JP2007298942A - 有機薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の有機TFTアレイ基板は、基板151上に形成されたデータライン及びデータラインに交差するゲートライン152と;データラインに接続されたソース電極160と;ソース電極160から一定間隔に離隔されたドレイン電極162と;ソース電極160とドレイン電極162とが離隔された領域にチャネルを形成するための有機半導体層164と;有機半導体層164上に形成されるゲート電極158と;有機半導体層164とゲート電極158との間に形成される有機ゲート絶縁膜174と;ゲート電極158を形成するためにゲート電極上158に形成されたゲートフォトレジストパターン175と;ドレイン電極162に接続された画素電極176とを備える。
【選択図】図7
Description
本発明の上記目的及び利点は、添付図面を参照した以下の本発明の実施の形態1の説明により、明らかとなる。
図9は、本発明の実施の形態2に係る有機TFTアレイ基板を示す断面図であり、前述の製造工程において、第2マスク工程(図8B参照)を第1マスク工程(図8A参照)よりも先に施した場合の基板構成を示している。図9においては、画素電極176をソース/ドレイン金属パターン(ドレイン電極162)の下部に形成することができる。この際、データパッド184は、図6及び図7に示す有機TFTアレイ基板のデータパッド184とは異なり、データパッド上部電極184bがデータライン(図示せず)から延長される。
Claims (36)
- 基板上に形成されたデータライン及び前記データラインに交差するゲートラインと;
前記データラインに接続されたソース電極と;
前記ソース電極から一定間隔に離隔されたドレイン電極と;
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが離隔された領域にチャネルを形成するための有機半導体層と;
前記有機半導体層上に形成されるゲート電極と;
前記有機半導体層と前記ゲート電極との間に形成される有機ゲート絶縁膜と;
前記ゲート電極を形成するために前記ゲート電極上に形成されたゲートフォトレジストパターンと;
前記ドレイン電極に接続された画素電極と;
を備えたことを特徴とする有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記ゲート電極はパターンを有し、前記有機ゲート絶縁膜及び前記有機半導体層は、前記ゲート電極のパターンと同一のパターンを有することを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記有機半導体層は、ペンタセン(pentacene)系列、ポリチオフェン(polythiophene)系列、ポリアリルアミン(polyarylamine)系列の物質のうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記ゲートフォトレジストパターンは、フォトアクリル(photoacryl)を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記基板上に形成された保護膜を更に備え、
前記保護膜は、前記画素電極を露出させるための貫通ホールを有することを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記ゲート金属は、モリブデン(Mo)を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記保護膜は、フォトアクリル(photoacryl)を含むことを特徴とする請求項5に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 前記ゲートラインに接続され、前記ゲートラインにゲート信号を供給するゲートパッドと;
前記データラインに接続され、前記データラインにデータ信号を供給するデータパッドと;
を更に備えたことを特徴とする請求項5に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記データパッドは、
前記データラインから伸張されるデータパッド下部電極と;
前記データパッド下部電極の上に形成されたデータパッド上部電極と;
を備えたことを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記データパッドは、
データパッド下部電極と;
前記データラインから伸張され、前記データパッド下部電極の上に形成されたデータパッド上部電極と;
を備えたことを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記保護膜を貫通して、前記ゲートパッドを露出させるゲートパッドホールと;
前記保護膜を貫通して、前記データパッドを露出させるデータパッドホールと;
を更に備えたことを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。 - 前記有機ゲート絶縁膜を介して、前記画素電極が前記ゲートラインの上に形成される領域に形成されるストレージキャパシタを更に備えたことを特徴とする請求項11に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板。
- 基板上に、データライン、前記データラインに接続されたソース電極、及び前記ソース電極から一定間隔に離隔されたドレイン電極、を含むソース/ドレイン金属パターンを形成する段階と;
前記ドレイン電極に接続される画素電極を形成する段階と;
前記ソース/ドレイン金属パターンが形成された前記基板上に、有機半導体物質、有機絶縁物質、ゲート金属層及びフォトレジスト膜を順次積層する段階と;
前記フォトレジスト膜をパターニングして、ゲート金属パターンが形成される領域にフォトレジストパターンを形成する段階と;
前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて、前記ゲート金属パターンを形成する段階と;
前記フォトレジストパターン及び前記ゲート金属パターンをマスクとして用いて、前記有機絶縁物質及び前記有機半導体物質をパターニングし、有機ゲート絶縁膜を形成し、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネルを形成するための有機半導体層を形成する段階と;
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記フォトレジスト膜をパターニングする段階は、フォトリソグラフィ工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート金属パターンは、前記データラインに交差するゲートラインと、前記ゲートラインに接続されたゲート電極と、を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート金属パターンを形成する段階は、エッチング工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記有機絶縁物質及び前記有機半導体物質をパターニングする段階は、エッチング工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記基板上に保護膜を蒸着し、フォトリソグラフィ工程により前記保護膜に貫通ホールを形成して、前記画素電極を露出させる段階を更に含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ソース/ドレイン金属パターンを形成する段階は、
前記基板上に、ソース/ドレイン金属層を蒸着する段階と;
前記ソース/ドレイン金属層上にフォトレジスト膜を形成する段階と;
前記フォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジストパターンを形成する段階と;
前記フォトレジストパターンをマスクとして用いて、前記ソース/ドレイン金属層をパターニングする段階と;
前記フォトレジストパターンを除去する段階と;
を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記ソース/ドレイン金属層を蒸着する段階は、スパッタリングまたはPECVD方式のうちの一つを含むことを特徴とする請求項19に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記フォトレジスト膜を蒸着する段階は、スピンコーティングまたはスピンレスコーティングのうちの一つを含むことを特徴とする請求項19に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記フォトレジスト膜をパターニングする段階は、フォトリソグラフィ工程を含むことを特徴とする請求項19に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ソース/ドレイン金属層をパターニングする段階は、エッチング工程を含むことを特徴とする請求項19に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンを除去する段階は、ストリップ工程を含むことを特徴とする請求項19に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記有機半導体物質及び前記有機絶縁物質は、スピンコーティングまたはスピンレスコーティングのうちの一つにより基板上に形成されることを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート金属層は、スパッタリング方法により蒸着されることを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記有機絶縁物質及び前記有機半導体物質をパターニングするエッチング工程は、ドライエッチング工程であることを特徴とする請求項17に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート電極、前記有機ゲート絶縁膜及び前記有機半導体層は、同一のパターンに形成されることを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記有機半導体層は、ペンタセン(pentacene)系列、ポリチオフェン(polythiophene)系列、ポリアリルアミン(polyarylamine)系列の物質のうち、少なくとも何れか1つから形成されることを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲートフォトレジストパターンは、フォトアクリル(photoacryl)を含むことを特徴とする請求項20に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲート金属は、モリブデン(Mo)を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記ゲートラインに接続されて、前記ゲートラインにゲート信号を供給するためのゲートパッドを形成する段階と;
前記データラインに接続されて、前記データラインにデータ信号を供給するためのデータパッドを形成する段階と;
を更に含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記データパッドを形成する段階は、
前記データラインから伸張されるデータパッド下部電極を形成する段階と;
前記データパッド下部電極の上にデータパッド上部電極を形成する段階と;
を含むことを特徴とする請求項32に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記データパッドは、
データパッド下部電極を形成する段階と;
前記データラインから伸張されて、前記データパッド下部電極の上にデータパッド上部電極を形成する段階と;
を含むことを特徴とする請求項32に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 前記保護膜を貫通して、前記ゲートパッドを露出させるゲートパッドホールと、前記保護膜を貫通して、前記データパッドを露出させるデータパッドホールと、を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項32に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
- 前記有機ゲート絶縁膜を介して、前記画素電極が前記ゲートラインと重畳される領域にストレージキャパシタを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項13に記載の有機薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
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