JP2010027650A - キャップ、レンズユニット、光モジュール、及び光通信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】キャップ内で生じる迷光を低減させること。
【解決手段】キャップ10は、一対の反射面を有する溝45によって形成されたパターンが筒体の内周面に施されている。溝45に形成された一対の反射面間で迷光が多重反射し、迷光は減衰する。これによってキャップ内の迷光を効果的に低減することができる。なお、キャップ10は、筒体11、及び鍔12を有する。筒体11は、軸線AXに沿って延在し、軸線AXに沿う光路を囲む。キャップ10は、抵抗溶接によって実装基板1上に固定される。
【選択図】図3
【解決手段】キャップ10は、一対の反射面を有する溝45によって形成されたパターンが筒体の内周面に施されている。溝45に形成された一対の反射面間で迷光が多重反射し、迷光は減衰する。これによってキャップ内の迷光を効果的に低減することができる。なお、キャップ10は、筒体11、及び鍔12を有する。筒体11は、軸線AXに沿って延在し、軸線AXに沿う光路を囲む。キャップ10は、抵抗溶接によって実装基板1上に固定される。
【選択図】図3
Description
本発明は、キャップ、レンズユニット、光モジュール、及び光通信モジュールに関する。
近年、光通信に代表されるように幅広い分野で光技術は活用されている。光技術というカテゴリに含まれるキーデバイスとしては、半導体レーザ素子、及び半導体受光素子といった光半導体素子が代表的である。
特許文献1及び2には、光半導体素子の封止用のキャップが開示されている。より具体的には、特許文献1及び2には、キャップ内での迷光を防止するための半導体装置用キャップが開示されている。
一般的に、光半導体素子の寿命特性を向上させるため、光半導体素子を実装基板上に実装した後、キャップで気密封止し、光半導体素子を外界から保護する。キャップは、樹脂又は金属材料を加工することで製造される。キャップ内で迷光が生じると、キャップ内での反射を繰り返して、キャップ内の光半導体素子に到達してしまう場合がある。
特許文献1及び2では、キャップ表面の黒色めっき皮膜により光反射を防止している。
特開平7−7098号公報
特開2003−204006号公報
上述のようにキャップ内で生じる迷光を低減させることが強く望まれている。
本発明は、キャップ内で生じる迷光を低減させることを目的とする。
本発明にかかるキャップは、実装基板上に配置されると共に、一対の反射面を有する溝によって形成されたパターンが筒体の内周面に施されている。
反射面間で迷光が多重反射し、迷光は減衰する。これによってキャップ内の迷光を効果的に低減することができる。また、母材を切削加工することでキャップを製造する場合には、同一の工程にて溝を形成することができるため特に有利である。
前記パターンは、前記溝の延在方向に対して交差する方向に前記溝が配列されて形成される、と良い。溝を高密度に配置することで迷光を効果的に減衰させることができる。
前記反射面は平坦面であり、前記溝の断面視形状はV字状である、と良い。V溝であれば、一般的な加工方法によって簡易に形成することができる。
前面及び当該前面に対して反対にある背面を有する突出部を有し、前記パターンは、少なくとも前記突出部の前記背面に形成されている、と良い。
前記突出部の延在方向に対して前記背面がなす角θは、0度<θ<90度の条件を満足する、と良い。
前記パターンは、前記筒体を切削加工することで形成される、と良い。
本発明にかかるレンズユニットは、実装基板上に配置されるキャップによってレンズが直接又は間接的に保持されたレンズユニットであって、前記キャップは、前記レンズの光軸に沿って延在する筒体を有し、前記筒体の内周面には、一対の反射面を有する溝によって形成されたパターンが施されている。
本発明にかかる光モジュールは、光半導体素子と、前記光半導体素子が実装された実装基板と、前記実装基板上に配置されるキャップと、前記キャップによって直接又は間接的に保持されたレンズと、を備える光モジュールであって、前記キャップは、前記レンズの光軸に沿って延在する筒体を有し、前記筒体の内周面には、一対の反射面を有する溝によって形成されたパターンが施されている。
本発明にかかる通信モジュールは、光ファイバと、前記光ファイバの一端に取り付けられた上述の光モジュールと、を備える。
本発明によれば、キャップ内で生じる迷光を低減させることができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、各実施の形態は、説明の便宜上、簡略化されている。図面は簡略的なものであるから、図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。図面は、もっぱら技術的事項の説明のためのものであり、図面に示された要素の正確な大きさ等は反映していない。同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略するものとする。上下左右といった方向を示す言葉は、図面を正面視した場合を前提として用いるものとする。
〔第1の実施の形態〕
図1乃至6を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、光通信モジュールの概略的な断面構成を示す模式図である。図2は、光源モジュールを斜視した概略的な模式図である。図3は、キャップの概略的な断面構成を示す模式図である。図4は、迷光が減衰する仕組みを説明するための説明図である。図5は、溝によって形成されたパターンを示す模式図である。図6A及びBは、光源モジュールの製造方法を示す概略的な工程図である。
図1乃至6を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、光通信モジュールの概略的な断面構成を示す模式図である。図2は、光源モジュールを斜視した概略的な模式図である。図3は、キャップの概略的な断面構成を示す模式図である。図4は、迷光が減衰する仕組みを説明するための説明図である。図5は、溝によって形成されたパターンを示す模式図である。図6A及びBは、光源モジュールの製造方法を示す概略的な工程図である。
図1に示すように、光通信モジュール100は、コネクタ30、アイソレータ31、光ファイバ32、及び光源モジュール(光モジュール)50を有する。光源モジュール50は、実装基板1、リードピン2、台座3、半導体レーザ素子(光半導体素子)4、半導体受光素子(光半導体素子)5、キャップ10、レンズ(光学部品)20、及び封止ガラス25を有する。なお、レンズ20を保持した状態のキャップ10をレンズユニットと呼ぶこともある。
光通信モジュール100は、半導体レーザ素子4から出力されたレーザ光を、光ファイバ32のコア32aにレンズ20を介して入力させる。光通信モジュール100は、半導体レーザ素子4を変調して駆動し、外部から伝達される電気信号に応じた光信号を光ファイバ32に入力させる。
なお、半導体レーザ素子4と光ファイバ32間には軸線AX(レンズ20の光軸AXに等しい)に沿って延在する光路が形成されている。半導体レーザ素子4からの出射光は、軸線AXに沿って前方に伝播し、レンズ20によってレンズ作用を受け、アイソレータ31を通過し、光ファイバ32のコア32aに光結合される。なお、光ファイバ32は、y軸に沿って延在する線状体であり、コア32aがクラッド32bによって囲まれた構造を有する。コア32aの屈折率は、クラッド32bの屈折率よりも高い。これによって、光ファイバ32に入力された光は、コア32aに閉じ込められた状態で、コア32a内を伝播する。
光源モジュール50は、コネクタ30を介して光ファイバ32に取り付けられる。光源モジュール50は、光ファイバ32のコア32aに光結合される光を出力する。
以下、図1乃至図5を参照してより具体的に説明する。
実装基板1は、金属(例えば、銅)からなる板状部材である。実装基板1の背面には、抵抗溶接時に電極が配置される。実装基板1を形成する導電材料は、キャップ10を形成する導電材料とは異なる。換言すると、実装基板1を形成する導電材料の抵抗値は、キャップ10を形成する導電材料の抵抗値とは異なる。なお、実装基板1上には、台座3、半導体レーザ素子4、及び半導体受光素子5が実装されている。
リードピン2は、金属からなる棒状部材である。リードピン2は、実装基板1に形成された貫通孔内に挿通され、絶縁材料(軟質ガラス等)によって実装基板1とは電気的に絶縁された状態で実装基板1によって保持される。
台座3は、半導体レーザ素子4が固定される。台座3は、実装基板1と同様に金属であっても良いし、他の材料であっても良い。台座3は、実装基板1と一体成形されていても良い。
半導体レーザ素子4は、半導体層が積層されて形成されたチップ状の光半導体素子である。半導体レーザ素子4は、駆動電流に応じて所定波長のレーザ光を出力する。なお、半導体レーザ素子4の種類は任意である。半導体レーザ素子4は、面発光型のレーザ素子であっても良いし、端面発光型のレーザ素子であっても良い。
半導体受光素子5は、入射光量に応じた量の電流を生成するチップ状の光半導体素子である。半導体受光素子5は、半導体レーザ素子4の活性層の反射端から漏れる漏れ光を受光する。半導体受光素子5からの出力に応じて半導体レーザ素子4の駆動状態を制御することができる。
なお、半導体レーザ素子4は、ボンディングワイヤーを介してリードピン2に接続される。同様に、半導体受光素子5も、ボンディングワイヤーを介してリードピン2に接続される。ここでは、半導体レーザ素子4のために2本のリードピン2を用意し、半導体受光素子5のために2本のリードピン2を用意している。半導体レーザ素子4及び半導体受光素子5は、実装基板1からは電気的に絶縁されている。
キャップ10は、抵抗溶接によって実装基板1上に固定される。キャップ10は、ステンレス鋼(SUS)からなる母材が切削刃物によって加工されることで製造される。キャップ10を切削加工で製造することによって、プレス加工の場合と比べて、キャップ10の高い加工精度を保持することができる。この点は、非球面レンズをキャップ10に保持させる場合には特に有利である。なお、SUS以外の一般的な金属を加工することでキャップ10を製造しても良い。
キャップ10は、筒体11、及び鍔12を有する。筒体11は、軸線AXに沿って延在し、軸線AXに沿う光路を囲む。筒体11の外周面は、実質的に平坦である。他方、筒体11の内周面は、筒体11の肉厚の変化に応じて非平坦である。
筒体11は、頂端から基端に向かって肉厚が肉厚W1〜W5に変化する。肉厚W2と肉厚W3の相違によって、筒体11の内周面には、レンズ20が配置される載置面13が形成される。
肉厚W4は、前方に近づくに従って肉厚が厚くなる。肉厚W4の筒体11の内周面は、前方に近づくに従って内側へ傾斜する。換言すると、筒体11には、前方に近づくに従って内側へ傾斜する傾斜面14が形成されている。
また、肉厚W2〜W4によって突出部17が形成される。突出部17は、軸線AXに交差する方向に延在する。突出部17の前面には、上述の載置面13が含まれる。突出部17の背面は、上述の傾斜面14に一致する。
ここでは、突出部17の延在方向(軸線AXに対して直交する方向)に対して傾斜面14がなす角度θは、0度<θ<90度の条件を満足する。これによって迷光が実装基板1上に実装された光半導体素子に帰還することを効果的に抑制することができる。
なお、肉厚W1と肉厚W2の相違によって好適に封止ガラス25の注入空間を確保できる。また、キャップ10は、非常に薄肉である(肉厚W5=200μm程度である)。
図3及び4に示すように、筒体11の内周面には、一対の反射面45a、45bを有する溝45が軸線AXに沿って螺旋状に延在することによって形成されたネジ溝状のパターンが施されている。これによって、キャップ10内の迷光を低減することができる。この点は、後述の説明から明らかになる。上述の傾斜面14は、複数の溝45によって形成される山部の頂点を結んで形成される仮想面である。
図1に示す鍔12は、筒体11の下端に連結した基端から外側へ延在する。鍔12は、実装基板1の上面に載置される背面、この背面とは反対にある前面を有する板状部分である。また、鍔12の上面視形状は輪状である。なお、図1の状態のとき、鍔12は、実装基板1に接合された状態であり、その背面は外部から視認することは難しい。
レンズ20は、平板状の非球面レンズであり、平板部21の両面にレンズ部22が形成されている。各レンズ部22のレンズ面は非球面である。レンズ20は、キャップ10の内側に完全に収納されている。レンズ20の材料は、樹脂であってもガラスであっても良い。
載置面13に配置されたレンズ20は、レンズ20の側面と筒体11の内周面とによって形成された空間内に低融点ガラス(固着手段)25を充填することでキャップ10に対して固着される。レンズ20をキャップ10内に取り付けることによって、半導体レーザ素子4が配置される空間は閉じられる。上述のように、キャップ10は、母材が切削加工されることで製造される。従って、比較的高精度にキャップ10に対してレンズ20を位置決めできる。
図2は、光源モジュール50を斜視した模式図である。光源モジュール50は、キャップ10の上面視形状は円状である。実装基板1の上面視形状も円状である。
図3に、抵抗溶接によって実装基板1に対して固着される前のキャップ10を示す。
図3に示すように、抵抗溶接前、鍔12の背面には突起16が形成されている。突起16は、キャップ10の全周に亘る範囲で形成されている。突起16の背面視形状は輪状である。突起16を形成する斜面は、鍔12の側面に連結している。このように突起16を設けることによって、抵抗溶接時、十分な接合強度及び気密性を確保しながら、キャップ10を実装基板1上に固着させることができる。なお、気密封止することで、半導体レーザ素子4の特性劣化を抑制することができる。
突起16は、抵抗溶接時に流される大電流によって溶ける。従って、抵抗溶接後、図1に示すように突起16は、鍔12の背面には残存していない。突起16の高さ、幅を所望の値に設定することによって抵抗溶接時に好適に気密封止することができる。
図3に示すように、キャップ10の内周面には、複数の溝45が形成されている。溝45の断面視形状はV字状である。溝45が軸線AXに沿って螺旋状に延在することによって、キャップ10の内周面にはネジ溝状のパターンが形成される。なお、傾斜面14と内側面15間には、凹部46が形成されている。
図4に示すように、溝45は、互いに対向して配置された一対の反射面45a、45bを有する。反射面45a、45bは、ともに平坦な面である。図4に模式的に示すように、溝45に入射した迷光は、反射面45aと反射面45b間で多重反射される。反射面45a、45bでの反射の過程で溝45に入射した迷光は減衰する。反射面での反射率は100%ではないためである。これによって、キャップ10内の迷光を効果的に低減させることができる。
