JP2007172397A - エッジ勾配検出方法、シミ欠陥検出方法、エッジ勾配検出装置、シミ欠陥検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】エッジ勾配を精度良く検出できるエッジ勾配検出方法を提供すること。
【課題手段】エッジ勾配検出方法は、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出工程S92と、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出工程S93と、前記第1および第2エッジ勾配算出工程で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成工程S96とを備える。対象画素に隣接する第1比較画素のエッジ勾配と、第2比較画素のエッジ勾配を求めて合成しているので、高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ成分を容易にかつ精度良く検出できる。
【選択図】図10
【課題手段】エッジ勾配検出方法は、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出工程S92と、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出工程S93と、前記第1および第2エッジ勾配算出工程で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成工程S96とを備える。対象画素に隣接する第1比較画素のエッジ勾配と、第2比較画素のエッジ勾配を求めて合成しているので、高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ成分を容易にかつ精度良く検出できる。
【選択図】図10
Description
本発明は、液晶パネル等の表示デバイスやその応用製品であるプロジェクタ等の製造における検査工程等の各種製品の検査工程において、エッジ勾配を精度よく自動的に検出するエッジ勾配検出方法及び装置と、このエッジ勾配検出方法及び装置を用いたシミ欠陥検出方法及び装置に関する。
TFTパネル等のLCDパネル検査においてシミやムラと呼ばれる面系欠陥は、形状が不定でありコントラストも低いため、検査装置で自動検出することは困難であった。このため、検査は未だ検査員の目視で行われているのが現状であり、製造コスト削減のために検査の自動化が急務になっている。
なお、シミやムラ欠陥とは、表示画面のある領域が他の領域と輝度の差がある状態であり、ある程度の範囲で、周りに比べて明るい部分や暗い部分がある状態をいう。なお、通常、欠陥面積が比較的狭い場合をシミ欠陥、比較的大きい場合をムラ欠陥と呼ぶことが多い。但し、厳密な定義はないため、本発明では、シミ欠陥やムラ欠陥などの面系欠陥を総称してシミ欠陥と称する。
なお、シミやムラ欠陥とは、表示画面のある領域が他の領域と輝度の差がある状態であり、ある程度の範囲で、周りに比べて明るい部分や暗い部分がある状態をいう。なお、通常、欠陥面積が比較的狭い場合をシミ欠陥、比較的大きい場合をムラ欠陥と呼ぶことが多い。但し、厳密な定義はないため、本発明では、シミ欠陥やムラ欠陥などの面系欠陥を総称してシミ欠陥と称する。
このようなシミ欠陥を目視検査した場合の欠陥良品レベル判断では、欠陥の面積やコントラスト特徴量だけではなく、欠陥のエッジ部分の輝度変化率(エッジ勾配)も大きな影響を与える。従って、シミ欠陥を画像処理することで欠陥検査を自動化する場合も、欠陥のエッジ勾配を精度よく検出することが求められている。
ところで、画像処理において、エッジ勾配を求める方法としては、従来より、ソーベル(Sobel)フィルタや、プレビット(Prewitt)フィルタを用いる方法が知られている(例えば、非特許文献1参照)。
これらの各フィルタは3×3のフィルタを用いることが多く、例えば、図19(A),(B)に示すプレビットフィルタのように、X方向のエッジ勾配を求めるfxフィルタと、Y方向のエッジ勾配を求めるfyフィルタとを用い、検査対象の画素(各フィルタの中心座標)の1画素前と1画素後ろの各画素の差分を求めて検査対象画素のエッジ勾配を求めている。
高木幹雄,下田陽久監修、「画像解析ハンドブック」、初版、財団法人東京大学出版会、1991年1月17日、p.550−555
しかしながら、前記各フィルタは、検査対象画素の1画素前と1画素後ろの各画素の差分を求めて検査対象画素のエッジ勾配を求めているため、図20(A),(B)に示すように、輝度変化が異なる場合でも同じ輝度変化率(エッジ勾配)で検出してしまうことがあり、必ずしも精度が高いものではなかった。
すなわち、検査対象画素Bと、その1画素前画素A、1画素後画素Bの各輝度値が、例えば、図20(A)に示すように「0,1,2」と徐々に大きくなっている場合と、図20(B)に示すように「0,2,2」と急激に変化している場合に各フィルタを適用しても、いずれの結果もエッジ勾配(図20の勾配線ga、gb)は同じ傾きになってしまう。このように従来のフィルタでは、エッジ部分の輝度変化状態が異なる場合でも正確に検出できない場合があるという問題があった。
すなわち、検査対象画素Bと、その1画素前画素A、1画素後画素Bの各輝度値が、例えば、図20(A)に示すように「0,1,2」と徐々に大きくなっている場合と、図20(B)に示すように「0,2,2」と急激に変化している場合に各フィルタを適用しても、いずれの結果もエッジ勾配(図20の勾配線ga、gb)は同じ傾きになってしまう。このように従来のフィルタでは、エッジ部分の輝度変化状態が異なる場合でも正確に検出できない場合があるという問題があった。
さらに、3×3のフィルタを用いているため、検出できるエッジ勾配方向は8方向のみに限定され、それ以上の精度でエッジ勾配を検出することができないという問題もあった。
また、エッジ勾配を精度よく検出できなかったため、シミ欠陥を自動的に検出する場合に、シミ欠陥も精度良く検出することができないという問題もあった。
本発明は、上述のような課題に鑑みてなされたものであり、エッジ勾配を精度良く検出できるエッジ勾配検出方法及び装置と、シミ欠陥を精度良く検出できるシミ欠陥検出方法及び装置を提供することを目的とする。
本発明のエッジ勾配検出方法は、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出工程と、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出工程と、前記第1および第2エッジ勾配算出工程で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成工程と、を備えることを特徴とする。
本発明では、第1エッジ勾配算出工程において、対象画素とこの対象画素に隣接する第1比較画素との間の輝度変化率(エッジ勾配)を算出し、第2エッジ勾配算出工程において、対象画素とこの対象画素から離れて配置された第2比較画素との間の輝度変化率(エッジ勾配)を算出しているので、輝度が急激に変化するエッジ部や、ある程度なだらかに変化するエッジ部などの様々なエッジ部分のエッジ勾配を精度良く検出することができる。
また、対象画素と各比較画素との距離が異なるエッジ勾配を算出してその結果を合成しているので、高周波成分まで含んだエッジ成分を精度良く検出することができる。
さらに、対象画素に隣接する第1比較画素では最大8方向のエッジ勾配しか検出できないが、第2比較画素では例えば12方向や16方向などのより多くの方向のエッジ勾配を検出できるため、エッジ勾配の検出精度をより一層向上でき、高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ成分を容易にかつ精度良く検出・評価することができる。
また、対象画素と各比較画素との距離が異なるエッジ勾配を算出してその結果を合成しているので、高周波成分まで含んだエッジ成分を精度良く検出することができる。
さらに、対象画素に隣接する第1比較画素では最大8方向のエッジ勾配しか検出できないが、第2比較画素では例えば12方向や16方向などのより多くの方向のエッジ勾配を検出できるため、エッジ勾配の検出精度をより一層向上でき、高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ成分を容易にかつ精度良く検出・評価することができる。
ここで、請求項1に記載のエッジ勾配検出方法において、前記各エッジ勾配算出工程は、対象画素の輝度をO、n番目の比較画素の輝度をSn、対象画素の座標を(X0,Y0)、比較画素の座標を(Xn,Yn)、対象画素とn番目の比較画素の距離をD(O,Sn)とした場合、エッジ勾配(輝度変化率)gnおよび距離D(O,Sn)を以下の式1,2で求めることが好ましい。
このような構成であれば、エッジ勾配gnを容易に算出することができ、エッジ検出処理も短時間で実行できる。また、対象画素および比較画素の各座標によって各画素間の距離を求めているので、エッジ勾配を精度良く求めることができる。
また、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第2比較画素よりも離れて配置された各第3比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第3エッジ勾配算出工程を備え、前記エッジ勾配合成工程は、第1〜3の各エッジ勾配算出工程で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とすることが好ましい。
このような構成であれば、対象画素と各比較画素との距離が異なるエッジ勾配をさらに算出して合成しているので、高周波成分まで含んだエッジ成分をよりいっそう精度良く検出することができる。
この際、前記第2比較画素は、第1比較画素に隣接して配置され、第3比較画素は第2比較画素の周囲に隣接して配置されていることが好ましい。
このように構成すれば、第1比較画素によって対象画素から距離1画素分のエッジ勾配を検出でき、第2比較画素によって対象画素から距離2画素分のエッジ勾配を検出でき、第3比較画素によって対象画素から距離3画素分のエッジ勾配を検出できる。このため、高周波成分まで含んだシミ欠陥のエッジ部分の輝度変化を精度よく検出できる。
このように構成すれば、第1比較画素によって対象画素から距離1画素分のエッジ勾配を検出でき、第2比較画素によって対象画素から距離2画素分のエッジ勾配を検出でき、第3比較画素によって対象画素から距離3画素分のエッジ勾配を検出できる。このため、高周波成分まで含んだシミ欠陥のエッジ部分の輝度変化を精度よく検出できる。
本発明のシミ欠陥検出方法は、シミ欠陥検査対象を撮像した画像からシミ欠陥領域を抽出するシミ欠陥領域抽出工程と、前記シミ欠陥領域の各画素に対して請求項1から請求項4のいずれかに記載のエッジ勾配検出方法を実行し、各対象画素のエッジ勾配値のうち、絶対値が最大のものをシミ欠陥領域のエッジ勾配値とするエッジ勾配検出工程と、前記シミ欠陥領域の面積を算出する面積算出工程と、前記シミ欠陥領域のコントラストを求めるコントラスト算出工程と、前記エッジ勾配、面積、コントラストの3種類の特徴値に基づいて前記シミ欠陥領域の欠陥ランクを評価する欠陥ランク評価工程と、を備えていることを特徴とする。
このような本発明では、シミ欠陥を、エッジ勾配、面積、コントラストの3種類の特徴値に基づいて評価し、ランク付けすることができるので、精度良く検出することができる。特に、エッジ勾配を精度よくかつ自動的に検出できるので、シミ欠陥を精度良くかつ自動的に検出することができ、液晶パネルなどの検査作業の効率化を実現できる。
本発明のエッジ勾配検出装置は、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出手段と、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出手段と、前記第1および第2エッジ勾配算出手段で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成手段と、を備えることを特徴とする。
このような本発明では、前記エッジ勾配検出方法と同様に、輝度が急激に変化するエッジ部や、ある程度なだらかに変化するエッジ部などの様々なシミ欠陥のエッジ部分の勾配を精度良く検出することができる。また、対象画素と各比較画素との距離が異なるエッジ勾配を算出してその結果を合成しているので、高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ成分を容易にかつ精度良く検出・評価することができる。
