JP2007220978A - Icチップ保持体及びicチップの接合方法 - Google Patents

Icチップ保持体及びicチップの接合方法 Download PDF

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Abstract

【課題】加熱による基部の変形を防止できるICチップ保持体、及び、ICチップの接合方法を提供する。
【解決手段】ICチップ保持体10を、融点が255℃以上265℃以下であり、かつ、ガラス転移点が115℃以上125℃以下のポリエチレン系の合成樹脂材料であるポリエチレンナフタレートによってシート状に形成された基部11と、前記基部11に設けられ、導電性を有する導電部12と、前記導電部12に接合されたICチップ13とを備える構成とした。
【選択図】図1

Description

本発明は、インタポーザ、ICタグ等のICチップ保持体、及び、ICチップの接合方法に関するものである。
ICタグは、RFID(Radio Frequency Identification)とも称され、ICチップに対するデータの書き込み及びICチップが保持するデータの読み取りを無線通信によって非接触状態で行うことができるものである。
このようなICタグは、従来、ポリエチレンテレフタレート(PET)によってシート状に形成された基部を備えている。この基部は、例えば、アルミニウム製のアンテナが設けられ、このアンテナにICチップの電極が接合される。
この従来のICタグは、ICチップとアンテナの間に導電性を有する熱硬化型の接着剤を設け、ICチップをアンテナに対し、2.0MPa程度の圧力で押圧するとともに、接着剤に、150℃程度の熱を与えて硬化させることによってICチップを基部のアンテナに接合していた(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−203946号公報
ここで、一般的なPETは、そのガラス転移点(Tg)が、例えば、70℃から80℃の間であり、上述の接着剤を硬化させる熱によって基部が変形するおそれがあった。
本発明の課題は、加熱による基部の変形を防止できるICチップ保持体、及び、ICチップの接合方法を提供することである。
本発明は、以下の解決手段により、前記課題を解決する。
請求項1の発明は、融点が255℃以上265℃以下であり、かつ、ガラス転移点が115℃以上125℃以下のポリエチレン系の合成樹脂材料によってシート状に形成された基部と、前記基部に設けられ、導電性を有する導電部と、前記導電部に接合されたICチップとを備えるICチップ保持体である。
請求項2の発明は、請求項1に記載のICチップ保持体において、前記ポリエチレン系の合成樹脂材料がポリエチレンナフタレートであることを特徴とするICチップ保持体である。
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載のICチップ保持体において、前記基部の厚さが10μm以上50μm未満であることを特徴とするICチップ保持体である。
請求項4の発明は、請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載したICチップ保持体において、このICチップ保持体がインタポーザであることを特徴とするICチップ保持体である。
請求項5の発明は、請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載したICチップ保持体において、このICチップ保持体がICタグであることを特徴とするICチップ保持体である。
請求項6の発明は、ポリエチレンナフタレートによってシート状に形成された基部に設けられかつ導電性を有する導電部に対してICチップの電極を重ねて配置する配置工程と、前記導電部及び前記ICチップの間に設けられた接合部に160℃以上200℃以下の熱を加える加熱工程とを備えるICチップの接合方法である。
請求項7の発明は、請求項6のICチップの接合方法において、前記加熱工程は、前記ICチップを前記導電部に対し0.5MPa以上2.0MPa以下の圧力で相対的に押圧して行うことを特徴とするICチップの接合方法である。
請求項8の発明は、請求項6又は請求項7に記載のICチップの接合方法において、前記接合部は、熱可塑性の樹脂材料によって前記導電部の表面に形成された樹脂層であり、前記加熱工程の後に前記樹脂層を硬化させる硬化工程を備えることを特徴とするICチップの接合方法である。
以上説明したように、本発明によれば、基部をPETよりもガラス転移点の高いポリエチレンナフタレートによって形成したから、加熱による基部の変形を防止できる。
本発明は、加熱による基部の変形を防止できるICチップ保持体及びICチップの接合方法を提供するという課題を、インタポーザの基部を、融点が、例えば、262℃程度、かつ、ガラス転移点が、例えば、121℃のポリエチレンナフタレートによって形成することによって解決した。
以下、図面を参照して、本発明のICチップ保持体、及び、ICチップの接合方法の実施例1であるインタポーザ、及び、このインタポーザの製造方法について説明する。
図1は、本発明の実施例1であるインタポーザを示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のb−b部矢視断面図、(c)は(b)のc部矢視拡大図をそれぞれ示している。
インタポーザ10は、基部11、導電部12、ICチップ13、バンプ14、接合部15を備えたICチップ保持体である。ここで、「インタポーザ」とは、電子機器にICチップを搭載するために用いられる配線基板であり、ICタグの製造において、アンテナとICチップとを接続する際に使用されるものである。
基部11は、ポリエチレンナフタレート(PEN)によって形成された矩形のシート材であり、その厚さ方向寸法は、例えば、38μmとなっている。
このPENのシート材は、2,6・ナフタレンジカルボン酸(NDC)とエチレングリコール(EG)とを重縮合反応させた結晶性ポリマーを二軸延伸して製造される公知の素材であり、融点が、例えば、262℃程度、ガラス転移点が、例えば、121℃程度となっている。このようなPENのシート材の一例として、例えば、帝人デュポンフィルム株式会社製の「テオネックス(登録商標)」があげられる。
導電部12は、基部11の一方の面部であって基部11の長手方向に配列された一組の導電パターンによって構成されている。これらの各導電パターンは、その平面形が矩形状に形成されている。
この導電部12は、アルミニウムやアルミニウム合金等のアルミニウム系の材料を使用したエッチング加工によって形成される。
ICチップ13は、半導体素子を含む集積回路であり、その個体の識別を可能にするユニークID等を記録するメモリ装置である。このICチップ13の平面形は、例えば、1mm四方の正方形になっており、一組の導電パターンを跨いで設けられている。
バンプ14は、ICチップ13の基部11と対向する面部から突き出して形成された突起電極である。このバンプ14は、例えば、金によって形成されている。
バンプ14は、ICチップ13に設けられた一組の電極13a、及び、基部11に設けられた一組の導電パターンに対応して一組設けられている。これらのバンプ14は、一方の電極13aと一方の導電パターン、他方の電極13aと他方の導電パターンとの間にそれぞれ設けられている。
接合部15は、ICチップ13を基部11に対して接合するものであり、一組のバンプ14と一組の導電パターンとの間に一組設けられている。
この接合部15は、導電性を有する異方性の熱硬化型接着剤が硬化したものである。この接着剤は、例えば、20℃程度の温度(常温)においてゲル状であるが、例えば、180℃程度の温度が加えられることによって硬化し、その後に常温に戻されても硬化した状態が維持されるものである。
次に、このインタポーザ10の製造方法について説明する。
図2は、図1のインタポーザの製造方法を示す図である。以下、工程毎に説明する。
ここで、インタポーザ10は、ロール状に形成されたPEN製のシート材に複数個が並べられた状態で製造され、このシート材が裁断されることによって単体のインタポーザ10とされるものである。
(工程I:導電部形成工程)
導電部12は、アルミニウムのエッチングによって上記PEN製のシート材(基部11)に形成される。
この導電部12の形成に際し、PEN製のシート材(基部11)は、まず、ウレタン系の接着剤によってアルミニウム箔が重ねて貼り合わされ、その後に、このアルミニウム箔に対し、例えば、輪転印刷機によってエッチングレジスト(エッチングマスク)が印刷される。このエッチングレジストは、耐酸性のインクが用いられ、導電部12と同じパターンが印刷される。
次いで、酸性のエッチング溶液によってエッチングを行う。エッチングレジストが形成された部分以外のアルミニウムは、エッチング溶液によって溶解し、基部11には、エッチングレジストのパターンと略同じパターンのアルミニウム箔が残り、これによって、導電部12が形成される。
(工程II:接着剤塗布工程)
導電部12は、一組の導電パターンが互いに対向する部分に接着剤15aが塗布される。この接着剤15aは、前述のように、熱硬化型の接着剤であり、その種類は特に限定されないものである。
(工程III:ICチップ配置工程)
ICチップ13は、ロール状に形成されたシート材16に複数個が予めマウントされている。このICチップ13を備えるシート材16は、導電部12が形成されたシート材に対し、ICチップ13と導電部12とが対向した状態で並行して走行される。
これらのシート材は、ICチップ13が一組の導電パターンを跨ぐ位置に配置されると、その走行がそれぞれ停止される。
(工程IV:接合工程)
導電部12が形成されたシート材の下方、及び、ICチップ13がマウントされたシート材16の上方には、それぞれ加熱装置17が設けられている。
これらの加熱装置17のうち、上方(ICチップ13側)の加熱装置17aは、下方(導電部12側)の加熱装置17bに対して接近する方向に移動可能になっており、この移動によって、バンプ14が接着剤15aに接触する。
これらの加熱装置17は、ICチップ13及び基部11に、例えば、180℃の熱を加える。この熱は、ICチップ13及び基部11を介して接着剤15aに伝わり、これによって、接着剤15aが硬化して接合部15が形成され、ICチップ13が基部11に固定される。
このとき、ICチップ13は、基部11に対して、例えば、2Nの荷重で押圧される。ICチップ13の荷重が作用する面部は、1mm四方なので、このときの押圧力は、例えば、2Mpaとなる。
これらの加熱、押圧時間は、例えば、5秒から10秒程度の間に設定されている。
このインタポーザ10は、ICタグ20を製造する際に、アンテナ23が予め形成されたアンテナシート21と組み合わされる。ICタグ20は、UHF帯の周波数の電波を用いて、外部に設けられた通信装置と通信を行うものである。
図3は、図1のインタポーザを含むICタグの平面図である。
アンテナシート21は、基部22及びアンテナ23を備えている。
基部22は、ポリエチレンテレフタレート(PET)によって形成された矩形のシート材である。この基部22の厚さ方向寸法は、特に限定されないが、例えば、38μmとなっている。
アンテナ23は、ICタグ20が読み取り装置等の通信装置と通信を行う際に電波を送受信する部分であり、基部22の一方の面部に設けられている。
このアンテナ23は、パッチアンテナと称される面アンテナであり、基部22の長手方向に配列された一組の導電パターンによって構成されている。この一組の導電パターンは、矩形状に形成されている。
このアンテナ23は、インタポーザ10の導電部12と同様にアルミニウム系の材料を使用したエッチング加工によって形成されている。
インタポーザ10は、導電部12の一組の導電パターンのうち、一方がアンテナ23の導電パターンの一方と、他方がアンテナ23の導電パターンの他方に対して超音波接合によって接合される。
この超音波接合は、金属同士を接触させた状態で一方を他方側に加圧するとともに超音波の振動を与えることによって、これらを固相接合させる公知の溶接方法である。
