JP2007251021A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007251021A JP2007251021A JP2006074995A JP2006074995A JP2007251021A JP 2007251021 A JP2007251021 A JP 2007251021A JP 2006074995 A JP2006074995 A JP 2006074995A JP 2006074995 A JP2006074995 A JP 2006074995A JP 2007251021 A JP2007251021 A JP 2007251021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- conductive film
- emitting element
- emitting device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】 発光素子と、前記発光素子の電極の表面に分配して設けられた導電膜と、配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと接合しており、前記電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積より大きいことを特徴とし、前記発光素子は、同一面側に平面積が異なる正負の電極を有し、前記導電膜は、前記正負の電極のうち少なくとも平面積の大きい電極の表面に形成されていることが好ましい。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明に係る実施の形態1の発光装置100の模式的平面図であり、図2は図1のX−X線における模式的断面図である。本実施の形態1の発光装置100は、同一面側に正電極111aおよび負電極111bを有する発光素子110と、表面に正極の導電配線131aと負極の導電配線131bとからなる配線パターンを有するサブマウント基板130と、を有し、前記発光素子100が前記サブマウント基板130上に導電膜120a,120bを介してフリップチップ実装され、透光性樹脂140にて封止されている。
本発明に用いられる発光素子110は、特に限定されないが、ここでは発光ダイオードチップ(以下、LEDチップという)について説明する。LEDチップを構成する半導体発光素子としては、ZnSeやGaNなど種々の半導体を使用したものを挙げることができるが、蛍光物質を使用する場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
本実施の形態に用いられる発光素子110は、同一面側に正電極111aおよび負電極111bを有している。具体的には、エッチング等の方法により、p型半導体層側からn型半導体層の一部を露出した後、p型半導体層上および露出されたn型半導体層上にそれぞれ正電極111aおよび負電極111bを蒸着法やスパッタリング法により形成している。本実施の形態では、n型半導体層を互いに平行なストライプ状となるように露出させて負電極111bを形成し、正電極111aおよび負電極111bとの間を流れる電流が均一になるように構成されている。
本形態における支持体130とは、少なくとも半導体素子の電極と対向する面に配線パターン131a,131bが施されており、発光素子110を固定・支持するための部材である。
支持体130表面には、正極の導電配線131aと負極の導電配線131bとがパターン形成されている。これらの材料は、導電性を有しているものであれば特に限定されず、Auや銀白色の金属、特に、反射率の高いAg、Alなどとされる。反射率の高い銀白色の金属とすることにより、発光素子110からの光が支持基板と反対側の方向に反射され、発光装置の光取り出し効率が向上するため好ましい。ここで、導体配線の材料とする金属は、金属相互間の接着性の良さ、いわゆる濡れ性等を考慮して選択されることが好ましい。導体配線は、支持体表面上に、配線を形成しない領域にホトレジストパターンを形成し、電子ビーム蒸着、あるいはスパッタ、あるいは鍍金などの方法により、例えば厚さ10nmのTi層、厚さ1000nm(1μm)のAu層を堆積する。その後、レジストパターンを除去し、その上に堆積した金属層をリフトオフする。配線層は、Ti/Auの他、Ni/Au,Al/Au等を用いることもできる。
本発明の発光装置は、発光素子110と支持体130上の配線パターン131a,131bとが、導電膜120a,120bを介してフリップチップ実装されている。本実施の形態の発光装置は、発光素子110の正電極111aの表面に分配して設けられた導電膜120aを有し、正電極111aと前記導電膜120aとの接合面積は、前記導電膜120aと前記配線パターン131aとの接合面積より大きいことを特徴とする。このように、導電膜120a,120bと各接合部材との接合面積の割合を特定することにより、導電膜120a,120bの膜厚が薄くとも高い接合強度を得ることができる。これにより、リークや電気接合部のオープンが生じない安定した導電性を有する発光装置が得られる。また、本発明の発光装置は、前記発光素子110と前記支持体130との間に、樹脂など熱ストレスにより膨張する部材が介在したとしても、その介在部の厚みは薄いことから、熱ストレスを瞬時に支持体130側へ逃がすことができる。このように本発明の発光装置は、発光装置の一体性を損なうほどの応力が発生することがなく、使用環境に左右されない高い信頼性を有している。
本実施の形態の発光装置において、発光素子110は、外部環境からの外力、塵芥や水分などから保護するために封止部材140にて被覆されている。特に、本形態における封止部材140は、発光素子110と支持体130との間にも介在している。その介在部と支持体130との接触面積は、発光素子110との接触面積より大きい。このような構成により、介在部が受けた熱ストレスは、支持体130側へ効率よく逃がすことが可能となることから、厳しい使用環境下においても発光装置の一体性を保持することができる。
(第一の工程)
110・・・発光素子
111a・・・正電極
111b・・・負電極
120a,120b・・・導電膜
130・・・支持体
131・・・配線パターン
131a・・・正極の導電配線
131b・・・負極の導電配線
140・・・封止部材
Claims (4)
- 発光素子と、前記発光素子の電極の表面に分配して設けられた導電膜と、配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと接合しており、前記電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積より大きいことを特徴とする発光装置。
- 前記発光素子は、同一面側に平面積が異なる正負の電極を有し、前記導電膜は、前記正負の電極のうち少なくとも平面積の大きい電極の表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記導電膜の膜厚は、前記発光素子の平面積の平方根の0.1%〜0.5%であることを特徴とする請求項1乃至2に記載の発光装置。
- 前記導電膜は、内部に空隙を有することを特徴とする請求項1乃至3に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006074995A JP5272287B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006074995A JP5272287B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012287482A Division JP2013084981A (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007251021A true JP2007251021A (ja) | 2007-09-27 |
JP5272287B2 JP5272287B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=38594965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006074995A Active JP5272287B2 (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5272287B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027919A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2010027768A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2015135904A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
KR20160059324A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
JP2017501577A (ja) * | 2014-01-07 | 2017-01-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 発光デバイスパッケージ |
US10475973B2 (en) | 2013-12-19 | 2019-11-12 | Lumileds Llc | Light emitting device package |
