JP2008010656A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008010656A
JP2008010656A JP2006179983A JP2006179983A JP2008010656A JP 2008010656 A JP2008010656 A JP 2008010656A JP 2006179983 A JP2006179983 A JP 2006179983A JP 2006179983 A JP2006179983 A JP 2006179983A JP 2008010656 A JP2008010656 A JP 2008010656A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
semiconductor device
protrusion
main body
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006179983A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4242401B2 (ja
Inventor
Tadashi Matsumoto
匡史 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2006179983A priority Critical patent/JP4242401B2/ja
Priority to US11/554,251 priority patent/US7541670B2/en
Priority to CNB2006101636787A priority patent/CN100499092C/zh
Priority to DE102007012818A priority patent/DE102007012818B4/de
Publication of JP2008010656A publication Critical patent/JP2008010656A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4242401B2 publication Critical patent/JP4242401B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427Housings
    • H05K7/1432Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/11End pieces or tapping pieces for wires, supported by the wire and for facilitating electrical connection to some other wire, terminal or conductive member
    • H01R11/26End pieces terminating in a screw clamp, screw or nut

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】半導体装置の回路構成などの違いに伴なう端子の形状や配置の変化に対応することができ、かつ筐体内部のレイアウトの制約を少なくすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体パッケージは、半導体基板1と、開口13を有し、半導体基板1を収納するマザーケース11と、開口13を構成する周縁12に沿って形成された複数の固定位置22を有する固定部材21と、周縁12において固定され、半導体基板1と電気的に接続されたネジ端子31およびピン端子51とを備えている。複数の固定位置22のうちいずれかの固定位置の固定部材21によってネジ端子31およびピン端子51は固定されている。
【選択図】図2

Description

本発明は半導体装置に関し、より特定的には、電極となるピン端子およびネジ端子の配置の変化に対応することができる半導体装置に関する。
産業機器のインバータ駆動などに用いられる半導体装置のパワー半導体パッケージには、CIB、7in1、6in1、2in1などさまざまな形態がある。CIBとはコンバータと6素子のインバータとブレーキとを内蔵したパッケージであり、7in1とは6素子のインバータとブレーキとを内蔵したパッケージである。また、6in1とは6素子のインバータを内蔵したパッケージであり、2in1とは2素子のインバータを内蔵したパッケージである。
これらのパワー半導体パッケージでは半導体装置における内部回路、定格、および仕様が互いに異なっているため、端子の形状や配置も互いに異なっており、これらに応じたパッケージがそれぞれの形態ごとに別個に製造されていた。その結果、パッケージを試作したりパッケージを量産するための金型を製造したりするのに多額の費用を要するという問題があった。また、それぞれの形態のパッケージで発生する問題に対処する必要があり、開発遅延をもたらすという問題や、それぞれの形態のパッケージを検証するのに時間がかかるという問題もあった。これらの問題を解決するために、端子の形状や配置の変化に対応することのできるパワー半導体パッケージが求められていた。
ここで、特開平9−8191号公報(特許文献1)には、半導体素子に接続される外部引出し電極の接続位置を変えることのできる電力用半導体装置が開示されている。具体的には、ケースの内部に半導体素子が配置されており、ケース上面には長方形の開口が形成されており、ケース上面における開口の向かい合う一対の辺に沿って複数の孔が形成されている。端子部材には引出し電極が取り付けられており、端子部材の下面両端には突起部が形成されている。一方の辺に形成された孔と他方の辺に形成された孔との各々に突起部の各々が挿入され、端子部材が開口上部を跨ぐように配置されている。突起部を挿入する孔を変えることにより、引出し電極の接続位置を変えることができる。
特開平9−8191号公報
しかしながら、特許文献1の電力用半導体装置では、端子部材をケース上面に配置するため、パッケージ内部のレイアウトの制約が多いという問題があった。
したがって、本発明の目的は、半導体装置の回路構成などの違いに伴なう端子の形状や配置の変化に対応することができ、かつ筐体内部のレイアウトの制約を少なくすることができる半導体装置を提供することである。
本発明の半導体装置は、半導体搭載基板と、開口を有し、半導体搭載基板を収納する筐体と、開口を構成する周縁に沿って形成された複数の固定位置を有する固定部材と、周縁において固定され、半導体搭載基板と電気的に接続された端子とを備えている。複数の固定位置のうちいずれかの固定位置の固定部材によって端子は固定されている。
本発明の半導体装置によれば、半導体装置の回路構成などの違いに伴なう端子の形状や配置の変化に対応することができ、かつ筐体内部のレイアウトの制約を少なくすることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図に基づいて説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1におけるパワー半導体パッケージの構造を示す平面図である。図2は、図1のパワー半導体パッケージにおける端子の固定方法を模式的に示す斜視図である。
図1および図2を参照して、本実施の形態における半導体装置としてのパワー半導体パッケージは、ベース板5と、その上に載置された半導体搭載基板(絶縁基板)1と、ベース板5に固着された、筐体としてのマザーケース11と、固定部材21と、端子としてのネジ端子31およびピン端子51とを備えている。ベース板5は銅や銅合金などの放熱性に優れた材料からなり、その上に半導体搭載基板1が載置されている。半導体搭載基板1はセラミックなどの絶縁基板からなり、その表面に銅箔や銅版の配線パターンが形成されており、配線パターン上にはパワー半導体素子などが固着されている。マザーケース11は、略長方形であり、開口13を有している。ベース板5にマザーケース11を固着することで、開口13の内部に半導体搭載基板1が収納されている。開口13を構成する周縁12は、主に4つの周縁12a〜12dを有している。周縁12aおよび12cと、周縁12bおよび12dとの各々は互いに平行である。固定部材は複数の固定位置22を有しており、複数の固定位置22の各々は周縁12a〜12dの各々に沿って形成されている。ネジ端子31およびピン端子51の各々は周縁12において固定されており、任意の固定位置22にある固定部材21を用いて固定されている。図1においては、周縁12aには12個のピン端子51が2個1組で等間隔に配置されており、周縁12bには2個のネジ端子31が配置されている。周縁12cには4個のネジ端子31が等間隔で配置されており、周縁12dには4個のピン端子51が2個1組で配置されている。ネジ端子31は、ネジ端子31自体が有する電極32によって半導体搭載基板1と電気的に接続されており、ピン端子51は図示しないワイヤにより半導体搭載基板1と電気的に接続されている。
図3は、図1のパワー半導体パッケージにおける固定部材付近の拡大図である。図1〜図3を参照して、固定部材21は、複数の壁本体23aと、複数の接続部23bと、底部23cとを有している。複数の壁本体23aの各々は、周縁12に対して平行に延在しており、周縁12に沿って等間隔で配置されている。複数の接続部23bの各々は、複数の壁本体23aの各々と周縁12とを接続しており、周縁12に沿って等間隔で配置されている。複数の壁本体23aと周縁12によって溝が形成されており、この溝が複数の接続部23bによって複数の固定位置22に区画されている。底部23cは水平方向であって、周縁12の反対側に延在している。
底部23cは厚肉部24と薄肉部25とを有している。複数の固定位置22の各々に対応する位置に薄肉部25の各々が形成されており、薄肉部25同士の間に厚肉部24が形成されている。つまり、厚肉部24および薄肉部25は周縁12に沿って交互に形成されている。
なお、マザーケース11および固定部材21は、たとえば熱可塑性の樹脂などよりなっている。具体的な樹脂材料としてはPPS(ポリフェニレンサルファイド)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)などが挙げられる。
図4は、図1のパワー半導体パッケージにおけるネジ端子の構造を示す斜視図である。図5は、図1のパワー半導体パッケージに図4のネジ端子を固定する様子を示す断面図である。図6は、図4のネジ端子の底面図である。なお、図5におけるネジ端子は図4のV−V線に沿った断面図で示されている。図4〜図6を参照して、ネジ端子31は、ネジ端子本体35と、ナット34と、電極32と、突起部38とを有している。ネジ端子本体35は、前方に張り出し下方に延在した張出部35aを有する直方体の形状を有しており、ネジ端子本体35の直方体部分の上面には中空部分36が形成されている。ナット34は中空部分36に固定されており、ネジ端子本体35の直方体部分の上面には電極32が配置されている。電極32はナット34を覆っており、ナット34と同軸の開口33を有している。電極32は張出部35aの内部を通ってその先端部37が張出部35aの前方下方に延在しており、張出部35aによって保持されている。突起部38は、張出部35aからネジ端子本体35の直方体部分の側面35bに向けて延在しており、その先端が図6中縦方向に広がっている。突起部38は固定位置22(図3)に対応した形状を有している。
特に図5を参照して、突起部38を所望の固定位置22に上部から嵌合させる(圧入する)ことによって、ネジ端子31はマザーケース11に固定される。ネジ端子31が固定された状態では、電極32の先端部37が半導体搭載基板1に接触し、張出部35aの一部が底部23c上に配置される。その結果、ナット34と半導体搭載基板1とが電気的に接続される。ネジ端子31は固定位置22から周縁12を跨いでマザーケース11の側部へ延在する。ネジ端子本体35および突起部38は同一の樹脂よりなっている。
図7は、図1のパワー半導体パッケージにおけるピン端子の構造を示す斜視図である。図7を参照して、ピン端子51は、突起部52と、屈曲部53と、ピン端子底部54とを有している。ピン端子底部54は薄肉部25(図2)に対応した略長方形の形状を有している。突起部52はピン端子底部54の一端から、ピン端子底部54に対して垂直に延在している。突起部52の先端部は他の部分に比べて細くなっている。屈曲部53は突起部52およびピン端子底部54の接続部分である。屈曲部53は底部に比べて細くなっており、壁本体23a(図2)同士の隙間に対応した幅を有している。
図2および図7を参照して、壁本体23a同士の隙間および接続部23b同士の隙間を通して下方に屈曲部53およびピン端子底部54を挿入し、突起部52を所望の固定位置22に嵌合させる(圧入する)ことによって、ピン端子51はマザーケース11に固定される。ピン端子51が固定された状態では、ピン端子底部54が薄肉部25上に配置される。
図8は図2のVIII部の拡大図であり、図9は図8の側面図である。図8および図9を参照して、ピン端子底部54を薄肉部25上に配置した状態で厚肉部24を溶融することによって、ピン端子底部54の上面端部55に厚肉部24の溶融した樹脂が被覆されてもよい。これによってピン端子51をマザーケース11に強固に固定することができる。厚肉部24は直接加熱して溶融されてもよいし、超音波を用いた加熱により溶融されてもよい。
また、ピン端子底部54の長さを厚肉部24の先端部までの長さよりも短くすることで、厚肉部24を溶融した樹脂をピン端子底部54の先端部に回りこませることができる。これにより、厚肉部24の溶融した樹脂によりピン端子底部54は上下、左右、前後において固定されるので、ピン端子51を一層強固に固定することができる。
さらに、ピン端子底部54の上面端部55を曲面とすることにより、厚肉部24の樹脂を溶融したときに溶融された樹脂が上面端部55を覆い易くなるため、ピン端子51を一層強固に固定することができる。なお、ピン端子51をプレスして製造する際などに生じる曲面を上面端部55とすることで、上面端部55を容易に曲面にすることができる。
本実施の形態におけるパワー半導体パッケージは、ベース板5と、その上に載置された半導体搭載基板1と、開口13を有し、ベース板5に固着することで半導体搭載基板1を収納するマザーケース11と、開口13を構成する周縁12に沿って形成された複数の固定位置22を有する固定部材21と、周縁12において固定され、半導体搭載基板1と電気的に接続されたネジ端子31およびピン端子51とを備えている。複数の固定位置22のうちいずれかの固定位置の固定部材21によってネジ端子31およびピン端子51は固定されている。
本実施の形態におけるパワー半導体パッケージによれば、所望の固定位置22にある固定部材21によって端子を固定することができるので、端子の形状や配置の変化に対応することができ、様々な形態のパッケージを構成することができる。たとえばパッケージの形態がCIBである場合には、図10(a)および(b)に示すように、周縁12a〜12dの各々にピン端子51が配置される。またパッケージの形態が7in1である場合には、図11(a)および(b)に示すように、周縁12aおよび12bの各々にネジ端子31が配置され、周縁12cにピン端子51が配置される。またパッケージの形態が2in1である場合には、図12(a)および(b)に示すように、周縁12bおよび12dの各々にネジ端子31が配置され、周縁12aおよび12cの各々にピン端子51が配置される。さらにパッケージの形態が1in1である場合には、図13(a)および(b)に示すように、周縁12bおよび12dの各々にネジ端子31が配置され、周縁12aにピン端子51が配置される。このように、ネジ端子31およびピン端子51の数量や、ネジ端子31およびピン端子51の各々の固定位置22を変更することにより、さまざまなパッケージを構成することができる。
その結果、パッケージを試作したりパッケージを量産するための金型を製造したりする費用を抑えることができる。また、一の形態のパッケージで発生する問題のみに対処すればよく、開発遅延を防ぐことができる。さらに、一の形態のパッケージのみを検証すればよく、検証の時間を短縮することができる。
加えて、ネジ端子31およびピン端子51がマザーケース11の周縁12において固定されているので、マザーケース11の上面、つまり半導体搭載基板1の上方に端子を配置する必要がなくなり、マザーケース11内部のレイアウトの制約を少なくすることができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、周縁12は互いに平行な周縁12aおよび12cと、周縁12bおよび12dとを有しており、複数の固定位置22は周縁12a〜12dの各々に沿って形成されている。これにより、略長方形状のパワー半導体パッケージの周囲に固定位置22が形成されるので、ネジ端子31およびピン端子51の配置の自由度が一層広がる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、固定部材21は周縁12に対して平行に延在する複数の壁本体23aを有している。かつネジ端子31は突起部38を有している。複数の壁本体23aの各々と周縁12とにより構成された溝と、突起部38との嵌合によりネジ端子31は固定されている。これにより、複数の壁本体23aの各々と周縁12とにより構成された溝によってネジ端子31を固定することができる。また、複数の壁本体23aの各々の隙間からピン端子51を半導体搭載基板1の方向へ引き出すことができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、固定部材21は、複数の壁本体23aの各々と周縁12とを接続する複数の接続部23bをさらに有している。これにより、複数の接続部23bの各々によって区切られた空間で複数の固定位置22を規定することができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、固定部材21は、複数の壁本体23aに対して垂直に延在する底部23cであって、周縁12の反対側に延在する底部23cをさらに有している。これにより、端子の一部を底部23cに配置することができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、ピン端子51は底部23cに固定されたピン端子底部54をさらに有している。かつ突起部52はピン端子底部54に対して垂直に延在している。