JP2007288185A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 174
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 39
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Abstract
【解決手段】所望のパターンのイメージを液体を通して基板に投影するように構成された投影システムにおいて、前記投影システムと前記基板の間の空間を取り囲むように構成されたバリア部材であって、液体を前記空間に少なくとも部分的に閉じ込めるように構成され、且つ前記基板と対向する、前記バリア部材と前記基板の間にギャップを画定するための表面を有するバリア部材と、液体の噴流を前記ギャップ内へ、且つ、実質的に前記イメージフィールドの中心に向かって導くように形作られ配向された、液体源に接続するためのノズルとを備えたリソグラフィ装置。
【選択図】図5
Description
所望のパターンのイメージを液体を通してイメージフィールドに投影するように構成された投影システムと、
基板を保持し、基板上のターゲット部分をイメージフィールド内に配置することができるように構成された基板テーブルと、
投影システムと基板の間の空間を取り囲むように構成されたバリア部材であって、液体を空間に少なくとも部分的に閉じ込めるように構成され、且つ、基板と対向する、バリア部材と基板の間にギャップを画定するための表面を有するバリア部材と、
液体の噴流をギャップ内へ、且つ、実質的にイメージフィールドの中心に向かって導くように形作られ配向された、液体源に接続するためのノズルと
を備えたリソグラフィ装置が提供される。
[0021] −放射ビームB(たとえばUV放射またはDUV放射)を条件付けるように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0022] −パターニングデバイス(たとえばマスク)MAを支持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(たとえばマスクテーブル)MTと、
[0023] −基板(たとえばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(たとえばウェーハテーブル)WTと、
[0024] −パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(たとえば1つまたは複数のダイを備えている)に投影するように構成された投影システム(たとえば屈折型投影レンズシステム)PSと
を備えている。
[0036] 1.ステップモード:支持構造MTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で画像化されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0037] 2.スキャンモード:放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、支持構造MTおよび基板テーブルWTが同期スキャンされる(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非スキャン方向の幅)が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ(スキャン方向の高さ)が決まる。
[0038] 3.その他のモード:プログラマブルパターニングデバイスを保持するべく支持構造MTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (19)
- 所望のパターンのイメージを液体を通してイメージフィールドに投影するように構成された投影システムと、
基板を保持し、該基板上のターゲット部分を前記イメージフィールド内に配置することができるように構成された基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板の間の空間を取り囲むように構成されたバリア部材であって、液体を前記空間に少なくとも部分的に閉じ込めるように構成され、且つ、前記基板と対向する、前記バリア部材と前記基板の間にギャップを画定するための表面を有するバリア部材と、
液体の噴流を前記ギャップ内へ、且つ、実質的に前記イメージフィールドの中心に向かって導くように形作られ配向された、液体源に接続するためのノズルと
を備えたリソグラフィ装置。 - 前記ノズルが実質的に環状であり、且つ、実質的に前記イメージフィールドを取り囲んでいる、請求項1に記載の装置。
- 前記バリア部材の周囲に間隔を隔てて配置されて、実質的に前記イメージフィールドを取り囲んでいる複数のノズルが存在している、請求項1に記載の装置。
- 前記ノズルに接続され、且つ、前記噴流から前記空間に閉じ込められた前記液体への運動量移動の割合が、液体が前記ギャップを介して前記空間から流出するのを防止するだけの十分な割合になるような圧力で、液体を前記ノズルに供給する液体サプライをさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記ノズルに接続され、且つ、前記液体の速度がスキャン露光の間前記基板と前記投影システムの相対速度より速くなるような圧力で、液体を前記ノズルに供給する液体サプライをさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記空間と流体連絡している、前記空間から液体を抽出するサクションデバイスをさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記バリア部材が、前記投影システムと対向し、且つ、前記バリア部材と前記投影システムの間に第2のギャップを画定している第2の表面を有し、前記装置が、液体の第2の噴流を前記第2のギャップ内へ、且つ、実質的に前記イメージフィールドの中心に向かって導くように形作られ配向された、液体源に接続するための第2のノズルをさらに備えた、請求項1に記載の装置。
- 前記第2のノズルが実質的に環状であり、且つ、実質的に前記イメージフィールドを取り囲んでいる、請求項7に記載の装置。
- 前記バリア部材の周囲に間隔を隔てて配置され、実質的に前記イメージフィールドを取り囲んでいる複数の第2のノズルが存在している、請求項7に記載の装置。
- 前記第2のノズルに接続され、且つ、前記第2の噴流から前記空間に閉じ込められた前記液体への運動量移動の割合が、液体が前記第2のギャップを介して前記空間から流出するのを防止するだけの十分な割合になるような圧力で、液体を前記第2のノズルに供給する液体サプライをさらに備えた、請求項7に記載の装置。
- 前記第2のノズルに接続され、且つ、前記液体の速度が約0.5m/sより速くなるような圧力で液体を前記第2のノズルに供給する液体サプライをさらに備えた、請求項7に記載の装置。
- 使用中、前記バリア部材と前記基板の間の、前記イメージフィールドに向かっている前記ノズルの内側に向かう放射状の前記ギャップが、前記バリア部材と前記基板の間の、前記イメージフィールドから外側に向かって放射状に遠ざかっている前記ギャップより大きい、請求項1に記載の装置。
- 所望のパターンのイメージが、投影システムを使用して、液体を通して基板に投影されるリソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、前記リソグラフィ装置が、前記液体を取り囲むバリア部材を有し、前記方法が、前記バリア部材と前記基板の間、または前記バリア部材と前記投影システムの間、または前記バリア部材および前記基板および前記投影システムとの間のギャップに液体の噴流を導くステップを含み、液体の前記噴流が、前記ギャップを介して流出する液体を少なくする、方法。
- 液体の前記噴流が、実質的にイメージフィールドを取り囲んでいる、請求項13に記載の方法。
- 前記噴流から前記バリア部材によって取り囲まれた前記液体への運動量移動の割合が、バリア部材によって取り囲まれた前記液体が前記ギャップを介して流出するのを防止するだけの十分な割合になるような圧力で、液体を前記噴流に供給するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記噴流に液体を供給するステップが、前記液体の速度がスキャン露光の間前記基板と前記投影システムの相対速度より速くなるような圧力で、前記バリア部材と前記基板の間のギャップに液体を導くステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記バリア部材によって取り囲まれた前記液体から液体を抽出するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記噴流に液体を供給するステップが、前記液体の速度が約0.5m/sより速くなるような圧力で、前記バリア部材と前記投影システムの間の前記ギャップに液体を導くステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記バリア部材と前記基板の間の、イメージフィールドに向かっているノズルの内側に向かう放射状の前記ギャップが、前記バリア部材と前記基板の間の、前記イメージフィールドから外側に向かって放射状に遠ざかっている前記ギャップより大きい、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/404,108 | 2006-04-14 | ||
US11/404,108 US7701551B2 (en) | 2006-04-14 | 2006-04-14 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010252668A Division JP5345996B2 (ja) | 2006-04-14 | 2010-11-11 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007288185A true JP2007288185A (ja) | 2007-11-01 |
JP4939283B2 JP4939283B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=38605150
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007098988A Active JP4939283B2 (ja) | 2006-04-14 | 2007-04-05 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010252668A Active JP5345996B2 (ja) | 2006-04-14 | 2010-11-11 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010252668A Active JP5345996B2 (ja) | 2006-04-14 | 2010-11-11 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7701551B2 (ja) |
JP (2) | JP4939283B2 (ja) |
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- 2006-04-14 US US11/404,108 patent/US7701551B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2007-04-05 JP JP2007098988A patent/JP4939283B2/ja active Active
-
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- 2010-03-02 US US12/715,694 patent/US8634059B2/en active Active
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US9140995B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4939283B2 (ja) | 2012-05-23 |
US20100149515A1 (en) | 2010-06-17 |
US20070243329A1 (en) | 2007-10-18 |
US8634059B2 (en) | 2014-01-21 |
US7701551B2 (en) | 2010-04-20 |
JP2011035423A (ja) | 2011-02-17 |
JP5345996B2 (ja) | 2013-11-20 |
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Legal Events
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