なお、インタポーザ10とアンテナシートとの接合方法は、これに限らず、例えば、導電性を有するピンを導電部12及びアンテナ23に貫通させることによってインタポーザ10をアンテナシート21に固定してもよい。
以上説明したように、実施例1のインタポーザ10、インタポーザ10の製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
(1)仮に、インタポーザ10の基部11をポリエチレンテレフタレート(PET)によって形成した場合、PETのガラス転移点は、例えば、80℃程度であるから、この基部は接着剤15aを硬化させる際の熱によって変形する可能性がある。
これに対し、実施例1のインタポーザ10は、基部11をガラス転移点が、例えば、121℃程度であるPENによって形成したから、上記熱による変形を防止できる。
(2)仮に、インタポーザ10の基部11をPETによって形成した場合、上記熱による変形を防止するためにこの基部の厚さ方向寸法を、例えば、70μm程度にすることが考えられるが、この場合、インレット(ICタグ)の重量が増加する。
これに対し、実施例1のインタポーザ10は、基部11の厚さが、例えば、38μmであるから、インレット10(ICタグ20)の重量の増加を防止できる。
(3)一般的にPENは、PETよりも高価であるが、アンテナシート21よりも面積の小さいインタポーザ10の基部11のみをPENによって形成し、アンテナシート21の基部22をPENによって形成したから、ICタグ20の製造コストの上昇を防止できる。
(4)一般的にPENは、PETよりも引張強度が大きいので、例えば、ICチップ実装時等において、PEN製のシート材をローラによって搬送する際であっても、その破損を防止できる
次に、本発明を適用したICチップ保持体の実施例2であるICタグについて説明する。
なお、以下説明する実施例2及び変形例において、実施例1と同様な機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に統一した符号を付して、重複する説明や図面を適宜省略する。
図4は、本発明の実施例2であるICタグを示す平面図である。
実施例2のICタグ30は、基部31、アンテナ32、ICチップ33を備えたICチップ保持体である。この実施例2のICタグ30は、インタポーザ10を使用せずに製造されるものであり、ICチップ33は、基部31に形成されたアンテナ32に対して直接接合される。
基部31は、実施例1のインタポーザ10の基部11と同様に、PENによって形成された矩形のシート材であり、その厚さ方向寸法が、例えば、38μmとなっている。
アンテナ32は、実施例1のアンテナ23と同様に、アルミニウムを使用したエッチングによって形成されたパッチアンテナである。
ICチップ33は、実施例1のICチップ13と同様に図示しないバンプを備え、このバンプがアンテナ32に接合される。このICチップ33とアンテナ32との接合は、実施例1と同様に、熱硬化型の接着剤を硬化させることによって行う。
この実施例2のICタグ30も、実施例1のICタグ20と同様に、接着剤を硬化させる際の熱による基部31の変形を防止することができる。
また、基部31をPENによって形成したので、ICタグ30は、製造時以外に、例えば、80℃以上の温度条件下で使用する場合であっても基部31の変形が防止される。
(変形例)
本発明は、以上説明した実施例に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。
(1)実施例のICタグは、パッチアンテナを備えるUHF帯のものであったが、ICタグの構成は、これに限らず適宜変更が可能である。
図5は本発明の変形例であるICタグを示す平面図である。
変形例のICタグ40は、13.56MHz帯の電波によって通信装置と通信を行う電磁誘導式のものであり、PENによってシート状に形成された基部41は、渦巻き状のループアンテナ42を備えている。インタポーザ10のICチップは、このループアンテナ42の一部を切断して形成されたICチップマウント部43を跨いた状態でループアンテナ42に接合される。
また、この変形例において、実施例2のようにインタポーザ10を使用せず、ICチップをICチップマウント部43(ループアンテナ42)に直接接合してもよい。
(2)実施例のICチップ保持体は、インタポーザ及びICタグであったが、本発明のICチップ保持体は、これらに限られず、例えば、ICチップを搭載したフレキシブルプリント基板等であってもよい。
(3)実施例1のインタポーザ、実施例2のICタグの基部は、それぞれPENによって形成されていたが、基部の材料は、融点が255℃以上265℃以下であり、かつ、ガラス転移点が115℃以上125℃以下のポリエチレン系の合成樹脂材料であれば、これに限られない。
(4)実施例の接合部は、導電性を有する接着剤であったが、接合部はこれに限らず他のものでもよく、例えば、エッチングレジストを熱可塑性を有する樹脂材料(樹脂層)によって形成し、この樹脂層を加熱して溶融させることによって、バンプと導電部とを接触させ、この後に、例えば、20℃程度の常温に戻すことによってこの樹脂層を硬化させてもよい(硬化工程)。
(5)実施例のICチップは、いわゆる、ロール・トゥ・ロール式の接合方法によって基部に接合されたが、ICチップの接合方法はこれに限らず、適宜変更が可能である。例えば、吸着装置によってICチップを保持し、この吸着装置を移動させることによって、基部に対するICチップの位置合わせをICチップ1個ごとに行ってもよい。
本発明の実施例1であるインタポーザを示す図である。 図1のインタポーザの製造方法を示す図である。 図1のインタポーザを含むICタグの平面図である。 本発明の実施例2であるICタグを示す平面図である。 本発明の変形例であるICタグを示す平面図である。
符号の説明
10 インタポーザ
11 基部
12 導電部
13 ICチップ
20 ICタグ