本発明のシミ欠陥検出装置は、シミ欠陥検査対象を撮像した画像からシミ欠陥領域を抽出するシミ欠陥領域抽出手段と、シミ欠陥領域において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出手段と、シミ欠陥領域において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出手段と、前記第1および第2エッジ勾配算出手段で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものをシミ欠陥領域のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成手段と、前記シミ欠陥領域の面積を算出する面積算出手段と、前記シミ欠陥領域のコントラストを求めるコントラスト算出手段と、前記エッジ勾配、面積、コントラストの3種類の特徴値に基づいて前記シミ欠陥領域の欠陥ランクを評価する欠陥ランク評価手段と、を備えていることを特徴とする。
このような本発明では、前記シミ欠陥検出方法と同様に、シミ欠陥を、エッジ勾配、面積、コントラストの3種類の特徴値に基づいて評価し、ランク付けすることができるので、シミ欠陥を精度良くかつ自動的に検出することができ、液晶パネルなどの検査作業の効率化を実現できる。
なお、エッジ勾配検出装置およびシミ欠陥検出装置においても、撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第2比較画素よりも離れて配置された各第3比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第3エッジ勾配算出手段を設け、前記エッジ勾配合成手段は、第1〜3の各エッジ勾配算出手段で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とするように構成してもよい。
図1は本発明の実施の形態に係るシミ欠陥検出装置の構成を示すブロック図である。
図1において、1は検査対象である液晶パネル(液晶ライトバルブ)、2は画像投影装置であるプロジェクタであり、液晶パネル1を外部からセットできるようになっている。3は液晶パネル1に各種パターンを出力するパターン生成装置であるパターンジェネレータ、4はスクリーン、5はスクリーン4に投影された画像を撮影する撮像手段であるCCDカメラであり、液晶パネル1の解像度以上の解像度を有するCCDを搭載している。6はパターンジェネレータ3及びCCDカメラ5を制御し、液晶パネル1のシミ欠陥を検出する画像処理手段であるコンピュータ装置、7はコンピュータ装置6に接続された表示装置である。
図1において、1は検査対象である液晶パネル(液晶ライトバルブ)、2は画像投影装置であるプロジェクタであり、液晶パネル1を外部からセットできるようになっている。3は液晶パネル1に各種パターンを出力するパターン生成装置であるパターンジェネレータ、4はスクリーン、5はスクリーン4に投影された画像を撮影する撮像手段であるCCDカメラであり、液晶パネル1の解像度以上の解像度を有するCCDを搭載している。6はパターンジェネレータ3及びCCDカメラ5を制御し、液晶パネル1のシミ欠陥を検出する画像処理手段であるコンピュータ装置、7はコンピュータ装置6に接続された表示装置である。
コンピュータ装置6は、画像入力手段60と、背景画像差分処理手段61と、表示エリア抽出手段62と、縮小画像作成手段63と、シミ欠陥強調処理手段64と、ノイズ除去手段65と、シミ欠陥抽出処理手段66と、blob処理手段67と、エッジ勾配検出手段69と、欠陥ランク分類処理手段68とから構成されている。
コンピュータ装置6の画像入力手段60には、CCDカメラ5で撮像された取込画像の画像データが入力される。その取込画像は図示しない記憶手段に記憶される。従って、画像入力手段60によってCCDカメラ5を用いて検査対象を撮像する撮像工程(画像入力工程)が実施される。
背景画像差分処理手段61は、入力画像と予め作成された背景画像との差を取って検査対象以外のものによって生じる欠陥状の輝度変化を除去した背景差分画像を得る背景画像差分処理工程を実施する。表示エリア抽出手段62は、背景差分画像から被検査部の画像部分だけを抽出する表示エリア抽出工程を実施する。CCDカメラ5で検査対象であるTFTパネルを撮像した際に、TFTパネル全体を撮像するにはパネル周囲も多少写さなければならない。このため撮像画像におけるパネル投影画像の周囲には、パネルとは関係のないデータが存在し、また投影画像も長方形ではなく歪んでいる。このため、表示エリア抽出手段62は、TFTパネル投影画像の部分のみを切り出す処理を行い、検査対象画像を作成する。
背景画像差分処理手段61は、入力画像と予め作成された背景画像との差を取って検査対象以外のものによって生じる欠陥状の輝度変化を除去した背景差分画像を得る背景画像差分処理工程を実施する。表示エリア抽出手段62は、背景差分画像から被検査部の画像部分だけを抽出する表示エリア抽出工程を実施する。CCDカメラ5で検査対象であるTFTパネルを撮像した際に、TFTパネル全体を撮像するにはパネル周囲も多少写さなければならない。このため撮像画像におけるパネル投影画像の周囲には、パネルとは関係のないデータが存在し、また投影画像も長方形ではなく歪んでいる。このため、表示エリア抽出手段62は、TFTパネル投影画像の部分のみを切り出す処理を行い、検査対象画像を作成する。
縮小画像作成手段63は、表示エリア抽出手段62で抽出された画像から縮小画像を作成する縮小画像作成工程を実施する。例えば、縮小画像作成手段63は、撮像画像において比較的大きなシミ欠陥を検出するために、撮像した画像を1/8サイズに縮小する処理を行う。後述するように、シミ欠陥強調処理手段64で使用するシミ欠陥強調フィルタは、それぞれ強調可能なシミの大きさがある程度決められている。このため、同一のシミ欠陥強調フィルタを利用していても、画像自体を縮小してシミ欠陥の大きさも小さくすることで、画像を縮小しない場合に比べて、相対的に大きなシミ欠陥を検出することができる。なお、小さなシミ欠陥を検出する場合には、縮小画像作成手段63による縮小画像作成工程を実施しなくてもよい。
シミ欠陥強調処理手段64は、画像に対してシミ欠陥強調フィルタ(シミ欠陥検出フィルタ)を適用してシミ欠陥を強調して検出するシミ欠陥強調処理工程を実施する。