JP2019204885A (ja) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
KR20210069026A (ko) * | 2014-09-26 | 2021-06-10 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05129371A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Sharp Corp | 半導体装置の接続方法 |
JPH09138327A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
JPH09270445A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH1167821A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-09 | Sharp Corp | フリップチップ実装構造 |
JP2004031696A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
JP2005109434A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006054210A (ja) * | 2003-09-30 | 2006-02-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
-
2006
- 2006-03-17 JP JP2006074995A patent/JP5272287B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05129371A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Sharp Corp | 半導体装置の接続方法 |
JPH09270445A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH09138327A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
JPH1167821A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-09 | Sharp Corp | フリップチップ実装構造 |
JP2004031696A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Kyocera Corp | 熱電モジュール及びその製造方法 |
JP2005109434A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006054210A (ja) * | 2003-09-30 | 2006-02-23 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010027768A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2010027919A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
US10475973B2 (en) | 2013-12-19 | 2019-11-12 | Lumileds Llc | Light emitting device package |
JP2017501577A (ja) * | 2014-01-07 | 2017-01-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 発光デバイスパッケージ |
JP2015135904A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
KR20210069026A (ko) * | 2014-09-26 | 2021-06-10 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR102494723B1 (ko) | 2014-09-26 | 2023-02-06 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR20210123242A (ko) * | 2014-11-18 | 2021-10-13 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
KR102306802B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2021-09-30 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
KR20160059324A (ko) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
KR102533583B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2023-05-18 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
JP2019204885A (ja) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP7218048B2 (ja) | 2018-05-24 | 2023-02-06 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5272287B2 (ja) | 2013-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8735934B2 (en) | Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same | |
JP6056920B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
US7683396B2 (en) | High power light emitting device assembly utilizing ESD protective means sandwiched between dual sub-mounts | |
JP5634003B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5591487B2 (ja) | 発光装置、これを含むパッケージとシステム、およびその製造方法 | |
JP5272287B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI543399B (zh) | 半導體發光裝置 | |
KR102227769B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 | |
US8729568B2 (en) | Light emitting device | |
TW201517321A (zh) | 半導體發光裝置 | |
JP2004152808A (ja) | 半導体発光装置 | |
TWI458140B (zh) | 發光裝置封裝元件 | |
JP5801967B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ | |
JP2006073618A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
JP5034342B2 (ja) | 発光装置 | |
KR102343872B1 (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 | |
JP2013084981A (ja) | 発光装置 | |
TW202123507A (zh) | Led發光裝置及其製造方法 | |
CN110544703B (zh) | 发光器件封装 | |
KR102559294B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR102572515B1 (ko) | 반도체 소자 및 이를 구비한 조명 장치 | |
KR102369822B1 (ko) | 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지 | |
KR102353566B1 (ko) | 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지 | |
JP2017050420A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
KR20210017280A (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121228 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130429 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5272287 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |