JP2007292679A5 - - Google Patents
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- 電子線を用いて試料上のパターンを評価するための電子線装置において、
位置決めした基準となる試料上の複数の任意の基準点の計算上のXY座標と、それら基準点の測定されたXY座標(x,y)との座標誤差Δx及びΔyを算出する第1の演算手段と、
算出された座標誤差Δx及びΔyに基づいて、XY座標の直交誤差を演算する第2の演算手段と、
算出された座標誤差Δx及びΔyに基づいて、電子線装置の干渉計のミラー歪みによる誤差を演算する第3の演算手段と、
演算された直交誤差に基づき、試料の検査時に、測定されたXY座標(x,y)を補正する直交誤差補正手段と、
演算されたミラー歪みによる誤差に基づき、試料の検査時に、2次電子光学系に配置されたビーム偏向器の偏向を補正するビーム偏向補正手段と
からなることを特徴とする電子線装置。 - 請求項1記載の電子線装置において、
第2の演算手段及び第3の演算手段は、回帰演算手段であって、
Δx=a1+b1x+c1y+d1x2+e1y2 (1)
Δy=a2+b2x+c2y+d2x2+e2y2 (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算手段を備え、
第2の演算手段はさらに、XY座標系の直交誤差を求められた係数c1及びb2の差として演算する手段を備え、
第3の演算手段はさらに、求められた係数d1、d2、e1、e2を、
Δx=d1x2+e1y2 (3)
Δy=d2x2+e2y2 (4)
で表される式(3)及び(4)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算する手段を備えている
ことを特徴とする電子線装置。 - 請求項1記載の電子線装置において、
第2の演算手段及び第3の演算手段は、回帰演算手段であって、
Δx=a1+b1x+c1y+d1x2+e1y2 (1)
Δy=a2+b2x+c2y+d2x2+e2y2 (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算手段を備え、
第2の演算手段はさらに、XY座標系の直交誤差を求められた係数c1及びb2の差として演算する手段を備え、
第3の演算手段はさらに、
直交誤差補正手段により直交誤差を補正した後の、第1の演算手段により得られた座標誤差Δx及びΔyに基づいて、式(1)及び(2)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算手段と、
求められた係数a1〜e1及びa2〜e2を、式(1)及び(2)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算する手段と
を備えている
ことを特徴とする電子線装置。 - 請求項1記載の電子線装置において、
第2の演算手段は、
回帰演算手段であって、
Δx=a1+b1x+c1y (1)
Δy=a2+b2x+c2y (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜c1及びa2〜c2を回帰演算により求める回帰演算手段と、
XY座標系の直交誤差を係数c1及びb2の差として演算する手段と
を備え、
第3の演算手段は、
直交誤差補正手段により直交誤差を補正した後の、第1の演算手段により得られた座標誤差Δx及びΔyに基づいて、
Δx=d1x2+e1y2 (3)
Δy=d2x2+e2y2 (4)
で表される式(3)及び(4)を満足する係数d1、e1、d2及びe2を回帰演算により求める回帰演算手段と、
求められた係数d1、e1、d2及びe2を、式(3)及び(4)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算する手段と
を備えている
ことを特徴とする電子線装置。 - 請求項1記載の電子線装置において、
第2の演算手段は、
回帰演算手段であって、
Δx=a1+b1x+c1y (1)
Δy=a2+b2x+c2y (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜c1及びa2〜c2を回帰演算により求める回帰演算手段と、
XY座標系の直交誤差を係数c1及びb2の差として演算する手段と
を備え、
第3の演算手段は、
直交誤差補正手段により直交誤差を補正した後の、第1の演算手段により得られた座標誤差Δx及びΔyに基づいて、
Δx=a1+b1x+c1y+d1x2+e1y2 (3)
Δy=a2+b2x+c2y+d2x2+e2y2 (4)
で表される式(3)及び(4)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算手段と、
求められた係数a1〜e1及びa2〜e2を、式(3)及び(4)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算する手段と
を備えている
ことを特徴とする電子線装置。 - 請求項2〜5いずれかに記載の電子線装置において、該装置はさらに、
回帰演算手段により得られた係数a1及びa2をX軸方向及びY軸方向のシフト量とし、該シフト量を補正する手段と、
回帰演算手段により得られた係数b1及びc2を、X軸方向及びY軸方向のスケール誤差とし、該スケール誤差を補正する手段と
を備えていることを特徴とする電子線装置。 - 請求項1〜6いずれかに記載の電子線装置において、
ビーム偏向器は、偏向電極を備え、
ビーム偏向補正手段は、偏向電極への電圧を調整する手段である
ことを特徴とする電子線装置。 - 請求項1〜7いずれかに記載の電子線装置において、該装置はさらに、
1次電子ビームの照射により試料から放出された2次電子ビームを検出する検出手段と、
検出手段の出力に基づいて試料表面のパターンの画像情報を得る手段と、
得られた画像情報と、当該試料上の異なる位置の同一パターンの画像情報、又は、予め比較対照として記憶された参照パターンの画像情報とを対比することにより、パターンの欠陥を検出するパターン欠陥検出手段と
を備えていることを特徴とする電子線装置。 - 電子線を用いて試料上のパターンを評価するための電子線装置におけるステージ位置誤差補正方法において、
位置決めした基準となる試料上の複数の任意の基準点の計算上のXY座標と、それら基準点の測定されたXY座標(x,y)との座標誤差Δx及びΔyを算出する第1の演算ステップと、
算出された座標誤差Δx及びΔyに基づいて、XY座標の直交誤差を演算する第2の演算ステップと、
算出された座標誤差Δx及びΔyに基づいて、電子線装置の干渉計のミラー歪みによる誤差を演算する第3の演算ステップと、
演算された直交誤差に基づき、試料の検査時に、測定されたXY座標(x,y)を補正する直交誤差補正ステップと、
演算されたミラー歪みによる誤差に基づき、試料の検査時に、2次電子光学系に配置されたビーム偏向器の偏向を補正するビーム偏向補正ステップと
からなることを特徴とするステージ誤差方正方法。 - 請求項9記載のステージ位置誤差補正方法において、
第2の演算ステップ及び第3の演算ステップは、回帰演算ステップであって、
Δx=a1+b1x+c1y+d1x2+e1y2 (1)
Δy=a2+b2x+c2y+d2x2+e2y2 (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算ステップを備え、
