JP2008047523A - 試料を検査するための荷電粒子ビーム装置および方法 - Google Patents
試料を検査するための荷電粒子ビーム装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008047523A JP2008047523A JP2007192498A JP2007192498A JP2008047523A JP 2008047523 A JP2008047523 A JP 2008047523A JP 2007192498 A JP2007192498 A JP 2007192498A JP 2007192498 A JP2007192498 A JP 2007192498A JP 2008047523 A JP2008047523 A JP 2008047523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- charged particle
- particle beam
- deflection unit
- deflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1478—Beam tilting means, i.e. for stereoscopy or for beam channelling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1506—Tilting or rocking beam around an axis substantially at an angle to optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2809—Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved
- H01J2237/2811—Large objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2814—Measurement of surface topography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】この装置は、光軸102を画定し1次荷電粒子ビームを集束する第1対物レンズ104と、試料配置領域を画定する試料台110と、試料に衝突させるためのビーム経路に向けて1次荷電粒子ビームを第1対物レンズと試料配置領域の間で偏向させるための偏向ユニット132とを備え、この偏向ユニットは光軸102に対して移動可能である。
【選択図】図1
Description
Claims (19)
- 光軸(102、702)を画定し、1次荷電粒子ビームを集束する第1対物レンズ(104、404、704)と、
試料配置領域を画定する試料台(110、411、711)と、
試料に衝突させるためのビーム経路に向けて1次荷電粒子ビームを前記第1対物レンズと前記試料配置領域の間で偏向させるための偏向ユニット(132、232、323、532、732)と
を備え、前記偏向ユニットが前記光軸(102、702)に対して移動可能である荷電粒子ビーム装置。 - 前記偏向ユニット(132、232、323、532、732)が、前記光軸(102、702)と前記衝突させるためのビーム経路との間に少なくとも約60°の偏向角を生成するようになっている、請求項2に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニット(132、232、323、532、732)が、前記光軸と前記衝突させるためのビーム経路との間に約70°〜約135°の偏向角を生成するようになっている、請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットが扇形電磁界偏向ユニットである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットと前記試料配置領域の間に後段レンズ(134、234、334、734)をさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットと前記試料配置領域の間の前記後段レンズがアインゼルレンズである、請求項5に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニット(132、232、323、532、732)が前記試料台(110、411、711)上に配置される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記試料台が、X方向の移動用のX方向台(411X)、Y方向の移動用のY方向台(411Y)、およびZ方向の移動用のZ方向台(411Z)を備え、前記偏向ユニット(132、232、323、532、732)が、前記X方向台および前記Y方向台の動きに追従するようになっている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットが前記X方向台および/またはY方向台に固定して連結される、請求項8に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記試料台(110、411、711)が、走査領域内に試料の縁部を位置決めするように前記試料を回転させるΘ方向台を備える、請求項1〜9のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットが、第1の方向に集束するための扇形電磁界偏向ユニットと、第2の方向に集束するための四重極ユニット、円柱レンズ、または側板とを備える、請求項1〜10のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットが半球扇形電磁界偏向ユニットを備える、請求項1〜10のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットが扇形電界偏向ユニットである、請求項1〜12のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニット(132、232、323、532、732)が、前記第1対物レンズ(104、404、704)によって生成されたクロスオーバに配置される、請求項1〜13のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記偏向ユニットが、前記試料の縁部と前記光軸(102、702)の間の距離を20mmと40mmの間にすることができるように配置され、寸法設定される、請求項1〜14のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 荷電粒子ビーム装置を用いて試料を検査する方法であって、
1次荷電粒子ビームを生成するステップと、
前記試料の斜角部または縁部に向けて前記1次荷電粒子ビームを第1対物レンズ(104、404、704)と前記試料の間で偏向させることを含む、第1のモードで前記試料を検査するステップと
を含む方法。 - 前記1次荷電粒子ビームが、前記第1対物レンズと前記試料の間に配置された偏向ユニット(132、232、323、532、732)を用いて、少なくとも60°の角度だけ偏向される、請求項16に記載の試料を検査する方法。
- 前記試料の縁部または斜角部にある走査領域を前記1次荷電粒子ビームで走査するステップと、
前記走査領域を走査している間に画像を生成するステップと、
前記試料の別の縁部を前記走査領域内に配置するために前記試料を回転させるステップと
をさらに含む、請求項16または17に記載の試料を検査する方法。 - 前記荷電粒子ビーム装置の光軸(102、702)に対して前記偏向ユニット(132、232、323、532、732)を第2の位置に移動させて、前記1次荷電粒子ビームが前記偏向ユニットを通り抜けないようにするステップと、
前記試料の表面を前記1次荷電粒子ビームで検査することを含む、第2のモードで試料を検査するステップと
をさらに含む、請求項16〜18のいずれか一項に記載の試料を検査する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06015379A EP1883094B1 (en) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | Charged particle beam device and method for inspecting specimen |
EP06015379.8 | 2006-07-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008047523A true JP2008047523A (ja) | 2008-02-28 |
JP4783338B2 JP4783338B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=37719393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007192498A Expired - Fee Related JP4783338B2 (ja) | 2006-07-24 | 2007-07-24 | 試料を検査するための荷電粒子ビーム装置および方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8008629B2 (ja) |
EP (1) | EP1883094B1 (ja) |
JP (1) | JP4783338B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008035163B4 (de) * | 2008-07-28 | 2013-12-12 | Ellcie Industries Gmbh | Elektronenmikroskop |
DE102008035165A1 (de) * | 2008-07-28 | 2010-02-11 | Ellcie Maintenance Gmbh | Elektronenmikroskop |
EP2762862B1 (en) * | 2013-01-30 | 2017-03-08 | Bruker AXS GmbH | XRF measurement apparatus for detecting contaminations on the bevel of a wafer |
US9711367B1 (en) | 2016-06-01 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor method with wafer edge modification |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261952A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Sharp Corp | 電子線走査型顕微鏡 |
JPH07201298A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Jeol Ltd | 平板状試料の移動ステージ |
JPH10275585A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Jeol Ltd | 真空stm用走査型電子顕微鏡 |
JP2001148227A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-29 | Advantest Corp | 2つの粒子線を分離するための偏向装置 |
JP2001273861A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置およびパターン傾斜観察方法 |
JP2003109531A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3483373A (en) * | 1966-07-28 | 1969-12-09 | Siemens Ag | Airlock assembly for corpuscular ray devices |
US4209698A (en) * | 1971-12-28 | 1980-06-24 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Transmission-type charged particle beam apparatus |
NL7604553A (nl) * | 1975-08-28 | 1977-03-02 | Siemens Ag | Met corpusculaire stralen werkende doorstraal- rastermicroscoop met energie-analysator. |
US4596929A (en) * | 1983-11-21 | 1986-06-24 | Nanometrics Incorporated | Three-stage secondary emission electron detection in electron microscopes |
US4757208A (en) * | 1986-03-07 | 1988-07-12 | Hughes Aircraft Company | Masked ion beam lithography system and method |
US4963823A (en) * | 1988-06-27 | 1990-10-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Electron beam measuring instrument |
DE69026751T2 (de) * | 1989-05-17 | 1996-11-14 | Kobe Steel Ltd | Ionenbündelfokussierungsvorrichtung |
DE4216730C2 (de) * | 1992-05-20 | 2003-07-24 | Advantest Corp | Rasterelektronenstrahlgerät |
US5894124A (en) * | 1995-03-17 | 1999-04-13 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and its analogous device |
DE59605446D1 (de) * | 1995-07-25 | 2000-07-20 | Nmi Univ Tuebingen | Verfahren und vorrichtung zur ionendünnung in einem hochauflösenden transmissionselektronenmikroskop |
JP2000232053A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Canon Inc | マスクパターン転写方法、該マスクパターン転写方法を用いたマスクパターン転写装置及びデバイス製造方法 |
US6614026B1 (en) * | 1999-04-15 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam column |
US6787772B2 (en) * | 2000-01-25 | 2004-09-07 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
EP1120809B1 (en) * | 2000-01-27 | 2012-02-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Objective lens for a charged particle beam device |
JP3859437B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2006-12-20 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム露光装置 |
US6710342B1 (en) * | 2000-09-22 | 2004-03-23 | Hermes Microvision, Inc. | Method and apparatus for scanning semiconductor wafers using a scanning electron microscope |
US6586746B1 (en) * | 2000-09-27 | 2003-07-01 | International Business Machines Corporation | Multipole electrostatic e-beam deflector |
EP1209737B2 (en) * | 2000-11-06 | 2014-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for specimen fabrication |
EP1209720A3 (en) * | 2000-11-21 | 2006-11-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Energy spectrum measurement |
JP3943832B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 基板検査装置およびその制御方法 |
DE10107910A1 (de) * | 2001-02-20 | 2002-08-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlsystem mit einem Spiegelkorrektor |
DE10122957B4 (de) * | 2001-05-11 | 2005-06-02 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Teilchenstrahlapparat mit energiekorrigierter Strahlablenkung sowie Vorrichtungund Verfahren zur energiekorrigierten Ablenkung eines Teilchenstrahls |
EP1288996B1 (en) * | 2001-09-04 | 2006-03-22 | Advantest Corporation | Particle beam apparatus |
JP3953309B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-08-08 | 株式会社トプコン | 走査電子顕微鏡装置 |
US7223974B2 (en) * | 2002-05-22 | 2007-05-29 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Charged particle beam column and method for directing a charged particle beam |
US7161149B2 (en) * | 2002-06-28 | 2007-01-09 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope and method of controlling same |
US7528614B2 (en) * | 2004-12-22 | 2009-05-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for voltage contrast analysis of a wafer using a tilted pre-charging beam |
JP3867048B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2007-01-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | モノクロメータ及びそれを用いた走査電子顕微鏡 |
US7034297B2 (en) * | 2003-03-05 | 2006-04-25 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Method and system for use in the monitoring of samples with a charged particle beam |
JP2004294282A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Renesas Technology Corp | 結晶解析装置 |
EP1489641B1 (en) * | 2003-06-18 | 2019-08-14 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle deflecting system |
US7176459B2 (en) * | 2003-12-25 | 2007-02-13 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus |
US7212017B2 (en) * | 2003-12-25 | 2007-05-01 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus with detailed observation function and sample inspecting and observing method using electron beam apparatus |
JP4316394B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム装置 |
US6943360B1 (en) * | 2004-07-12 | 2005-09-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Twisted-compensated low-energy electron microscope |
JP2006032107A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 反射結像型電子顕微鏡及びそれを用いたパターン欠陥検査装置 |
US7067807B2 (en) * | 2004-09-08 | 2006-06-27 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Charged particle beam column and method of its operation |
EP1648018B1 (en) * | 2004-10-14 | 2017-02-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Focussing lens and charged particle beam device for non zero landing angle operation |
EP1657736B1 (en) * | 2004-11-15 | 2016-12-14 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | High current density particle beam system |
JP5214090B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2013-06-19 | 株式会社Sen | ビーム偏向走査方法及びビーム偏向走査装置並びにイオン注入方法及びイオン注入装置 |
EP1679734B1 (en) * | 2004-12-30 | 2010-04-07 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multiple lens assembly and charged particle beam device comprising the same |
JP2006252995A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
US7233008B1 (en) * | 2005-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Multiple electrode lens arrangement and a method for inspecting an object |
JP2007012516A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームを用いた試料情報検出方法 |
-
2006
- 2006-07-24 EP EP06015379A patent/EP1883094B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-23 US US11/781,794 patent/US8008629B2/en active Active
- 2007-07-24 JP JP2007192498A patent/JP4783338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261952A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Sharp Corp | 電子線走査型顕微鏡 |
JPH07201298A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Jeol Ltd | 平板状試料の移動ステージ |
JPH10275585A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Jeol Ltd | 真空stm用走査型電子顕微鏡 |
JP2001148227A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-29 | Advantest Corp | 2つの粒子線を分離するための偏向装置 |
JP2001273861A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 荷電ビーム装置およびパターン傾斜観察方法 |
JP2003109531A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1883094A1 (en) | 2008-01-30 |
EP1883094B1 (en) | 2012-05-02 |
JP4783338B2 (ja) | 2011-09-28 |
US20080048116A1 (en) | 2008-02-28 |
US8008629B2 (en) | 2011-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI650550B (zh) | 用於高產量電子束檢測(ebi)的多射束裝置 | |
JP6099113B2 (ja) | ツインビーム荷電粒子ビームコラム及びその作動方法 | |
KR102207766B1 (ko) | 이차 전자 광학계 & 검출 디바이스 | |
JP6955325B2 (ja) | 適応2次荷電粒子光学系を用いて2次荷電粒子ビームを画像化するシステムおよび方法 | |
TW201833968A (zh) | 用於檢查試樣之方法以及帶電粒子多束裝置 | |
TWI488212B (zh) | 用以在帶電粒子束裝置中改進對比度以檢驗樣品之配置及方法 | |
KR102668150B1 (ko) | 낮은 크로스토크를 갖는 다수 하전-입자 빔 장치 | |
TWI613693B (zh) | 用於成像訊號帶電粒子束的系統、用於成像訊號帶電粒子束的方法及帶電粒子束裝置 | |
JP2016031937A (ja) | 荷電粒子ビーム試料検査システムおよびその動作方法 | |
CN113906535A (zh) | 多带电粒子束设备及其操作方法 | |
JP6932050B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP4783338B2 (ja) | 試料を検査するための荷電粒子ビーム装置および方法 | |
US11626267B2 (en) | Back-scatter electrons (BSE) imaging with a SEM in tilted mode using cap bias voltage | |
TWI622077B (zh) | 帶電粒子束裝置、用於帶電粒子束裝置的系統、及用於操作帶電粒子束裝置的方法 | |
JP2020140961A (ja) | マルチビーム走査透過荷電粒子顕微鏡 | |
JP2024513709A (ja) | 低クロストークを有する多重荷電粒子ビーム装置 | |
TWI809260B (zh) | 具有單光束模式之多光束檢測設備及相關檢測方法 | |
JPH1062503A (ja) | 欠陥検査装置 | |
CN113228224A (zh) | 使用多个电子束进行实时立体成像的***和方法 | |
JP2006164969A (ja) | チルトした粒子ビームを照射するための装置と方法 | |
JPH1062149A (ja) | 欠陥検査装置 | |
TW202338889A (zh) | 使用帽偏壓以傾斜模式的掃描式電子顯微鏡(sem)作反散射電子(bse)成像 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101224 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101228 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110323 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110616 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110708 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4783338 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |