JP2007512318A5

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Publication number: JP2007512318A5
Application number: JP2006540664A
Authority: JP
Filing date: 2004-11-24
Publication date: 2007-12-20

Description

本発明の第二の観点は、本発明の第一の観点に係る方法において使用してもよいビス−オキサラトプラチネート（II）塩の製造方法に関する。本発明の第二の観点による製法には、白金（II）化合物（例えば、Ｋ_２ＰｔＸ_４）若しくは白金（IV）化合物（例えば、Ｋ_２ＰｔＸ_６）（式中、Ｘはハロゲン原子、例えば、Ｃｌ，Ｂｒ又はＩを示し、好ましくはＣｌを示す）をオキサレートと反応させる工程が含まれる。白金（II）化合物若しくは白金（IV）化合物とオキサレートは１：４よりも高いモル比で反応させる。該モル比は、好ましくは１：８以上、より好ましくは１：１６以上、最も好ましくは１：２４以上である。

白金（II）ビス−オキサラト種は一般的にはＫ_２Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２・２Ｈ_２Ｏである。

より高濃度の錯化アニオン（オキサレート）は、ビス−オキサラトプラチネート（II）種の安定剤として作用するだけでなく、配位子交換と反応速度を改善し、これによってビス−オキサラトプラチネート（II）種の高収率がもたらされる。使用するオキサレートの過剰度が大きくなるほど、Ｋ_２Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２・２Ｈ_２Ｏの収率（％）は高くなる。図１に示すように、Ｋ_２ＰｔＣｌ_６に対してＫ_２Ｃ_２Ｏ_４を１：１６のモル比で使用すると、Ｋ_２Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２・２Ｈ_２Ｏの収率は僅かに６７％であるが、該収率は、オキサレートの過剰度が高くなるに伴って増加し、該モル比が３４：１になると、該収率は８６％になる。

Claims

下記の工程 i）及び所望による工程 ii）を含む中性二座配位子を含有する白金（II）錯体の製造方法：
i）ビス−ジカルボキシラトプラチネート（II）種を中性二座配位子と反応させることによって、中性二座配位子を含有する中性ジカルボキシラト白金（II）錯体生成物を生成させ、次いで所望により、
ii）該生成物を再結晶化処理に付すことによって、中性二座配位子を含有する純粋なジカルボキシラト白金（II）錯体を生成させる。
ビス−オキサラトプラチネート（II）種及び配位子を４０℃〜１００℃で０．５〜３時間反応させる請求項１記載の方法。
ビス−オキサラトプラチネート（II）種及び配位子を約９５℃で反応させる請求項２記載の方法。
ビス−オキサラトプラチネート（II）種及び配位子を約１時間反応させる請求項２又は３記載の方法。
生成物を蒸留水に溶解させることによって該生成物を汚染させているジカルボキシラトプラチネート（II）を該生成物から除去し、次いでジカルボキシラトプラチネート（II）種を、濾過処理によって該溶解生成物から分離させることができる化学種に変換させるオキサレートを添加する請求項１から４いずれかに記載の方法。
オキサレートがＣｓ_２Ｃ_２Ｏ_４である請求項５記載の方法。
中性二座配位子がアミンである請求項１から６いずれかに記載の方法。
アミンがジアミンである請求項７記載の方法。
化学的及び光学的に純粋なオキサリプラチンを調製するための請求項８記載の方法であって、配位子が光学的に純粋なトランス−ｌ−１，２−ジアミノシクロヘキサンである該方法。
中性二座配位子がＮ以外のドナー原子を含有するか、又はＮと共にＮ以外のドナー原子を含有する請求項１から７いずれかに記載の方法。
Ｎ以外のドナー原子がＳ又はＳｅから選択される請求項１０記載の方法。
中性二座配位子が、ドナー原子としてＳを含む中性の複素環式アミン二座配位子である請求項１１記載の方法。
中性の複素環式アミン二座配位子がチオエーテル性Ｓを含む請求項１２記載の方法。
中性二座配位子が１−アルキル／アリール−２−アルキルチオアルキル／アリール複素環式アミンである請求項１３記載の方法。
複素環式アミンがイミダゾール又はピリジンである請求項１４記載の方法。
中性二座配位子が下記の配位子（i）〜（viii）のいずれかである請求項１５記載の方法：
配位子(i) １−メチル−２−メチルチオエチルイミダゾール
配位子(ii) １−メチル−２−メチルチオプロピルイミダゾール
配位子(iii) １−ブチル−２−メチルチオメチルイミダゾール
配位子(iv) １−メチル−２−メチルチオメチルイミダゾール
配位子(v) １−ブチル−２−メチルチオエチルイミダゾール
配位子(vi) ２−メチルチオメチルピリジン
配位子(vii) ２−メチルチオエチルピリジン
配位子(viii) ２−メチルチオプロピルピリジン
中性二座配位子がアミノアルキルチオアルキル／アリール化合物である請求項１０記載の方法。
中性二座配位子が下記の配位子（ix）又は（x）である請求項１７記載の方法：
配位子(ix) １−アミノ−２−チオメチルエタン
配位子(x) １−アミノ−２−チオエチルエタン
中性二座配位子がジチオエーテルである請求項１０記載の方法。
中性二座配位子が下記の配位子（xi）である請求項１９記載の方法：
配位子(xi) ２，５−ジチアヘキサン
中性二座配位子がジセレノエーテルである請求項１０記載の方法。
中性二座配位子が下記の配位子（xii）である請求項１９記載の方法：
配位子(xii) ２，５−ジセレノヘキサン
チオエーテル性Ｓドナー原子を含む複素環式アミンを有する中性仁座配位子を含有するオキサラト白金（II）錯体。
オキサラト（１−メチル−２−メチルチオエチルイミダゾール）白金（II）。
オキサラト（１−メチル−２−メチルチオプロピルイミダゾール）白金（II）。
オキサラト（１−ブチル−２−メチルチオメチルイミダゾール）白金（II）。
オキサラト（１−メチル−２−メチルチオメチルイミダゾール）白金（II）。
オキサラト（１−ブチル−２−メチルチオエチルイミダゾール）白金（II）。
オキサラト（２−メチルチオメチルピリジン）白金（II）。
オキサラト（１−アミノ−２−チオエチルエタン）白金（II）。
オキサラト（１−アミノ−２−チオプロピルエタン）白金（II）。
オキサラト（１−アミノ−２−チオメチルエタン）白金（II）。
オキサラト（１−アミノ−２−チオエチルエタン）白金（II）。
オキサラト（２，５−ジチアヘキサン）白金（II）。
オキサラト（２，５−ジセレノヘキサン）白金（II）。
患者の癌を処置する方法であって、請求項２３から３５いずれかに記載のオキサラト白金（II）錯体を患者へ投与することを含む該方法。
患者の癌を処置する方法において使用するための請求項２３から３５いずれかに記載のオキサラト白金（II）錯体。
請求項２３から３５いずれかに記載のオキサラト白金（II）錯体の使用であって、患者の癌を処置する方法において使用するための薬剤の製造法における該使用。
痕跡量の銀を含有しないオキサラト白金（II）錯体生成物。
ビス−オキサラトプラチネート（II）種の製造方法であって、白金（II）化合物又は白金（IV）化合物をオキサレートと、１：４よりも高い高モル比で反応させる工程を含む該方法。
白金（II）化合物又は白金（IV）化合物をオキサレートと、１：８以上の高モル比で反応させる請求項４０記載の方法。
白金（II）化合物又は白金（IV）化合物をオキサレートと、１：１６以上の高モル比で反応させる請求項４１記載の方法。
白金（II）化合物又は白金（IV）化合物をオキサレートと、１：２４以上の高モル比で反応させる請求項４２記載の方法。
白金（II）化合物が式Ｋ_２ＰｔＸ_４（式中、Ｘはハロゲン化物を示す）で表される化合物である請求項４０から４３いずれかに記載の方法。
白金（IV）化合物が式Ｋ_２ＰｔＸ_６（式中、Ｘはハロゲン化物を示す）で表される化合物である請求項４０から４３いずれかに記載の方法。
ＸがＣｌを示す請求項４４又は４５記載の方法。
オキサレートによって白金（IV）化合物が白金（II）化合物へ還元される請求項４５記載の方法。
白金（IV）化合物がＳＯ_２又はスルフィットによって還元される請求項４５記載の方法。
オキサレートがＫ_２Ｃ_２Ｏ_４である請求項４０記載の方法。
ビス−オキサラト白金（II）種がＫ_２Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２・２Ｈ_２Ｏである請求項４０記載の方法。
白金（II）化合物若しくは白金（IV）化合物及びオキサレートを４０℃〜１００℃未満の温度において０．５〜４時間反応させる請求項４０から５０いずれかに記載の方法。
白金（II）化合物若しくは白金（IV）化合物及びオキサレートを約９５℃で反応させる請求項５１記載の方法。
白金（II）化合物若しくは白金（IV）化合物を約１時間反応させる請求項５１又は５２記載の方法。