ノイズ除去手段65は、シミ欠陥強調処理手段64で得られた結果に対してメディアンフィルタを適用してノイズを除去するノイズ除去工程を実施する。
ノイズ除去手段65は、シミ欠陥強調処理手段64で得られた結果に対してメディアンフィルタを適用してノイズを除去するノイズ除去工程を実施する。
シミ欠陥抽出処理手段66は、ノイズ除去手段65で処理された結果を所定の閾値と比較してシミ欠陥候補を抽出する。なお、シミ欠陥には、他の画素部分に対して輝度値が高い白シミ欠陥と、輝度値が低い黒シミ欠陥とがある。このため、閾値としては、白シミ欠陥閾値と、黒シミ欠陥閾値とが設定され、白シミ欠陥閾値と比較することで白シミ欠陥候補が抽出され、黒シミ欠陥閾値と比較することで黒シミ欠陥候補が抽出される。
blob処理手段67は、欠陥候補として抽出した領域の面積と、平均輝度を求めるblob処理工程を実施する。
blob処理手段67は、欠陥候補として抽出した領域の面積と、平均輝度を求めるblob処理工程を実施する。
エッジ勾配検出手段(エッジ勾配検出装置)69は、表示エリア抽出手段62で抽出された画像に対して本発明のエッジ勾配検出方法を適用し、シミ欠陥候補領域における最大のエッジ勾配を検出するエッジ勾配検出工程を実施する。なお、エッジ勾配とは、エッジ部分における輝度変化率を意味し、具体的には前記画像の2つの画素間の輝度差を、その画素間の距離で除算したものである。
欠陥ランク分類処理手段68は、blob処理手段67で求めた面積および平均輝度と、エッジ勾配検出手段69で求めたエッジ勾配とに基づいてシミ欠陥のランクを評価し、今回の検査対象がどの欠陥ランクに該当するかを分類する欠陥ランク分類工程を実施する。
従って、本実施形態では、シミ欠陥抽出処理手段66、blob処理手段67、エッジ勾配検出手段69、欠陥ランク分類処理手段68を備えてシミ欠陥検出装置が構成されている。
従って、本実施形態では、シミ欠陥抽出処理手段66、blob処理手段67、エッジ勾配検出手段69、欠陥ランク分類処理手段68を備えてシミ欠陥検出装置が構成されている。
次に、本発明の実施の形態によるシミ欠陥検出装置の動作について説明する。
図2はこの実施の形態のシミ欠陥検出装置の動作を説明するためのフローチャートである。図2に示す動作はコンピュータ装置6上で実行されるプログラムにより実現されている。
まず、プロジェクタ2に検査対象の液晶パネル1をセットし、コンピュータ装置6によりパターンジェネレータ3を制御して液晶パネル1上に特定の明るさのパターンを表示させ、それをプロジェクタ2によりスクリーン4に投影する。そして、スクリーン4上に投影された画像をCCDカメラ5で撮影し、その撮影データの画像をコンピュータ装置6に出力し、コンピュータ装置6によりシミ欠陥検出処理を行い、液晶パネル1のシミ欠陥の検出結果を表示装置7に表示する。
図2はこの実施の形態のシミ欠陥検出装置の動作を説明するためのフローチャートである。図2に示す動作はコンピュータ装置6上で実行されるプログラムにより実現されている。
まず、プロジェクタ2に検査対象の液晶パネル1をセットし、コンピュータ装置6によりパターンジェネレータ3を制御して液晶パネル1上に特定の明るさのパターンを表示させ、それをプロジェクタ2によりスクリーン4に投影する。そして、スクリーン4上に投影された画像をCCDカメラ5で撮影し、その撮影データの画像をコンピュータ装置6に出力し、コンピュータ装置6によりシミ欠陥検出処理を行い、液晶パネル1のシミ欠陥の検出結果を表示装置7に表示する。
ここで、コンピュータ装置6によるシミ欠陥検出の動作について図2のフローチャートに基づいて説明する。
まず、スクリーン4上に投影された画像をCCDカメラ5で撮影し、その撮影データの画像がコンピュータ装置6の画像入力手段60に取り込まれ、画像入力工程(撮像工程)が行われる(ステップS1)。このとき撮影データは、図示しないA/D変換器により、例えば4096階調(12ビット)のデジタルデータとして、コンピュータ装置6に取り込まれる。なお、撮像データは、4096階調のものに限らず、1024階調(10ビット)のデータでもよいし、256階調(8ビット)のデータでもよい。階調が大きいほど高精度の処理が可能になるが、その分、高階調のデータ取得が可能な高価なCCDカメラ5が必要となるため、撮像データの階調は欠陥検査対象等に応じて必要な階調に設定すればよい。
次に、背景画像差分処理手段61は、取り込まれた画像データの中から、照明やレンズなど液晶パネル以外のものによって生じる欠陥状の輝度変化を除去するための背景画像差分処理工程を行う(ステップS2)。
まず、スクリーン4上に投影された画像をCCDカメラ5で撮影し、その撮影データの画像がコンピュータ装置6の画像入力手段60に取り込まれ、画像入力工程(撮像工程)が行われる(ステップS1)。このとき撮影データは、図示しないA/D変換器により、例えば4096階調(12ビット)のデジタルデータとして、コンピュータ装置6に取り込まれる。なお、撮像データは、4096階調のものに限らず、1024階調(10ビット)のデータでもよいし、256階調(8ビット)のデータでもよい。階調が大きいほど高精度の処理が可能になるが、その分、高階調のデータ取得が可能な高価なCCDカメラ5が必要となるため、撮像データの階調は欠陥検査対象等に応じて必要な階調に設定すればよい。
次に、背景画像差分処理手段61は、取り込まれた画像データの中から、照明やレンズなど液晶パネル以外のものによって生じる欠陥状の輝度変化を除去するための背景画像差分処理工程を行う(ステップS2)。
この背景画像差分処理工程は、図3(A)に示す入力画像(投影画像)から図3(B)に示す背景画像を減算して、図3(C)に示す背景差分画像を作成する。背景画像は、液晶パネル1を除いた光学系の輝度変化の画像である。投影ランプや投射レンズによる欠陥上の輝度変化は、入力画像および背景画像の両方に生じるため、入力画像から背景画像を減算すれば、背景差分画像においては、投影ランプや投射レンズなど液晶パネル以外のものによって生じる欠陥上の輝度変化成分は除去される。
続いて、表示エリア抽出手段62は、被検査部の画面部分だけを抽出する表示エリア抽出処理工程を行う(ステップS3)。
表示エリア抽出処理工程は、図4(A)に示す被検査部画像(背景差分画像)の四隅の座標をパターンマッチング処理(画像データの四隅付近の数十画素×数十画素の4つの小領域に対して、それぞれ予め用意した4つの隅基準画像とパターンマッチング処理を行い、四隅の座標を特定する)により検出し、この四隅の座標の位置関係が長方形になるようにアフィン変換することで表示エリアを抽出する。これによって、図4(B)に示すように、スクリーン4上の周囲の縁部が除去され、且つ正確な長方形とされた画面部分だけが抽出される。
表示エリア抽出処理工程は、図4(A)に示す被検査部画像(背景差分画像)の四隅の座標をパターンマッチング処理(画像データの四隅付近の数十画素×数十画素の4つの小領域に対して、それぞれ予め用意した4つの隅基準画像とパターンマッチング処理を行い、四隅の座標を特定する)により検出し、この四隅の座標の位置関係が長方形になるようにアフィン変換することで表示エリアを抽出する。これによって、図4(B)に示すように、スクリーン4上の周囲の縁部が除去され、且つ正確な長方形とされた画面部分だけが抽出される。
次に、縮小画像作成手段63は、表示エリア抽出処理された検査対象画像を縮小する縮小画像作成処理工程を行う(ステップS4)。
この縮小画像作成処理工程は、検査対象画像から所定サイズ、例えば1/4サイズに縮小した画像を作成する。具体的には、1/4サイズの縮小画像を作成する場合には、検査対象画像の4画素の平均値を1画素とすることで1/2サイズの縮小画像を作成し、この1/2の縮小画像の4画素の平均値を1画素とすることで1/4サイズの縮小画像を作成する。
この縮小画像作成処理工程は、検査対象画像から所定サイズ、例えば1/4サイズに縮小した画像を作成する。具体的には、1/4サイズの縮小画像を作成する場合には、検査対象画像の4画素の平均値を1画素とすることで1/2サイズの縮小画像を作成し、この1/2の縮小画像の4画素の平均値を1画素とすることで1/4サイズの縮小画像を作成する。
従って、平坦化処理された原画像が1300×1000の130万画素とすると、1/2の縮小画像は650×500の32.5万画素、1/4の縮小画像は325×250の8万1250画素を有することになる。
このように、所定サイズの縮小画像を作成するのは、後述するシミ欠陥強調フィルタは所定の大きさのシミ欠陥を強調するように設計されており、画像サイズを縮小することで、縮小前の画像サイズのままでは後述するシミ欠陥強調フィルタで強調できない比較的大きなシミを、画像サイズを縮小することで強調できるようにするためのものである。
このように、所定サイズの縮小画像を作成するのは、後述するシミ欠陥強調フィルタは所定の大きさのシミ欠陥を強調するように設計されており、画像サイズを縮小することで、縮小前の画像サイズのままでは後述するシミ欠陥強調フィルタで強調できない比較的大きなシミを、画像サイズを縮小することで強調できるようにするためのものである。
次に、シミ欠陥強調処理手段64は、作成された縮小画像に対してシミ欠陥を強調するシミ欠陥強調処理工程を行う(ステップS5)。このシミ欠陥強調処理工程は、そのままでは微少なレベルの白シミ欠陥・黒シミ欠陥の検出が難しいために、画像の中のシミ欠陥のみを強調するものである。
なお、所定サイズのシミ欠陥のみを検出する場合には、作成された縮小画像に対して、1種類のシミ欠陥強調フィルタを適用すればよいが、サイズの異なるシミ欠陥も検出する場合には、検出対象となるシミ欠陥のサイズが異なる複数種類のシミ欠陥強調フィルタを適用し、所定サイズのシミ欠陥を検出すればよい。
なお、所定サイズのシミ欠陥のみを検出する場合には、作成された縮小画像に対して、1種類のシミ欠陥強調フィルタを適用すればよいが、サイズの異なるシミ欠陥も検出する場合には、検出対象となるシミ欠陥のサイズが異なる複数種類のシミ欠陥強調フィルタを適用し、所定サイズのシミ欠陥を検出すればよい。
シミ欠陥強調フィルタは、図5に示すように、設定した検出領域の中心画素を対象画素とし、この対象画素の周囲に略円状に配置され、かつ対象画素から所定長さ離れて配置された輝度比較画素を設けている。
そして、対象画素を挟んで対称位置に配置された2つの輝度比較画素を1セットとし、すべての輝度比較画素をセットに分ける。そして、対象画素の輝度値から各セットの輝度比較画素の平均輝度値を引いて差Fを求める。すなわち、対象画素の輝度値を「O」、輝度比較画素の各輝度値を「S1〜S32」とした際に、以下の式3〜18を用いて差F1〜F16を算出する。
そして、対象画素を挟んで対称位置に配置された2つの輝度比較画素を1セットとし、すべての輝度比較画素をセットに分ける。そして、対象画素の輝度値から各セットの輝度比較画素の平均輝度値を引いて差Fを求める。すなわち、対象画素の輝度値を「O」、輝度比較画素の各輝度値を「S1〜S32」とした際に、以下の式3〜18を用いて差F1〜F16を算出する。
F1 =O−(S1 + S17)/ 2 …(3)
F2 =O−(S2 + S18)/ 2 …(4)
F3 =O−(S3 + S19)/ 2 …(5)
F4 =O−(S4 + S20)/ 2 …(6)
F5 =O−(S5 + S21)/ 2 …(7)
F6 =O−(S6 + S22)/ 2 …(8)
F7 =O−(S7 + S23)/ 2 …(9)
F8 =O−(S8 + S24)/ 2 …(10)
F9 =O−(S9 + S25)/ 2 …(11)
F10=O−(S10 + S26)/ 2 …(12)
F11=O−(S11 + S27)/ 2 …(13)
F12=O−(S12 + S28)/ 2 …(14)
F13=O−(S13 + S29)/ 2 …(15)
F14=O−(S14 + S30)/ 2 …(16)
F15=O−(S15 + S31)/ 2 …(17)
F16=O−(S16 + S32)/ 2 …(18)
F2 =O−(S2 + S18)/ 2 …(4)
F3 =O−(S3 + S19)/ 2 …(5)
F4 =O−(S4 + S20)/ 2 …(6)
F5 =O−(S5 + S21)/ 2 …(7)
F6 =O−(S6 + S22)/ 2 …(8)
F7 =O−(S7 + S23)/ 2 …(9)
F8 =O−(S8 + S24)/ 2 …(10)
F9 =O−(S9 + S25)/ 2 …(11)
F10=O−(S10 + S26)/ 2 …(12)
F11=O−(S11 + S27)/ 2 …(13)
F12=O−(S12 + S28)/ 2 …(14)
F13=O−(S13 + S29)/ 2 …(15)
F14=O−(S14 + S30)/ 2 …(16)
F15=O−(S15 + S31)/ 2 …(17)
F16=O−(S16 + S32)/ 2 …(18)
シミ欠陥強調フィルタは、以上の計算を行ったあと、F1からF16の各値の中から絶対値が最小となるものを選択し、その値をシミ強調の結果とする。
例えば、輝度比較画素で囲まれたエリア内に欠陥が存在しない場合、対象画素の輝度値と各輝度比較画素の輝度値は殆ど差が無い状態になる。従って、上記F1からF16は、いずれも小さな値になる。
一方、図6に示すように、輝度比較画素で囲まれたエリア内に他の部分に比べて明るい白シミ欠陥70が存在し、対象画素がその一部である場合、対象画素に比べて各輝度比較画素の輝度値は低くなる。従って、上記F1からF16は、シミ欠陥70が無い場合に比べて、大きな値になる。
例えば、輝度比較画素で囲まれたエリア内に欠陥が存在しない場合、対象画素の輝度値と各輝度比較画素の輝度値は殆ど差が無い状態になる。従って、上記F1からF16は、いずれも小さな値になる。
一方、図6に示すように、輝度比較画素で囲まれたエリア内に他の部分に比べて明るい白シミ欠陥70が存在し、対象画素がその一部である場合、対象画素に比べて各輝度比較画素の輝度値は低くなる。従って、上記F1からF16は、シミ欠陥70が無い場合に比べて、大きな値になる。
また、図7に示すように、対象画素とともに、一部の輝度比較画素がシミ欠陥70に含まれている場合には、シミ欠陥70に含まれる輝度比較画素を有するセットの輝度平均値は、シミ欠陥70に含まれる輝度比較画素が無いセットの輝度平均値に比べて大きくなり、その分、対象画素の輝度値との差は小さくなる。
同様に、図8に示すように、スジ状欠陥71が存在している場合には、スジ状欠陥71に含まれる輝度比較画素を有するセットの輝度平均値=(S2+S18)/2は、スジ状欠陥71に含まれる対象画素の輝度値Oとほぼ同じとなるため、それらの差は小さくなる。
同様に、図8に示すように、スジ状欠陥71が存在している場合には、スジ状欠陥71に含まれる輝度比較画素を有するセットの輝度平均値=(S2+S18)/2は、スジ状欠陥71に含まれる対象画素の輝度値Oとほぼ同じとなるため、それらの差は小さくなる。
従って、図6に示すように、輝度比較画素で囲まれたエリア内にシミ欠陥70が存在する場合には、上記F1からF16はいずれも比較的大きな値になる。一方、シミ欠陥が存在しない場合や、図8のようにスジ状欠陥71が存在する場合、さらには図7のように輝度比較画素で囲まれたエリア内にシミ欠陥70が納まっていない場合には、上記F1からF16の少なくとも1つは小さな値になる。このため、上記F1からF16の値から絶対値が最小となるものを選択すれば、対象画素を含み、かつ、輝度比較画素で囲まれたエリア内に納まるシミ欠陥70が存在するか否かを検出できるので、この絶対値の最小となる値を各対象画素のシミ欠陥強調値として記憶すればよい。
なお、図5に示すシミ欠陥強調フィルタは、対象画素から上下、左右の輝度比較画素までの距離が6画素分であり、対象画素と他の輝度比較画素との間の距離もおおむね6画素分である。本実施形態のシミ欠陥強調フィルタは、輝度比較画素で囲まれた面積よりも一回り小さい面積のシミ欠陥の抽出に適している。すなわち、シミ欠陥強調フィルタは、各輝度比較画素で囲まれたエリア内の面積に比べて測定対象のシミの面積が大きいと、その輪郭部分のみが強調され、シミ部分全体を強調することができない。従って、対象画素と輝度比較画素間の距離によって検出可能なシミ欠陥のサイズが異なる。このため、以下の説明において、各シミ欠陥強調フィルタにおいて、対象画素と輝度比較画素間の距離がnのものを距離n画素フィルタと呼ぶ。例えば、図5に示すシミ欠陥強調フィルタは、距離6画素フィルタである。
なお、距離6画素のフィルタでは、16個のセットで2次差分処理を行っているが、この数はフィルタの距離nが変わると変わることになる。
この処理を画面全体に適用することで、シミ欠陥を強調した画像を得ることができる。但し、前述したように、対象画素と輝度比較画素との距離が1種類のフィルタだけでは、様々な欠陥サイズに対応できない。例えば、図5で示す距離6画素フィルタでは、直径11までのサイズのシミ欠陥しか検出できない。このため、本実施形態では、対象画素と輝度比較画素との距離を何段階か変えて処理を行い、様々なサイズのシミ欠陥に対応した強調画像を得るようにしている。
具体的には、距離3、距離6、距離12画素フィルタの3つのフィルタを用いて、シミ欠陥強調処理を行っている。すなわち、距離12画素フィルタを使えば、直径23のシミ欠陥まで検出可能ということになるが、フィルタに対して十分に小さい欠陥では、対象と比較している画素との距離が遠く、正確な結果が出ない。このため、距離3及び距離6画素フィルタを併用し、シミ欠陥検出精度を向上させている。
この処理で3枚のシミ強調画像を得ることができるので、最後にそれぞれの画像の同ポイントの処理結果画素の輝度比較を行い、絶対値が最大となる値をシミ欠陥強調結果とすることで、1枚のシミ強調画像として合成する。
この処理を画面全体に適用することで、シミ欠陥を強調した画像を得ることができる。但し、前述したように、対象画素と輝度比較画素との距離が1種類のフィルタだけでは、様々な欠陥サイズに対応できない。例えば、図5で示す距離6画素フィルタでは、直径11までのサイズのシミ欠陥しか検出できない。このため、本実施形態では、対象画素と輝度比較画素との距離を何段階か変えて処理を行い、様々なサイズのシミ欠陥に対応した強調画像を得るようにしている。
具体的には、距離3、距離6、距離12画素フィルタの3つのフィルタを用いて、シミ欠陥強調処理を行っている。すなわち、距離12画素フィルタを使えば、直径23のシミ欠陥まで検出可能ということになるが、フィルタに対して十分に小さい欠陥では、対象と比較している画素との距離が遠く、正確な結果が出ない。このため、距離3及び距離6画素フィルタを併用し、シミ欠陥検出精度を向上させている。
この処理で3枚のシミ強調画像を得ることができるので、最後にそれぞれの画像の同ポイントの処理結果画素の輝度比較を行い、絶対値が最大となる値をシミ欠陥強調結果とすることで、1枚のシミ強調画像として合成する。
ここで、本実施形態のシミ欠陥強調処理工程S5の処理を説明する。本実施形態では、1/4に縮小された画像に対して3種類のシミ欠陥強調フィルタを適用している。具体的には、距離3,6,12画素フィルタの各シミ欠陥強調フィルタを適用している。そして、距離3,6,12画素フィルタのシミ欠陥強調フィルタの適用結果を合成して合成処理結果を求めている。
ここで、距離の異なる複数のシミ欠陥強調フィルタを用いているのは、前述の通り、様々なサイズのシミ欠陥を検出するためである。すなわち、処理対象画素からの距離が6画素のシミ欠陥強調フィルタのみを用いると、検出できるシミ欠陥のサイズが限定されてしまう(約12画素サイズ近辺のシミ欠陥までしか検出できない)。
そこで、本実施形態では、画面内に存在する様々なサイズのシミ欠陥に対応するため、3画素、6画素、12画素と、3段階に距離を変えて強調処理を行うことにより、様々なサイズのシミ欠陥を強調している。
ここで、距離の異なる複数のシミ欠陥強調フィルタを用いているのは、前述の通り、様々なサイズのシミ欠陥を検出するためである。すなわち、処理対象画素からの距離が6画素のシミ欠陥強調フィルタのみを用いると、検出できるシミ欠陥のサイズが限定されてしまう(約12画素サイズ近辺のシミ欠陥までしか検出できない)。
そこで、本実施形態では、画面内に存在する様々なサイズのシミ欠陥に対応するため、3画素、6画素、12画素と、3段階に距離を変えて強調処理を行うことにより、様々なサイズのシミ欠陥を強調している。
また、強調結果を合成処理しているのは、検出精度を向上させるためである。すなわち、それぞれの強調結果からシミ欠陥を抽出して個別に評価した場合、1つのシミ欠陥が3画素と6画素の強調結果に分割されて検出されることがあり、実際のシミ欠陥と強調結果が一致しない場合がある。そこで、結果を一致させるため複数の強調結果を合成することで、分離したシミ欠陥を1つに合成して検出精度を向上させている。
ここで、合成処理は、各フィルタの強調結果において、同じ位置の画素の強調結果値を比較し、それらの中で絶対値が最大となる値をその合成結果としたものである。
なお、シミ欠陥強調フィルタの距離が、シミ欠陥の大きさに比べて非常に大きい場合、輝度比較画素が他のシミ領域に位置するとそのシミ欠陥に影響されてシミを正しく検出することができない。このため、シミ欠陥強調フィルタは、検出しようとするシミ欠陥の大きさよりも僅かに大きいもの、例えば1〜3画素程度の寸法分、大きいものを用いることが好ましい。
従って、距離3,6,12画素の各フィルタの強調結果を合成するようにすれば、距離3,6,12の各サイズに対応したシミ欠陥が強調されて検出することができる。
なお、シミ欠陥強調フィルタの距離が、シミ欠陥の大きさに比べて非常に大きい場合、輝度比較画素が他のシミ領域に位置するとそのシミ欠陥に影響されてシミを正しく検出することができない。このため、シミ欠陥強調フィルタは、検出しようとするシミ欠陥の大きさよりも僅かに大きいもの、例えば1〜3画素程度の寸法分、大きいものを用いることが好ましい。
従って、距離3,6,12画素の各フィルタの強調結果を合成するようにすれば、距離3,6,12の各サイズに対応したシミ欠陥が強調されて検出することができる。
次に、ノイズ除去手段65は、前記シミ欠陥強調処理工程の結果に対して、メディアンフィルタを掛けて、ノイズにより分離している欠陥成分をつなげて平滑化し、シミ欠陥以外のノイズを除去するノイズ除去処理工程(平滑化処理:3×3メディアン処理)を実施する(S6)。メディアンフィルタとしては、例えば3×3の9画素の各輝度値のメディアン値(中央値)を3×3の中心に位置する対象画素の輝度値とするようなメディアンフィルタを利用すればよい。
次に、シミ欠陥抽出処理手段66は、ノイズが除去されたシミ欠陥強調画像に対して、白シミ欠陥を切り出す閾値と、黒シミ欠陥を切り出す閾値を設定し、各シミ欠陥候補の領域を切り出すシミ欠陥抽出処理工程を実施する(S7)。ここで、各閾値は、画像の状況に合わせて最適な値を設定すればよい。例えば、シミ欠陥強調画像(合成画像)のシミ強調値(輝度値)の平均値と、その標準偏差を求め、以下の式で閾値を設定する。
白シミ欠陥閾値 wslevel=avr+α1・σ+β1
黒シミ欠陥閾値 bslevel=avr−α2・σ+β2
ここで、avrは合成画像の平均値、σは合成画像の標準偏差、α1,α2,β1,β2は任
意の数で検査対象となる画像の状況で適宜決定される。
白シミ欠陥閾値 wslevel=avr+α1・σ+β1
黒シミ欠陥閾値 bslevel=avr−α2・σ+β2
ここで、avrは合成画像の平均値、σは合成画像の標準偏差、α1,α2,β1,β2は任
意の数で検査対象となる画像の状況で適宜決定される。
次に、blob処理手段67は、白シミ欠陥候補画像と、黒シミ欠陥候補画像に対し、欠陥候補として切り出した領域の面積と、平均輝度(コントラスト)を求めるblob処理工程を実施する(S8)。
一方、エッジ勾配検出手段69は、表示エリア抽出工程S3で抽出された画像に対してエッジ勾配を検出するエッジ勾配検出処理工程を行う(ステップS9)。
エッジ勾配検出手段69は、具体的には、図9に示すように、第1エッジ勾配算出手段691、第2エッジ勾配算出手段692、第3エッジ勾配算出手段693、エッジ勾配合成手段694を備えている。
そして、エッジ勾配検出手段69は、エッジ勾配検出処理工程S9では、まず、対象画素を選択する(S91)。具体的には、エッジ勾配検出手段69は、表示エリア抽出工程S3で抽出された画像の全画素から対象画素を1つずつ順次選択する。なお、この際、シミ欠陥抽出処理工程S7で抽出されたシミ欠陥領域部分の画素のみを対象画素としてもよい。但し、本実施形態のように、表示エリア抽出工程S3で抽出された画像の全画素を対象としたほうが、シミ欠陥強調処理工程S5やシミ欠陥抽出処理工程S7で検出できなかった欠陥部分も評価でき、不良品検出の精度を向上できる点で好ましい。
エッジ勾配検出手段69は、具体的には、図9に示すように、第1エッジ勾配算出手段691、第2エッジ勾配算出手段692、第3エッジ勾配算出手段693、エッジ勾配合成手段694を備えている。
そして、エッジ勾配検出手段69は、エッジ勾配検出処理工程S9では、まず、対象画素を選択する(S91)。具体的には、エッジ勾配検出手段69は、表示エリア抽出工程S3で抽出された画像の全画素から対象画素を1つずつ順次選択する。なお、この際、シミ欠陥抽出処理工程S7で抽出されたシミ欠陥領域部分の画素のみを対象画素としてもよい。但し、本実施形態のように、表示エリア抽出工程S3で抽出された画像の全画素を対象としたほうが、シミ欠陥強調処理工程S5やシミ欠陥抽出処理工程S7で検出できなかった欠陥部分も評価でき、不良品検出の精度を向上できる点で好ましい。