Claims (8)

  1. 融点が255℃以上265℃以下であり、かつ、ガラス転移点が115℃以上125℃以下のポリエチレン系の合成樹脂材料によってシート状に形成された基部と、
    前記基部に設けられ、導電性を有する導電部と、
    前記導電部に接合されたICチップと
    を備えるICチップ保持体。
  2. 請求項1に記載のICチップ保持体において、
    前記ポリエチレン系の合成樹脂材料がポリエチレンナフタレートであること
    を特徴とするICチップ保持体。
  3. 請求項1又は請求項2に記載のICチップ保持体において、
    前記基部の厚さが10μm以上50μm未満であること
    を特徴とするICチップ保持体。
  4. 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載したICチップ保持体において、
    このICチップ保持体がインタポーザであること
    を特徴とするICチップ保持体。
  5. 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載したICチップ保持体において、
    このICチップ保持体がICタグであること
    を特徴とするICチップ保持体。
  6. ポリエチレンナフタレートによってシート状に形成された基部に設けられかつ導電性を有する導電部に対してICチップの電極を重ねて配置する配置工程と、
    前記導電部及び前記ICチップの間に設けられた接合部に160℃以上200℃以下の熱を加える加熱工程と
    を備えるICチップの接合方法。
  7. 請求項6のICチップの接合方法において、
    前記加熱工程は、前記ICチップを前記導電部に対し0.5MPa以上2.0MPa以下の圧力で相対的に押圧して行うこと
    を特徴とするICチップの接合方法。
  8. 請求項6又は請求項7に記載のICチップの接合方法において、
    前記接合部は、熱可塑性の樹脂材料によって前記導電部の表面に形成された樹脂層であり、
    前記加熱工程の後に前記樹脂層を硬化させる硬化工程を備えること
    を特徴とするICチップの接合方法。

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