JP2007266297A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007266297A JP2007266297A JP2006089210A JP2006089210A JP2007266297A JP 2007266297 A JP2007266297 A JP 2007266297A JP 2006089210 A JP2006089210 A JP 2006089210A JP 2006089210 A JP2006089210 A JP 2006089210A JP 2007266297 A JP2007266297 A JP 2007266297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- processing
- pressure
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 26
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 230000037237 body shape Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 163
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- -1 supply stop Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】被処理体Wに対してプラズマにより発生した活性種によってプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器14と、被処理体を複数枚保持して処理容器内へ収容する保持手段22と、処理容器の側壁にその長さ方向に沿って設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室58と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段38と、プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段60と、処理容器内とプラズマ室との間を仕切って設けられると共に、プラズマ室内が処理容器内よりも圧力が高くなるように圧力差を生ぜしめつつ処理容器内へガスを通す所定のガス流路76が形成された仕切板78とを備える。
【選択図】図1
Description
この場合、原料ガスであるDCSガスの供給時には、排気開閉弁8の開度を小さくすることによって処理容器2内の圧力を高め、この時にウエハ表面に吸着する原料ガスの吸着量をできるだけ多くしてスループットを向上させることが行われている。
また例えば請求項3に規定するように、前記プラズマ室の圧力は、0.7〜4.0Torrの範囲内であり、前記処理容器内の圧力は1.0Torr以下である。
また例えば請求項4に規定するように、前記プラズマ室が前記処理容器に対向する面に対する前記ガス流路の開口率は7.3%以下である。
また例えば請求項5に規定するように、前記ガス流路は、前記仕切板の長さ方向に沿って分散させて設けた複数の断面円形の拡散孔よりなる。
また例えば請求項6に規定するように、前記ガス流路は、複数の溝状の拡散孔よりなる。
或いは、例えば請求項9に規定するように、前記プラズマ室の圧力は、0.7〜4.0Torrの範囲内であり、前記処理容器内の圧力は1.0Torr以下である。
被処理体を収容する処理容器内とプラズマ室との間を仕切るようにして仕切板を設け、この仕切板にプラズマ室内が処理容器内よりも圧力が高くなるような圧力差を生ぜしめつつガス(活性種を含む)を通すガス流路を形成するようにしたので、プラズマ用ガスの供給量を増大させることなく、プラズマ室と被処理体を収容する処理容器内との間に圧力差を生ぜしめるようにして、プラズマを効率的に発生することができると共に、被処理体に対するプラズマ処理の面間均一性及び面内均一性を共に高く維持することができる。
図1は本発明の係るプラズマ処理装置の一例を示す縦断面構成図、図2はプラズマ処理装置(加熱手段は省略)を示す横断面構成図、図3は仕切板を示す平面図、図4は仕切板の変形例を示す図である。尚、ここでは原料ガスとしてシラン系ガスの1つであるジクロロシラン(DCS)を用い、プラズマ用ガスとして窒化ガスの1つであるアンモニアガス(NH3 )を用い、上記NH3 ガスをプラズマにより活性化して活性種を作ってシリコン窒化膜(SiN)を成膜する場合を例にとって説明する。
そして、この回転軸30の貫通部には、例えば磁性流体シール32が介設され、この回転軸30を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部28の周辺部とマニホールド18の下端部には、例えばOリング等よりなるシール部材34が介設されており、処理容器14内のシール性を保持している。
そして上記プラズマ区画壁66の開口部64の外側近傍、すなわち開口部64の外側(処理容器14内)の両側には、上記原料ガス分散ノズル46とパージガス分散ノズル48とがそれぞれ片側ずつに起立させて設けられており、各ノズル46、48に設けた各ガス噴射孔46A、48Aより処理容器14の中心方向に向けてDCSガスとN2 ガスとをそれぞれ噴射し得るようになっている。
この場合、処理容器14内のプロセス圧力が1.0Torrを越えて大きくなると活性種の失活が急激に多くなって好ましくなく、成膜速度を考慮すると上記処理容器14内のプロセス圧力の下限値は0.2Torr程度であり、これよりもプロセス圧力が低下すると、生産効率であるスループットが大幅に低下してしまう。
また上記実施例では図4(A)に示すように、仕切板78に形成したガス流路76を構成する断面円形の拡散孔76Aを、仕切板78の長手方向に2列で配列するようにしたが、これに限定されず、例えば図4(B)に示すように1列で配列してもよいし、3列以上の複数列で配列してもよいし、或いは断面円形の拡散孔76Aに限定されず、例えば図4(C)に示すように細長い溝状の拡散孔76Bを複数個、直線状に配列するように形成してもよいし、更には、この溝状の拡散孔76Bを連結して1本の細長い線状の溝として形成してもよい。
ここでプラズマ室58と処理容器14内であるウエハ領域との間の圧力関係について検討を行ったので、その検討結果について説明する。
図5はプラズマ用ガス分散ノズルに供給するガス流量(NH3 )と各領域の圧力との関係を示すグラフである。図5において、曲線Aはウエハ領域(処理容器内)の圧力を示し、曲線Bはプラズマ室58内の圧力を示す。ここでは上記拡散孔76Aの直径D1を0.7mmに設定し、この拡散孔76Aを各ウエハ位置に対応させて2列に形成した場合について検討を行った。この時の仕切板78に対する拡散孔78Aの開口率は0.4%である。ここで処理容器14内の真空引きは最大120リットル/secの排気速度で行っている。
次にプラズマ発生効率について検討して評価したので、その評価結果について説明する。
図6は450℃におけるプラズマ室の圧力とプラズマ密度(Torr換算)との関係を示すグラフである。ここで縦軸のプラズマ密度についてはプラズマ圧力換算で測定した。図6中において、プラズマ発生用の高周波電源に関して、曲線C1は150ワットの場合を示し、曲線C2は200ワットの場合を示し、曲線C3は250ワットの場合を示す。尚、上記仕切板78を設けていない従来装置の場合はプラズマ室(ウエハ領域も同じ)の圧力は0.6Torrである。
また図6に示すグラフから明らかなように、従来装置で用いていた0.6Torrの時のプラズマ密度と比較して、各曲線C1,C2,C3のピーク値は各段にプラズマ密度が大きくなってプラズマ発生効率を向上できることが判明し、特に曲線C3の場合にはプラズマ密度は略2倍になって、良好な結果を示すことが判る。
また仕切板78に形成した拡散孔の大きさ等を種々変更してプラズマ室とウエハ領域との間で圧力差を生ずるための開口率について検討を行ったので、その検討結果について説明する。尚、ここで開口率とは仕切板の面積に対する各拡散孔の面積の総和の比率をいうものとする。
プラズマ室内へガスを供給して検討した結果、開口率が100%(仕切板は無し)〜7.3%程度までは圧力差がほとんど生じなかったが、開口率を7.3%以下にすると、次第に圧力差が生じてきた。
尚、上記実施例ではプラズマ成膜処理を行うに際して、プラズマ用ガスと原料ガスとを交互に供給して成膜する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、プラズマ用ガスとして原料ガスを用いる場合もあり、或いは両ガスを同時に供給してプラズマCVDにより成膜する場合もある。いずれにしても、プラズマ室58と処理容器14内の圧力がそれぞれの最適な圧力範囲に設定できれば、そのガスの供給形態は問わない。
また被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ガラス基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
14 処理容器
22 ウエハボート(保持手段)
38 プラズマ用ガス供給手段
40 原料ガス供給手段
44 プラズマ用ガス分散ノズル
58 プラズマ室
60 プラズマ形成手段
66 プラズマ区画壁
68 プラズマ電極
70 高周波電源
76 ガス流路
76A 拡散孔
78 仕切板
86 真空排気系
94 制御手段
96 記憶媒体
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (10)
- 被処理体に対してプラズマにより発生した活性種によって所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、
前記被処理体を複数枚保持して前記処理容器内へ収容する保持手段と、
