JP4793306B2 - プラズマ処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
表面にタングステンからなる電極または配線が形成された基板を基板保持具に多段に保持して前記処理容器の処理雰囲気内へ搬入する工程と、
その後、前記プラズマ発生領域に500sccm以上10000sccm以下の流量でアンモニアガスを供給する工程と、
前記対をなすプラズマ電極間に20W以上500W以下の高周波を印加して、前記プラズマ発生領域に供給されるアンモニアガスをプラズマ化する工程と、
この工程で得られた活性種を、処理雰囲気の圧力が13.3×10 2 Pa以下に維持された状態で、前記基板の表面に供給して前記タングステンからなる電極または配線の表面に形成された酸化物を1秒以上10分以下の処理時間で還元する工程と、
この工程の後、前記処理容器内にて前記基板の表面にシリコン窒化膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
前記プログラムは、上述したプラズマ処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
つまり、タングステン表面には上述したように酸化物(WOx)が形成されているため、図4(b)に示すようにこの酸化物(WOx)102と活性種中のHラジカルとが反応することになる。
次いで、処理容器2内の圧力を例えば例えば54Pa(0.4Torr)にして、第2の原料ガス供給ノズル71より処理容器2内にNH3ガス及びN2ガスを夫々例えば5000sccm、2000sccmの流量で例えば1秒間、高周波電源84がオンの状態で供給する。これによりNラジカル,Hラジカル,NHラジカル,NH2ラジカル,NH3ラジカル等の活性種とDCSガスの分子とが反応して図5(d)に示すようにシリコン窒化物104が生成される。
(実施例1−1)
タングステン101を全面に成膜したウエハ100をウエハボート5に載置して、当該ウエハボート5を処理容器2内に搬入してタングステン101表面に形成されている酸化物102の還元処理を以下の条件で行ったところ、酸化物102が還元されていることを確認した。
・処理雰囲気の圧力:0.5Torr
・高周波電力:100W
・アンモニアガスの流量:5000sccm
・アンモニアガスの供給時間:180秒
・ヒータの設定温度:550℃
101 タングステン(W)
102 酸化物(WOx)
103 ポリシリコン膜
104 シリコン窒化物
105 SiN膜
M モータ
2 処理容器
3 マニホールド
41 ボートエレベータ
5 ウエハボート
60 第1のガス供給管
61 第1の原料ガス供給ノズル
63 シラン系のガス供給源
70 第2のガス供給管
71 第2の原料ガス供給ノズル
73 NH3ガス供給源
75 N2ガス供給源
80 プラズマ発生部
83 プラズマ電極
84 高周波電源
9 制御部
91 真空ポンプ
92 圧力調整部
Claims (2)
- ヒータに囲まれた縦型の円筒状の処理容器の外周面から径方向に外側に突出すると共に、処理容器内の最上段の基板から最下段の基板に至るまでの処理雰囲気に臨むように、前記処理雰囲気に沿って形成されたプラズマ発生領域と、このプラズマ発生領域に沿って伸びるようにかつ前記径方向と交差する方向に当該プラズマ発生領域を挟んで対向して配置される、対をなすプラズマ電極と、基板から見て前記プラズマ発生領域とは反対側にて処理容器に形成された排気口と、を備えた縦型熱処理装置を用い、
表面にタングステンからなる電極または配線が形成された基板を基板保持具に多段に保持して前記処理容器の処理雰囲気内へ搬入する工程と、
その後、前記プラズマ発生領域に500sccm以上10000sccm以下の流量でアンモニアガスを供給する工程と、
前記対をなすプラズマ電極間に20W以上500W以下の高周波を印加して、前記プラズマ発生領域に供給されるアンモニアガスをプラズマ化する工程と、
この工程で得られた活性種を、処理雰囲気の圧力が13.3×10 2 Pa以下に維持された状態で、前記基板の表面に供給して前記タングステンからなる電極または配線の表面に形成された酸化物を1秒以上10分以下の処理時間で還元する工程と、
この工程の後、前記処理容器内にて前記基板の表面にシリコン窒化膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 縦型の処理容器内に基板を基板保持具に多段に保持して搬入し、処理容器内にて熱処理を行う縦型熱処理装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項1に記載のプラズマ処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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JP2007095753A JP4793306B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
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JP2007095753A JP4793306B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
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Family Applications (1)
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JP2007095753A Active JP4793306B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
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- 2007-03-30 JP JP2007095753A patent/JP4793306B2/ja active Active
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