JP2007222995A - 被覆部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材表面に硬質皮膜を被覆した被覆部材において、該硬質皮膜の少なくとも1層はSiとBを含有し、該SiとBを含有する皮膜は、高Si濃度、低B濃度である帯域Aと、低Si濃度、高B濃度である帯域Bであり、該帯域A、Bの交互積み重ね構造を有し、該交互積み重ね構造が膜厚方向に1〜60nmの周期であり、該周期における帯域AのSi濃度をSih、帯域BのSi濃度をSilとしたとき、Sih/Silが1.5以上であることを特徴とする被覆部材である。
【選択図】なし
Description
本願発明のB化合物の薄膜は低硬度で、Si化合物の薄膜は高硬度になる傾向がある。その理由は明確ではないが、イオン半径の小さいBやSiが含有されていることにより、皮膜内に大きな残留応力が発生するためであると考えられる。この大きい残留応力が、本願発明の形態の様に、高Si濃度領域層と高B濃度領域層とが積層された形状からなり、各層領域層間で緩和されることにより、BとSiの長所が顕著に現れ、優れた耐摩耗性、耐酸化性、高靭性が同時に得られるようになる。
一方、Si濃度の変動幅が60nmを超えて大きいと、高B濃度と高Si濃度とを層状に分けて積層する効果が見られなくなり、高B濃度による低硬度と、高Si濃度による低脆性の両欠点が現れる。Si濃度の変動幅が1nm未満であると、高B濃度の領域と、高Si濃度の領域とを区分して積層する効果が薄れる。また、SiとBの含有量の変動が膜厚方向に確認されなくなる。従って、硬質皮膜が脆くなり、耐チッピング性に乏しく、硬質皮膜にクラックが入り易い欠点が現れる。
Sih/Sil値が1.5以上であることにより、高Si濃度の高強度特性と高B濃度の高耐熱性、高靭性とが、より区分して発現され、SiとBを含有する皮膜全体に、優れた耐熱性と機械強度とが得られる。Sih/Sil値が1.5未満では、高B濃度領域と、高Si濃度領域とを区分して積層する効果が薄れる。SiとBを含有する皮膜全体の耐熱性と機械強度とが低下する欠点が現れ、硬質皮膜にクラックが入り易くなる。高Si濃度と低Si濃度とが交互に検出されれば良く、必ずしも、別個の層として区別される必要はない。
本願発明のSiとBを含有する皮膜が、Bの1部をTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、W、Al、Yから選択される1種以上の元素と置換されていることが好ましい。例えば、Bの1部をW、Ti、Zr、Hf、V、Nbから選択される1種以上の元素と置換することは皮膜の高硬度化に寄与する効果を有し、またTa、Nb、Hf、Nb等の1種以上と置換することは耐熱性の向上、Nb、Al、Y、Cr等の1種以上と置換することは耐酸化性の向上、W、Cr等の1種以上と置換することは強度と耐塑性変形性の改善、V、Zr、Cr、Al等の1種以上と置換することは摺動性を向上させる効果を有し、好ましい。特に改善が著しい添加元素は、Ti、Al、Cr、Nb等が挙げられる。
本願発明のSiとBを含有する皮膜は、E値が30%以上、50%以下であることにより、耐チッピング性と耐摩耗性のバランスが最適になる。このため優れた被覆部材が実現でき、好ましい。E値が30%未満の場合、皮膜硬度と耐摩耗性が低下する傾向が現れ、50%を超えて大きい場合は、皮膜が脆化し、耐チッピング性が低下する傾向が現れる。 本願発明のE値は、例えば、被覆条件により制御することができる。皮膜を成膜するときに、基板に負のバイアス電圧を加え、バイアス電圧の絶対値を大きくすると、E値がある一定値まで増加したのちに、ゆるやかに減少する傾向を示す。また、Ar流量を増加しても同様な傾向を示す。また基材温度を上昇させるとE値がある一定値までは減少する傾向を示し、その後増加に転じる。また、皮膜を成膜するときに、基板に、正負パルス状のバイアス電圧を印加し、負パルス状バイアス電圧の絶対値の幅を大きくすると、幅が大きくなるにつれて、ある一定値までは増加する傾向を示し、その後ゆるやかに減少する傾向を示す。
本願発明の被覆部材のSiとBを含有する皮膜とは別の少なくとも1層は、Ti、Cr、Nb、W、Al、Y、Siから選択される1種以上の元素を含有した皮膜であることが好ましい。この理由は、基材と皮膜間の密着性、皮膜の耐摩耗性が向上するからである。例えば下層として、(AlTi)N、(AlCr)N、(AlCrSi)N、(AlNbCr)N、(AlTiSi)Nが被覆されていることにより、基材との間に優れた密着強度が得られ、好ましい。上層として、SiC、SiN、Si(CN)、BN、BC、AlN、AlO、(TiSi)N、(TiCrSi)N、(AlSiTi)N等が被覆されていることにより、優れた耐摩耗性が得られ、好ましい。
本願発明の硬質皮膜を被覆する製造方法は、特に限定するものではないが、スパッタリング法及び/又はアーク放電式イオンプレーティング(以下、AIPと記す。)法により被覆することが好ましい。この場合、SiとB含有ターゲットを個別の蒸発源に設置し、同時にスパッタリングすることによっても製造することが可能であるが、SiとBの濃度が異なるSiとBを含有した複合ターゲットを複数個、組み合わせて用いることが好ましい。また、SiとBを含有する皮膜の下層及び上層の被覆には、スパッタリング法及び/又はAIP法が好適である。以下、本願発明を実施例に基づいて説明する。
本発明例と比較例のSi濃度分布は、次の方法で定量評価した。即ち、日本電子製JEM−2010F型の電界放射型TEMにより、加速電圧を200kVで皮膜の断面構造を観察し、略240万倍の暗視野像から組成が異なる帯域を区別した後、Noran社製のEDXのビームを1nm未満に絞り、各帯域をスポット分析することにより、Siの高、低濃度帯域の周期を測定するとともに、隣接するSiの高、低濃度帯域の濃度の最大値をSihとし、最低値をSilとした。このようにして測定した、各試料のSih/Silの分析結果を表1にまとめて記した。
(切削条件)
工具:2枚刃ボールエンドミル、φ1mm
切削方法:超高速仕上げ加工
被削材:FCD540
切り込み:軸方向、0.05mm、径方向、0.01mm
主軸回転数:20kmin−1
テーブル送り:4m/min
切削油:無し、ドライ切削
Claims (5)
- 基材表面に硬質皮膜を被覆した被覆部材において、該硬質皮膜の少なくとも1層はSiとBを含有し、該SiとBを含有する皮膜は、高Si濃度、低B濃度である帯域Aと、低Si濃度、高B濃度である帯域Bであり、該帯域A、Bの交互積み重ね構造を有し、該交互積み重ね構造が膜厚方向に1〜60nmの周期であり、該周期における帯域AのSi濃度をSih、帯域BのSi濃度をSilとしたとき、Sih/Silが1.5以上であることを特徴とする被覆部材。
- 請求項1に記載の被覆部材において、該SiとBを含有する皮膜はN、O、Sから選択される少なくとも1種以上の元素を含有していることを特徴とする被覆部材。
- 請求項1乃至請求項2の何れかに記載の被覆部材において、該SiとBを含有する皮膜は、Bの1部をTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、W、Al、Yから選択される1種以上の元素と置換されたことを特徴とする被覆部材。
- 請求項1乃至請求項3の何れかに記載の被覆部材において、該SiとBを含有する皮膜は、ナノインデンテーションにより求められる弾性回復率Eが30%以上、50%以下であることを特徴とする被覆部材。
- 請求項1乃至請求項4の何れかに記載の被覆部材において、該SiとBを含有する皮膜とは別の少なくとも1層は、Ti、Cr、Nb、W、Al、Y、Siから選択される1種以上の元素を含有した皮膜であることを特徴とする被覆部材。
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