TWI543399B - 半導體發光裝置 - Google Patents

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TWI543399B TW103104256A TW103104256A TWI543399B TW I543399 B TWI543399 B TW I543399B TW 103104256 A TW103104256 A TW 103104256A TW 103104256 A TW103104256 A TW 103104256A TW I543399 B TWI543399 B TW I543399B
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小島章弘
島田美代子
秋元陽介
下宿幸
古山英人
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東芝股份有限公司
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Description

半導體發光裝置
本發明係關於半導體發光裝置。
在包含發光層的半導體層之一方面側被形成p側電極與n側電極的構造，電極不會妨礙由發光面取出光，所以電極的形狀或配置的自由度很高。電極的形狀或配置，會影響電氣特性或發光效率，所以要求適切的設計。
本發明之實施型態，提供可以提高光學特性或可信賴性的半導體發光裝置。
根據實施型態的話，半導體發光裝置，具備半導體層、p側電極、n側電極、p側配線部、n側配線部、樹脂層。前述半導體層，具有具第1面、及與前述第1面相反側的第2面之發光層。前述p側電極，於前述第2面側設於前述半導體層。前述n側電極，於前述第2面側設於前述半導體層。前述n側電極，具有延伸於不同方向的複數 直線部，與連接前述複數直線部的角部。前述p側配線部，設於前述第2面側，被連接於前述p側電極。前述n側配線部，設於前述第2面側，被連接於前述n側電極。前述樹脂層，被設於前述p側配線部與前述n側配線部之間。前述n側電極之前述角部與前述半導體層之間設有第1絕緣膜，前述角部不接於前述半導體層，前述n側電極之前述直線部接於前述半導體層。
11‧‧‧第1半導體層
12‧‧‧第2半導體層
13‧‧‧發光層
15‧‧‧半導體層
15a‧‧‧第1面
15b‧‧‧第2面
15c‧‧‧側面
15e‧‧‧發光區域
15f‧‧‧非發光區域
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
17a‧‧‧直線部
17b‧‧‧角部
17c‧‧‧接觸部
18‧‧‧絕緣膜
21‧‧‧p側配線層
21a‧‧‧通孔
22‧‧‧n側配線層
22a‧‧‧通孔
23‧‧‧p側金屬柱
23a‧‧‧p側外部端子
24‧‧‧n側金屬柱
24a‧‧‧n側外部端子
25‧‧‧樹脂層
28‧‧‧絕緣膜
30‧‧‧螢光體層
31‧‧‧螢光體
32‧‧‧接合材
41‧‧‧p側配線部
43‧‧‧n側配線部
51‧‧‧金屬膜
60‧‧‧下底金屬膜
61‧‧‧鋁(Al)膜
62‧‧‧鈦(Ti)膜
63‧‧‧銅(Cu)膜
100‧‧‧支撐體
圖1係實施型態的半導體發光裝置的模式剖面圖。
圖2A係實施型態的半導體發光裝置的模式平面圖，圖2B為圖2A之B-B剖面圖。
圖3A係實施型態的半導體發光裝置的模式平面圖，圖3B為圖3A之C-C剖面圖。
圖4A及B係實施型態的半導體發光裝置的模式平面圖。
圖5係實施型態的半導體發光裝置的模式平面圖。
圖6係實施型態的半導體發光裝置的模式剖面圖。
圖7A~圖16C係顯示實施型態的半導體發光裝置的製造方法之模式剖面圖。
圖17A係實施型態的半導體發光裝置的模式平面圖，圖17B為圖17A之E-E剖面圖。
圖18A~圖19係實施型態的半導體發光裝置的模式平面圖。
圖20A~圖21B係顯示實施型態的半導體發光裝置的製造方法之模式剖面圖。
圖22A及B係實施型態的半導體發光裝置的模式圖。
以下，參照圖式說明實施型態。又，各圖式中，相同要素賦予相同符號。
圖1係實施型態之半導體發光裝置之模式剖面圖。
圖2A係顯示實施型態的半導體發光裝置之p側電極16與n側電極17之平面配置之一例之模式平面圖。圖1對應於圖2A之A-A剖面。
圖2B為圖2A之B-B剖面圖。
實施型態之半導體發光裝置，具備具有發光層13的半導體層15。半導體層15，具有第1面15a，及其相反側的第2面15b(參照圖7A)。
半導體層15的第2面15b，如圖8A所示，具有包含發光層13的部分(發光區域)15e，與不含發光層13的部分(非發光區域)15f。包含發光層13的部分15e，是在半導體層15之中，被層積發光層13的部分。不含發光層13的部分15f，是在半導體層15之中，未被層積發光層13的部分。包含發光層13的部分15e，顯示成為可以使發光層13的發光光線往外部取出的層積構造的區域。
於第2面側，於包含發光層13的部分15e之上被設 置p側電極16，於不含發光層的部分15f之上被設置n側電極17。
在圖2A所示之例，不含發光層13的部分15f，包圍含有發光層13的部分15e，n側電極17包圍著p側電極16。
通過p側電極16與n側電極17對發光層13供給電流，發光層13發光。接著，由發光層13放射的光線，由第1面15a側往半導體發光裝置的外部射出。
於半導體層15之第2面側，如圖1所示被設置支撐體100。包含半導體層15、p側電極16及n側電極17的發光元件，藉由被設於第2面側的支撐體100支撐。
於半導體層15之第1面15a側，作為對半導體發光裝置的放出光賦予所要的光學特性之光學層，設置有螢光體層30。螢光體層30，包含複數粒子狀的螢光體31。螢光體31，藉由發光層13的放射光激發，放射與該放射光不同的波長的光。
複數之螢光體31，藉由接合材32一體化。結合材32，使發光層13的放射光及螢光體31的放射光透過。此處所謂「透過」，不限於透過率為100%，也包含吸收光線的一部分的場合。
半導體層15，具有第1半導體層11、第2半導體層12、與發光層13。發光層13，被設於第1半導體層11、與第2半導體層12之間。第1半導體層11及第2半導體層12，例如包含氮化鎵。