第2の演算ステップはさらに、XY座標系の直交誤差を求められた係数c1及びb2の差として演算するステップを備え、
第3の演算ステップはさらに、求められた係数d1、d2、e1、e2を、
Δx=d1x2+e1y2 (3)
Δy=d2x2+e2y2 (4)
で表される式(3)及び(4)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算するステップを備えている
ことを特徴とするステージ位置誤差補正方法。 - 請求項9記載のステージ位置誤差補正方法において、
第2の演算ステップ及び第3の演算ステップは、回帰演算ステップであって、
Δx=a1+b1x+c1y+d1x2+e1y2 (1)
Δy=a2+b2x+c2y+d2x2+e2y2 (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算ステップを備え、
第2の演算ステップはさらに、XY座標系の直交誤差を求められた係数c1及びb2の差として演算するステップを備え、
第3の演算ステップはさらに、
直交誤差補正ステップにより直交誤差を補正した後の、第1の演算ステップにより得られた座標誤差Δx及びΔyに基づいて、式(1)及び(2)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算ステップと、
求められた係数a1〜e1及びa2〜e2を、式(1)及び(2)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算するステップと
を備えている
ことを特徴とするステージ位置誤差補正方法。 - 請求項9記載のステージ位置誤差補正方法において、
第2の演算ステップは、
回帰演算ステップであって、
Δx=a1+b1x+c1y (1)
Δy=a2+b2x+c2y (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜c1及びa2〜c2を回帰演算により求める回帰演算ステップと、
XY座標系の直交誤差を係数c1及びb2の差として演算するステップと
を備え、
第3の演算ステップは、
直交誤差補正ステップにより直交誤差を補正した後の、第1の演算ステップにより得られた座標誤差Δx及びΔyに基づいて、
Δx=d1x2+e1y2 (3)
Δy=d2x2+e2y2 (4)
で表される式(3)及び(4)を満足する係数d1、e1、d2及びe2を回帰演算により求める回帰演算ステップと、
求められた係数d1、e1、d2及びe2を、式(3)及び(4)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算するステップと
を備えている
ことを特徴とするステージ位置誤差補正方法。 - 請求項9記載のステージ位置誤差補正方法において、
第2の演算ステップは、
回帰演算ステップであって、
Δx=a1+b1x+c1y (1)
Δy=a2+b2x+c2y (2)
で表される式(1)及び(2)を満足する係数a1〜c1及びa2〜c2を回帰演算により求める回帰演算ステップと、
XY座標系の直交誤差を係数c1及びb2の差として演算するステップと
を備え、
第3の演算ステップは、
直交誤差補正ステップにより直交誤差を補正した後の、第1の演算ステップにより得られた座標誤差Δx及びΔyに基づいて、
Δx=a1+b1x+c1y+d1x2+e1y2 (3)
Δy=a2+b2x+c2y+d2x2+e2y2 (4)
で表される式(3)及び(4)を満足する係数a1〜e1及びa2〜e2を回帰演算により求める回帰演算ステップと、
求められた係数a1〜e1及びa2〜e2を、式(3)及び(4)に代入して得られた式に、電子線装置の駆動時に干渉計から入力されるXY座標(x,y)を代入することにより得られたΔx及びΔyを、ミラー歪みによる誤差として演算するステップと
を備えている
ことを特徴とするステージ位置誤差補正方法。 - 電子線を用いて試料上のパターンを評価するための電子線装置におけるステージ位置誤差補正方法を実行するための、コンピュータにより読み取られて実行されるプログラムであって、請求項9〜13いずれかに記載のステージ位置誤差補正方法を実行するためのコンピュータ・プログラム。
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Families Citing this family (45)
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---|---|---|---|---|
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5417343B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-02-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 少なくとも1つの光源を使用してエンドエフェクタ・アラインメントを校正するためのシステムおよび方法 |
JP2009277648A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置、および、検査方法 |
EP2507815A4 (en) * | 2009-11-30 | 2016-12-28 | Ionwerks Inc | FLIGHT TIME SPECTROMETRY AND SPECTROSCOPY OF SURFACES |
US8486726B2 (en) | 2009-12-02 | 2013-07-16 | Veeco Instruments Inc. | Method for improving performance of a substrate carrier |
KR101790534B1 (ko) * | 2011-05-13 | 2017-10-27 | 한국표준과학연구원 | 초고속 멀티 모드 질량 분석을 위한 비행시간 기반 질량 현미경 시스템 |
JP2013033809A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ搬送装置 |
JP5826566B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-12-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US9318395B2 (en) * | 2011-11-29 | 2016-04-19 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for preparation of samples for sub-surface defect review |
EP2823361B1 (en) | 2012-03-08 | 2022-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithography system and method for processing a target, such as a wafer |
