CN112640061B - 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种技术，具有：基板支撑部，其对基板进行支撑；反应管，其收纳基板支撑部并对基板进行处理；处理气体供给***，其向反应管内供给处理气体；惰性气体供给***，其向反应管内供给惰性气体；以及排气***，其对反应管内的环境气体进行排放，惰性气体供给***具有喷嘴，该喷嘴具备：第一喷出口，其朝向基板的中央喷出惰性气体；以及第二喷出口，其朝向反应管的内壁喷出惰性气体。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质。
背景技术
作为半导体装置(器件)的制造工序中的一个工序，有时向反应管内收纳的基板供给处理气体来对该基板进行处理(例如成膜处理)。此时，如果在反应管的内壁附着有反应副产物，则会因该反应副产物而产生异物(颗粒)，导致对基板的处理的品质降低(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016－184685号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种能够抑制在反应管的内壁上产生附着物的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有：
基板支撑部，其对基板进行支撑；
反应管，其收纳上述基板支撑部并对上述基板进行处理；
处理气体供给***，其向上述反应管内供给处理气体；
惰性气体供给***，其向上述反应管内供给惰性气体；以及
排气***，其对上述反应管内的环境气体进行排放，
上述惰性气体供给***具有喷嘴，该喷嘴具备：第一喷出口，其朝向上述基板的中央喷出上述惰性气体；以及第二喷出口，其朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体。
发明的效果
根据本发明，可提供一种能够抑制在反应管的内壁上产生附着物的技术。
附图说明
图1是本发明实施方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概要结构图，并且是以纵剖面图表示处理炉部分的图。
图2是本发明实施方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概要结构图，并且是以沿着图1中的A-A线的剖面图来表示处理炉部分的图。
图3是本发明实施方式中适用的基板处理装置的喷嘴结构的概要结构图，并且是以纵剖面表示喷嘴结构部分的图。
图4是本发明实施方式中适用的基板处理装置的缓冲结构的概要结构图，其中，(a)是用于说明缓冲结构的横剖面放大图，(b)是用于说明缓冲结构的示意图。
图5是本发明实施方式中适用的基板处理装置的控制器的概要结构图，并且是以框图表示控制器的控制***的图。
图6是本发明实施方式的基板处理工序的流程图。
图7是表示本发明实施方式的基板处理工序中的气体供给时序的图。
图8是用于对本发明实施方式中适用的基板处理装置的喷嘴结构的变形例1进行说明的概要结构图，其中，(a)是喷嘴结构部分的横剖面放大图，(b)是喷嘴的气体供给孔部分的横剖面放大图。
图9是用于对本发明实施方式中适用的基板处理装置的喷嘴结构的变形例2进行说明的概要结构图，并且是以纵剖面表示喷嘴结构部分的图。
图10是用于对本发明实施方式中适用的基板处理装置的喷嘴结构的变形例3进行说明的概要结构图，并且是以横剖面表示喷嘴结构部分的图。
具体实施方式
＜本发明实施方式＞
以下参照图1至图7对本发明的一个实施方式进行说明。
(1)基板处理装置的结构(加热装置)
如图1所示，处理炉202是能够在垂直方向上收纳多层基板的所谓立式炉，且具有作为加热装置(加热机构)的加热器207。加热器207呈圆筒形状，且被作为保持板的加热器座(未图示)支撑，从而垂直地安装固定。加热器207如后述那样，也作为激活机构(激励部)发挥功能，即利用热能来激活(激励)气体。
(处理室)
在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状配设有反应管203。反应管203例如由石英(SiO2)或者碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)等耐热性材料构成，且形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，与反应管203呈同心圆状配设有集管(入口凸缘)209。集管209例如由不锈钢(SUS)等金属构成，且形成为上端和下端开口的圆筒形状。集管209的上端部与反应管203的下端部卡合，且构成为对反应管203进行支撑。在集管209与反应管203之间，设置有作为密封部件的O型圈220a。由于集管209被加热器座支撑，因此反应管203成为垂直地安装固定的状态。主要地，由反应管203和集管209构成了处理容器(反应容器)。在处理容器的内侧即筒中空部形成了处理室201。处理室201构成为能够收纳多张作为基板的晶圆200。此外，处理容器不限于上述结构，也有仅将反应管203称为处理容器的情况。
在处理室201内，以贯通集管209的侧壁的方式设置有喷嘴249a、249b。喷嘴249a、249b分别与气体供给管232a、232b连接。这样，在反应管203设置有两个喷嘴249a、249b和两个气体供给管232a、232b，并且能够向处理室201内供给多种气体。
在气体供给管232a、232b上，分别从气流的上游侧起依次设置有：作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a、241b以及作为开闭阀的阀门243a、243b。在气体供给管232a、232b的比阀门243a、243b靠下游侧，分别连接有供给惰性气体的气体供给管232c、232d。在气体供给管232c、232d上，分别从气流的上游侧起依次设置有：MFC241c、241d和阀门243c、243d。
如图2所示，喷嘴249a在反应管203的内壁与晶圆200之间的空间，以从反应管203内壁的下部起沿着上部，朝向晶圆200的装载方向上方立起的方式设置。即，喷嘴249a在配置(载置)晶圆200的晶圆配置区域(载置区域)侧方的、水平地围绕晶圆配置区域的区域，以沿着晶圆配置区域的方式设置。即，喷嘴249a在搬入处理室201内的各晶圆200的端部(周缘部)的侧方设置于与晶圆200的表面(平坦面)垂直的方向。