第1半導體層11，例如包含下底緩衝層、n型GaN層。第2半導體層12，例如包含p型GaN層。發光層13，包含發出藍、紫、藍紫、紫外光等光線的材料。發光層13的發光峰波長，例如為430~470nm。
半導體層15的第2面，被加工為凹凸形狀。其凸部，為包含發光層13的部分15e，凹部為不含發光層13的部分15f。包含發光層13的部分15e的表面為第2半導體層12的表面，於第2半導體層12的表面設有p側電極16。不含發光層13的部分15f的表面為第1半導體層11的表面，於第1半導體層11的表面設有n側電極17。
於半導體層15的第2面，包含發光層13的部分15e的面積，比不含發光層13的部分15f的面積更寬廣。此外，設於包含發光層13的部分15e的表面的p側電極16的面積，比設於不含發光層13的部分15f的表面的n側電極17的面積更寬廣。藉此，可以得到寬廣的發光面，提高光輸出。
n側電極17，如圖2A所示，被形成為在第2面上延伸於不同方向的複數直線部17a中介著角部(角落部)17b被連接於序連連接(concatenation)的形狀。在圖2A所示之例，形成為例如4條直線部17a中介著4個角部17b連接的矩形輪廓。又，角部17b具有曲率亦可。
此外，於n側電極17的複數條直線部17a之中的1條直線部17a，設有突出於該直線部17a的寬幅方向的接觸部17c。亦即，直線部17a的一部分的寬幅變粗。於該 接觸部17c的表面，被連接著後述之n側配線層22的通孔22a。
p側電極16，橫跨全面接於第2半導體層12的表面。另一方面，n側電極17，具有接於第1半導體層11的表面的部分，與不連接的部分。
於n側電極17的角部17b，與第1半導體層11的表面之間，如圖2B所示，設有絕緣膜28。絕緣膜28，例如為矽的氧化膜等無機絕緣膜。於圖2A，n側電極17的角部17b與第1半導體層11的表面之間的絕緣膜28以虛線表示。
亦即，n側電極17的角部17b，不與第1半導體層11連接。角部17b與角部17b之間的直線部17a，如圖2B所示，接於第1半導體層11的表面。此外，在圖2A所示之例，與n側配線層22之接觸部17c，接於第1半導體層11的表面。
直線部17a、角部17b以及接觸部17c不中斷而成為序連連接(concatenation)。因此，於被分斷的各n側電極17不使其與n側配線層22連接亦可，n側電極17與n側配線層22之接觸部17c只要1個即可。
此處，作為比較例，使組合直線部17a與角部17b的形狀之n側電極17的全面接觸於第1半導體層11的表面的構造，在角部17b有電流集中的傾向。電流分布的偏頗會導致發光強度分布的偏頗，可導致效率、散熱性、壽命的降低。
對此，根據實施型態的話，n側電極17的角部17b與第1半導體層11之間設絕緣膜28，角部17b不使其接觸於第1半導體層11。亦即，在角部17b與第1半導體層11之間，於電極與半導體層之層積方向電流不直接流動。
因此，可以緩和角部17b之電流集中，可謀求發光強度分布的均一化。藉此，可以提高發光效率或可信賴性。
半導體層15的第2面、p側電極16及n側電極17，如圖1所示，以絕緣膜18覆蓋。絕緣膜18，例如為矽的氧化膜等無機絕緣膜。絕緣膜18，也被設於發光層13的側面及第2半導體層12的側面，覆蓋這些的側面。
此外，絕緣膜18，也設於半導體層15之由第1面15a接連的側面(第1半導體層11的側面)15c，覆蓋該側面15c。
進而，絕緣膜18，也設於半導體層15的側面15c的周圍的區域。被設於側面15c的周圍的區域之絕緣膜18，在第1面15a側，由側面15c朝向側面15c的相反側延伸。
於絕緣膜18上，p側配線層21與n側配線層22相互分離設置。於絕緣膜18，如圖9B所示，被形成通至p側電極16的複數第1開口18a，與通至n側電極17的接觸部17c之第2開口18b。又，第1開口18a，亦可為更大的1個開口。
p側配線層21，設於絕緣膜18上及第1開口18a的 內部。p側配線層21，透過設於第1開口18a內的通孔21a與p側電極16導電連接。
n側配線層22，設於絕緣膜18上及第2開口18b的內部。n側配線層22，透過設於第2開口18b內的通孔22a與n側電極17的接觸部17c導電連接。
p側配線層21及n側配線層22，佔據第2面側的區域的大部分而擴展於絕緣膜18上。p側配線層21，透過複數的通孔21a與p側電極16連接。
此外，中介著絕緣膜18，金屬膜51覆蓋半導體層15之側面15c。金屬膜51不接於側面15c，未對半導體層15導電連接。金屬膜51，對p側配線層21及n側配線層22分離。金屬膜51，對發光層13的放射光及螢光體31的放射光具有反射性。
金屬膜、p側配線層21及n側配線層22，於共通的下底金屬膜上，包含例如藉由電鍍法同時形成的銅膜。
圖10A為該下底金屬膜60的模式剖面圖。
構成金屬膜51、p側配線層21及n側配線層22之例如銅膜，在被形成於絕緣膜18上的下底金屬膜60上以電鍍法形成。或者是，也包含下底金屬膜60，被構成金屬膜51、p側配線層21及n側配線層22。
下底金屬膜60，具有由絕緣膜18側起依序被層積的鋁(Al)膜61、鈦(Ti)膜62、與銅(Cu)膜63。
鋁膜61作為反射膜發揮機能，銅膜63作為電鍍的種子層發揮機能。對鋁及銅雙放的濕潤性優異的鈦膜62， 作為密接層發揮機能。
例如，下底金屬膜60的膜厚為1μm程度，金屬膜51、p側配線層21及n側配線層22之各個的厚度為數個μm。
此外，亦可於半導體層15的側面15c的周圍的區域不在下底金屬膜60上形成電鍍膜(銅膜)，而金屬膜51係由下底金屬膜60所構成的膜。金屬膜51，藉由至少包含鋁膜61，具有對發光層13的放射光及螢光體31的放射光具有高的反射率。
此外，於p側配線層21及n側配線層22之下也殘留鋁膜61，所以在第2面側的大部分區域鋁膜(反射膜)61被擴開形成。藉此，可以增大朝向螢光體層30側的光的量。
在與p側配線層21之半導體層15相反側之面，設有p側金屬柱23。p側配線層21及p側金屬柱23，形成p側配線部41。
在與n側配線層22之半導體層15相反側之面，設有n側金屬柱24。n側配線層22及n側金屬柱24，形成n側配線部43。
在p側配線部41與n側配線部43之間，作為絕緣膜被設有樹脂層25。樹脂層25，以接於p側金屬柱23的側面與n側金屬柱24的側面的方式，設於p側金屬柱23與n側金屬柱24之間。亦即，p側金屬柱23與n側金屬柱24之間，被填充著樹脂層25。
此外，樹脂層25，設於p側配線層21與n側配線層22之間，p側配線層21與金屬膜51之間，以及n側配線層22與金屬膜51之間。
樹脂層25，被設於p側金屬柱23的周圍及n側金屬柱24的周圍，覆蓋p側金屬柱23的側面及n側金屬柱24的側面。
此外，樹脂層25，也設於半導體層15的側面15c的周圍的區域，覆蓋著金屬膜51。
p側金屬柱23之與p側配線層21相反側的端部(面)，由樹脂層25露出，作為可與實裝基板等外部電路連接的p側外部端子23a發揮機能。n側金屬柱24之與n側配線層22相反側的端部(面)，由樹脂層25露出，作為可與實裝基板等外部電路連接的n側外部端子24a發揮機能。p側外部端子23a及n側外部端子24a，例如，透過焊錫、或者導電性接合材，被接合於實裝基板的島狀圖案。
p側外部端子23a及n側外部端子24a，在樹脂層25的相同面(圖1之下面)內離開排列地被形成。p側外部端子23a與n側外部端子24a之間隔，比絕緣膜18上之p側配線層21與n側配線層22之間隔更寬。p側外部端子23a與n側外部端子24a之間隔，比實裝實的焊錫的擴開更大。藉此，可以防止通過焊錫之p側外部端子23a與n側外部端子24a之間的短路。
對此，p側配線層21與n側配線層22之間隔，可以 狹窄到製程上的極限為止。因此，謀求p側配線層21的面積、以及p側配線層21與p側金屬柱23之接觸面積的擴大。藉此，可以促進發光層13的散熱。
此外，p側配線層21通過複數通孔21a與p側電極16相接的面積，比n側配線層22通過複數通孔22a與n側電極17相接的面積還要寬廣。藉此，可以使流至發光層13的電流的分布均一化。
在絕緣膜18上擴開的n側配線層22的面積，可以比n側電極17的面積更寬廣。接著，可以使設於n側配線層22上的n側金屬柱24的面積(n側外部端子24a的面積)比n側電極17更寬廣。藉此，可以於可信賴性高的實裝確保充分的n側外部端子24a的面積，同時縮小n側電極17的面積。亦即，可以縮小半導體層15之不含發光層13的部分(非發光區域)15f的面積，擴展含發光層13的部分(發光區域)15e的面積而提高光輸出。
第1半導體層11，透過n側電極17及n側配線層22與n側金屬柱24導電連接。第2半導體層12，透過p側電極16及p側配線層21與p側金屬柱23導電連接。
p側金屬柱23的厚度(連接p側配線層21與p側外部端子23a的方向的厚度)，比p側配線層21的厚度更厚。n側金屬柱24的厚度(連接n側配線層22與n側外部端子24a的方向的厚度)，比n側配線層22的厚度更厚。p側金屬柱23、n側金屬柱24及樹脂層25之各個的厚度，比半導體層15更厚。
金屬柱23,24之高寬比(對平面尺寸之厚度之比)，亦可為1以上，亦可比1還要小。亦即，金屬柱23，24，可比其平面尺寸更厚，亦可更薄。
包含p側配線層21、n側配線層22、p側金屬柱23、n側金屬柱24及樹脂層25的支撐體100的厚度，比包含半導體層15、p側電極16及n側電極17的發光元件(LED晶片)的厚度更厚。
半導體層15，如稍後所述於基板上藉由磊晶(epitaxial)成長法形成。該基板，在形成支撐體100後被除去，半導體層15在第1面15a側不含基板。半導體層15，不是藉由剛直的板狀基板，而是由金屬柱23,24與樹脂層25的複合體所構成的支撐體100來支撐。
作為p側配線部41及n側配線部43的材料，例如可以使用銅、金、鎳、銀等。這些之中，使用銅的話，達成良好的熱傳導性，高的耐遷移性以及提高對絕緣材料之密接性。
樹脂層25，補強p側金屬柱23及n側金屬柱24。樹脂層25，以使用與實裝基板的熱膨脹率相同或相近者為佳。作為那樣的樹脂層25，例如可以舉出主要含有環氧樹脂的樹脂、主要含有聚矽氧樹脂的樹脂、主要含有氟樹脂的樹脂。
此外，樹脂層25之成為基材的樹脂含有遮光材(吸光劑、反光劑、光散射劑等)，樹脂層25對發光層13之發光光線具有遮光性。藉此，可以抑制由支撐體100的側 面及實裝面側漏光。
藉由半導體發光裝置在實裝時的熱循環，起因於把p側外部端子23a及n側外部端子24a接合於實裝基板的金屬焊點的焊錫等之應力施加於半導體層15。p側金屬柱23、n側金屬柱24及樹脂層25，吸收而緩和該應力。特別是藉著把比半導體層15更為柔軟的樹脂層25作為支撐體100的一部分使用，可以提高應力緩和效果。
金屬膜51，對p側配線部41及n側配線部43分離。因此，實裝時施加於p側金屬柱23及n側金屬柱24的應力，不被傳達至金屬膜51。亦即，可以抑制金屬膜51的剝離。此外，可以抑制施加於半導體層15的側面15c側的應力。
如稍後所述，使用於半導體層15的形成的基板，由半導體層15除去。藉此，半導體發光裝置被低背化(降低高度)。此外，藉由基板的除去，可以在半導體層15之第1面15a形成為小凹凸，謀求光取出效率的提高。
例如，對第1面15a，進行使用了鹼系溶液的濕式蝕刻形成微小凹凸。藉此，減少在第1面15a之全反射成分，可以提高光取出效率。
被除去基板後，於第1面15a上中介著絕緣膜19被形成螢光體層30。絕緣膜19，作為提高半導體層15與螢光體層30的密接性之密接層發揮機能，例如，為矽的氧化膜、矽的氮化膜。
螢光體層30，具有在結合材32中被分散複數粒子狀 的螢光體31的構造。結合材32，例如可以使用聚矽氧樹脂。
螢光體層30，也被形成於半導體層15的側面15c的周圍的區域上。亦即，螢光體層30的平面尺寸比半導體層15的平面尺寸更大。於半導體層15的側面15c的周圍的區域，在絕緣膜18及絕緣膜19上設置螢光體層30。
螢光體層30，被限定於半導體層15的第1面15a上，以及半導體層15的側面15c的周圍的區域上，在半導體層15的第2面側、金屬柱23,24的周圍、以及支撐體100的側面並未繞入形成。螢光體層30之側面，與支撐體100的側面(樹脂層25的側面)是排整齊的。
亦即，實施型態的半導體發光裝置，為晶片尺寸封裝構造的非常小型的半導體發光裝置。因此，例如在適用於照明用燈具等的場合，燈具設計的自由度可以提高。
此外，在不把光取出至外部的實裝面側不會浪費地形成螢光體層30，可謀求成本減低。此外，於第1面15a側即使沒有基板，也可以透過擴開於第2面側的p側配線層21及n側配線層22而把發光層13的熱散熱至實裝基板側，身為小型的同時，散熱性也優異。
在一般的覆晶實裝，把LED晶片透過凸塊等實裝於實裝基板後，以覆蓋晶片全體的方式形成螢光體層。或者是，於凸塊間，樹脂被填充底膠(underfill)。
對此，根據實施型態的話，在實裝前的狀態，在p側金屬柱23的周圍及n側金屬柱24的周圍，被設置與螢光 體層30不同的樹脂層25，可以對實裝面側提供適於應力緩和的特性。此外，於實裝面側已經設有樹脂層25，所以實裝後的填充底膠(underfill)變成不需要。
於第1面15a側，設置以光取出效率、色變換效率、配光特性等為優先的設計之層，於實裝面側，設置以實裝時的應力緩和，或替代基板的支撐體之特性為優先之層。例如，樹脂層25，具有在成為基材的樹脂高密度填充矽土粒子等填充物的構造，被調整為作為支撐體之適切的硬度。
由發光層13的第1面15a側放射的光射入螢光體層30，一部分的光激發螢光體31，作為發光層13的光，與螢光體31的光之混合光例如得到白色光。
此處，於第1面15a上有基板的話，不會射入螢光體層30，而產生由基板的側面往外部洩漏的光。亦即，由基板的側面洩漏發光層13之光之色比較強的光，由上面俯視螢光體層30的場合，於外緣側可見到藍色光之環的現象等，會成為色破損或色不均的原因。
相對於此，根據實施型態的話，在第1面15a與螢光體層30之間沒有基板，所以可以防止由基板側面洩漏發光層13的光的顏色比較強的光導致的色破損或色不均。
進而，根據實施型態的話，於半導體層15之側面15c，中介著絕緣膜18設置金屬膜51。由發光層13朝向半導體層15的側面15c的光，以金屬膜51反射，不往外部洩漏。因此，配合基板不存在於第1面15a側的特徵， 可以防止由半導體發光裝置的側面側之漏光導致的色破損或色不均。
此外，如圖6所示，於半導體層15的側面15c的周圍的區域，使金屬膜51朝向半導體發光裝置7的外側延伸亦可。亦即，於半導體層15的側面15c的周圍的區域，設有對向於由第1面15a上伸出的螢光體層30之金屬膜51。
因此，於半導體發光裝置的端部區域的螢光體31之放射光，可以使朝向支撐體100側的光以金屬膜51反射而返回螢光體層30側。
亦即，於半導體發光裝置的端部區域，可以防止螢光體31的放射光被樹脂層25吸收所導致的損失，提高由螢光體層30側取出光的效率。
被設於金屬膜51，與半導體層15之側面15c之間的絕緣膜18，防止包含於金屬膜51的金屬之往半導體層15的擴散。藉此，可以防止半導體層15之例如GaN的金屬污染，可以防止半導體層15的劣化。
此外，設於金屬膜51與螢光體層30之間的絕緣膜18,19，提高金屬膜51與螢光體層30的基底樹脂之密著性。
絕緣膜18及絕緣膜19，例如為矽的氧化膜、矽的氮化膜等無機絕緣膜。亦即，半導體層15之第1面15a、第2面、第1半導體層11之側面15c、第2半導體層12之側面、發光層13的側面，以無機絕緣膜覆蓋。無機絕 緣膜包圍半導體層15，把半導體層15與金屬或水分等區隔開。
其次，參照圖7A~圖13B，說明半導體發光裝置之製造方法。
圖7A~圖13B之各剖面圖，對應於圖1所示的剖面，亦即圖2A之A-A剖面。
如圖7A所示，例如藉由MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法，於基板10的主面上，依序磊晶成長第1半導體層11、發光層13及第2半導體層12。
於半導體層15，基板10側之面為第1面15a，基板10的相反側之面為第2面15b。
基板10，例如為矽基板。或者是，基板10為藍寶石基板亦可。半導體層15，例如為包含氮化鎵(GaN)的氮化物半導體層。
第1半導體層11，例如，具有設於基板10的主面上的緩衝層，與設於緩衝層上的n型GaN層。第2半導體層12，例如，具有設於發光層13的p型AlGaN層，與設於其上的p型GaN層。發光層13，例如具有MQW(Multiple Quantum well)構造。
圖7B顯示選擇性地除去第2半導體層12及發光層13的狀態。例如，藉由RIE(Reactive Ion Etching)法，選擇性地蝕刻第2半導體層12及發光層13，使第1半導體層11露出。
其次，如圖8A所示，選擇性地除去第1半導體層11，形成溝90。在基板10的主面上，半導體層15藉由溝90分離為複數。溝90，在晶圓狀的基板10上例如以格子狀圖案形成。
溝90，貫通半導體層15，達到基板10。隨著蝕刻條件，基板10的主面也稍微被蝕刻，溝90的底面，亦有比基板10與半導體層15的界面更後退到下方的場合。又，溝90，在形成p側電極16及n側電極17後形成亦可。
如圖8B所示，於第2半導體層12的表面被形成p側電極16。此外，在第2半導體層12及發光層13被選擇性除去的區域的第1半導體層11的表面，被形成n側電極17。
又，於n側電極17之被形成角部17b的區域，參照圖2B，如前所述，形成n側電極17之前於第1半導體層11的表面上被形成絕緣膜28，於該絕緣膜28上被形成角部17b。
被形成於發光層13被層積的區域之p側電極16，包含反射發光層13的放射光的反射膜。例如，p側電極16，包含銀、銀合金、鋁、鋁合金等。此外，為了防止反射膜的硫化、氧化，p側電極16，包含金屬保護膜(障壁金屬)。
其次，如圖9A所示，以覆蓋設於基板10上的構造體的方式形成絕緣膜18。絕緣膜18，覆蓋半導體層15的第2面、p側電極16及n側電極17。此外，絕緣膜18，覆 蓋半導體層15之連接於第1面15a的側面15c。進而，絕緣膜18，也被形成於溝90的底面的基板10的表面。
絕緣膜18，例如為藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法形成的矽的氧化膜或矽的氮化膜。於絕緣膜18，例如，藉由使用光阻遮罩的濕式蝕刻，如圖9B所示地形成第1開口18a與第2開口18b。第1開口18a達到p側電極16，第2開口18b達到n側電極17的接觸部17c。
其次，如圖9B所示，於絕緣膜18的表面、第1開口18a的內壁(側壁及底面)、以及第2開口18b的內壁(側壁及底面)，形成下底金屬膜60。下底金屬膜60，如圖10A所示，具有鋁膜61、鈦膜62、與銅膜63。下底金屬膜60，例如藉由濺鍍法形成。
其次，於下底金屬膜60上，選擇性形成圖10B所示的光阻遮罩91後，藉由把下底金屬膜60的銅膜63作為種子層使用之電解鍍銅法，形成p側配線層21、n側配線層22及金屬膜51。
p側配線層21，也被形成於第1開口18a內，被導電連接於p側電極16。n側配線層22，也被形成於第2開口18b內，被導電連接於n側電極17的接觸部17c。
其次，把光阻遮罩91，例如使用溶劑或氧電漿除去後，選擇性地形成圖11A所示的光阻遮罩92。或者是，不除去光阻遮罩91，形成光阻遮罩92亦可。
形成光阻遮罩92後，藉由把p側配線層21及n側配 線層22作為種子層使用的電解鍍銅法，形成p側金屬柱23及n側金屬柱24。
p側金屬柱23，被形成於p側配線層21上。p側配線層21與p側金屬柱23以相同的銅材料一體化。n側金屬柱24，被形成於n側配線層22上。n側配線層22與n側金屬柱24以相同的銅材料一體化。
光阻遮罩92，例如使用溶劑或氧電漿除去。在此時間點，p側配線層21與n側配線層22透過下底金屬膜60連接著。此外，p側配線層21與金屬膜51也透過下底金屬膜60連接，n側配線層22與金屬膜51也透過下底金屬膜60連接。
在此，藉由蝕刻除去p側配線層21與n側配線層22之間的下底金屬膜60、p側配線層21與金屬膜51之間的下底金屬膜60、以及n側配線層22與金屬膜51之間的下底金屬膜。
藉此，如圖11B所示，n側配線層21與n側配線層22之導電連接、p側配線層21與金屬膜51的導電連接、以及n側配線層22與金屬膜51之導電連接被切斷。
被形成於半導體層15的側面15c的周圍的區域之金屬膜51，電氣上為浮動，不作為電極發揮機能，而作為反射膜發揮機能。金屬膜51，至少含有鋁膜61的話，就可以確保作為反射膜的機能。
其次，在圖11B所示的構造體上，形成圖12A所示的樹脂層25。樹脂層25，覆蓋p側配線部41及n側配線 部43。此外，樹脂層25，覆蓋金屬膜51。
樹脂層25，與p側配線部41及n側配線部43一起構成支撐體100。在半導體層15被支撐於該支撐體100的狀態，除去基板10。
例如，矽基板之基板10，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻除去。或者是，基板10為藍寶石基板的場合，可以藉由雷射掀離(lift-off)法除去。
在基板10上被磊晶成長的半導體層15，有包含大的內部應力的場合。此外，p側金屬柱23、n側金屬柱24及樹脂層25，例如與GaN系材料之半導體層15相比為柔軟的材料。亦即，磊晶成長時的內部應力在基板10的剝離時即使一口氣被放開，p側金屬柱23、n側金屬柱24及樹脂層25，吸收該應力。因此，可以避免除去基板10的過程之半導體層15的破損。
藉由基板10的除去，如圖12B所示，露出半導體層15的第1面15a。於露出的第1面15a，被形成微小凹凸。例如，以KOH(氫氧化鉀)水溶液或TMAH(四甲基氫氧化銨)等，濕式蝕刻第1面15a。在此蝕刻，會產生依存於結晶面方位的蝕刻速度差異。因此，可以於第1面15a形成凹凸。藉由在第1面15a形成微小凹凸，可以提高發光層13的放射光的取出效率。
於第1面15a上，如圖13A所示，中介著絕緣膜19形成螢光體層30。螢光體層30，例如藉由印刷、裝填(potting)、塑膜(mold)、壓縮成形等方法來形成。絕 緣膜19，提高半導體層15與螢光體層30之密著性。
此外，作為螢光體層30，把使螢光體中介著結合材燒結之燒結螢光體，中介著絕緣膜19接著於半導體層15亦可。
此外，螢光體層30，也被形成於半導體層15的側面15c的周圍的區域之上。於半導體層15的側面15c的周圍的區域也設有樹脂層25。於該樹脂層25之上，中介著絕緣膜18及19，被形成螢光體層30。
形成螢光體層30之後，樹脂層25的表面(圖13A之下面)被研削，如圖13B所示，p側金屬柱23及n側金屬柱24由樹脂層25露出。p側金屬柱23的露出面成為p側外部端子23a，n側金屬柱24的露出面成為n側外部端子24a。
其次，在被形成分離了複數之半導體層15的前述溝90的區域，切斷圖13B所示的構造體。亦即，螢光體層30、絕緣膜19、絕緣膜18、及樹脂層25被切斷。這些，例如藉由切割刀片，或者雷射光來切斷。半導體層15，不存在於切割區域所以不會因切割而受到損傷。
被單片化之前的前述各步驟，係在含有多數的半導體層15的晶圓狀態下進行的。晶圓，作為至少包含1個半導體層15的半導體發光裝置而被單片化。又，半導體發光裝置，可以為包含一個半導體層15的單晶片構造，亦可為包含複數半導體層15的多晶片構造。
被單片化之前的前述各步驟，在晶圓狀態被統括進行 處理，所以沒有必要對被單片化的各個裝置進行配線層的形成、柱(pillar)的形成、根據樹脂層的封裝、以及螢光體層的形成，可以大幅減低成本。
在晶圓狀態，形成支撐體100及螢光體層30之後，這些被切斷，所以螢光體層30的側面，與支撐體100的側面(樹脂層25的側面)成套，這些側面形成被單片化的半導體發光裝置的側面。亦即，也與沒有基板10互起作用，可以提供晶片尺寸封裝構造的小型的半導體發光裝置。
圖3A係顯示實施型態的半導體發光裝置之p側電極16與n側電極17之平面配置之其他具體例之模式平面圖。
圖3B為圖3A之C-C剖面圖。
於圖3A所示的具體例，也如圖2B所示，n側電極17的角部17b與第1半導體層11之間被設置絕緣膜28，角部17b不接觸於第1半導體層11。因此，可以緩和角部17b之電流集中。角部17b與角部17b之間的直線部17a，接於第1半導體層11的表面。
進而，在圖3A所示的具體例，與n側配線層22連接的接觸部17c，重疊於含發光層13的層積部分之上，以及p側電極16之上。如圖3B所示，在p側電極16，與p側電極16上的接觸部17c之間設有絕緣膜(例如矽的氧化膜)28，接觸部17c不接於p側電極16。於接觸部17c與第2半導體層12之間設有絕緣膜28，接觸部17c不與 第2半導體層12連接。此外，接觸部17c，也不接於第1半導體層11。
於n側電極17，也藉由直線部17a與接觸部17c形成角部(角落部)，於該角部有電流容易集中的傾向。此處，在圖3A及B所示的具體例，使接觸部17c不與第1半導體層11接觸，可以緩和接觸部17c與直線部17a形成的角部的電流集中。亦即，可以抑制接觸部17c與直線部17a形成的角部之發光強度或熱的分布的偏頗。
進而，接觸部17c，以重疊於含發光層13的層積部分(發光區域)之上的方式延伸。反過來說，包含發光層13的層積部分(發光區域)的一部分，擴展到被形成n型電極17的區域，謀求不減少n側電極17的面積，而擴大發光區域。
電極配置，不限於n側電極17包圍p側電極16的圖案，例如，亦可如圖5所示，n側電極17之複數條直線部17a進入p側電極16側的圖案。
於此場合，也藉著採用在藉由延伸於不同方向的複數條直線部17a形成的角部17b，與第1半導體層11之間設置絕緣膜28，使角部17b不與第1半導體11接觸的構造，可以緩和角部17b之電流集中。
其次，圖4A係顯示實施型態的半導體發光裝置之p側電極16與n側電極17之平面配置之進而其他的具體例之模式平面圖。
圖16C為圖4A之D-D剖面圖。
根據此具體例的話，於p側電極16的外周側設n側電極17，其n側電極17之內周側的部分，於p側電極16之上中介著絕緣膜28而重疊。亦即，n側電極17的內周側的部分，重疊於包含發光層13的層積部分(發光區域)。n側電極17的外周側的部分，接於第1半導體層11的表面。
於此具體例，包含發光層13的層積部分(發光區域)的一部分，也擴展到被形成n型電極17的區域，謀求不減少n側電極17的面積，而擴大發光區域。
於圖4A所示的構造，如圖4B所示，進而在角部17b與第1半導體層11之間設絕緣膜28亦可。根據圖4B所示的構造的話，能夠實現大面積之均勻發光。
圖14A~圖16C，係顯示圖4A所示的電極構造的形成方法之模式剖面圖。圖14A~圖16C之各剖面圖，對應於圖4A之D-D剖面。
如圖14A所示，例如藉由MOCVD法，於基板10的主面上，依序磊晶成長第1半導體層11、發光層13及第2半導體層12。
於半導體層15，基板10側之面為第1面15a，基板10的相反側之面為第2面15b。
其次，如圖14B所示，於第2半導體層12的表面上，形成p側電極16。
其次，如圖14C所示，於未被形成p側電極16的區域，選擇性蝕刻而除去第2半導體層12及發光層13，使 第1半導體層11露出。
其次，如圖15A所示，於第1半導體層11露出的區域，選擇性除去第1半導體層11，形成達到基板10的溝90。在基板10的主面上，半導體層15藉由溝90分離為複數。
其次，於半導體層15及p側電極16露出的面，如圖15B所示，形成絕緣膜28。
又，圖14C所示的步驟之後，形成絕緣膜28，其後，蝕刻第1半導體層11而把半導體層15分離為複數個亦可。
形成絕緣膜28後，在發光層13及第2半導體層12被除去的區域的絕緣膜28，如圖15C所示形成開口28a。於開口28a，露出第1半導體層11的表面。
於開口28a內，如圖16A所示，被形成n側電極17。在開口28a內，n側電極17接於第1半導體層11的表面。n側電極17的一部分，中介著絕緣膜28，也被形成於第2半導體層12上以及p側電極16上。
於圖16A所示的構造體的表面，如圖16B所示被形成絕緣膜18。n側電極17以絕緣膜18覆蓋。於p側電極16上的絕緣膜28,18，如圖16C所示，形成達到p側電極16的複數開口18a。通過開口18a，p側電極16，與在之後的步驟形成的p側配線層21連接。
於n側電極17在圖4A所示的接觸部17c之上的絕緣膜18，被形成到達接觸部17c的開口。通過該開口，n側 電極17的接觸部17c，與在之後的步驟形成的n側配線層22連接。
以後，與前述之實施型態同樣，藉由電鍍法，形成p側配線層21、n側配線層22、金屬膜51、p側金屬柱23、n側金屬柱24。
進而，在樹脂層25形成後，除去基板10，於第1面15a側被形成螢光體層30。其後，被單片化。
圖20A~圖21B，顯示在p側電極16上中介著絕緣膜28重疊n側電極17的構造之形成方法的其他具體例。
進行了前述之圖14A~C的步驟之後，如圖20A所示，於半導體層15及p側電極16露出的面上形成絕緣膜28。
形成絕緣膜28後，在發光層13及第2半導體層12被除去的區域的絕緣膜28，如圖20B所示形成開口28a。於開口28a，露出第1半導體層11的表面。
於開口28a內，如圖21A所示，被形成n側電極17。在開口28a內，n側電極17接於第1半導體層11的表面。n側電極17的一部分，中介著絕緣膜28，也被形成於第2半導體層12上以及p側電極16上。
此後，於第1半導體層11露出的區域，選擇性除去第1半導體層11以及其表面的絕緣膜28，如圖21B所示，形成達到基板10的溝90。在基板10的主面上，半導體層15藉由溝90分離為複數。此外，露出第1半導體層11的側面15c。
分離半導體層15(第1半導體層11)的蝕刻，以被形成於圖21的構造體上的不圖示的光阻為遮罩而進行。此時，把光阻作為遮罩，絕緣膜28也被圖案化。亦即，絕緣膜28也與光阻一起作為前述蝕刻時的遮罩來使用。蝕刻在光阻及絕緣膜28上選擇地形成的開口(狹縫)之下的第1半導體層11。
絕緣膜28為無機絕緣膜，例如為矽的氧化膜。蝕刻例如GaN層之第1半導體層11時，絕緣膜(矽的氧化膜)28的蝕刻速率，比有機膜之光阻的蝕刻速率更低。因此，在此蝕刻時，可以把被形成於絕緣膜28的開口的擴開，抑制為比被形成於光阻的開口的擴開更小。亦即，比起僅把光阻作為遮罩而蝕刻第1半導體層11的場合，在除了光阻也把絕緣膜(矽的氧化膜)28使用於遮罩的蝕刻，半導體層15的尺寸控制性很優異。
圖17A係顯示實施型態的半導體發光裝置之p側電極16與n側電極17之平面配置之其他具體例之模式平面圖。
圖17B為圖17A之E-E剖面圖。
圖17A所示的配置，對前述之圖4A所示的配置而言，n側電極17進而具有直線部17d這一點有所不同。
n側電極17的直線部17d，中介著絕緣膜28在p側電極16之上直線狀地延伸。p側電極16，例如以矩形狀的平面圖案來形成。n側電極17的直線部17d，沿著矩形狀的p側電極16的短邊方向，以橫切p側電極16的方式 延伸。
n側電極17，具有沿著短形狀的p側電極16的4邊形成的4條直線部17a。在其中的延伸於長邊方向的一對直線部17a之間，有前述直線部17d連接著。亦即，直線部17a及直線部17d，被形成為序連連接(concatenation)。
4條直線部17a之外周側部分，接於第1半導體層11的表面。進而，直線部17d的一部分，也如圖17B所示，接於第1半導體層11的表面。
p側電極16，佔第2半導體層12的表面的大部分而擴展。於該p側電極16的一部分被形成開口，n側電極17的直線部17d延伸於該開口之上。
於被形成於p側電極16的開口之下，如圖17B所示，設有不含p側電極16及發光層13的n側接觸區域15f。於該n側接觸區域15f，n側電極17的直線部17d的一部分，通過被形成於絕緣膜28的開口28a，接於第1半導體層11的表面。
亦即，於p側電極16擴展的區域內，被點狀地配置n側電極17與第1半導體層11之接觸部。此點狀的接觸部，通過直線部17d及直線部17a，與n側配線層22之接觸部17c連接著。亦即，即使把與第1半導體層11之接觸部點狀地配置複數個的場合，沒有必要於分別的接觸部使其與n側配線層22接觸，可以使n側配線層22與n側電極17之接觸部設於1處。藉此，兼顧大面積的發光 區域，以及電流的均勻分布之電極設計的自由度變高。
例如，如圖18A所示，形成複數個直線部17d及該直線部17d與第1半導體層11之接觸部亦可。
又，於1條直線部17d，亦可形成複數與第1半導體層11之接觸部。
此外，如圖18B所示，使n側電極17的直線部17d，延伸於矩形狀的p側電極16的長邊方向亦可。在延伸於矩形狀的p側電極16的短邊方向的一對直線部17a之間，有直線部17d連接著。
此外，如圖19所示，在延伸於p側電極16的長邊方向的直線部17d之複數處所使與第1半導體層11接觸亦可。
以上說明的實施型態，也可以適用於圖22A及B所示的側視型的半導體發光裝置。
圖22A及B所示的半導體發光裝置，由樹脂層25露出，擔任與外部連接的金屬柱23,24的露出面與前述實施型態不同，其他構成與前述實施型態相同。
圖22係側視型的半導體發光裝置之模式立體圖。
圖22B係具有把側視型的半導體發光裝置實裝於實裝基板310上的構成之發光模組之模式剖面圖。
p側金屬柱23的一部份的側面，在與半導體層15的第1面15a及其相反側的第2面15b不同的面方位之第3面25b，由樹脂層25露出。其露出面，作為供實裝於外部的實裝基板310之用的p側外部端子23b而發揮機能。
例如，第3面25b，為對半導體層15之第1面15a及第2面15b約略垂直之面。樹脂層25，例如具有矩形狀的4個側面，其中的1個側面為第3面25b。
於該相同的第3面25b，n側金屬柱24之一部分的側面由樹脂層25露出。其露出面，作為供實裝於外部的實裝基板310之用的n側外部端子24b而發揮機能。
於p側金屬柱23，露出於第3面25b的p側外部端子23b以外的部分，為樹脂層25所覆蓋。此外，於n側金屬柱24，露出於第3面25b的n側外部端子24b以外的部分，為樹脂層25所覆蓋。
如圖22B所示，此半導體發光裝置，以使第3面25b朝向基板310的實裝面301的姿勢被實裝。露出於第3面25b的p側外部端子23b及n側外部端子24b，分別中介著焊錫303被接合於設在實裝面301的墊(pad)302。於基板310的實裝面301，例如，設有連接於外部電路的配線圖案，墊302被連接於該配線圖案。
第3面25b，對光的主要射出面之第1面15a為約略垂直。亦即，以使第3面25b朝向實裝面301側的姿勢，第1面15a係對實裝面301朝向平行的橫方向或者傾斜的方向。亦即，側視型的半導體發光裝置，在平行於實裝面301的橫方向或斜方向上放出光。
於前述之實施型態，作為設於半導體層15的第1面15a側的光學層，不限於螢光體層，亦可為散射層。散射層，包含使發光層13的放射光散射的複數粒子狀之散射 材(例如鈦化合物)，與使複數散射材一體化而使發光層13的放射光透過的結合材(例如樹脂層)。
說明了本發明的幾個實施型態，但這些實施型態只是提示作為例子之用，並未意圖限定發明的範圍。這些新穎的實施型態，能夠以其他種種形態來實施，在不逸脫發明要旨的範圍，可以進行種種的省略、置換、變更。這些實施型態或者其變形，包含於發明的範圍或是要旨，同時包含於申請專利範圍所記載的發明以及其均等的範圍。
11‧‧‧第1半導體層
15‧‧‧半導體層
15e‧‧‧發光區域
15f‧‧‧非發光區域
16‧‧‧p側電極
17‧‧‧n側電極
17a‧‧‧直線部
17b‧‧‧角部
17c‧‧‧接觸部
18‧‧‧絕緣膜
28‧‧‧絕緣膜

Claims (26)

  1. 一種半導體發光裝置，其特徵為具備：具有具第1面、及與前述第1面相反側的第2面的發光層之半導體層，於前述第2面側設於前述半導體層之p側電極，於前述第2面側設於前述半導體層之n側電極，且係具有延伸於不同方向的複數直線部，與連接前述複數直線部的角部之n側電極，設於前述第2面側，被連接於前述p側電極之p側配線部，設於前述第2面側，被連接於前述n側電極之n側配線部，以及被設於前述p側配線部與前述n側配線部之間之樹脂層；前述n側電極之前述角部與前述半導體層之間設有第1絕緣膜，前述角部不接於前述半導體層，前述n側電極之前述直線部接於前述半導體層。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述n側電極，於前述直線部的寬幅方向突出設置，具有與前述n側配線部連接的接觸部，前述接觸部與前述半導體層之間設置第2絕緣膜，前述接觸部不接於前述半導體層。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述n側電極的一部分，中介著第3絕緣膜重疊於前 述p側電極上。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體發光裝置，其中前述n側電極，於前述直線部的寬幅方向突出設置，具有與前述n側配線部連接的接觸部，前述n側電極的前述接觸部，中介著前述第3絕緣膜重疊於前述p側電極上。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述p側配線部，具備被連接於前述p側電極的p側配線層，與被連接於前述p側配線層，比前述p側配線層更厚的p側金屬柱(pillar)；前述n側配線部，具備被連接於前述n側電極的n側配線層，與被連接於前述n側配線層，比前述n側配線層更厚的n側金屬柱。
  6. 如申請專利範圍第5項之半導體發光裝置，其中各個前述p側金屬柱及各個前述n側金屬柱，具有在相同面內排列之可以外部連接的端部。
  7. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中進而具備設於前述第1面側，對前述發光層的放射光具有透過性的光學層。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體發光裝置，其中前述光學層，為包含：藉由前述發光層的放射光激發而放射與前述發光層的放射光不同波長的光的複數螢光體，以及使前述複數螢光體一體化，使前述發光層的放射光及 前述螢光體的放射光透過的結合材之螢光體層。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體發光裝置，其中前述半導體層於前述第1面側不含基板，前述螢光體層，在與前述半導體層之間不中介著基板而設於前述第1面側。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體發光裝置，其中進而具備覆蓋前述半導體層之接連於前述第1面的側面之金屬膜。
  11. 如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中前述樹脂層，對前述發光層之放射光具有遮光性。
  12. 一種半導體發光裝置，包含：具有發光層之半導體層，前述半導體層具有第1面、及與前述第1面相反側的第2面，設於前述半導體層上的p側電極，設於前述p側電極上的絕緣膜，設於前述半導體層上且與前述半導體層的表面直接接觸的n側電極，前述n側電極的一部份中介著前述絕緣膜整體地延伸於前述p側電極上；設於前述第2面側，被連接於前述p側電極之p側配線部，設於前述第2面側，被連接於前述n側電極之n側配線部，以及被設於前述p側配線部與前述n側配線部之間之樹脂層。
  13. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中前述n側電極，具有中介著前述絕緣膜在前述p側電極上直線狀延伸的直線部。
  14. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中於前述n側電極的前述直線部之下，設有不含前述p側電極及前述發光層的n側接觸區域，於前述n側接觸區域，前述直線部的一部分貫通前述絕緣膜，接觸於前述半導體層之不含前述發光層的部分。
  15. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中前述p側配線部，具有被連接於前述p側電極的p側配線層，與被連接於前述p側配線層，比前述P側配線層更厚的p側金屬柱(pillar)；前述n側配線部，具有被連接於前述n側電極的n側配線層，與被連接於前述n側配線層，比前述n側配線層更厚的n側金屬柱。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體發光裝置，其中各個前述p側金屬柱及各個前述n側金屬柱，具有在相同面內排列之可以外部連接的端部。
  17. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中進而具備設於前述第1面側，對前述發光層的放射光具 有透過性的光學層。
  18. 如申請專利範圍第17項之半導體發光裝置，其中前述光學層，為包含：藉由前述發光層的放射光激發而放射與前述發光層的放射光不同波長的光的複數螢光體，以及使前述複數螢光體一體化，使前述發光層的放射光及前述螢光體的放射光透過的結合材之螢光體層。
  19. 如申請專利範圍第18項之半導體發光裝置，其中前述半導體層於前述第1面側不含基板，前述螢光體層，在與前述半導體層之間不中介著基板而設於前述第1面側。
  20. 如申請專利範圍第19項之半導體發光裝置，其中進而具備覆蓋前述半導體層之接連於前述第1面的側面之金屬膜。
  21. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中前述樹脂層，對前述發光層之放射光具有遮光性。
  22. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，其中與前述半導體層的前述表面直接接觸的前述n側電極以及前述n側電極的前述部份為單片構造。
  23. 如申請專利範圍第12項之半導體發光裝置，進而具備： 設於前述n側電極的前述部份上的n側接觸部；以及設於前述n側電極上且具有開口的另一絕緣膜，其中前述n側接觸部暴露於前述開口中，且其中前述n側配線部設於前述開口中。
  24. 一種半導體發光裝置，包含：具有發光層之半導體層，前述半導體層具有第1面、及與前述第1面相反側的第2面，設於前述半導體層上的p側電極，設於前述p側電極上的絕緣膜，設於前述半導體層上且與前述半導體層的表面直接接觸的n側電極，前述n側電極的一部份整體地延伸於前述半導體層上，具有前述p側電極設於前述n側電極的前述部份和前述半導體層之間；設於前述第2面側，被連接於前述p側電極之p側配線部，設於前述第2面側，被連接於前述n側電極之n側配線部，以及被設於前述p側配線部與前述n側配線部之間之樹脂層。
  25. 如申請專利範圍第24項之半導體發光裝置，其中與前述半導體層的前述表面直接接觸的前述n側電極以及前述n側電極的前述部份為單片構造。
  26. 如申請專利範圍第24項之半導體發光裝置，進而具備： 設於n側電極的前述部份上的n側接觸部；以及設於前述n側電極上且具有開口的另一絕緣膜，其中前述n側接觸部暴露於前述開口中，且其中前述n側配線部設於前述開口中。
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