これにより、突起部52を通じて外部機器とパッケージとを電気的に接続することができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、底部23cは厚肉部24と薄肉部25とを有しており、ピン端子底部54は薄肉部25に固定されており、かつ厚肉部24は溶融されてピン端子底部54の上面端部55を被覆している。これにより、ピン端子51をマザーケース11に強固に固定することができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、ネジ端子31は、固定位置22から周縁12を跨いでマザーケース11の側部へ延在している。これにより、マザーケース上部の空間を空けることができ、マザーケース11内部のレイアウトの制約を少なくすることができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、ネジ端子31は、ネジ端子本体35と、ネジ端子本体35に固定されたナット34と、ネジ端子本体35に保持され、かつナット34および半導体搭載基板1を電気的に接続する電極32とを有している。これにより、ボルト状の端子をナット34に螺合させることにより外部機器とパッケージとを電気的に接続することができる。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいては、突起部38とネジ端子本体35とは同一材料で形成される。これにより、電極32を突起部として使用する必要がないので、電極32の面積を広く取ることができ、ネジ端子31に大電流を流すことができる。
なお、本発明のマザーケースは略長方形以外の形状であってもよく、たとえば円形状などであってもよい。また、固定部材21は4つ周縁12a〜12dの全部に沿って形成されている必要はなく、たとえば4つの周縁のうち1つの周縁12aのみに沿って形成されていてもよいし、2つの周縁12a、12dのみに沿って形成されて移転もよいし、3つの周縁12a〜12cのみに沿って形成されていてもよい。さらに、本実施の形態では、半導体搭載基板1を載置するベース板5を使用してパワー半導体パッケージが構成されたが、ベース板5を使用せず半導体搭載基板1を直接マザーケース11に固着してもよく、また半導体搭載基板1を載置する構成をマザーケース11に一体的に設けてもよい。
(実施の形態2)
図14は、本発明の実施の形態2におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。図15は、図14のXV−XV線に沿った断面図である。図14および図15を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31は、電極32がスリット状の形状を有している点において、図4のネジ端子と異なっている。
電極32はスリット状の形状を有しており、スリット状の電極32における3つの先端部37の各々の間に、2本の突起部38の各々が形成されている。ネジ端子本体35の直方体部分と張出部35aとの間には開口39が形成されており、開口39を貫通するように突起部38が電極32から下方に分岐している。突起部38は、長方形の形状を有する金属板を準備し、金属板に対しその先端部37から長手方向に沿って4ヶ所切込みを入れ、切込みを入れた部分を折り曲げることにより形成されている。突起部38が形成された以外の先端部37は、突起部38とは異なる位置において折り曲げられて、電極として半導体搭載基板1(図2)と接触している。ネジ端子本体35には突起部が形成されていない。突起部38は、固定位置22(図2)に対応する位置および形状を有している。
なお、これ以外のネジ端子31の構造は、図4に示すネジ端子の構造と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態におけるパワー半導体パッケージにおいては、電極32はスリット状の形状を有しており、スリット状の電極32の先端部37の間に突起部38が形成されている。これにより、アウトサート成形のみを用いてネジ端子31を製造することができるため、ネジ端子31の製造が容易になる。また、突起部38を金属で形成することができるので、突起部38を樹脂により形成する場合に比べて強度を向上することができる。さらに、ネジ端子本体35の材料選択の幅が広がる。
(実施の形態3)
図16は、本発明の実施の形態3におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。図17は、図16のXVII−XVII線に沿った断面図である。図16および図17を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31は、突起部38の先端38aと電極32とが接続されている点において、実施の形態2のネジ端子と異なっている。突起部38は、ネジ端子本体35の直方体部分と張出部35aとの間の開口39を貫通するように電極32から下方に分岐し、再び水平方向に延在してその先端38aが電極32に接続されている。
なお、これ以外のネジ端子31の構造は、図14および図15に示すネジ端子の構造と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態におけるパワー半導体パッケージにおいては、突起部38の先端38aと電極32とが接続されている。これにより、突起部38にも電流を流すことができ、ネジ端子31に大電流を流すことができる。
(実施の形態4)
図18は、本発明の実施の形態4におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。図19は、図18のXIX−XIX線に沿った断面図である。図18および図19を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31は、電極32の固定方法において図4のネジ端子と異なっている。
電極32はネジ端子本体35の上面および側面に沿って形成されている。ネジ端子本体35の張出部35aの中央部には本体突起部40が形成されており、電極32における本体突起部40に対応する位置には孔41が形成されている。本体突起部40と孔41とは嵌合されている。また、ネジ端子本体35の張出部35aの側面には爪42が形成されており、電極32と爪42とは係合している。これにより、電極32はネジ端子本体35に保持されている。
なお、これ以外のネジ端子31の構造は、図4に示すネジ端子の構造と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態におけるパワー半導体パッケージにおいては、ネジ端子本体35は本体突起部40と爪42とを有しており、かつ電極32は孔41を有している。本体突起部40および孔41の嵌合と、爪42および電極32の係合とによって電極32はネジ端子本体35に保持されている。これにより、電極32の構造を複雑にせずにアウトサート成形にてネジ端子31を製造することができる。
なお、本実施の形態の本体突起部40は、図20および図21に示すように、溝部40aを有するようなスリット形状であってもよく、かつ本体突起部40の外形が孔41よりも大きくてもよい。本体突起部40と孔41とを嵌合させる際には、本体突起部40の外形が孔41よりも大きいので、本体突起部40が溝部40a側(スリット形状の内側)に倒れることにより孔41に挿入される。また、本体突起部40が孔41へ挿入された後は本体突起部40が元の位置に戻り、本体突起部40が孔41内に保持される。
この構成の場合には、電極32の構造を複雑にせずにアウトサート成形にてネジ端子31を製造することができる。
本実施の形態におけるパワー半導体パッケージにおいて、本体突起部40はスリット形状を有しており、かつ本体突起部40の外形は孔41よりも大きく、本体突起部40と孔41とを嵌合させる際には本体突起部40がスリット形状の内側に倒れることにより孔41に挿入され、本体突起部40が孔41へ挿入された後は本体突起部40の外形が孔41よりも大きいことにより本体突起部40が孔41内に保持される。これにより、電極32をネジ端子本体35に容易に固定することができる。
(実施の形態5)
図22は、本発明の実施の形態5におけるネジ端子およびマザーケースの構造を示す断面図である。図22を参照して、本実施の形態において、ネジ端子本体35のマザーケース11側の下部側面は外方に張出しており、張出した部分の上面に段差面43(第1段差面)が形成されている。またマザーケース11のネジ端子本体35側の下部側面は内側に凹んでおり、凹んだ部分の天井面に段差面44(第2段差面)が形成されている。段差面43および44は共に突起部38の嵌合方向(図22中矢印方向)の法線を有しており、かつ互いに対向して接触している。
なお、これ以外のネジ端子31およびマザーケース11の構造は、実施の形態1におけるネジ端子31およびマザーケース11の構造とほぼ同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態のパワー半導体パッケージにおいて、ネジ端子本体35は突起部38の嵌合方向の法線を有する段差面43を有しており、かつマザーケース11は突起部38の嵌合方向の法線を有する段差面44を有している。段差面43および第2段差面44が互いに対向して接触している。これにより、ネジ端子31が上部へ抜けることを防止することができる。
(実施の形態6)
図23は、本発明の実施の形態6におけるネジ端子の構造を示す断面図である。図24は、図23のネジ端子の底面図である。図23および図24を参照して、本実施の形態におけるネジ端子31では、互いに対向する張出部35aの側面35cおよび直方体部分の側面35bの距離W1と、壁本体23aの側面26およびマザーケース11の側面14の厚さW2とが等しくなっている。また、突起部38は側面35bに向かって延在しており、その先端は図24中縦方向には広がっていない。
本実施の形態のネジ端子31は、張出部35aの側面35cと壁本体23aの側面26とが接触し、かつ直方体部分の側面35bとマザーケース11の側面14とが接触するように固定部材21およびマザーケース11に嵌合される。また、壁本体23a同士の間に突起部38が挿入されることによりネジ端子31の位置決めがなされる。
なお、これ以外のネジ端子31の構造は、図4に示すネジ端子の構造とほぼ同様であるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
本実施の形態におけるパワー半導体パッケージによれば、ネジ端子31の形状を簡略化することができるので、ネジ端子31を製造する際に用いる金型の形状を簡略化することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の半導体装置は、産業機器のインバータ駆動などに用いられるパワー半導体パッケージに適している。
本発明の実施の形態1におけるパワー半導体パッケージの構造を示す平面図である。 図1のパワー半導体パッケージにおける端子の固定方法を模式的に示す斜視図である。 図1のパワー半導体パッケージにおける固定部材付近の拡大図である。 図1のパワー半導体パッケージにおけるネジ端子の構造を示す斜視図である。 図1のパワー半導体パッケージに図4のネジ端子を固定する様子を示す断面図である。 図4のネジ端子の底面図である。 図1のパワー半導体パッケージにおけるピン端子の構造を示す斜視図である。 図2のVIII部の拡大図である。 図8の側面図である。 パッケージの形態がCIBである場合のネジ端子およびピン端子の位置を示す平面図である。(a)は端子を配置する前であり、(b)は端子を配置した後である。 パッケージの形態が7in1である場合のネジ端子およびピン端子の位置を示す平面図である。(a)は端子を配置する前であり、(b)は端子を配置した後である。 パッケージの形態が2in1である場合のネジ端子およびピン端子の位置を示す平面図である。(a)は端子を配置する前であり、(b)は端子を配置した後である。 パッケージの形態が1in1である場合のネジ端子およびピン端子の位置を示す平面図である。(a)は端子を配置する前であり、(b)は端子を配置した後である。 本発明の実施の形態2におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。 図14のXV−XV線に沿った断面図である。 本発明の実施の形態3におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。 図16のXVII−XVII線に沿った断面図である。 本発明の実施の形態4におけるネジ端子の構造を示す斜視図である。 図18のXIX−XIX線に沿った断面図である。 本発明の実施の形態4におけるネジ端子の変形例の構造を示す斜視図である。 図20のネジ端子の上面図である。 本発明の実施の形態5におけるネジ端子およびマザーケースの構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態6におけるネジ端子の構造を示す断面図である。 図23のネジ端子の底面図である。
符号の説明
1 半導体搭載基板、5 ベース板、11 マザーケース、12,12a〜12d 周縁、13,33,39 開口、14 マザーケースの側面、21 固定部材、22 固定位置、23a 壁本体、23b 接続部、23c 底部、24 厚肉部、25 薄肉部、26 壁本体の側面、31 ネジ端子、32 電極、34 ナット、35 ネジ端子本体、35a 張出部、35b 直方体部分の側面、35c 張出部の側面、36 中空部分、37 先端部、38,52 突起部、38a 突起部先端、40 本体突起部、40a 溝部、41 孔、42 爪、43,44 段差面、51 ピン端子、53 屈曲部、54 ピン端子底部、55 ピン端子底部の上面端部。

Claims (15)

  1. 半導体搭載基板と、
    開口を有し、前記半導体搭載基板を収納する筐体と、
    前記開口を構成する周縁に沿って形成された複数の固定位置を有する固定部材と、
    前記周縁において固定され、前記半導体搭載基板と電気的に接続された端子とを備え、
    前記複数の固定位置のうちいずれかの固定位置の前記固定部材によって前記端子は固定されることを特徴とする、半導体装置。
  2. 前記周縁は互いに平行な2組の辺を有し、前記複数の固定位置は前記2組の辺の各々に沿って形成されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記固定部材は前記周縁に対して平行に延在する複数の壁本体を有し、かつ前記端子は突起部を有し、
    前記複数の壁本体の各々と前記周縁とにより構成された溝と、前記突起部との嵌合により前記端子は固定されることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。
  4. 前記固定部材は、前記複数の壁本体の各々と前記周縁とを接続する複数の接続部をさらに有することを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
  5. 前記固定部材は、前記複数の壁本体に対して垂直に延在する底部であって、前記周縁の反対側に延在する前記底部をさらに有することを特徴とする、請求項3または4に記載の半導体装置。
  6. 前記端子は前記底部に固定された端子底部をさらに有し、かつ前記突起部は前記端子底部に対して垂直に延在することを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置。
  7. 前記底部は厚肉部と薄肉部とを有し、前記端子底部は前記薄肉部に固定され、かつ前記厚肉部は溶融されて前記端子底部の上面端部を被覆していることを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置。
  8. 前記端子は、前記溝から前記周縁を跨いで前記筐体の側部へ延在することを特徴とする、請求項3〜7のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 前記端子は、端子本体と、前記端子本体に固定されたナットと、前記端子本体に保持され、かつ前記ナットおよび前記半導体搭載基板を電気的に接続する電極とを有することを特徴とする、請求項3〜8のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 前記突起部と端子本体とは同一材料で形成されることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
  11. 前記電極はスリット状の形状を有し、スリット状の前記電極の間に前記突起部が形成されることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
  12. 前記突起部の先端と前記電極とが接続されることを特徴とする、請求項11に記載の半導体装置。
  13. 前記端子本体は本体突起部と爪とを有し、かつ前記電極は孔を有し、前記本体突起部および前記孔の嵌合と、前記爪および前記電極の係合とによって前記電極は前記端子本体に保持されることを特徴とする、請求項9〜12のいずれかに記載の半導体装置。
  14. 前記本体突起部はスリット形状を有し、かつ前記本体突起部の外形は前記孔よりも大きく、前記本体突起部と前記孔とを嵌合させる際には前記本体突起部がスリット形状の内側に倒れることにより前記孔に挿入され、前記本体突起部が前記孔へ挿入された後は前記本体突起部の外形が前記孔よりも大きいことにより前記本体突起部が前記孔内に保持されることを特徴とする、請求項13に記載の半導体装置。
  15. 前記端子本体は前記突起部の嵌合方向の法線を有する第1段差面を有し、かつ前記筐体は前記突起部の嵌合方向の法線を有する第2段差面を有し、前記第1段差面および前記第2段差面が互いに対向して接触することを特徴とする、請求項9〜14のいずれかに記載の半導体装置。
JP2006179983A 2006-06-29 2006-06-29 半導体装置 Active JP4242401B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006179983A JP4242401B2 (ja) 2006-06-29 2006-06-29 半導体装置
US11/554,251 US7541670B2 (en) 2006-06-29 2006-10-30 Semiconductor device having terminals
CNB2006101636787A CN100499092C (zh) 2006-06-29 2006-11-30 具有端子的半导体装置
DE102007012818A DE102007012818B4 (de) 2006-06-29 2007-03-16 Halbleitervorrichtung mit Anschlüssen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006179983A JP4242401B2 (ja) 2006-06-29 2006-06-29 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008010656A true JP2008010656A (ja) 2008-01-17
JP4242401B2 JP4242401B2 (ja) 2009-03-25

Family

ID=38777093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006179983A Active JP4242401B2 (ja) 2006-06-29 2006-06-29 半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7541670B2 (ja)
JP (1) JP4242401B2 (ja)
CN (1) CN100499092C (ja)
DE (1) DE102007012818B4 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206269A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置とその製造方法
JP2011210990A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102011075154A1 (de) 2010-05-07 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
JP2011243798A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2012229750A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2013171870A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体モジュールとその製造方法
JP2016066761A (ja) * 2014-09-26 2016-04-28 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール装置
JP2017092388A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2017126682A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 京セラ株式会社 半導体装置
JP2017152525A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 京セラ株式会社 半導体装置
DE102021126117A1 (de) 2020-10-30 2022-05-05 Mitsubishi Electric Corporation Herstellungsverfahren eines Gehäuses für eine Halbleitervorrichtung
JP7422696B2 (ja) 2021-02-09 2024-01-26 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4890208B2 (ja) * 2006-11-24 2012-03-07 三菱電機株式会社 半導体装置
US7944042B2 (en) * 2007-03-08 2011-05-17 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
DE102010000942B4 (de) * 2010-01-15 2022-08-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102010038727B4 (de) * 2010-07-30 2015-07-16 Infineon Technologies Ag Leistungshaltleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
JP5902813B2 (ja) * 2012-06-26 2016-04-13 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
DE102014004799B4 (de) * 2014-04-03 2022-05-19 Sew-Eurodrive Gmbh & Co Kg Elektrogerät und Verfahren zur Herstellung eines Elektrogerätes
WO2019117107A1 (ja) * 2017-12-14 2019-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置
EP3797962A1 (de) * 2019-09-30 2021-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Gehäuse eines elektronikmoduls und dessen herstellung

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276353A (ja) 1985-05-31 1986-12-06 Toshiba Corp 混成集積回路
DE59100737D1 (de) 1991-05-15 1994-01-27 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls.
JP2720009B2 (ja) 1993-11-29 1998-02-25 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール
JP2720008B2 (ja) 1993-11-29 1998-02-25 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール
JPH098191A (ja) 1995-06-20 1997-01-10 Origin Electric Co Ltd 電力用半導体装置
US6060772A (en) * 1997-06-30 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips
GB9725960D0 (en) * 1997-12-08 1998-02-04 Westinghouse Brake & Signal Encapsulating semiconductor chips
JP3404277B2 (ja) 1998-01-21 2003-05-06 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
DE29900370U1 (de) 1999-01-12 1999-04-08 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG, 59581 Warstein Leistungshalbleitermodul mit Deckel
WO2001082376A1 (fr) * 2000-04-25 2001-11-01 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Dispositif a semi-conducteur
JP2002076259A (ja) 2000-08-28 2002-03-15 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JP4432319B2 (ja) * 2001-01-23 2010-03-17 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2002246515A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE10120402B4 (de) 2001-04-25 2005-04-14 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungshalbleitermodul-Gehäuse
JP4066644B2 (ja) * 2001-11-26 2008-03-26 株式会社豊田自動織機 半導体装置、半導体装置の配線方法
JP3813098B2 (ja) * 2002-02-14 2006-08-23 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206269A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置とその製造方法
US8399976B2 (en) 2008-02-27 2013-03-19 Mitsubishi Electric Corporation Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
US8785252B2 (en) 2008-02-27 2014-07-22 Mitsubishi Electric Corporation Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2011210990A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8526199B2 (en) 2010-05-07 2013-09-03 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
DE102011075154A1 (de) 2010-05-07 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
JP2011238691A (ja) * 2010-05-07 2011-11-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE102011075154B4 (de) * 2010-05-07 2016-06-16 Mitsubishi Electric Corp. Halbleitervorrichtung
JP2011243798A (ja) * 2010-05-19 2011-12-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2012229750A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2013171870A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体モジュールとその製造方法
JP2016066761A (ja) * 2014-09-26 2016-04-28 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール装置
JP2017092388A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2017126682A (ja) * 2016-01-15 2017-07-20 京セラ株式会社 半導体装置
JP2017152525A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 京セラ株式会社 半導体装置
DE102021126117A1 (de) 2020-10-30 2022-05-05 Mitsubishi Electric Corporation Herstellungsverfahren eines Gehäuses für eine Halbleitervorrichtung
US11806903B2 (en) 2020-10-30 2023-11-07 Mitsubishi Electric Corporation Manufacturing method of housing for semiconductor device
JP7422696B2 (ja) 2021-02-09 2024-01-26 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101097898A (zh) 2008-01-02
CN100499092C (zh) 2009-06-10
US20080001278A1 (en) 2008-01-03
JP4242401B2 (ja) 2009-03-25
US7541670B2 (en) 2009-06-02
DE102007012818A1 (de) 2008-01-03
DE102007012818B4 (de) 2012-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4242401B2 (ja) 半導体装置
JP5211364B2 (ja) 半導体装置
JP6390663B2 (ja) 電気コネクタ及びその製造方法
JP6107362B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP5216428B2 (ja) 電気接続箱
JP6165025B2 (ja) 半導体モジュール
JP4588522B2 (ja) 電気接続箱
JP5245880B2 (ja) 電力用半導体モジュールとその製造方法
JP6625037B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US9924598B2 (en) Electronic control device and production method thereof
JP2010199514A (ja) 回路構成体
JP2007311152A (ja) 配線基板ユニット
JP2007151296A (ja) コネクタ付基板
JP5370731B2 (ja) 回路ユニット、回路構成体、電気接続箱および回路ユニットの製造方法
KR101672990B1 (ko) 차량 램프용 터미널
JP5037398B2 (ja) 半導体装置
JP5376212B2 (ja) 回路構成体および電気接続箱
JP2011120446A (ja) 電気接続箱
JP2007165058A (ja) タブ端子、その固定構造、その接続構造及び電気接続箱
JP4833733B2 (ja) 配線基板ユニット
JP2007166741A (ja) 電気接続箱
TW202416784A (zh) 組合式功率模組
JP4912350B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP2010183696A (ja) 回路構成体および電気接続箱
JP2010238508A (ja) 回路基板用コネクタ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20081216

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081224

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4242401

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250