JP2007180137A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】膜質が向上したゲート絶縁層を有するMISトランジスタを含む、半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体層10と、半導体層の上方に設けられたゲート絶縁層20と、ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極22と、半導体層に設けられたソース領域およびドレイン領域26と、を含み、ゲート絶縁層は、シリコンと、窒素と、重水素とを含有する第1の層20aを含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体層10と、半導体層の上方に設けられたゲート絶縁層20と、ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極22と、半導体層に設けられたソース領域およびドレイン領域26と、を含み、ゲート絶縁層は、シリコンと、窒素と、重水素とを含有する第1の層20aを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、半導体装置の微細化および高集積化が進んでいる。微細化が図られた半導体デバイスにおいては、その微細化の程度によってゲート絶縁層の膜厚が物理的限界に近い膜厚になることがある。このように物理的限界に近い半導体装置においては、ゲート絶縁層のリーク電流が著しく増加することがあり、ゲート絶縁層の膜質の改善の要請がある。
また、さらには、通常ゲート絶縁層として用いられる酸化シリコン(比誘電率K=3.9以下)と比して、比誘電率が高い酸化物系の高誘電率材料を用いることも検討されている。このような高誘電材料を用いる場合、その材料によっては、界面準位の欠陥を多く含むことがあり、このような高誘電材料によるゲート絶縁層を形成する場合であっても、その膜質の改善の要請がある。
特開2005−79445号公報
本発明の目的は、膜質が向上したゲート絶縁層を有するMISトランジスタを含む、半導体装置を提供することにある。
(1)本発明にかかる半導体装置は、
半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、
前記半導体層に設けられたソース領域およびドレイン領域と、を含み、
前記ゲート絶縁層は、シリコンと、窒素と、重水素とを含有する第1の層を含む。
半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、
前記半導体層に設けられたソース領域およびドレイン領域と、を含み、
前記ゲート絶縁層は、シリコンと、窒素と、重水素とを含有する第1の層を含む。
本発明にかかる半導体装置によれば、ゲート絶縁層に重水素が含まれている。具体的には、Si−D結合が含まれている。Si−D結合は、膜中のSi−H結合が置換されたものであり強い結合をなしている。そのため、界面準位の発生が抑制され、膜質が良好なゲート絶縁層を有することとなる。その結果、薄膜のゲート絶縁層を有するMISトランジスタであっても、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
なお、本発明において、特定のA層(以下、「A層」という。)の上方に設けられた特定のB層(以下、「B層」という。)というとき、A層の上に直接B層が設けられた場合と、A層の上に他の層を介してB層が設けられた場合とを含む意味である。
本発明にかかる半導体装置は、さらに、下記の態様をとることができる。
(2)本発明にかかる半導体装置において、
前記ゲート絶縁層は、前記第1の層の上方に、酸化シリコンと比して比誘電率の大きい第2の層をさらに含むことができる。
前記ゲート絶縁層は、前記第1の層の上方に、酸化シリコンと比して比誘電率の大きい第2の層をさらに含むことができる。
(3)本発明にかかる半導体装置において、
前記ゲート絶縁層は、前記第1の層と、酸化シリコンと比して比誘電率の大きい第2の層と、シリコンと窒素と重水素とを含有する第3の層と、が順次積層されていることができる。
前記ゲート絶縁層は、前記第1の層と、酸化シリコンと比して比誘電率の大きい第2の層と、シリコンと窒素と重水素とを含有する第3の層と、が順次積層されていることができる。
この態様によれば、高誘電率材料を用いたゲート絶縁層であって、膜質が良好な半導体装置を提供することができる。重水素を含む窒化シリコンは、薄膜であっても界面準位の発生が抑制された層であり、高誘電率材料の下地層として、好適に用いることができる。
(4)本発明にかかる半導体装置において、
前記第1の層および前記第3の層は、Si−D結合を含むことができる。
前記第1の層および前記第3の層は、Si−D結合を含むことができる。
(5)本発明にかかる半導体装置において、
前記ゲート電極は、金属窒化物であることができる。
前記ゲート電極は、金属窒化物であることができる。
(6)本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
(a)半導体層の上にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層にソース領域またはドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記工程(a)は、重水素アニール処理をすることを含む。
(a)半導体層の上にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層にソース領域またはドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記工程(a)は、重水素アニール処理をすることを含む。
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁層中のSi−H結合をSi−D結合に置換することができる。そのため、界面準位の発生が抑制され膜質が良好である半導体装置を製造することができる。
(7)本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
(a)半導体層の上にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層にソース領域またはドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記工程(a)は、シリコン種と窒素種とを原料として形成され、該シリコン種および該窒素種の少なくとも一方が重水素を含有している。
(a)半導体層の上にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層にソース領域またはドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記工程(a)は、シリコン種と窒素種とを原料として形成され、該シリコン種および該窒素種の少なくとも一方が重水素を含有している。
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁層中にSi−D結合を有する層を形成することができる。そのため、界面準位の発生が抑制され膜質が良好である半導体装置を製造することができる。
(8)本発明にかかる半導体装置の製造方法において、
前記工程(a)では、軽水素を含有しないシリコン種と、重水素を含有する窒素種を用いることができる。
前記工程(a)では、軽水素を含有しないシリコン種と、重水素を含有する窒素種を用いることができる。
以下、本発明の実施の形態の一例について図面を参照しつつ説明する。
1.第1の実施の形態
次に、第1の実施の形態にかかる半導体装置について、図1を参照しつつ説明する。図1は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。
次に、第1の実施の形態にかかる半導体装置について、図1を参照しつつ説明する。図1は、本実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。
図1に示すように、本実施の形態にかかる半導体装置100は、半導体層10と、MISトランジスタ50と、を含む。MISトランジスタ50は、ゲート絶縁層20と、ゲート電極22と、サイドウォール絶縁層24と、不純物領域26と、を含む。ゲート電極22は、ゲート絶縁層20の上に設けられている。サイドウォール絶縁層24は、ゲート電極22の側面に設けられている。不純物領域26は、ソース領域またはドレイン領域となる。
ゲート絶縁層20は、3層の積層構造である。具体的には、半導体層10の上に形成された第1の層20aと、酸化シリコンと比して比誘電率が大きい第2の層20bと、第3の層20cとが順次積層されている。第1の層20aおよび第3の層20cは、シリコンと、窒素と、重水素とを含有する層である。具体的には、重水素を含有する窒化シリコンであることができる。第1の層20aおよび第3の層20cは、膜中にSi−D結合を含有していることができる。さらには、Si−H結合を含有していてもよい。
本実施の形態にかかる半導体装置が有する第1の層20aおよび第3の層20cの形成方法としては、以下の方法1ないし方法3を挙げることができる。
方法1では、まず、CVD法により窒化シリコンを形成する。このとき、原料ガスとして、シリコンの供給源として、たとえば、SiH4、SiH2Cl2を、窒素の供給源として、たとえば、NH3ガス、N2H6ガスを用いることができる。ついで、重水素アニールを行う。重水素アニールは、1%〜100%重水素ガスを用いることができ、条件としては、常圧、850℃以上1000℃以下、1分〜2時間とすることができる。これにより、膜中のSi−H結合中の水素と重水素で置換でき、Si−D結合とすることができる。また、上記に示した温度と比して低温のアニールでも、圧力を高くすれば重水素の導入が可能である。
方法2では、重水素アニールを行うことなく、直接CVD法で形成する。方法2では、シリコンの供給源として、軽水素および重水素を含有しないシリコンソースを用いる。たとえば、SiCl4、Si2Cl6などを用いることができる。重水素を含有する窒素の供給源として、たとえば、ND3(軽水素を重水素で置換したアンモニア)或いはN2D4(軽水素を重水素で置換したヒドラジン)を挙げることができる。
方法3は、方法2と同様に重水素アニールを行うことなく、直接CVD法で形成する方法である。方法3では、重水素を含むシリコン供給源と、重水素を含む窒素の供給源とを用いて形成する。シリコン供給源としては、SiD4、SiD2Cl2、Si2D6などを挙げることができる。重水素を含む窒素の供給源としては、上述した通りである。
方法2および方法3においては、シリコン種および窒素種の原料を変える以外のその他の成膜条件は、一般的なCVD法の成膜条件に準ずることができる。
第2の層20bとしては、酸化物系の高誘電率膜や、窒化物系の高誘電率膜を用いることができる。酸化物系の高誘電率膜としては、Hf、Zr、La、Ceよりなる群から選ばれる少なくとも1以上の金属の酸化物または珪酸化物を用いることができる。窒化物系の高誘電率膜としては、M3Si6N11(M=La,Ce,Pr,Nd,Sm)、M2Si5N8(M=Ca,Sr,Ba,Eu),MYbSi4N7(M=Sr,Ba,Eu),BaSi4N7,及び、Ba2Nd7Si11N23の群から選択された組成を有する膜を用いることができる。
第2の層20bは、CVD法、プラズマMOCVD法、マイクロ波励起PECVD法およびALD法(原子層堆積法)により形成することができる。
第1の層20aおよび第3の層20cの形成方法として、方法1を採用する場合、重水素アニールを行うタイミングとしては、第1の層20aないし第3の層20cまでを積層し終えた後、または、第1の層20aおよび第3の層20cの窒化シリコンを形成し終えた後毎に行うことができる。
またゲート電極24としては、TaN,TaN/Ta/TaN,MoN,WN等を用いることができる。また、所定の導電型の不純物が導入された多結晶シリコンであってもよい。ゲート電極24の形成方法としては、選択する材質に応じて、スパッタリング法、CVD法などを用いることができる。
ソース領域またはドレイン領域となる不純物領域26は、サイドウォール絶縁層24が形成された後に、所定の導電型の不純物を導入することで形成される。また、図1には示していないが、サイドウォール絶縁層24の下方の半導体層10にLDD領域等の不純物領域(図示せず)が設けられていてもよい。
本実施の形態にかかる半導体装置によれば、ゲート絶縁層20の第1の層20aおよび第3の層20cの膜中に重水素がSi−D結合として含まれている。そのため、第1の層20aおよび第3の層20cにおいて、界面準位の発生を抑制することができる。また、第2の層20bとして高誘電率膜を用いることにより、トランジスタとしての能力を上げることができる。その結果、特性が良く且つ、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
2.第2の実施の形態
まず、第2の実施の形態にかかる半導体装置について、図2を参照しつつ説明する。図2は、第2の実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。
まず、第2の実施の形態にかかる半導体装置について、図2を参照しつつ説明する。図2は、第2の実施の形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。
図2に示すように、本実施の形態にかかる半導体装置100は、半導体層10と、MISトランジスタ60と、を含む。MISトランジスタ60の構成は、ゲート絶縁層20が単層である以外は、第1の実施の形態で述べたMISトランジスタ50と同様である。以下の説明では、第1の実施の形態にかかる半導体装置と共通する構成・部材についての説明は省略する。
本実施の形態では、ゲート絶縁層20として、酸窒化物および窒化物などを用いることができる。具体的には、酸窒化シリコンおよび窒化シリコンを挙げることができる。ゲート絶縁層20は、膜中に重水素が含まれている。具体的には、シリコンに結合したSi−D結合が含まれている。さらに、Si−H結合が含まれていてもよい。
本実施の形態にかかる半導体装置によれば、良好な膜質のゲート絶縁層20を有するMISトランジスタ60を提供することができる。微細化された半導体装置では、ゲート絶縁層20の薄膜化の要請も大きくなる。よって、ゲート絶縁層20の膜質がMISトランジスタ60の特性そのものに大きな影響を与える。窒化シリコンまたは酸窒化シリコンの形成では、窒素の供給源としてNH3ガスが用いられることがある。この形成方法で生じるSi−H結合は、550℃以上の熱処理により結合が切れてしまうことがある。このことは界面準位の増加の一因となるが、本実施の形態にかかる半導体装置では、ゲート絶縁層20中において、このSi−H結合の水素が重水素に置換されている。Si−D結合の結合力が強いために、膜中にSi−H結合が含まれる場合と比して界面準位の発生を抑制することができるのである。その結果、特性が良い半導体装置を提供することができる。
また、微細化されたMISトランジスタ60においては、界面準位が発生することで電荷の放出または捕獲が起こり、低周波雑音(1/fノイズ)が生じることがある。しかし、本実施の形態にかかるゲート絶縁層20では、Si−D結合の結合力が強いため、後工程での熱処理等にさらされた場合でも、結合が切れることがなく界面準位の発生が抑制される。そのため、低周波雑音の低減を図られたMISトランジスタ60を提供することができる。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(たとえば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…半導体層、 20…ゲート絶縁層、20a…第1の層、 20b…第2の層、 20c…第3の層、 22…ゲート電極、 24…サイドウォール絶縁層、 26…不純物領域、 50、60…MISトランジスタ
Claims (8)
- 半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、
前記半導体層に設けられたソース領域およびドレイン領域と、を含み、
前記ゲート絶縁層は、シリコンと、窒素と、重水素とを含有する第1の層を含む、半導体装置。 - 請求項1において、
前記ゲート絶縁層は、前記第1の層の上方に、酸化シリコンと比して比誘電率の大きい第2の層をさらに含む、半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記ゲート絶縁層は、前記第1の層と、酸化シリコンと比して比誘電率の大きい第2の層と、シリコンと窒素と重水素とを含有する第3の層と、が順次積層されている、半導体装置。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記第1の層および前記第3の層は、Si−D結合を含む、半導体装置。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記ゲート電極は、金属窒化物である、半導体装置。 - (a)半導体層の上にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層にソース領域またはドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記工程(a)は、重水素アニール処理をすることを含む、半導体装置の製造方法。 - (a)半導体層の上にゲート絶縁層を形成する工程と、
(b)前記ゲート絶縁層の上にゲート電極を形成する工程と、
(c)前記半導体層にソース領域またはドレイン領域を形成する工程と、を含み、
前記工程(a)は、シリコン種と窒素種とを原料として形成され、該シリコン種および該窒素種の少なくとも一方が重水素を含有している、半導体装置の製造方法。 - 請求項7において、
前記工程(a)では、軽水素を含有しないシリコン種と、重水素を含有する窒素種を用いる、半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005374503A JP2007180137A (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2005374503A JP2007180137A (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=38305058
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JP2005374503A Withdrawn JP2007180137A (ja) | 2005-12-27 | 2005-12-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007180137A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178419A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電源装置 |
JP2013242271A (ja) * | 2012-05-22 | 2013-12-05 | Hitachi Ltd | 半導体ガスセンサおよびその製造方法 |
JP2016157761A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-12-27 JP JP2005374503A patent/JP2007180137A/ja not_active Withdrawn
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US9741662B2 (en) | 2011-02-25 | 2017-08-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus |
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