PT2891173T (pt) * | 2012-08-31 | 2019-06-28 | Semiconductor Tech & Instruments Pte Ltd | Sistema multifuncional de manuseamento de bolachas e de molduras de película |
JP6128822B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2017-05-17 | オリンパス株式会社 | 光学装置 |
KR102006878B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 검사식각 복합장치 및 이를 구비하는 기판 처리장치 |
US9557169B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-01-31 | Reticle Labs LLC | Method for tracking defects on a photomask across repeated inspections |
US20150017745A1 (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-15 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
EP3069367B1 (en) | 2013-11-11 | 2019-01-09 | Howard Hughes Medical Institute | Workpiece transport and positioning apparatus |
JP6438209B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-12-12 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置において撮像装置用のタイミング信号を生成するための制御装置、撮像装置にタイミング信号を送出する方法 |
US9645097B2 (en) * | 2014-06-20 | 2017-05-09 | Kla-Tencor Corporation | In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning |
US10067222B2 (en) * | 2014-08-01 | 2018-09-04 | Funai Electric Co., Ltd. | Laser rangefinder |
US10008364B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-06-26 | Kla-Tencor Corporation | Alignment of multi-beam patterning tool |
US9597839B2 (en) | 2015-06-16 | 2017-03-21 | Xerox Corporation | System for adjusting operation of a printer during three-dimensional object printing to compensate for errors in object formation |
US9831110B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Vision-based wafer notch position measurement |
JP2017032365A (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターンの計測方法および計測装置 |
JP2017050181A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 搬送装置、処理装置、真空装置および荷電粒子ビーム装置 |
US20170067735A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-09 | Vishal Khosla | Apparatus for In-Line Test and Surface Analysis on a Mechanical Property Tester |
US9892885B2 (en) * | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Kla-Tencor Corporation | System and method for drift compensation on an electron beam based characterization tool |
CN107346749A (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体制程及其制程设备与控制装置 |
US9987747B2 (en) * | 2016-05-24 | 2018-06-05 | Semes Co., Ltd. | Stocker for receiving cassettes and method of teaching a stocker robot disposed therein |
US10024776B2 (en) * | 2016-07-20 | 2018-07-17 | Rtec-Instruments, Inc. | Apparatus for in-line testing and surface analysis on a mechanical property tester |
JP6723131B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-07-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板搬送装置および基板搬送方法 |
US10347460B2 (en) | 2017-03-01 | 2019-07-09 | Dongfang Jingyuan Electron Limited | Patterned substrate imaging using multiple electron beams |
JP6869815B2 (ja) * | 2017-06-06 | 2021-05-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
TWI667530B (zh) * | 2017-09-28 | 2019-08-01 | 日商紐富來科技股份有限公司 | Inspection method and inspection device |
JP6688273B2 (ja) * | 2017-11-13 | 2020-04-28 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、決定方法及び物品の製造方法 |
JP2019120654A (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法 |
CN108398728A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-08-14 | 广东工业大学 | 一种设备之间配合误差的辅助标记装置 |
US10955369B2 (en) | 2018-11-12 | 2021-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask inspection apparatuses and methods, and methods of fabricating masks including mask inspection methods |
DE102019200696B4 (de) * | 2019-01-21 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung, Verfahren und Computerprogram zum Bestimmen einer Position eines Elements auf einer fotolithographischen Maske |
CN111065912A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-04-24 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体器件的检查***及其相关的检查方法 |
JP7507589B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2024-06-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置 |
JP2022069967A (ja) * | 2020-10-26 | 2022-05-12 | 住友重機械工業株式会社 | 歪曲収差補正処理装置、歪曲収差補正方法、及びプログラム |
DE102021200799B3 (de) * | 2021-01-29 | 2022-03-31 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop |
US11958111B2 (en) | 2021-02-22 | 2024-04-16 | General Electric Company | Gaseous ionization detectors for monitoring and controlling energy beams used to additively manufacture three-dimensional objects |
KR20230096038A (ko) * | 2021-11-16 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 신가와 | 실장 장치, 실장 방법 및 실장 제어 프로그램 |
US20230211436A1 (en) * | 2021-12-30 | 2023-07-06 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010049589A1 (en) * | 1993-01-21 | 2001-12-06 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
JP3884098B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2007-02-21 | 株式会社東芝 | 露光装置および露光方法 |
JP3666267B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子ビーム走査式自動検査装置 |
US6481003B1 (en) * | 1998-09-30 | 2002-11-12 | Nikon Corporation | Alignment method and method for producing device using the alignment method |
JP3934854B2 (ja) * | 2000-05-29 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JP3474166B2 (ja) | 2000-12-18 | 2003-12-08 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
WO2002056332A1 (fr) * | 2001-01-10 | 2002-07-18 | Ebara Corporation | Appareil et procede d'inspection a faisceau d'electrons, et procede de fabrication de dispositif comportant l'appareil d'inspection |
US7227141B2 (en) * | 2002-07-15 | 2007-06-05 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus |
JP4071733B2 (ja) * | 2003-04-17 | 2008-04-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびコンピュータ・プログラム |
EP1630862B1 (en) * | 2003-05-30 | 2016-01-13 | Ebara Corporation | Sample inspection device and method, and device manufacturing method using the sample inspection device and method |
JP2005249745A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Ebara Corp | 試料表面検査方法および検査装置 |
US9390886B2 (en) * | 2005-02-17 | 2016-07-12 | Ebara Corporation | Electro-optical inspection apparatus using electron beam |
TW200703409A (en) * | 2005-03-03 | 2007-01-16 | Ebara Corp | Mapping projection type electron beam apparatus and defects inspection system using such apparatus |
-
2006
- 2006-04-27 JP JP2006123014A patent/JP4741408B2/ja active Active
-
2007
- 2007-04-20 TW TW96113900A patent/TWI414755B/zh active
- 2007-04-20 TW TW102131769A patent/TWI495847B/zh active
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-
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2013
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