キャップ10内の迷光を低減することで、例えば、次のような効果を得ることができる。迷光が半導体受光素子5に入力することによって半導体レーザ素子4を誤った条件で駆動することを抑制することができる。また、迷光が半導体レーザ素子4の活性層に入力することによって半導体レーザ素子4内に形成される導波モードが乱れることを抑制することができる。キャップ10内に信号受信用のフォトダイオードを配置した場合には、迷光によるノイズ成分がフォトダイオードで検出されることによって、フォトダイオードから出力される信号の品質が劣化することを抑制することができる。
傾斜面14を背面視すると、図4に模式的に示すように、溝45によってらせん状に形成されたネジ溝状のパターンが傾斜面14に形成されていることが分かる。
なお、溝45によって形成されるパターンのパターン形状は任意である。溝45を形成する反射面45a、45b間の光の多重反射によって迷光が減衰すれば良く、具体的なパターン形状は如何様であっても良い。具体的には、パターンは、個々に分離した複数の溝が配列された輪状パターン、直線状の複数の溝が配列された縞状パターン、又は波状の溝が配列された波状パターンであっても良い。但し、ネジ溝状のパターンが最も簡易である。
ここでは、溝45は、20μmピッチで配置されている。また、溝45の深さは、25μm程度である。溝45での光の減衰によって、パターンを実際に視認することは難しい。なお、溝45間に形成される凸部の頂角は、45度〜60度程度に設定すると良い。
最後に、図6A及びBを参照しながら、光源モジュール50の製造方法について説明する。
まず、図6A(a)に示すように、切削刃物によってステンレス鋼からなる母材を加工してキャップ10を製造する。ここでは、共通の切削刃物を用いて、筒体11の外周面を面出しし、その後、鍔12の上面を面出しする。また、共通の切削刃物を用いて、筒体11の内周面を面出しする。
このとき、いわゆるフィン・タップ加工を筒体11の内周面に施すことによって、筒体11の内周面に上述のように溝45を形成する。ここでは、内側面15から傾斜面14に亘る範囲で、連続的に溝45を形成する。このように溝45をキャップ10の内周面に形成することで、キャップ10の内周面には、一対の反射面45a、45bを有する溝45によって形成されたネジ溝状のパターンが施される。なお、パターンは、溝45の延在方向とは異なる方向に連続的に溝45を配列することで形成される。
次に、図6A(b)に示すように、レンズ20をキャップ10に取り付ける。そして、封止ガラス25を充填し、レンズ20をキャップ10に対して固着させる。なお、レンズ20をキャップ10に対して嵌合させることで、レンズ20をキャップ10に対して固着させても良い。
次に、図6B(c)に示すように、予め半導体レーザ素子4等が実装された実装基板1上にキャップ10を載置する。この状態で調芯をし、実装基板1に対してキャップ10を位置決めする。なお、通常のアセンブリ技術(いわゆる後工程)によって予め実装基板1に対して半導体レーザ素子4等は実装されているものとする。
次に、図6B(d)に示すように、上部電極40と下部電極41で、積層された実装基板1とキャップ10を、キャップ10の鍔12部分で挟み込む。そして、上部電極40を下方に押し付けながら、上部電極40と下部電極41間に電流を流す。このようにして、キャップ10は、実装基板1に対して固着される。
上述の説明から明らかなように、本実施形態では、互いに対向して配置された一対の反射面45a、45bを有する溝45をキャップ10の内周面に形成する。溝45に入射した迷光は、反射面45aと反射面45b間で多重反射される。反射面45a、45bでの反射の過程で溝45に入射した迷光は減衰する。これによって、キャップ10内の迷光を効果的に低減させることができる。
また、本実施形態では、上述のように軸線AXに対して交差する方向に傾斜する傾斜面14を上述の条件を満足するようにキャップ10の内周面に形成する。これによって迷光が光半導体素子に入力することをより効果的に抑制することができる。
また、本実施形態では、キャップ10は、非球面レンズを保持するために切削刃物による切削加工により製造される。キャップ10の製造時に付加的に溝15を形成すれば良いだけで迷光低減構造をキャップ10に付加することができる。この場合、従来のようにキャップ10の表面に黒色層を形成する工程は不要である。従って、大幅にキャップ10の製造を簡略化することができる。なお、キャップ10の表面に黒色層を形成すると、キャップ10の外形にばらつきを生じさせてしまう。本実施形態では、このような弊害が生じるおそれもない。
本発明の技術的範囲は上述の実施形態に限定されるべきものではない。溝45によって形成されるパターンの具体的なパターン形状は任意である。溝45によるパターンの形成範囲は任意である。溝45の断面視形状は、C字状であっても良い。この場合も、溝45は、一対の反射面を有する。キャップ10の内周面の全範囲にパターンを施す必要はない。キャップ内に収納される部品は任意である。キャップ内に光信号を受信するためのフォトダイオードを配置しても良い。
100 光通信モジュール
50 光源モジュール
1 実装基板
2 リードピン
3 台座
4 半導体レーザ素子
5 半導体受光素子
10 キャップ
11 筒体
12 鍔
13 載置面
14 傾斜面
15 内側面
16 縁
16 突起
17 突出部
45 溝
45a 反射面
45b 反射面
46 凹部
20 レンズ
21 平板部
22 レンズ部
25 封止ガラス
30 コネクタ
31 アイソレータ
32 光ファイバ
40 上部電極
41 下部電極
50 光源モジュール
1 実装基板
2 リードピン
3 台座
4 半導体レーザ素子
5 半導体受光素子
10 キャップ
11 筒体
12 鍔
13 載置面
14 傾斜面
15 内側面
16 縁
16 突起
17 突出部
45 溝
45a 反射面
45b 反射面
46 凹部
20 レンズ
21 平板部
22 レンズ部
25 封止ガラス
30 コネクタ
31 アイソレータ
32 光ファイバ
40 上部電極
41 下部電極
Claims (14)
- 実装基板上に配置されると共に、一対の反射面を有する溝によって形成されたパターンが筒体の内周面に施されているキャップ。
- 前記パターンは、前記溝の延在方向に対して交差する方向に前記溝が配列されて形成されることを特徴とする請求項1に記載のキャップ。
- 前記反射面は平坦面であり、前記溝の断面視形状はV字状であることを特徴とする請求項1又は2に記載のキャップ。
- 前面及び当該前面に対して反対にある背面を有する突出部を有し、
前記パターンは、少なくとも前記突出部の前記背面に形成されている請求項1乃至3のいずれか一項に記載のキャップ。 - 前記突出部の延在方向に対して前記背面がなす角θは、0度<θ<90度の条件を満足することを特徴とする請求項4に記載のキャップ。
- 前記パターンは、前記筒体を切削加工することで形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のキャップ。
- 実装基板上に配置されるキャップによってレンズが直接又は間接的に保持されたレンズユニットであって、
前記キャップは、前記レンズの光軸に沿って延在する筒体を有し、
前記筒体の内周面には、一対の反射面を有する溝によって形成されたパターンが施されている、レンズユニット。 - 前記パターンは、前記溝の延在方向に対して交差する方向に前記溝が配列されて形成されることを特徴とする請求項7に記載のレンズユニット。
- 前記反射面は平坦面であり、前記溝の断面視形状はV字状であることを特徴とする請求項7又は8に記載のレンズユニット。
- 前面及び当該前面に対して反対にある背面を有する突出部を有し、
前記パターンは、少なくとも前記突出部の前記背面に形成されている請求項7乃至9のいずれか一項に記載のレンズユニット。 - 前記突出部の延在方向に対して前記背面がなす角度θは、0度<θ<90度の条件を満足することを特徴とする請求項10に記載のレンズユニット。
- 前記パターンは、前記筒体を切削加工することで形成されることを特徴とする請求項7乃至11のいずれか一項に記載のレンズユニット。
- 光半導体素子と、
前記光半導体素子が実装された実装基板と、
前記実装基板上に配置されるキャップと、
前記キャップによって直接又は間接的に保持されたレンズと、
を備える光モジュールであって、
前記キャップは、前記レンズの光軸に沿って延在する筒体を有し、
前記筒体の内周面には、一対の反射面を有する溝によって形成されたパターンが施されている、光モジュール。 - 光ファイバと、
前記光ファイバの一端に取り付けられた請求項13に記載の光モジュールと、
を備える光通信モジュール。
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---|---|---|---|---|
JP2015503842A (ja) * | 2011-12-23 | 2015-02-02 | フィニサー コーポレイション | 拡張rfピン付き光サブアセンブリ |
CN104459928A (zh) * | 2013-09-24 | 2015-03-25 | 三菱电机株式会社 | 光模块及其制造方法 |
JP2015070039A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール、光モジュール用レンズキャップ |
-
2008
- 2008-07-15 JP JP2008183618A patent/JP2010027650A/ja not_active Withdrawn
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