JP2007304215A - 光配向材および光学素子、液晶配向膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 側鎖に光反応性基を有し、かつその側鎖が少なくとも1つの水素結合部位により、2量体を形成することを特徴とする光配向材に、光照射と加熱冷却する操作を含む工程によって作製される位相差フィルムや偏光回折素子などの分子の配向を制御した光学素子や液晶配向膜およびその製造方法による。
【選択図】なし
Description
このように光照射と加熱により分子配向するという特性からこれら材料は様々な用途で利用することができる。しかしながら、これら提案の材料では光反応性が充分であるとはいえず、照射時間の長時間化など製造上好ましくない。
このような問題点を鑑みて、特願2006−53086号には、光増感成分を添加することにより光反応速度を増強する方法も提案している。
しかしながら、このような光増感成分を添加する手法では、光配向材の感光性基の光増感に好適な材料を別途製造する必要がある。このため材料を製造する上でコストが増大し好ましくない。また、工業的には、より光反応速度を向上させることが好適であることはいうまでもない。
前述の従来技術における本発明者が提案している光照射または光照射と加熱冷却により複屈折を誘起する材料は、液晶化合物のメソゲン基として用いられているビフェニル、ターフェニル、フェニルベンゾエート、トラン、アゾベンゼンなどの剛直な置換基とシンナモイル基またはその誘導体などの感光性基を結合した構造の側鎖を有する液晶性高分子である。このような材料では、先に記載のメソゲン基が比較的大きな共役系を有することから感光性基の光反応に寄与する波長の光を吸収してしまうため光反応効率が低下するという問題点があった。
本発明の光配向材は、側鎖末端にカルボキシル基を有する液晶性高分子である。この光配向材は、側鎖末端のカルボキシル基の水素結合による2量体の形成により、従来技術の材料のようなメソゲン基を構造に含まなくとも液晶相を発現する材料である。図2に本発明の代表的な材料における水素結合による2量体の形成を示す模式図を示す。このような材料では、メソゲン基をその構造に含まないことから、感光性基の光反応を進行する波長の光を吸収することがない。このことで、照射された光は感光性基の吸収にのみ消費され光反応が促進される。結果として、光反応効率を大きく向上することができる。
このような光配向材は、同一の繰り返し単位からなる単一重合体または構造の異なる側鎖を有する単位の共重合体でもよく、あるいは感光性基を含まない側鎖を有する単位を共重合させることも可能である。
更には、液晶性を損なわない程度に耐熱性を向上させるための架橋剤を添加することや、液晶性を損なうことなく液晶性を示さない単量体を感光性の重合体に共重合してもかまわない。
p−クマル酸と6−クロロ−1−ヘキサノールを、アルカリ条件下で加熱することにより、4−(6−ヒドロキシヘキシルオキシ)桂皮酸を合成した。この生成物にp−トルエンスルホン酸の存在下でメタクリル酸を大過剰加えてエステル化反応させ、化学式2に示される単量体1を合成した。
6−ブロモヘキサノールと4ヒドロキシベンズアルデヒドよりウイリアムソン合成で4−(6ヒドロキシヘキシルオキシ)ベンズアルデヒドを合成した。これと4−ブロモメチル安息香酸トリフェニルフォスフィンより合成したビッティヒ試薬を反応させて4−(6−ヒドロキシヘキシルオキシ)−4’−カルボン酸スチルベンを合成した。これにメタクリル酸クロライドを反応させて単量体2を合成した。
4,4’−ビフェニルジオールと1,2−ジブロモエタンを、アルカリ条件下で加熱することにより、4−ヒドロキシ−4’−(2−ブロモエチルオキシ)ビフェニルを合成した。この生成物に、リチウムメタクリレートを反応させ、4−ヒドロキシ−4’−(2−メタクリロイルオキシエチルオキシ)ビフェニルを合成した。最後に、塩基性の条件下において、p−メトキシ桂皮酸クロライドを加え、化学式4に示される単量体3を合成した。
単量体1をテトラヒドロフラン中に溶解し、反応開始剤としてAIBN(アゾビスイソブチロニトリル)を添加して重合することにより重合体1を得た。この重合体1は135℃から187℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、可視光域に全く吸収を示さなかった。
単量体2をテトラヒドロフラン中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより感光性の重合体2を得た。この重合体2も液晶相を呈した。
単量体3をテトラヒドロフラン中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより感光性の重合体3を得た。この重合体3も液晶相を呈した。
ここで試料の配向程度は偏光UV−vis吸収スペクトルから算出した配向度(S)〔S=(A//−A⊥)/(Alarger+2Asmaller)、ここで、AlargerはA//またはA⊥のうち吸光度の大きい方、AsmallerはA//またはA⊥のうち吸光度の小さい方である。〕によって評価できる。図2には、照射直線偏光の照射エネルギー量と配向度(S)の関係を示す。重合体1では、照射エネルギー量10mJ/cm2で配向度が最大となりその値は0.61であった。また、複屈折率は0.15であった。
従来提案してきた後述の比較例の材料と比較して、低い照射エネルギー量でも大きな配向性を示す材料であることが確認された。
b・・・直線偏光性の紫外光照射後の照射光電界振動方向に対して垂直方向の偏光UV−vis吸収スペクトル
b´・・・直線偏光性の紫外光照射後の照射光電界振動方向に対して平行方向の偏光UV−vis吸収スペクトル
c・・・加熱処理後の照射光電界振動方向に対して垂直方向の偏光UV−vis吸収スペクトル
c´・・・加熱処理後の照射光電界振動方向に対して平行方向の偏光UV−vis吸収スペクトル
d・・・水素結合
Claims (4)
- 高分子構造の複数の側鎖に光反応性基を有し、前記側鎖が相互に水素結合して2量体を形成していることを特徴とする光配向材。
- 請求項1または請求項2に記載の光配向材に直線偏光成分を含む光を照射する工程と、直線偏光成分を含む光の照射後の光配向材を加熱する工程をもってなることを特徴とする光学素子の製造方法。
- 請求項1または請求項2に記載の光配向材に直線偏光成分を含む光を照射して液晶配向能を付与することを特徴とする液晶配向膜の製造方法。
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