前記処理容器の側壁にその長さ方向に沿って設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室と、
前記プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段と、
前記プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、
前記処理容器内と前記プラズマ室との間を仕切って設けられると共に、前記プラズマ室内が前記処理容器内よりも圧力が高くなるように圧力差を生ぜしめつつ前記処理容器内へガスを通す所定のガス流路が形成された仕切板と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ室は、プラズマを効率的に発生させるための圧力に維持され、前記処理容器内は前記被処理体に対するプラズマ処理の均一性を高くするための圧力に維持されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ室の圧力は、0.7〜4.0Torrの範囲内であり、前記処理容器内の圧力は1.0Torr以下であることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ室が前記処理容器に対向する面に対する前記ガス流路の開口率は7.3%以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路は、前記仕切板の長さ方向に沿って分散させて設けた複数の断面円形の拡散孔よりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス流路は、複数の溝状の拡散孔よりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器内に複数枚の被処理体を収容し、前記処理容器の側壁に、所定のガス流路の形成された仕切板を介して設けたプラズマを発生するためのプラズマ室から前記ガス流路を介して前記処理容器内へプラズマにより発生した活性種を供給しつつ前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、
前記プラズマ室内が前記処理容器内よりも圧力が高くなるように圧力差を生ぜしめつつ前記プラズマ室内へプラズマ用ガスを流すようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記プラズマ室は、プラズマを効率的に発生させるための圧力に維持され、前記処理容器内は前記被処理体に対するプラズマ処理の均一性を高くするための圧力に維持されていることを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ室の圧力は、0.7〜4.0Torrの範囲内であり、前記処理容器内の圧力は1.0Torr以下であることを特徴とする請求項7又は8記載のプラズマ処理方法。
- 真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器内に複数枚の被処理体を収容し、前記処理容器の側壁に、所定のガス流路の形成された仕切板を介して設けたプラズマを発生するためのプラズマ室から前記ガス流路を介して前記処理容器内へプラズマにより発生した活性種を供給するようにしたプラズマ処理装置を用いて前記被処理体に所定のプラズマ処理を施すに際して、
前記プラズマ室内が前記処理容器内よりも圧力が高くなるように圧力差を生ぜしめつつ前記プラズマ室内へプラズマ用ガスを流すように前記プラズマ処理装置を制御するプログラムを記憶する記憶媒体。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089210A JP4983063B2 (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | プラズマ処理装置 |
US11/689,686 US20070240644A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-03-22 | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
CN2007100894644A CN101042992B (zh) | 2006-03-24 | 2007-03-23 | 半导体处理用的立式等离子体处理装置 |
TW096110036A TWI452609B (zh) | 2006-03-24 | 2007-03-23 | 用於半導體製程之垂直電漿處理裝置及用於半導體製程之垂直電漿膜形成裝置 |
KR1020070028415A KR20070096875A (ko) | 2006-03-24 | 2007-03-23 | 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치 |
US12/277,344 US8394200B2 (en) | 2006-03-24 | 2008-11-25 | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
KR1020110076449A KR101160788B1 (ko) | 2006-03-24 | 2011-08-01 | 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006089210A JP4983063B2 (ja) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007266297A true JP2007266297A (ja) | 2007-10-11 |
JP4983063B2 JP4983063B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=38638995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006089210A Active JP4983063B2 (ja) | 2006-03-24 | 2006-03-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4983063B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099919A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその使用方法 |
JP2011009699A (ja) * | 2009-05-29 | 2011-01-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011174170A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US9373498B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-06-21 | Tokyo Electron Limited | Method of operating vertical heat treatment apparatus, vertical heat treatment apparatus and non-transitory recording medium |
JP2016143678A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US9970110B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-05-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2019057494A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | バッチ式プラズマ基板処理装置 |
JP2019075542A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-16 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | バッチ式プラズマ基板処理装置 |
CN112640061A (zh) * | 2018-09-11 | 2021-04-09 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239853A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Tel Sagami Ltd | 籠形ボート |
JPH05251391A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
JPH09283511A (ja) * | 1996-04-11 | 1997-10-31 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 気相成長装置 |
JP2002025998A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Nec Corp | 酸化シリコン膜の形成方法及びその形成装置 |
JP2004039795A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004124234A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処埋装置 |
WO2005083766A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
JP2006049809A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
-
2006
- 2006-03-28 JP JP2006089210A patent/JP4983063B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239853A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Tel Sagami Ltd | 籠形ボート |
JPH05251391A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
JPH09283511A (ja) * | 1996-04-11 | 1997-10-31 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 気相成長装置 |
JP2002025998A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Nec Corp | 酸化シリコン膜の形成方法及びその形成装置 |
JP2004039795A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004124234A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処埋装置 |
WO2005083766A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
JP2006049809A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099919A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその使用方法 |
JP2011009699A (ja) * | 2009-05-29 | 2011-01-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US9209015B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-12-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
JP2011174170A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US9373498B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-06-21 | Tokyo Electron Limited | Method of operating vertical heat treatment apparatus, vertical heat treatment apparatus and non-transitory recording medium |
US9970110B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-05-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2016143678A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2019057494A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | バッチ式プラズマ基板処理装置 |
US10961626B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-03-30 | Eugene Technology Co., Ltd. | Plasma processing apparatus having injection ports at both sides of the ground electrode for batch processing of substrates |
JP2019075542A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-16 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | バッチ式プラズマ基板処理装置 |
US11183372B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Eugene Technology Co., Ltd. | Batch type plasma substrate processing apparatus |
CN112640061A (zh) * | 2018-09-11 | 2021-04-09 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 |
JPWO2020053960A1 (ja) * | 2018-09-11 | 2021-08-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP7027565B2 (ja) | 2018-09-11 | 2022-03-01 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
CN112640061B (zh) * | 2018-09-11 | 2024-05-14 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4983063B2 (ja) | 2012-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4857849B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP4929811B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4983063B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4245012B2 (ja) | 処理装置及びこのクリーニング方法 | |
JP4305427B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
KR101753736B1 (ko) | 처리 장치 및 성막 방법 | |
KR101160788B1 (ko) | 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치 | |
TWI408748B (zh) | 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP5223804B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4179311B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP5887962B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2006287195A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP2010090413A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2006049809A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP2007189173A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP2009170557A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
US10535501B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method and non-transitory storage medium | |
JP2018024927A (ja) | 成膜装置、およびそれに用いるガス吐出部材 | |
JP2006066884A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
KR102003585B1 (ko) | 기판 보유 지지구 및 기판 처리 장치 | |
JP5303984B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2017034013A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP3960987B2 (ja) | 反応容器 | |
JP4793306B2 (ja) | プラズマ処理方法及び記憶媒体 | |
JP4716737B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081020 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090331 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120327 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4983063 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |