膜32の表面にはさらに1対の電極端子(図示されず)が配置される。この電極端子は引き出し線に基づき書き込みヘッド47の薄膜コイル63に接続される。こうして薄膜コイル63に書き込み電流が供給される。
こういった磁気ヘッド33では、スライダ本体31に対する第1読み出し配線の容量とスライダ本体31に対する第2読み出し配線の容量とは一致する。ここで、第1読み出し配線の容量は、第1引き出し線64およびスライダ本体31の間の容量と、上部シールド層53および下部磁極層57の間の容量とで決定される。第2読み出し配線の容量は、第2引き出し線65およびスライダ本体31の間の容量と、下部シールド層54およびスライダ本体31の間の容量とで決定される。
以上のような浮上ヘッドスライダ21では、下部シールド層54およびスライダ本体31の間には、比誘電率の異なる第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bが配置される。例えば第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの比誘電率や厚みが調整されれば、下部シールド層54およびスライダ本体31の間で絶縁層51の比誘電率は変化する。下部シールド層54およびスライダ本体31の間で容量は変化する。こうして第1読み出し配線の容量と第2読み出し配線の容量とは簡単に調整されることができる。第1読み出し配線の容量と第2読み出し配線の容量とは合わせ込まれることができる。スライダ本体31でノイズが発生しても、第1読み出し配線および第2読み出し配線に基づき高い精度で2値情報が読み出される。
ここで、絶縁層51は第1引き出し線64およびスライダ本体31の間、第2引き出し線65およびスライダ本体31の間にも配置される。しかしながら、絶縁層51および第1引き出し線64の間、絶縁層51および第2引き出し線65の間には絶縁層55が配置される。こうした絶縁層55の働きで絶縁層51および第1引き出し線64の間や、絶縁層51および第2引き出し線65の間には所定の距離が確保される。その結果、絶縁層51の働きは第1引き出し線64およびスライダ本体31の間の容量や第2引き出し線65およびスライダ本体31の間の容量にほとんど影響しない。
磁気抵抗効果膜52には例えばTMR素子が用いられる。TMR素子では非常に高い抵抗が設定される。TMR素子は電位差の変化の影響を受けやすい。したがって、本発明はTMR素子に特に有効に適用されることができる。しかも、絶縁層51の膜厚はこれまで通りの膜厚と同等に維持されることができる。磁気ヘッド33では下部シールド層54およびスライダ本体31の距離はこれまで通りに維持されることができる。浮上ヘッドスライダ21は新たに設計し直される必要はない。浮上ヘッドスライダ21の浮上量の変化や磁気特性の変化は回避される。
以上のような浮上ヘッドスライダ21の製造にあたって、例えばAl2O3−TiC製のウエハが用意される。ウエハはスライダ本体31を構成する。ウエハの表面には、絶縁層51が形成される。第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの形成にあたって例えばスパッタリングが用いられればよい。例えば第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bに例えばAl2O3が用いられる場合、比誘電率の調整にあたってスパッタリングの成膜速度が調整されればよい。その後、第2絶縁層51bの表面には、これまでと同様に、下部シールド層54や磁気抵抗効果膜52、上部シールド層53が形成されればよい。
本発明者は、絶縁層51の第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの厚みと読み出し配線の容量との関係を検証した。検証にあたってシミュレーションが実施された。第1絶縁層51aのAl2O3では比誘電率は8.5に設定された。第2絶縁層51bのAl2O3では比誘電率は6.5に設定された。絶縁層51の膜厚は一定に維持された。このとき、絶縁層51内で第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの膜厚が調整された。第1読み出し配線の容量および第2読み出し配線の容量の比率が算出された。
その結果、図6に示されるように、絶縁層51内で第1絶縁層51aが例えば4割程度の膜厚に設定されると、第1読み出し配線の容量と第2読み出し配線の容量とは一致した。第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの膜厚の増減に基づき容量の比率は増減した。したがって、絶縁層51内で第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの膜厚や比誘電率が調整されれば、スライダ本体31に対する第1読み出し配線の容量とスライダ本体31に対する第2読み出し配線の容量とが調整されることが確認された。
図7に示されるように、ヘッド素子内蔵膜32には、前述の磁気ヘッド33に代えて、磁気ヘッド33aが埋め込まれてもよい。この磁気ヘッド33aでは、前述の絶縁層61は、第1厚みに形成される第1絶縁層61aと第2厚みに形成される第2絶縁層61bとから構成される。第1絶縁層61aは第1比誘電率の誘電体から形成されればよい。第2絶縁層61bは、例えば第1比誘電率と異なる第2比誘電率の誘電体から形成されればよい。
第1絶縁層61aは上部シールド層53の表面に形成される。第2絶縁層61bは第1絶縁層61aの表面に形成される。下部磁極層57は第1絶縁層61aの表面に受け止められる。ただし、第1絶縁層61aが第2絶縁層61bの表面に形成されてもよい。前述の絶縁層51は単層のAl2O3膜から構成されればよい。その他、前述の磁気ヘッド33と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
こうして例えば第1絶縁層51aおよび第2絶縁層51bの比誘電率や厚みが調整されれば、下部磁極層57および上部シールド層53の間で絶縁層61の比誘電率が変化する。こうして下部磁極層57および上部シールド層53の間で容量は変化する。その結果、第1読み出し配線の容量と第2読み出し配線の容量とは調整される。第1読み出し配線の容量と第2読み出し配線の容量とは合わせ込まれることができる。こうして前述と同様の作用効果が実現されることができる。
以上のような磁気ヘッド33では、絶縁層51、61は3層以上の絶縁層から積層形成されてもよい。このとき、各層では比誘電率および厚みが調整されればよい。
11 記録媒体駆動装置(ハードディスク駆動装置)、31 スライダ本体、33 磁気ヘッド、51a、61a 第1絶縁層、51b、61b 第2絶縁層、52 読み出し素子、53 上部シールド層、54 下部シールド層、57 磁極層(下部磁極層)、64 第1引き出し線、65 第2引き出し線。
Claims (4)
- スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子とを備え、下部シールド層およびスライダ本体の間には、第1比誘電率を有して第1厚みに形成される第1絶縁層と、第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有して第2厚みに形成される第2絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッド。
- スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子とを備え、下部シールド層およびスライダ本体の間には、第1比誘電率を有して第1厚みに形成される第1絶縁層と、第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有して第2厚みに形成される第2絶縁層とが配置される磁気ヘッドが組み込まれたことを特徴とする記録媒体駆動装置。
- スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子と、上部シールド層に平行な一面に沿って広がる書き込み用の磁極層とを備え、磁極層および上部シールド層の間には、第1比誘電率を有して第1厚みに形成される第1絶縁層と、第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有して第2厚みに形成される第2絶縁層とが配置されることを特徴とする磁気ヘッド。
- スライダ本体上に形成される下部シールド層と、下部シールド層に平行な一面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間に配置されて、下部シールド層および上部シールド層に個別に電気接続される読み出し素子と、上部シールド層に平行な一面に沿って広がる書き込み用の磁極層とを備え、磁極層および上部シールド層の間には、第1比誘電率を有して第1厚みに形成される第1絶縁層と、第1比誘電率よりも大きい第2比誘電率を有して第2厚みに形成される第2絶縁層とが配置される磁気ヘッドが組み込まれたことを特徴とする記録媒体駆動装置。
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