如图2和图3所示，作为供给气体的气体供给孔，在喷嘴249a的侧面设置有第一喷出口250a和第二喷出口250b。
第一喷出口250a以朝向反应管203(晶圆200)的中心的方式开口，能够对晶圆200供给(喷出)气体(尤其是惰性气体)。即，第一喷出口250a以能够朝向晶圆200的中央喷出惰性气体等的方式设置于喷嘴249a的一侧面。
第二喷出口250b以朝向反应管203的内壁的方式开口，能够对反应管内壁供给(喷出)气体(尤其是惰性气体)。即，第二喷出口250b以能够对反应管203的内壁喷出惰性气体等的方式设置于喷嘴249a的另一侧面(与第一喷出口250a对置侧的面)。
这样，在喷嘴249a上的彼此对置的位置设置有：朝向晶圆200的中央喷出惰性气体等的第一喷出口250a、以及朝向反应管203的内壁喷出惰性气体等的第二喷出口250b。
第一喷出口250a和第二喷出口250b均从反应管203的下部到上部设置有多个。具体而言，第一喷出口250a沿着喷嘴249a的高度方向，从反应管203的下部到上部设置有多个，且具有相同的开口面积并以第一预定间隔设置。另外，第二喷出口250b沿着喷嘴249a的高度方向，从反应管203的下部到上部设置有多个，且具有相同的开口面积并以比第一预定间隔宽的第二预定间隔设置。即，第一喷出口250a相对于喷嘴249a的高度方向以第一预定间隔设置有多个，第二喷出口250b相对于喷嘴249a的高度方向以比第一预定间隔宽的第二预定间隔设置有多个。
由于第二预定间隔比第一预定间隔宽，因此就第一喷出口250a和第二喷出口250b的设置数而言，是第一喷出口250a的个数＞第二喷出口250b的个数。具体而言，第一喷出口250a和第二喷出口250b例如是以2.5个：1个的比例设置。另外，就第一喷出口250a和第二喷出口250b的开口直径而言，是第一喷出口250a的开口直径＞第二喷出口250b的开口直径。具体而言，第一喷出口250a的开口直径和第二喷出口250b的开口直径例如是以2：1的比例设定。此外，这里举出的各比例仅为具体例示之一而不限于此。另外，就第一喷出口250a和第二喷出口250b的开口形状而言，虽然优选为圆形，但是不限于此，例如也可以是楕圆形等其它形状。
另外，如图1和图2所示，在气体供给管232b的前端部连接有喷嘴249b。喷嘴249b在气体分散空间即缓冲室237内设置。如图2所示，缓冲室237在反应管203的内壁与晶圆200之间的俯视下呈圆环状的空间、并且是在从反应管203内壁的下部到上部的部分，沿着晶圆200的装载方向设置。即，缓冲室237在晶圆配置区域侧方的水平地围绕晶圆配置区域的区域，由缓冲结构300以沿着晶圆配置区域的方式形成。缓冲结构300由石英等绝缘物构成，并且在缓冲结构300的形成为圆弧状的壁面，形成有供给气体的气体供给口302、304。如图2和图4所示，气体供给口302、304分别在与后述的棒状电极269、270之间、棒状电极270、271之间的等离子生成区域224a、224b对置的位置，以朝向反应管203的中心的方式开口，并且能够朝向晶圆200供给气体。气体供给口302、304从反应管203的下部到上部设置有多个，且各自具有相同的开口面积并以相同的开口间距设置。
喷嘴249b以从反应管203内壁的下部起沿着上部，朝向晶圆200的装载方向上方立起的方式设置。即，喷嘴249b在缓冲结构300的内侧、即配置晶圆200的晶圆配置区域侧方的、水平地围绕晶圆配置区域的区域，以沿着晶圆配置区域的方式设置。即，喷嘴249b在搬入处理室201内的晶圆200的端部的侧方设置于与晶圆200的表面垂直的方向。在喷嘴249b的侧面，设置有供给气体的气体供给孔250c。气体供给孔250c以朝向缓冲结构300的相对于形成为圆弧状的壁面而言形成于径向的壁面的方式开口，并且能够朝向壁面供给气体。由此，使反应气体在缓冲室237内分散，避免向棒状电极269～271直接喷吹，可抑制颗粒的产生。气体供给孔250c与气体供给孔250a同样地，从反应管203的下部到上部设置有多个。
这样，在本实施方式中，是经由在由反应管203的侧壁的内壁、和配置在反应管203内的多张晶圆200的端部定义的俯视下呈圆环状的纵长的空间内、即圆筒状的空间内配置的喷嘴249a、249b和缓冲室237来输送气体。并且，从分别在喷嘴249a、249b和缓冲室237开口的气体供给孔250a、250b、250c、气体供给口302、304，使气体在晶圆200的附近开始向反应管203内喷出。并且，使反应管203内的气体主流成为与晶圆200的表面平行的方向即水平方向。通过采用这种结构，能够向各晶圆200均匀地供给气体，提高在各晶圆200上形成的膜的膜厚均匀性。在晶圆200的表面上流动的气体、即反应后的残留气体朝向排气口、即后述的排气管231的方向流动。但是，该残留气体的流动方向可以根据排气口的位置来适当确定，不限于垂直方向。
作为含有预定元素的原料，从气体供给管232a经由MFC241a、阀门243a、喷嘴249a向处理室201内供给例如含有作为预定元素的硅(Si)的硅烷原料气体。
原料气体是指气体状态的原料，例如是由在常温常压下呈液体状态的原料气化而得到的气体、或者是在常温常压下呈气体状态的原料等。在本说明书中，“原料”这一用语的含义包括：指“呈液体状态的液体原料”、指“呈气体状态的原料气体”、或者是指这两方。
作为硅烷原料气体，例如可以使用含有Si和卤族元素的原料气体、即卤代硅烷原料气体。卤代硅烷原料是指具有卤素基团的硅烷原料。卤族元素包含从由氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)构成的组中选择的至少一种。即，卤代硅烷原料包含从由氯基团、氟基团、溴基团、碘基团构成的组中选择的至少一种卤素基团。也可以说卤代硅烷原料是卤化物的一种。
作为卤代硅烷原料气体，例如可以使用含有Si和Cl的原料气体、即氯硅烷原料气体。作为氯硅烷原料气体，例如可以使用二氯硅烷(SiH2Cl2、简称：DCS)气体。
并构成为，作为含有与上述预定元素不同的元素的反应物(反应体)，从气体供给管232b经由MFC241b、阀门243b、喷嘴249b向处理室201内供给例如作为反应气体的含氮(N)气体。作为含N气体，例如可以使用氮化氢类气体。氮化氢类气体也可以说是仅由N和H两种元素构成的物质，且作为氮化气体即N源发挥作用。作为氮化氢类气体，例如可以使用氨气(NH3)。
作为惰性气体，例如分别从气体供给管232c、232d经由MFC241c、241d、阀门243c、243d、气体供给管232a、232b、喷嘴249a、249b向处理室201内供给氮气(N2)。
主要地，由气体供给管232a、MFC241a、阀门243a构成了作为第一气体供给***的原料供给***。另外，主要地，由气体供给管232b、MFC241b、阀门243b构成了作为第二气体供给***的反应体供给***(反应物供给***)。也对这些原料供给***和反应体供给***进行统称而称为处理气体供给***(处理气体供给部)。另外，也对原料气体和反应气体进行统称而称为处理气体。
主要地，由气体供给管232c、232d、MFC241c、241d、阀门243c、243d构成了惰性气体供给***。也可以在惰性气体供给***中包含经由气体供给管232a与气体供给管232c连接的喷嘴249a。此时，惰性气体供给***具有喷嘴249a，该喷嘴249a具备第一喷出口250a和第二喷出口250b。
也对以上说明的原料供给***、反应体供给***和惰性气体供给***进行统称而简称为气体供给***(气体供给部)。
(等离子生成部)
如图2和图4所示，在缓冲室237内，从反应管203的下部到上部，沿着晶圆200的层叠方向配设有：作为导电体且具有细长结构的三个棒状电极269、270、271。棒状电极269、270、271分别设置为与喷嘴249b平行。棒状电极269、270、271分别从上部到下部被电极保护管275覆盖而受到保护。就棒状电极269、270、271中的配置在两端的棒状电极269、271而言，经由匹配器272与高频电源273连接；且棒状电极270与基准电位即大地连接，进行了接地。也就是说，使与高频电源273连接的棒状电极、和接地的棒状电极交替地配置；且对于在与高频电源273连接的棒状电极269、271之间配置的棒状电极270而言，作为接地的棒状电极被棒状电极269、271共用。换言之，接地的棒状电极270配置为被相邻的与高频电源273连接的棒状电极269、271夹持，棒状电极269和棒状电极270、棒状电极271和棒状电极270分别同样地成对并产生等离子。即，接地的棒状电极270被棒状电极269、271共用，该棒状电极269、271与棒状电极270相邻并与两个高频电源273连接。并且，通过从高频电源273向棒状电极269、271施加高频(RF)电力，从而在棒状电极269、270之间的等离子生成区域224a、棒状电极270、271之间的等离子生成区域224b产生等离子。主要地，由棒状电极269、270、271、电极保护管275构成了作为等离子源的等离子生成部(等离子生成装置)。也可以考虑将匹配器272、高频电源273包含于等离子源。等离子源如后述那样作为等离子激励部(激活机构)发挥功能，对气体进行等离子激励，也就是说将气体激励(激活)为等离子状态。
电极保护管275构成为能够使棒状电极269、270、271各自以与缓冲室237内的环境气体隔离的状态***缓冲室237内。如果电极保护管275内部的O2浓度与外部气体(大气)的O2浓度为相同程度，则会导致***到电极保护管275内的各棒状电极269、270、271因加热器207的加热而被氧化。因此，通过预先在电极保护管275的内部填充N2气体等惰性气体，或者使用惰性气体吹扫机构以N2气体等惰性气体对电极保护管275的内部进行吹扫，从而能够使电极保护管275内部的O2浓度降低，防止棒状电极269、270、271的氧化。
(排气部)
如图1和图2所示，在反应管203上设置有对处理室201内的环境气体进行排放的排气管231。在排气管231上经由对处理室201内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245和作为排气阀门(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)阀门244连接有作为真空排气装置的真空泵246。APC阀门244构成为如下这样的阀门，即：在使真空泵246工作的状态下使阀开闭，从而能够对处理室201内进行真空排气以及停止真空排气；另外，在使真空泵246工作的状态下，基于通过压力传感器245检出的压力信息对阀开度进行调节，从而能够对处理室201内的压力进行调整。主要地，由排气管231、APC阀门244、压力传感器245构成了排气***。也可以考虑将真空泵246包含于排气***。排气管231不限于设置于反应管203，也可以与喷嘴249a、249b同样地设置于集管209。
在集管209的下方，设置有作为炉口盖体的密封盖219，该密封盖219能够将集管209的下端开口气密地封闭。密封盖219构成为能够从垂直方向下侧抵接于集管209的下端。密封盖219例如由不锈钢(SUS)等金属构成且形成为圆盘状。在密封盖219的上表面，设置有作为密封部件的O型圈220b，该O型圈220b与集管209的下端抵接。在密封盖219的与处理室201的相反侧，设置有使后述的晶舟217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封盖219而与晶舟217连接。旋转机构267构成为通过使晶舟217旋转而使晶圆200旋转。密封盖219构成为能够通过在反应管203的外部垂直地设置的作为升降机构的晶舟升降机115而在垂直方向上升降。晶舟升降机115构成为能够通过使密封盖219升降而将晶舟217向处理室201内外搬入和搬出。晶舟升降机115构成为将晶舟217即晶圆200向处理室201内外输送的输送装置(输送机构)。另外，在集管209的下方，设置有作为炉口盖体的闸门219s，其能够在通过晶舟升降机115使密封盖219降下的期间，将集管209的下端开口气密地封闭。闸门219s例如由不锈钢(SUS)等金属构成且形成为圆盘状。在闸门219s的上表面，设置有作为密封部件的O型圈220c，该O型圈220c与集管209的下端抵接。闸门219s的开闭动作(升降动作、转动动作等)通过闸门开闭机构115s进行控制。
(基板支撑件)
如图1所示，作为基板支撑件的晶舟217构成为将多张、例如是25～200张晶圆200以水平姿态且彼此中心一致的状态在垂直方向上对齐并支撑为多层即空出预定的间隔配置。晶舟217例如由石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟217的下部将例如由石英、SiC等耐热性材料构成的隔热板218支撑为多层。
如图2所示，在反应管203的内部设置有作为温度检测器的温度传感器263。基于通过温度传感器263检出的温度信息来调整加热器207的通电状态，从而使处理室201内的温度成为所需的温度分布。温度传感器263与喷嘴249a、249b同样地沿着反应管203的内壁设置。
(控制装置)
接下来参照图5对控制装置进行说明。如图5所示，控制部(控制装置)即控制器121由计算机构成，该计算机具备：CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)121a、RAM(Random Access Memory：随机访问存储器)121b、存储装置121c、I/O端口121d。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d构成为能够经由内部总线121e与CPU121a进行数据交换。控制器121与例如由触控面板等构成的输入输出装置122连接。
存储装置121c例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等构成。在存储装置121c内以可读取的方式存储有：对基板处理装置的动作进行控制的控制程序、记载有后述的成膜处理的步骤或条件等的工艺配方等。工艺配方是为了使控制器121执行后述的各种处理(成膜处理)中的各步骤以获得预定的结果而进行组合并作为程序发挥功能。以下也对工艺配方、控制程序等进行统称而简称为程序。另外，也将工艺配方简称为配方。在本说明书中，“程序”这一用语的含义包括：仅指配方一方、仅指控制程序一方、或者是指这两方。RAM121b构成为能够将通过CPU121a读取的程序、数据等暂时地保持的存储区域(工作区)。
I/O端口121d与上述的MFC241a～241d、阀门243a～243d、压力传感器245、APC阀门244、真空泵246、加热器207、温度传感器263、匹配器272、高频电源273、旋转机构267、晶舟升降机115、闸门开闭机构115s等连接。
CPU121a构成为能够从存储装置121c读取控制程序并执行，并且根据从输入输出装置122输入的操作命令等而从存储装置121c读取配方。CPU121a构成为按照读取的配方的内容对以下各项进行控制，即：对旋转机构267的控制、通过MFC241a～241d对各种气体进行的流量调整动作、阀门243a～243d的开闭动作、基于阻抗监控对高频电源273进行的调整动作、APC阀门244的开闭动作和基于压力传感器245对APC阀门244进行的压力调整动作、真空泵246的启动和停止、基于温度传感器263对加热器207进行的温度调整动作、晶舟217通过旋转机构267进行的正反旋转、旋转角度和旋转速度调节动作、晶舟217通过晶舟升降机115进行的升降动作等。
控制器121可以通过将外部存储装置(例如，硬盘等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器)123中存储的上述程序安装于计算机而构成。存储装置121c或外部存储装置123构成为计算机能够读取的存储介质。以下也对这些进行统称而简称为存储介质。在本说明书中，“存储介质”这一用语的含义包括：仅指存储装置121c一方、仅指外部存储装置123一方、或者是指这两方。此外，程序向计算机的提供也可以不使用外部存储装置123，而是利用互联网或专用线路等通信手段来进行。
(2)基板处理工序
接下来参照图6和图7对作为半导体装置的制造工序中的一个工序而使用基板处理装置在晶圆200上形成薄膜的工序进行说明。在以下的说明中，构成基板处理装置的各部分的动作通过控制器121进行控制。
这里对于如下例子进行说明，即：使作为原料气体而供给DCS气体的步骤、作为反应气体而供给进行了等离子激励的NH3气体的步骤非同时地、即非同步地进行预定次数(一次以上)，从而在晶圆200上作为含有Si和N的膜而形成氮化硅膜(SiN膜)的例子。另外，例如也可以在晶圆200上预先形成有预定的膜。另外，也可以在晶圆200或者预定的膜上预先形成有预定的图案。
在本说明书中，有时为了方便而将图7所示的成膜处理的工艺流程以如下方式表示。在以下的变形例或者其它实施方式的说明中也使用同样的标记。
在本说明书中，“晶圆”这一用语的含义包括：仅指晶圆本身、指晶圆与在其表面上形成的预定的层或膜的层叠体。在本说明书中，“晶圆的表面”这一用语的含义包括：指晶圆本身的表面、指在晶圆上形成的预定的层等的表面。在本说明书中，“在晶圆上形成预定的层”的含义包括：在晶圆本身的表面上直接形成预定的层、在晶圆上形成的层等之上形成预定的层。在本说明书中，“基板”这一用语的含义与“晶圆”这一用语的含义相同。
(搬入步骤：S1)
当多张晶圆200装填于晶舟217时(晶圆装载)，利用闸门开闭机构115s使闸门219s移动，开放集管209的下端开口(闸门开放)。之后，如图1所示，支撑有多张晶圆200的晶舟217被晶舟升降机115提升且被搬入处理室201内(晶舟导入)。在该状态下，密封盖219成为经由O型圈220b将集管209的下端密封的状态。
(压力/温度调整步骤：S2)
以使得处理室201的内部、即晶圆200存在的空间成为所需的压力(真空度)的方式，利用真空泵246进行真空排气(减压排气)。此时，利用压力传感器245对处理室201内的压力进行测定，并基于该测定的压力信息对APC阀门244进行反馈控制。真空泵246至少在后述的成膜步骤结束之前始终维持工作状态。
另外，以使得处理室201内的晶圆200达到所需的温度的方式利用加热器207进行加热。此时，以使得处理室201内成为所需的温度分布的方式，基于温度传感器263检出的温度信息对加热器207的通电状态进行反馈控制。加热器207对处理室201内的加热至少在后述的成膜步骤结束之前持续进行。但是，如果在室温以下的温度条件下进行成膜步骤，则可以不利用加热器207对处理室201内进行加热。此外，在仅进行这种温度下的处理时，不需要加热器207，可以不在基板处理装置中设置加热器207。此时，能够简化基板处理装置的结构。
接下来，利用旋转机构267使晶舟217和晶圆200开始旋转。晶舟217和晶圆200通过旋转机构267进行的旋转至少在成膜步骤结束之前持续进行。
(成膜步骤：S3、S4、S5、S6)
之后依次执行步骤S3、S4、S5、S6来进行成膜步骤。
(原料气体供给步骤：S3)
在步骤S3中，对处理室201内的晶圆200供给DCS气体。
打开阀门243a，向气体供给管232a内流通DCS气体。DCS气体通过MFC241a进行流量调整并经由喷嘴249a从第一喷出口250a和第二喷出口250b向处理室201内供给，并从排气管231排放。此时，同时地打开阀门243c，向气体供给管232c内流通N2气。N2气通过MFC241c进行流量调整，并与DCS气体一起向处理室201内供给，并从排气管231排放。
另外，为了抑制DCS气体向喷嘴249b内侵入，打开阀门243d，向气体供给管232d内流通N2气。N2气经由气体供给管232b、喷嘴249b向处理室201内供给，并从排气管231排放。
就通过MFC241a进行控制的DCS气体的供给流量而言，例如为1sccm以上且6000sccm以下、并优选为2000sccm以上且3000sccm以下的范围内的流量。就通过MFC241c、241d进行控制的N2气的供给流量而言，分别例如为100sccm以上且10000sccm以下的范围内的流量。处理室201内的压力例如为1Pa以上且2666Pa以下、并优选为665Pa以上且1333Pa以下的范围内的压力。DCS气体的供给时间例如为1秒以上且10秒以下、并优选为1秒以上且3秒以下的范围内的时间。另外，N2气的供给时间例如为1秒以上且10秒以下、并优选为1秒以上且3秒以下的范围内的时间。
加热器207的温度设定为如下这样的温度，即：使得晶圆200的温度例如为0℃以上且700℃以下、并优选为室温(25℃)以上且550℃以下、更优选为40℃以上且500℃以下的范围内的温度。通过如本实施方式这样，使晶圆200的温度为700℃以下、进一步为550℃以下、进一步为500℃以下，从而能够降低施加于晶圆200的热量，能够良好地对晶圆200承受的热履历过程进行控制。
在上述条件下对晶圆200供给DCS气体，从而在晶圆200(表面的基底膜)上形成含Si层。含Si层除了Si层以外，还可以包含Cl、H。含Si层可通过在晶圆200的最外层表面物理吸附DCS、或者化学吸附DCS的一部分发生分解而生成的物质、或者使DCS发生热分解来沉积Si等方式而形成。即，含Si层可以是吸附了DCS或DCS的一部分发生分解而生成的物质的吸附层(物理吸附层或化学吸附层)，也可以是Si的沉积层(Si层)。
在含Si层形成后，关闭阀门243a，停止DCS气体向处理室201内的供给。此时，保持APC阀门244开放的状态，利用真空泵246对处理室201内进行真空排气，将处理室201内残留的未反应或者促进了含Si层的形成之后的DCS气体、反应副产物等从处理室201内排除。
(吹扫气体供给步骤：S4)
另外，此时保持阀门243c、243d开放的状态，持续向处理室201内供给N2气。N2气作为吹扫气体发挥作用。由于与阀门243c相连的喷嘴249a具备第一喷出口250a和第二喷出口250b，因此吹扫气体不仅向被晶舟217支撑的晶圆200供给，而且也对反应管203的内壁供给(喷出)(S4)。此时，就通过MFC241c进行控制的N2气的供给流量而言，例如是1000sccm以上且5000sccm以下的范围内的流量。此时，就喷嘴249a的第一喷出口250a所供给的N2气的供给流量而言，例如是900sccm以上且4500sccm以下的范围。另外，就喷嘴249a的第二喷出口250b所供给的N2气的供给流量而言，例如是100sccm以上且500sccm以下的范围。就从第一喷出口250a和第二喷出口250b供给的N2气的供给流量的关系而言，只要通过各自的设置数和开口直径进行调整即可。例如，当第一喷出口250a和第二喷出口250b的设置数为2.5个：1个的比例，且各自的开口直径为2：1的比例时，则能够获得上述关系的N2气的供给流量。
即在这里，从第一喷出口250a对晶圆200供给作为吹扫气体的N2气(惰性气体)，从第二喷出口250b对反应管203的内壁供给作为吹扫气体的N2气(惰性气体)。该工序在作为原料气体的DCS气体的供给停止后，并在后述的反应气体的供给开始前、即原料气体的供给工序与反应气体的供给工序之间进行。此外，就此时从第一喷出口250a供给的N2气的流量而言，如上述那样比从第二喷出口250b供给的N2气的流量多。
作为原料气体，除了DCS气体以外，可适用：四(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]4、简称：4DMAS)气体、三(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]3H、简称：3DMAS)气体、双(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]2H2、简称：BDMAS)气体、双(二乙基氨基)硅烷(Si[N(C2H5)2]2H2、简称：BDEAS)、双(叔丁基氨基)硅烷(SiH2[NH(C4H9)]2、简称：BTBAS)气体、二甲基氨基硅烷(DMAS)气体、二乙基氨基硅烷(DEAS)气体、二丙基氨基硅烷(DPAS)气体、二异丙基氨基硅烷(DIPAS)气体、丁基氨基硅烷(BAS)气体、六甲基二硅氮烷(HMDS)气体等各种氨基硅烷原料气体；单氯硅烷(SiH3Cl、简称：MCS)气体、三氯硅烷(SiHCl3、简称：TCS)气体、四氯硅烷(SiCl4、简称：STC)气体、六氯二硅烷(Si2Cl6、简称：HCDS)气体、八氯三硅烷(Si3Cl8、简称：OCTS)气体等无机类卤代硅烷原料气体；甲硅烷(SiH4、简称：MS)气体、乙硅烷(Si2H6、简称：DS)气体、丙硅烷(Si3H8、简称：TS)气体等不含卤素基团的无机类硅烷原料气体。
作为惰性气体，除了N2气以外，还可以采用Ar气、He气、Ne气、Xe气等稀有气体。
(反应气体供给步骤：S5)
在原料气体供给步骤结束后，对处理室201内的晶圆200供给作为反应气体的进行了等离子激励的NH3气(S5)。
在该步骤中，以与步骤S3中的阀门243a、243c、243d的开闭控制同样的步骤来进行阀门243b～243d的开闭控制。NH3气通过MFC241b进行流量调整并经由喷嘴249b向缓冲室237内供给。此时，向棒状电极269、270、271之间供给高频电力。供给至缓冲室237内的NH3气被激励为等离子状态(等离子化而激活)，作为活性种(NH3 *)向处理室201内供给并从排气管231排放。
就通过MFC241b进行控制的NH3气的供给流量而言，例如为100sccm以上且10000sccm以下、并优选为1000sccm以上且2000sccm以下的范围内的流量。向棒状电极269、270、271施加的高频电力例如是50W以上且600W以下的范围内的电力。处理室201内的压力例如是1Pa以上且500Pa以下的范围内的压力。通过采用等离子，从而即使处理室201内的压力为这种比较低的压力范围，也能够对NH3气进行激活。就将通过对NH3气进行等离子激励而得到的活性种向晶圆200供给的时间、即气体供给时间(照射时间)而言，例如为1秒以上且180秒以下、并优选为1秒以上且60秒以下的范围内的时间。其它处理条件是与上述的S3同样的处理条件。
在上述的条件下对晶圆200供给NH3气，从而对在晶圆200上形成的含Si层进行等离子氮化。此时，利用进行了等离子激励的NH3气的能量，使含Si层所具有的Si-Cl键、Si-H键断裂。与Si的键断裂后的Cl、H会从含Si层脱离。并且，由于Cl等发生脱离，具有悬空键(dangling bond)的含Si层中的Si与NH3气所含的N结合，形成Si-N键。通过进行该反应，含Si层转变(改性)为包含Si和N的层、即氮化硅层(SiN层)。
此外，为了使含Si层改性为SiN层，需要对NH3气进行等离子激励并进行供给。这是因为：在非等离子的环境气体下供给NH3气，就上述的温度范围而言，使含Si层氮化所需的能量会不足，难以充分地使Cl、H从含Si层脱离，或者难以充分地使含Si层氮化来增加Si-N键。
在使含Si层转变为SiN层之后，关闭阀门243b，停止NH3气的供给。另外，停止向棒状电极269、270、271之间供给高频电力。然后，以与步骤S4同样的处理步骤、处理条件，将处理室201内残留的NH3气、反应副产物从处理室201内排除。
(吹扫气体供给步骤：S6)
并且，此时也与步骤S4的情况同样地，从第一喷出口250a对晶圆200供给作为吹扫气体的N2气(惰性气体)，从第二喷出口250b对反应管203的内壁供给作为吹扫气体的N2气(惰性气体)。该工序在作为反应气体的进行了等离子激励的NH3气的供给停止后、即供给反应气体的工序之后进行。此外，就此时从第一喷出口250a供给的N2气的流量而言，如上述那样比从第二喷出口250b供给的N2气的流量多。
作为氮化剂、即进行等离子激励的含NH3气体，除了NH3气以外，也可以使用：肼(N2H2)气体、联氨(N2H4)气体、N3H8气体等。
作为惰性气体，除了N2气以外，例如可以使用在步骤S4中例示的各种稀有气体。
(实施预定次数：S7)
将非同时即非同步地依次进行上述的S3、S4、S5、S6的过程作为一个循环，并使该循环进行预定次数(n次)即一次以上(S7)，从而能够在晶圆200上形成具有预定组成和预定膜厚的SiN膜。上述的循环优选重复进行多次。即，优选使在每一个循环中形成的SiN层的厚度比所需膜厚小，并在通过层叠SiN层而形成的SiN膜的膜厚达到所需膜厚之前重复多次进行上述的循环。
当预定次数(n次)的循环(参照图7中的“第n次循环”)结束，之后可以进行阀门243c的开闭控制，使得从喷嘴249a的第一喷出口250a和第二喷出口250b分别以预定时间喷出作为吹扫气体的N2气(惰性气体)。此时，能够使在上述步骤S4中供给N2气的时间、或者在上述步骤S6中供给N2气的时间的其中至少一方与在循环结束后不供给惰性气体的情况相比缩短。
(大气压恢复步骤：S8)
当上述的成膜处理完成时，则从气体供给管232c、232d分别向处理室201内供给作为惰性气体的N2气，并从排气管231排放。由此，利用惰性气体对处理室201内进行吹扫，将处理室201内残留的气体等从处理室201内除去(惰性气体吹扫)。之后，处理室201内的环境气体被置换为惰性气体(惰性气体置换)，处理室201内的压力恢复常压(S8)。
(搬出步骤：S9)
之后，利用晶舟升降机115使密封盖219下降，使集管209的下端开口，并且将处理后的晶圆200以被晶舟217支撑的状态从集管209的下端向反应管203的外部搬出(晶舟导出)(S9)。在晶舟导出后，使闸门219s移动，利用闸门219s将集管209的下端开口经由O型圈220c密封(闸门关闭)。处理后的晶圆200被搬出到反应管203的外部，之后被从晶舟217取出(晶圆卸载)。此外，在晶圆卸载后，可以向处理室201内搬入空的晶舟217。
(3)本实施方式的效果
根据本实施方式，可获得如下所示的一个或多个效果。
(a)根据本实施方式，喷嘴249a具备第一喷出口250a和第二喷出口250b，从第一喷出口250a对晶圆200供给作为吹扫气体的N2气(惰性气体)，从第二喷出口250b对反应管203的内壁供给(喷出)作为吹扫气体的N2气(惰性气体)。即，不仅对晶圆200供给(喷出)作为吹扫气体的N2气(惰性气体)，而且也对反应管203的内壁供给(喷出)作为吹扫气体的N2气(惰性气体)。因此，在对晶圆200进行吹扫的同时也对反应管203的内壁进行吹扫，从而能够有效地抑制在反应管203的内壁上附着反应副产物。如果能够抑制在反应管203的内壁上产生附着物，则也就能够抑制因附着物(反应副产物等)而产生异物(颗粒)，防止对晶圆200的处理的品质降低。
(b)根据本实施方式，第二喷出口250b的设置间隔(第二预定间隔)比第一喷出口250a的设置间隔(第一预定间隔)宽，从第一喷出口250a供给的作为吹扫气体的N2气(惰性气体)的流量比从第二喷出口250b供给的作为吹扫气体的N2气(惰性气体)的流量多。换言之，能够以比向晶圆200的中央喷出的吹扫气体的流量少的流量，高效地将反应管203内壁的附着物除去。因此，在对晶圆200和反应管203的内壁进行吹扫的情况下，也能够使各吹扫以适当的气体流量高效地进行。
(c)根据本实施方式，第一喷出口250a和第二喷出口250b设置于彼此对置的位置。因此，即使对于从晶圆200侧观察时的喷嘴249a的背面侧、即喷嘴249a与反应管203的内壁之间的气体滞留部位也能够有效地进行吹扫，对于抑制在反应管203的内壁上产生附着物而言非常有用。
(变形例1)
接下来参照图8对本实施方式的变形例1进行说明。在本变形例1中，以下仅对与上述实施方式不同的部分进行说明而省略对相同部分的说明。
在上述的实施方式中，对于构成为在与第一喷出口250a对置的位置设置有第二喷出口250b的喷嘴249a进行了详述，但是在本变形例1中，作为第二喷出口250b而在喷嘴249a设置有喷出方向不同的多个喷出口。因此，就对反应管203的内壁喷出的N2气(惰性气体)而言，是从喷出方向不同的多个第二喷出口250b供给(喷出)。
在本变形例1中，第二喷出口250b例如设置于两处。此时，各第二喷出口250b的喷出方向、与沿着第一喷出口250a的方向所成的角度θ在45°以上且90°以下的范围内(参照图8的(b))。若角度θ小于45°，则就对反应管203的内壁进行的吹扫的效果而言，实质上与仅设有一个第二喷出口250b的情况(即上述实施方式的情况)相比没有变化。另外，若角度θ超过90°，则有可能导致将喷嘴249a背面侧的附着物除去的效率降低。如果角度θ在45°以上且90°以下的范围内，则即使是对喷嘴249a的背面侧也能够实施有效的吹扫，能够在大范围内高效地将反应管203内壁的附着物除去。
如上所述，根据本变形例1，从喷出方向不同的多个第二喷出口250b对反应管203的内壁供给(喷出)作为吹扫气体的N2气(惰性气体)。因此，能够在大范围内高效地将反应管203内壁的附着物除去。而且，即使是对喷嘴249a的背面侧、即喷嘴249a与反应管203的内壁之间的气体滞留部位，也能够有效地进行吹扫。
(变形例2)
接下来参照图9对本实施方式的变形例2进行说明。在本变形例2中，以下也仅对与上述实施方式不同的部分进行说明而省略对相同部分的说明。
在本变形例2中，第一喷出口250a和第二喷出口250b相对于喷嘴249a的高度方向设置于高度不同的位置。即，与上述实施方式的情况(参照图3)有所不同，第二喷出口250b不是设置于与第一喷出口250a相同的高度位置。
这样，根据本变形例2，第一喷出口250a和第二喷出口250b相对于喷嘴249a的高度方向设置的位置不同。因此，与上述实施方式中的基本结构的情况相比(图3参照)具有如下优点，即：容易对从第一喷出口250a和第二喷出口250b供给(喷出)的吹扫气体的流量进行控制。即，非常适于分别以适当的气体流量高效地对晶圆200和反应管203的内壁进行吹扫。
(变形例3)
接下来参照图10对本实施方式的变形例3进行说明。在本变形例3中，以下也仅对与上述实施方式不同的部分进行说明而省略对相同部分的说明。
在本变形例3中，供给作为吹扫气体的N2气(惰性气体)的喷嘴249a-1、和供给作为处理气体的DCS气体(原料气体)的喷嘴249a-2各自独立地配置在反应管203内。即，与处理气体和吹扫气体共用喷嘴249a的上述实施方式的情况(参照图1、图2)有所不同，除了处理气体用(但是也可以用于与作为载气的惰性气体一并进行供给)的喷嘴249a-2以外，在反应管203内还设有吹扫气体用的喷嘴249a-1。
在吹扫气体用的喷嘴249a-1设有第一喷出口250a和第二喷出口250b。第二喷出口250b配置在与第一喷出口250a对置的位置。但是，也可以如上述的变形例1那样，在喷出方向不同的多处配置有第二喷出口250b。另外，也可以是如上述的变形例2那样，第一喷出口250a和第二喷出口250b相对于喷嘴249a-1的高度方向配置于高度不同的位置。
根据这样构成的本变形例3，喷嘴249a-1具备第一喷出口250a和第二喷出口250b，因此不仅对晶圆200供给(喷出)作为吹扫气体的N2气(惰性气体)，而且也对反应管203的内壁供给(喷出)作为吹扫气体的N2气(惰性气体)。因此，在对晶圆200进行吹扫的同时也对反应管203的内壁进行吹扫，从而能够有效地抑制在反应管203的内壁上附着反应副产物。
而且，根据本变形例3，除了处理气体用的喷嘴249a-2之外还具备吹扫气体用的喷嘴249a-1，因此与上述实施方式的情况(即共用喷嘴的情况)相比，非常适于提高吹扫气体供给控制的通用性并使控制内容适当。
＜本发明的其它实施方式＞
以上对本发明实施方式具体地进行了说明。但是本发明不限于上述实施方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行各种变更。
例如，在上述的实施方式中，对于在供给原料气体之后供给反应气体的例子进行了说明，但是本发明不限于该方式，也可以使原料气体、反应气体的供给顺序相反。即，也可以是在供给反应气体之后供给原料气体。通过改变供给顺序，从而能够使所形成的膜的膜质、组成比发生变化。
另外，在上述的实施方式中，对于构成为具备将反应气体激励(激活)为等离子状态的等离子生成部的例子进行了说明，但是本发明不限于该方式，也适用于没有等离子生成部的基板处理装置。即，等离子生成部(缓冲室)不是必须的结构，即使是没有等离子生成部的基板处理装置，只要是具备供给吹扫气体的专用喷嘴的基板处理装置即可适用本发明。
另外，在上述的实施方式等中，对于在晶圆200上形成SiN膜的例子进行了说明。本发明不限于该方式，也能够很好地适用于在晶圆200上形成氧化硅膜(SiO膜)、碳氧化硅膜(SiOC膜)、氮碳氧化硅膜(SiOCN膜)、氮氧化硅膜(SiON膜)等Si类氧化膜的情况；在晶圆200上形成氮碳化硅膜(SiCN膜)、氮硼化硅膜(SiBN膜)、氮碳硼化硅膜(SiBCN膜)、氮碳化硼膜(BCN膜)等Si类氮化膜的情况。在这些情况下，作为反应气体，除了含O气体以外，还可以使用C3H6等含C气体、NH3等含N气体、BCl3等含B气体。
另外，本发明也能够很好地适用于在晶圆200上形成含有钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铌(Nb)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)等金属元素的氧化膜或氮化膜、即金属类氧化膜或金属类氮化膜的情况。即，本发明也能够很好地适用于在晶圆200上形成TiO膜、TiN膜、TiOC膜、TiOCN膜、TiON膜、TiBN膜、TiBCN膜、ZrO膜、ZrN膜、ZrOC膜、ZrOCN膜、ZrON膜、ZrBN膜、ZrBCN膜、HfO膜、HfN膜、HfOC膜、HfOCN膜、HfON膜、HfBN膜、HfBCN膜、TaO膜、TaOC膜、TaOCN膜、TaON膜、TaBN膜、TaBCN膜、NbO膜、NbN膜、NbOC膜、NbOCN膜、NbON膜、NbBN膜、NbBCN膜、AlO膜、AlN膜、AlOC膜、AlOCN膜、AlON膜、AlBN膜、AlBCN膜、MoO膜、MoN膜、MoOC膜、MoOCN膜、MoON膜、MoBN膜、MoBCN膜、WO膜、WN膜、WOC膜、WOCN膜、WON膜、MWBN膜、WBCN膜等的情况。
在这些情况下，例如作为原料气体可以采用：四(二甲基氨基)钛(Ti[N(CH3)2]4、简称：TDMAT)气体、四(乙基甲基氨基)铪(Hf[N(C2H5)(CH3)]4、简称：TEMAH)气体、四(乙基甲基氨基)锆(Zr[N(C2H5)(CH3)]4、简称：TEMAZ)气体、三甲基铝(Al(CH3)3、简称：TMA)气体、四氯化钛(TiCl4)气体、四氯化铪(HfCl4)气体等。作为反应气体可以使用上述的反应气体。
即，本发明能够很好地适用于形成含有半金属元素的半金属类膜、含有金属元素的金属类膜的情况。这些成膜处理的处理步骤、处理条件可以是与上述的实施方式、变形例所示的成膜处理同样的处理步骤、处理条件。在这些情况下，能够获得与上述的实施方式、变形例同样的效果。
在成膜处理中使用的配方优选按照处理内容分别准备，并经由电子通信线路、外部存储装置123预先存储于存储装置121c内。并且优选，在开始各种处理时，CPU121a从存储装置121c内存储的多个配方中，适宜地按照处理内容选择适当的配方。由此，能够利用一台基板处理装置通用地且再现性良好地形成各种膜类、组成比、膜质、膜厚的薄膜。另外，能够减轻操作者的负担，防止操作失误，并迅速地开始各种处理。
上述的配方不限于新生成的情况，例如也可以对基板处理装置中已经安装的既有配方进行变更来准备。在对配方进行变更时，可以将变更后的配方经由电子通信线路或者记录有该配方的存储介质安装于基板处理装置。另外，也可以对既存的基板处理装置所具备的输入输出装置122进行操作，直接对基板处理装置中已经安装的既有配方进行变更。
符号说明
200—晶圆；203—反应管；217—晶舟；231—排气管；232a、232b、232c—气体供给管；249a—喷嘴；250a—第一喷出口；250b—第二喷出口。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板支撑部，其对基板进行支撑；
反应管，其收纳上述基板支撑部并对上述基板进行处理；以及
惰性气体供给***，其向上述反应管内供给惰性气体，
上述惰性气体供给***具有喷嘴，该喷嘴具备：第一喷出口，其朝向上述基板的中央喷出上述惰性气体；以及第二喷出口，其朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体，使从上述第一喷出口供给的上述惰性气体的流量比从上述第二喷出口供给的上述惰性气体的流量多。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一喷出口和上述第二喷出口设置于对置的位置。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二喷出口相对于上述喷嘴的高度方向设置于与上述第一喷出口相同的高度。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一喷出口和上述第二喷出口相对于上述喷嘴的高度方向设置于高度不同的位置。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述喷嘴设置有喷出方向不同的多个上述第二喷出口。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
上述多个上述第二喷出口中的一个第二喷出口的喷出方向与沿着与上述第一喷出口的喷出方向相反方向的方向所成的角度设置在45°以上且90°以下的范围内。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
相对于上述喷嘴的高度方向以第一预定间隔设置有多个上述第一喷出口，
相对于上述喷嘴的高度方向以比上述第一预定间隔宽的第二预定间隔设置有多个上述第二喷出口。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二喷出口相对于上述喷嘴的高度方向设置于多个上述第一喷出口之间。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述基板支撑部将多个基板在垂直方向上保持为多层，
以分别对上述多个基板喷出上述惰性气体的方式设置多个上述第一喷出口。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
就上述喷嘴而言，分别从上述反应管的下部到上部设置有多个上述第一喷出口和上述第二喷出口，上述第一喷出口的个数比上述第二喷出口的个数多。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一喷出口的开口直径比上述第二喷出口的开口直径大。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第一喷出口和上述第二喷出口的开口形状呈圆形或楕圆形。
13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
将基板搬入反应管内的工序；
向上述反应管内供给处理气体的工序；
从具有第一喷出口和第二喷出口的喷嘴的上述第一喷出口对上述基板供给惰性气体，并从上述第二喷出口对上述反应管的内壁供给上述惰性气体，且使从上述第一喷出口供给的上述惰性气体的流量比从上述第二喷出口供给的上述惰性气体的流量多的工序，其中，该第一喷出口朝向上述基板的中央喷出上述惰性气体，该第二喷出口朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体；以及
将上述基板从上述反应管搬出的工序。
14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
供给上述处理气体的工序具有：向上述反应管内供给原料气体的工序；以及向上述反应管内供给反应气体的工序，
在供给上述原料气体的工序和供给上述反应气体的工序之间、以及供给上述反应气体的工序之后执行供给上述惰性气体的工序。
15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在供给上述惰性气体的工序中，从喷出方向不同的多个上述第二喷出口对上述反应管的内壁供给从上述第二喷出口供给的上述惰性气体。
16.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于，存储有利用计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序，即：
将基板搬入上述基板处理装置的反应管内的步骤；
向上述反应管内供给处理气体的步骤；
从具有第一喷出口和第二喷出口的喷嘴的上述第一喷出口对上述基板供给惰性气体，并从上述第二喷出口对上述反应管的内壁供给上述惰性气体，且使从上述第一喷出口供给的上述惰性气体的流量比从上述第二喷出口供给的上述惰性气体的流量多的步骤，其中，该第一喷出口朝向上述基板的中央喷出上述惰性气体，该第二喷出口朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体；以及
将上述基板从上述反应管搬出的步骤。
17.根据权利要求16所述的存储介质，其特征在于，
供给上述处理气体的步骤具有：向上述反应管内供给原料气体的步骤；以及向上述反应管内供给反应气体的步骤，
在供给上述原料气体的步骤和供给上述反应气体的步骤之间、以及供给上述反应气体的步骤之后执行供给上述惰性气体的步骤。
18.根据权利要求16所述的存储介质，其特征在于，
在供给上述惰性气体的步骤中，从喷出方向不同的多个上述第二喷出口对上述反应管的内壁供给从上述第二喷出口供给的上述惰性气体。
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