JP2007318084A - 光学デバイス用パッケージとその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】光学デバイス用パッケージの個片分割をブレイク分割で行いつつ、光学デバイスの外形寸法をダイシング分割と同寸法に小型化できる光学デバイス用パッケージを提供する。
【解決手段】ベース部2の上に複数のセラミック層101,102,103を積層して、中央に光学素子が搭載される凹部18が形成された光学デバイス用パッケージであって、最上層のセラミック層103の4つのコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、セラミック層100,101,102のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置するように、バリ防止用の逆R部11を、セラミック層100,101,102のコーナーに形成したことを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付携帯電話装置などに使用される固体撮像装置などの光学デバイスに関するものである。
近年、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ(ムービー)、カメラ付携帯電話装置などは、高画素、高画質化、小型化に加えて低コスト化の要求がますます高まってきており、これらの機器に搭載される固体撮像装置などの光学デバイスには、更なる小型化と低コスト化が求められている。
図10に従来のセラミックパッケージを用いた光学デバイスの代表例として、固体撮像装置を示す。
図10(a)は固体撮像装置の平面図、図10(b)はB−BB線に沿った断面図である。
光学素子としての固体撮像素子7は、凹状のパッケージ1内のベース部2に接着剤8によって固着されている。固体撮像素子7の端子は、パッケージ1内に配置された内部端子4にボンディングワイヤー9によって電気的に接続されている。このパッケージ1の上面の開口部には、パッケージ1内を気密状態に保つガラス板などの蓋体10が接着されている。5は内部端子4から引き出された外部端子である。
この固体撮像装置では、パッケージ1の個片分割をブレイク分割で行い、加えて、ブレイク時に発生する4つのコーナーのバリは、外形面で不良品となる可能性がある他、ダスト原因となることから、4つのコーナーに逆R部11を設けることによってバリの発生を防止し、低コスト化を図っている。
しかしこの方法では、蓋体10の搭載精度および部材公差を考慮した、蓋体10の外形からパッケージ1の外形までのクリアランス13に、逆R部11の寸法および公差分のスペースが必要となり、固体撮像装置の外形が大きくなっている。
そこで、更に小型化を図った従来のセラミックパッケージを用いた固体撮像装置を、図11に示す。図11(a)は固体撮像装置の平面図、図11(b)はC−CC線に沿った断面図である。
この固体撮像装置では、パッケージ1の個片分割をダイシング分割で行うことにより、4つのコーナーにバリが発生しないため、逆R部11を設ける必要がなく、蓋体10の外形からパッケージ1の外形までのクリアランス13に無駄なスペースが無いため、小型化が可能である。
特開2001−28431公報
しかし、パッケージ1をダイシング分割する方法では、4つのコーナーにバリが発生しないため、逆R部11を設ける必要がないので固体撮像装置を小型化できるが、ダイシングコストが高く、パッケージ1のコストが高くなっている。
また、パッケージ1をブレイク分割する方法では、低コストとなるが、4つのコーナーにバリ防止用の逆R部11が不可欠であるため、固体撮像装置の外形寸法をダイシング分割と同等の小型にすることが不可能であり、低コスト化と小型化は相反する関係となっていた。
そこで、パッケージ1のコストがブレイク分割と同等に低コストでありながら、加えて光学デバイスの外形寸法をダイシング分割と同等に小型化することが大きな課題である。
本発明は上記課題を解決するもので、パッケージの個片分割を低コストであるブレイク分割で行いつつ、固体撮像装置などの光学デバイスの外形寸法をダイシング分割と同寸法に小型化できる光学デバイス用パッケージを提供することを目的とする。
本発明の請求項1記載の光学デバイス用パッケージは、少なくとも2枚以上の板状体を積層して、中央に光学素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージであって、最上層の板状体の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層の板状体の下に位置する各層の板状体のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置していることを特徴とする。
本発明の請求項2記載の固体撮像装置用パッケージは、少なくとも2枚以上の板状体を積層して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージであって、最上層の板状体の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層の板状体の下に位置する各層の板状体のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置していることを特徴とする。
本発明の請求項3記載の光学デバイス用パッケージは、ベース部の上に複数のセラミック層を積層して、中央に光学素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージであって、最上層のセラミック層の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層のセラミック層の下に位置するセラミック層のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置していることを特徴とする。
本発明の請求項4記載の固体撮像装置用パッケージは、ベース部の上に複数のセラミック層を積層して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージであって、最上層のセラミック層の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層のセラミック層の下に位置するセラミック層のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置していることを特徴とする。
本発明の請求項5記載の光学デバイス用パッケージは、中央に光学素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージであって、中央に前記凹部が形成されたパッケージ下部とこのパッケージ下部の上に接合されたパッケージ上部を有し、パッケージ上部の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記パッケージ下部のコーナーの外形より前記中央からみて外側に位置していることを特徴とする。
本発明の請求項6記載の固体撮像装置用パッケージは、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージであって、中央に前記凹部が形成されたパッケージ下部とこのパッケージ下部の上に接合されたパッケージ上部を有し、パッケージ上部の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記パッケージ下部のコーナーの外形より前記中央からみて外側に位置していることを特徴とする。
本発明の請求項7記載の固体撮像装置用パッケージは、請求項4において、前記最上層が複数のセラミック層で形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項8記載の固体撮像装置用パッケージは、請求項2において、最上層の板状体のコーナーの外形が、前記最上層の板状体の下に位置する板状体のコーナーの外形より外側に位置している個所は、最上層の板状体の下に位置する板状体のコーナーをR、逆R、面取り、切欠き、凹部等のバリ防止形状に形成したことを特徴とする。
本発明の請求項9記載の固体撮像装置用パッケージは、請求項6において、パッケージ上部のコーナー外形が、パッケージ下部のコーナーの外形より前記中央からみて外側に位置している個所は、最上層の板状体の下に位置する板状体のコーナーをR、逆R、面取り、切欠き、凹部等のバリ防止形状に形成したことを特徴とする。
本発明の請求項10記載の固体撮像装置用パッケージは、請求項8または請求項9において、バリ防止形状に形成した部分に側面メッキまたはバリ防止形状に形成した部分に対応して底面に裏面メッキが形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項11記載の固体撮像装置用パッケージは、請求項4において、最下層の板状体の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最下層の板状体の上に位置する各層の板状体の内の前記最上層の板状体を除く板状体のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置していることを特徴とする。
本発明の請求項12記載の固体撮像装置用パッケージは、請求項11において、前記最下層が複数のセラミック層で形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項13記載の光学デバイス用パッケージの製造方法は、セラミックシートを積層した積層シートを個片分割して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージを形成するに際し、ベース部のセラミックシートの上に、各パッケージの前記凹部となる部分に第1の孔が形成されたセラミックシートを積層した第1シートを形成し、前記第1シートの各パッケージの4つコーナーに対応する部分の内、少なくとも一つ以上のコーナーに個片分割の実行時にバリ防止形状として作用する第2の孔を形成し、前記第1シートの上に前記第1の孔に対応して第3の孔が形成された第2のシートを積層し、前記第1のシートと第2のシートの積層シートの上面と下面のうちの少なくとも一方の各パッケージの外形に対応する部分に、切り込みを形成し、前記切り込みを形成した第1のシートと第2のシートの積層シートを焼成し、焼成後の積層シートを前記切り込みで個片分割して各パッケージに分割することを特徴とする。
本発明の請求項14記載の固体撮像装置用パッケージの製造方法は、セラミックシートを積層した積層シートを個片分割して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージを形成するに際し、ベース部のセラミックシートの上に、各パッケージの前記凹部となる部分に第1の孔が形成されたセラミックシートを積層した第1シートを形成し、前記第1シートの各パッケージの4つコーナーに対応する部分の内、少なくとも一つ以上のコーナーに個片分割の実行時にバリ防止形状として作用する第2の孔を形成し、前記第1シートの上に前記第1の孔に対応して第3の孔が形成された第2のシートを積層し、前記第1のシートと第2のシートの積層シートの上面と下面のうちの少なくとも一方の各パッケージの外形に対応する部分に、切り込みを形成し、前記切り込みを形成した第1のシートと第2のシートの積層シートを焼成し、焼成後の積層シートを前記切り込みで個片分割して各パッケージに分割することを特徴とする。
本発明の請求項15記載の固体撮像装置は、請求項2,4,6,7,8のいずれかに記載の固体撮像装置用パッケージの凹部に、固体撮像素子を搭載したことを特徴とする。
本発明の光学デバイス用パッケージによれば、最上層の4つのコーナーにバリ防止用の逆R部等の形状を設けなくても、ブレイク分割による個片分割によってバリが発生しない。そのため、光学デバイスの蓋体の外形からパッケージの外形までクリアランスに、無駄なスペースを設ける必要がない。その結果、個片分割を低コストであるブレイク分割で行いつつ、光学デバイスの外形寸法をダイシング分割と同寸法に小型化できる。
以下、本発明の各実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1〜図5は本発明の(実施の形態1)を示す。
図1(a)は本発明の(実施の形態1)の固体撮像装置用パッケージを使用した固体撮像装置の平面図であり、図1(b)は図1(a)におけるA―AA線に沿う断面図である。
図1(a)(b)に示すように、固体撮像装置用パッケージ1(以下、単にパッケージ1という)は、ベース部2とその周縁に立ち上がった側壁部3とにより形成された凹部18を有している。
ベース部2は、板状体のセラミック層100からなり、側壁部3は板状体のセラミック層101,102,103から構成されている。また、セラミック層101は、一対の対向面が内方へ突出しており、その上面に複数の内部端子4が配列され、各内部端子4に電気的に接続した外部端子5が側壁部3の外面に配列されている。
固体撮像素子7は、このパッケージ1の前記凹部18の内側のベース部2に接着剤8により固着され、固体撮像素子7の複数の端子が各々にボンディングワイヤー9により内部端子4に接続されて外部端子5へと引き出され、最上層のセラミック層103の上面にガラス板などの蓋体10を搭載し、固体撮像装置が構成される。
ここで、パッケージ1が、先に図10と図11を用いて説明した従来のものと相違するのは、セラミック層103の下に位置するセラミック層100,101,102には、それぞれ4つのコーナーにバリ防止用の逆R部11を設けているが、最上層の板状体のセラミック層103の4つのコーナーに逆R部は形成されていない点と、最上層の板状体のセラミック層103の4つのコーナーの外形が、このセラミック層103の下に位置するセラミック層100,101,102の4つのコーナーの外形より外側に位置している点である。
ここで使用しているパッケージ1は、図2(a)(b)と図3(a)(b)に示す工程で製造されている。
まず、セラミック層100,101,102となる各セラミックシート100a,101a,102aを、図2(a)に示すように積層して第1シート19を形成する。18aはセラミックシート101aに形成された孔、18bはセラミックシート102aに形成された孔である。
次に、図2(b)に示すように第1シート19の各パッケージの4つのコーナーに対応する部分にバリ防止形状として作用する第2の孔11Aを形成する。なお、図2(b)では、後に各パッケージとなる各エリアが仮想線で図示されている。
次に、第2の孔11Aの開けられた第1シート19に、図3(a)に示すように第2のシートとしてのセラミックシート103aを積層する。後にセラミック層103となるセラミックシート103aには、セラミックシート102aに形成された孔18bに対応して形成されて前記凹部18の一部となる孔18Cだけが形成されていて、第1シート19の第2の孔11Aに対応する位置には孔は開けられていない。
さらに、このようにセラミックシート100a,101a,102a,103aを積層した積層シート20に対して、図3(b)に示すように、上面のセラミックシート103aと下面のセラミックシート100aに対して、刃物21a,21bによって各パッケージの外形に対応する部分に切り込み22が形成される。
切り込み22の形成された積層シート20は、焼成される。この焼成後に、積層シート20を切り込み22で個片分割して各パッケージに分割する。
このようにして、セラミック層100,101,102のみをブレイク分割によって個片分割する。詳しくは、このようにセラミック層101,102の4つコーナーにバリ防止用の逆R部11を設け、セラミック層103の4つコーナーには逆R部11を設けていないので、固体撮像装置の蓋体10の外形からパッケージ1の外形までクリアランス13に、無駄なスペースを設ける必要がなく、個片分割を低コストであるブレイク分割で行いつつ、固体撮像装置の外形寸法をダイシング分割と同寸法に小型化できる。
最上層のセラミック層103の下に位置するセラミック層100,101,102の4つコーナーのバリ防止形状11Bの形状については、図4(a)(b)に示すように、R、面取り、C面、切欠き、楕円、凹部など、構造に合わせて最適な形状を各コーナーに設定でき、セラミック層103の4コーナーの形状についても同様に、構造に合わせた最適な形状を各コーナーで設定できる。
最上層のセラミック層103は1層であったが、この限りではなく、構造に合わせて複数枚の層で構成することもできる。
また、セラミック層103の4つコーナーのいずれにも逆R部11を形成しなかったが、図5に示すように、下層の100,101,102と同様にバリ防止用の逆R部11等の形状を設けていないコーナーと、下層の100,101,102と同様にバリ防止用の逆R部11等の形状を設けているものが混在することも可能であり、用途や構造によって使い分けができる。
ここでは内部端子4,外部端子5をリード部6のインナーリード,アウターリードとして図示しているが、これに限定されない。また、セラミック層の枚数についても限定されることなく、構造、配線によって、最適な枚数に設定することができる。
この実施の形態では、上面のセラミックシート103aと下面のセラミックシート100aに対して、各パッケージの外形に対応する部分に刃物21a,21bによって切り込み22が形成したが、上面のセラミックシート103aと下面のセラミックシート100aの一方に対してだけ、各パッケージの外形に対応する部分に切り込み22を形成することによってもブレイク分割で個片分割することもできる。
また、図5は固体撮像装置の平面図であったが、最下層の板状体であるセラミック層100の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、セラミック層100の上に位置するセラミック層103を除くセラミック層101,102のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置しているように構成してブレイク分割で個片分割することもできる。
(実施の形態2)
図6(a)(b)は本発明の(実施の形態2)を示す。
図6(a)は本発明の(実施の形態2)のパッケージを使用した固体撮像装置の側面図であり、図6(b)は同固体撮像装置の裏面図である。
このパッケージ1が(実施の形態1)のものと相違するのは、最上層のセラミック層103の下層に位置するセラミック層100のバリ防止用の逆R部11に、側面メッキ16及びバリ防止形状に形成した部分の逆R部11に対応して底面に裏面メッキ17を施している点である。これにより、逆R部11は、半田付けの補強ランド又は、電気的接続を行う外部端子としても兼用することができる。
裏面メッキ17は、図6(c)に示す形状にすることもできる。側面メッキ16は、セラミック層100に施してあるが、セラミック層101,102に施すことも可能でありこの限りではない。裏面メッキ17は側面メッキ16と電気接続したり、セラミック層100などに形成したスルーホールを介して内部の電気回路やその他の接続端子と電気接続できる。
なお、この実施の形態では側面メッキ16及び裏面メッキ17を設けたが、実装形態によって、裏面メッキ17のみ又は側面メッキ16のみを施すことも可能である。
(実施の形態3)
図7(a)(b)は本発明の(実施の形態3)を示す。
図7(a)は本発明の(実施の形態3)のパッケージを使用した固体撮像装置の側面図であり、図7(b)は同固体撮像装置の裏面図である。
この(実施の形態3)のパッケージ1が(実施の形態1)のものと相違するのは、最上層のセラミック層103の下層のセラミック層100,101,102の4つのコーナーのバリ防止用のC面14を大きくし、その部分に側面メッキ16及び裏面メッキ17からなる外部端子を配列している点である。これにより、半田付けエリアを小さくでき、半田付けエリアをパッケージ1の最外形以内に収めることも可能であり、実装基板及び、セット商品の小型化が図れる。また、C面14の形状についてはこの限りではなく、構造に合わせて最適な形状にすることができる。
(実施の形態4)
図8(a)(b)は本発明の(実施の形態4)を示す。
図8(a)は、本発明の(実施の形態4)のパッケージを使用した固体撮像装置の断面図であり、図8(b)は同パッケージの裏面図である。
この(実施の形態4)のパッケージ1が(実施の形態3)と相違するのは、セラミックの最下層であるセラミック層100においても、4つのコーナーの外形が、セラミック層100の上に位置するセラミック層101と102の4つのコーナーの外形より外側に位置しており、加えてセラミック層100は、セラミック層103と同様に、刃物で個片分割されているため、4つのコーナーにバリ防止用の逆R部11を設けていない点である。
これにより、裏面の4つのコーナーのスペースを有効的に使用することができ、図8(b)に示すように外部端子5を多く配列することが可能であり、また、4つのコーナーに補強ランドを大きく配置することも可能である。
(実施の形態5)
図9(a)(b)は、本発明の(実施の形態5)のパッケージの製造工程の断面図である。
上記の各実施の形態では、セラミックシートを積層し、これを焼成した場合を例に挙げて説明したが、この(実施の形態5)では、樹脂成形でパッケージを形成する場合を例に挙げて説明している。
これは先の実施の形態と同様に、中央に固体撮像素子が搭載される凹部18が形成された固体撮像装置用パッケージであって、図9(a)に示すように、中央に凹部18dが形成されたパッケージ下部23とこのパッケージ下部23の上に接合されるパッケージ上部24を樹脂成形する。
パッケージ下部23には、図2(b)の場合と同じように、各パッケージの4つコーナーに対応する部分バリ防止形状として作用する第2の孔11Aが形成されるように樹脂成形されている。
パッケージ上部24には、凹部18dに対応して孔18fが形成されているが、第2の孔11Aに対応する位置には孔は開けられていない。
このパッケージ下部23とパッケージ上部24とを図9(b)に示すように張り合わせなどで接合し、図3(b)と同様にして切り込み22を形成後に、ブレイク分割によって個片分割する。
樹脂成形されたパッケージ下部23とパッケージ上部24とで構成されている点のほかは、上記の各実施の形態と同様である。たとえば、パッケージ上部24のコーナー外形が、パッケージ下部23のコーナーの外形より前記中央からみて外側に位置している個所は、パッケージ下部23のコーナーをR、逆R、面取り、切欠き、凹部等のバリ防止形状に形成する。また、そのバリ防止形状に形成した部分に側面メッキを形成し、パッケージ下部23の裏面に裏面メッキを同様に形成する。
なお、上記の各実施の形態では、光学デバイスとして固体撮像装置の場合を具体例として、光学素子としての固体撮像素子をパッケージする場合を説明したが、その他の光学デバイスも同様に適用することができる。パッケージする光学素子の別の具体例としては、レーザ発光素子をパッケージする場合や、レーザ発光素子と受光素子とを単一のパッケージに入れて反射型の光学デバイスを構成する場合などを挙げることができる。
本発明は、低コストなブレイク分割によって個片分割が可能であり、加えてダイシング分割による個片分割と同等に小型化することが可能であるため、低コストと小型化の両立が要求されているデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付携帯電話などの製造に有用である。
本発明の(実施の形態1)のパッケージを用いた固体撮像装置の平面と断面図 同実施の形態のパッケージの製造方法の前半部分の断面と平面図 同実施の形態のパッケージの製造方法の後半部分の断面図 同実施の形態の固体撮像装置の平面図 別の実施の形態の固体撮像装置の平面図 本発明の(実施の形態2)のパッケージを用いた固体撮像装置の断面と裏面図 本発明の(実施の形態3)のパッケージを用いた固体撮像装置の断面と裏面図 本発明の(実施の形態4)のパッケージを用いた固体撮像装置の断面と裏面図 本発明の(実施の形態5)のパッケージを樹脂成形する場合の製造工程図 従来のブレイク分割パッケージを用いた固体撮像装置の平面図と断面図 従来のダイシング分割パッケージを用いた固体撮像装置の平面図と断面図
符号の説明
1 固体撮像装置用パッケージ(光学デバイス用パッケージ)
2 ベース部
3 側壁部
4 内部端子
5 外部端子
7 固体撮像素子(光学素子)
8 接着剤
9 ボンディングワイヤー
10 蓋体
11 バリ防止用の逆R部
11A 第2の孔
11B バリ防止形状
14 バリ防止用のC面
16 側面メッキ
17 裏面メッキ
18 凹部
18a,18b 孔(第1の孔)
19 第1シート
20 積層シート
21a,21b 刃物
22 切り込み
23 樹脂成形されたパッケージ下部
24 樹脂成形されたパッケージ上部
100 セラミック層
101,102,103 セラミック層
100a,101a,102a セラミックシート
103a セラミックシート(第2のシート)

Claims (15)

  1. 少なくとも2枚以上の板状体を積層して、中央に光学素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージであって、
    最上層の板状体の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層の板状体の下に位置する各層の板状体のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置している
    光学デバイス用パッケージ。
  2. 少なくとも2枚以上の板状体を積層して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージであって、
    最上層の板状体の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層の板状体の下に位置する各層の板状体のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置している
    固体撮像装置用パッケージ。
  3. ベース部の上に複数のセラミック層を積層して、中央に光学素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージであって、
    最上層のセラミック層の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層のセラミック層の下に位置するセラミック層のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置している
    光学デバイス用パッケージ。
  4. ベース部の上に複数のセラミック層を積層して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージであって、
    最上層のセラミック層の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最上層のセラミック層の下に位置するセラミック層のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置している
    固体撮像装置用パッケージ。
  5. 中央に光学素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージであって、
    中央に前記凹部が形成されたパッケージ下部とこのパッケージ下部の上に接合されたパッケージ上部を有し、パッケージ上部の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記パッケージ下部のコーナーの外形より前記中央からみて外側に位置している
    光学デバイス用パッケージ。
  6. 中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージであって、
    中央に前記凹部が形成されたパッケージ下部とこのパッケージ下部の上に接合されたパッケージ上部を有し、パッケージ上部の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記パッケージ下部のコーナーの外形より前記中央からみて外側に位置している
    固体撮像装置用パッケージ。
  7. 前記最上層が複数のセラミック層で形成されている
    請求項4に記載の固体撮像装置用パッケージ。
  8. 最上層の板状体のコーナーの外形が、前記最上層の板状体の下に位置する板状体のコーナーの外形より外側に位置している個所は、最上層の板状体の下に位置する板状体のコーナーをR、逆R、面取り、切欠き、凹部等のバリ防止形状に形成した
    請求項2記載の固体撮像装置用パッケージ。
  9. パッケージ上部のコーナー外形が、パッケージ下部のコーナーの外形より前記中央からみて外側に位置している個所は、最上層の板状体の下に位置する板状体のコーナーをR、逆R、面取り、切欠き、凹部等のバリ防止形状に形成した
    請求項6記載の固体撮像装置用パッケージ。
  10. バリ防止形状に形成した部分に側面メッキまたはバリ防止形状に形成した部分に対応して底面に裏面メッキが形成されている
    請求項8または請求項9記載の固体撮像装置用パッケージ。
  11. 最下層の板状体の4つコーナーの内、少なくとも一つ以上のコーナーの外形が、前記最下層の板状体の上に位置する各層の板状体の内の前記最上層の板状体を除く板状体のコーナーの外形より、前記中央からみて外側に位置している
    請求項4記載の固体撮像装置用パッケージ。
  12. 前記最下層が複数のセラミック層で形成されている
    請求項11記載の固体撮像装置用パッケージ。
  13. セラミックシートを積層した積層シートを個片分割して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された光学デバイス用パッケージを形成するに際し、
    ベース部のセラミックシートの上に、各パッケージの前記凹部となる部分に第1の孔が形成されたセラミックシートを積層した第1シートを形成し、
    前記第1シートの各パッケージの4つコーナーに対応する部分の内、少なくとも一つ以上のコーナーに個片分割の実行時にバリ防止形状として作用する第2の孔を形成し、
    前記第1シートの上に前記第1の孔に対応して第3の孔が形成された第2のシートを積層し、
    前記第1のシートと第2のシートの積層シートの上面と下面のうちの少なくとも一方の各パッケージの外形に対応する部分に、切り込みを形成し、
    前記切り込みを形成した第1のシートと第2のシートの積層シートを焼成し、
    焼成後の積層シートを前記切り込みで個片分割して各パッケージに分割する
    光学デバイス用パッケージの製造方法。
  14. セラミックシートを積層した積層シートを個片分割して、中央に固体撮像素子が搭載される凹部が形成された固体撮像装置用パッケージを形成するに際し、
    ベース部のセラミックシートの上に、各パッケージの前記凹部となる部分に第1の孔が形成されたセラミックシートを積層した第1シートを形成し、
    前記第1シートの各パッケージの4つコーナーに対応する部分の内、少なくとも一つ以上のコーナーに個片分割の実行時にバリ防止形状として作用する第2の孔を形成し、
    前記第1シートの上に前記第1の孔に対応して第3の孔が形成された第2のシートを積層し、
    前記第1のシートと第2のシートの積層シートの上面と下面のうちの少なくとも一方の各パッケージの外形に対応する部分に、切り込みを形成し、
    前記切り込みを形成した第1のシートと第2のシートの積層シートを焼成し、
    焼成後の積層シートを前記切り込みで個片分割して各パッケージに分割する
    固体撮像装置用パッケージの製造方法。
  15. 請求項2,4,6,7,8のいずれかに記載の固体撮像装置用パッケージの凹部に、固体撮像素子を搭載した
    固体撮像装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009151053A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光モジュール
JP2013000360A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Toshiba Corp 内視鏡装置および基板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022169064A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 Ngkエレクトロデバイス株式会社 パッケージおよび電子装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11214945A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Seiko Epson Corp 電子部品
JP2000323601A (ja) * 1999-05-06 2000-11-24 Murata Mfg Co Ltd 電子部品用パッケージおよび電子部品
JP2001077337A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Ccdパッケージ
JP2003218265A (ja) * 2002-01-21 2003-07-31 Tokyo Denpa Co Ltd 電子部品容器
JP2004111893A (ja) * 2002-07-24 2004-04-08 Kyocera Corp 多数個取り配線基板の製造方法
JP2004253711A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005347341A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Kyocera Kinseki Corp 電子装置の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4792726B2 (ja) * 2003-10-30 2011-10-12 日亜化学工業株式会社 半導体素子用支持体の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11214945A (ja) * 1998-01-22 1999-08-06 Seiko Epson Corp 電子部品
JP2000323601A (ja) * 1999-05-06 2000-11-24 Murata Mfg Co Ltd 電子部品用パッケージおよび電子部品
JP2001077337A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Ccdパッケージ
JP2003218265A (ja) * 2002-01-21 2003-07-31 Tokyo Denpa Co Ltd 電子部品容器
JP2004111893A (ja) * 2002-07-24 2004-04-08 Kyocera Corp 多数個取り配線基板の製造方法
JP2004253711A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2005347341A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Kyocera Kinseki Corp 電子装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009151053A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光モジュール
JP2013000360A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Toshiba Corp 内視鏡装置および基板

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