対象画素が選択されると、第1エッジ勾配算出手段691は、図11に示すエッジ勾配検出フィルタF1を用いて距離1画素のエッジ勾配値を算出する(S92)。
エッジ勾配検出フィルタF1は、設定した検出領域の中心画素を対象画素とし、この対象画素の周囲に略円状に配置され、かつ対象画素に隣接つまり1画素分離れて配置された画素を第1比較画素とし、対象画素と各第1比較画素間のエッジ勾配(輝度変化率)をそれぞれ算出し、その絶対値が最大のものを対象画素における距離1画素のエッジ勾配値と設定するものである。
エッジ勾配検出フィルタF1は、設定した検出領域の中心画素を対象画素とし、この対象画素の周囲に略円状に配置され、かつ対象画素に隣接つまり1画素分離れて配置された画素を第1比較画素とし、対象画素と各第1比較画素間のエッジ勾配(輝度変化率)をそれぞれ算出し、その絶対値が最大のものを対象画素における距離1画素のエッジ勾配値と設定するものである。
次に、第2エッジ勾配算出手段692は、図12に示すエッジ勾配検出フィルタF2を用いて距離2画素のエッジ勾配値を算出する(S93)。
エッジ勾配検出フィルタF2もエッジ勾配検出フィルタF1と同様のものであり、設定した検出領域の中心画素を対象画素とし、この対象画素の周囲に略円状に配置され、かつ前記第1比較画素に隣接つまり対象画素からおおよそ2画素分離れて配置された画素を第2比較画素とし、対象画素と各第2比較画素間のエッジ勾配(輝度変化率)をそれぞれ算出し、その絶対値が最大のものを対象画素における距離2画素のエッジ勾配値と設定するものである。
エッジ勾配検出フィルタF2もエッジ勾配検出フィルタF1と同様のものであり、設定した検出領域の中心画素を対象画素とし、この対象画素の周囲に略円状に配置され、かつ前記第1比較画素に隣接つまり対象画素からおおよそ2画素分離れて配置された画素を第2比較画素とし、対象画素と各第2比較画素間のエッジ勾配(輝度変化率)をそれぞれ算出し、その絶対値が最大のものを対象画素における距離2画素のエッジ勾配値と設定するものである。
次に、第3エッジ勾配算出手段693は、図13に示すエッジ勾配検出フィルタF3を用いて距離3画素のエッジ勾配値を算出する(S94)。
エッジ勾配検出フィルタF3もエッジ勾配検出フィルタF1,F2と同様のものであり、設定した検出領域の中心画素を対象画素とし、この対象画素の周囲に略円状に配置され、かつ前記第2比較画素に隣接つまり対象画素からおおよそ3画素分離れて配置された画素を第3比較画素とし、対象画素と各第3比較画素間のエッジ勾配(輝度変化率)をそれぞれ算出し、その絶対値が最大のものを対象画素における距離3画素のエッジ勾配値と設定するものである。
エッジ勾配検出フィルタF3もエッジ勾配検出フィルタF1,F2と同様のものであり、設定した検出領域の中心画素を対象画素とし、この対象画素の周囲に略円状に配置され、かつ前記第2比較画素に隣接つまり対象画素からおおよそ3画素分離れて配置された画素を第3比較画素とし、対象画素と各第3比較画素間のエッジ勾配(輝度変化率)をそれぞれ算出し、その絶対値が最大のものを対象画素における距離3画素のエッジ勾配値と設定するものである。
ここで、各フィルタF1〜F3によるエッジ勾配値の具体的な算出手順を説明する。
各フィルタF1〜F3は、対象画素の輝度値から各比較画素の輝度値を引き、その輝度差を対象画素および比較画素間の長さ(距離)で割って、対象画素と各比較画素間のエッジ勾配を算出する。
例えば、図12のエッジ勾配検出フィルタF2では、対象画素の輝度値を「O」、比較画素の各輝度値を「S1〜S12」、対象画素および各比較画素の距離をD(O,S1)〜D(O,S12)とした際に、以下の式19〜30を用いてエッジ勾配g1〜g12を算出する。
各フィルタF1〜F3は、対象画素の輝度値から各比較画素の輝度値を引き、その輝度差を対象画素および比較画素間の長さ(距離)で割って、対象画素と各比較画素間のエッジ勾配を算出する。
例えば、図12のエッジ勾配検出フィルタF2では、対象画素の輝度値を「O」、比較画素の各輝度値を「S1〜S12」、対象画素および各比較画素の距離をD(O,S1)〜D(O,S12)とした際に、以下の式19〜30を用いてエッジ勾配g1〜g12を算出する。
g1=(O−S1)/D(O,S1) …(19)
g2=(O−S2)/D(O,S2) …(20)
g3=(O−S3)/D(O,S3) …(21)
g4=(O−S4)/D(O,S4) …(22)
g5=(O−S5)/D(O,S5) …(23)
g6=(O−S6)/D(O,S6) …(24)
g7=(O−S7)/D(O,S7) …(25)
g8=(O−S8)/D(O,S8) …(26)
g9=(O−S9)/D(O,S9) …(27)
g10=(O−S10)/D(O,S10) …(28)
g11=(O−S11)/D(O,S11) …(29)
g12=(O−S12)/D(O,S12) …(30)
g2=(O−S2)/D(O,S2) …(20)
g3=(O−S3)/D(O,S3) …(21)
g4=(O−S4)/D(O,S4) …(22)
g5=(O−S5)/D(O,S5) …(23)
g6=(O−S6)/D(O,S6) …(24)
g7=(O−S7)/D(O,S7) …(25)
g8=(O−S8)/D(O,S8) …(26)
g9=(O−S9)/D(O,S9) …(27)
g10=(O−S10)/D(O,S10) …(28)
g11=(O−S11)/D(O,S11) …(29)
g12=(O−S12)/D(O,S12) …(30)
そして、算出されたエッジ勾配g1〜g12の中で絶対値が最大となるものを選択し、エッジ勾配検出フィルタF2で検出された対象画素のエッジ勾配値とする。他のフィルタF1,F3も同様の処理を行って各エッジ勾配値を算出する。
ここで、対象画素および輝度比較画素間の距離は、XY座標上の2点間の距離を求める式を利用して算出できる。例えば、距離D(O,S1)を求める場合、対象画素の座標を(XO,YO)、比較画素の座標を(X1,Y1)とすると、距離D(O,S1)は式31で求められる。
ここで、対象画素および輝度比較画素間の距離は、XY座標上の2点間の距離を求める式を利用して算出できる。例えば、距離D(O,S1)を求める場合、対象画素の座標を(XO,YO)、比較画素の座標を(X1,Y1)とすると、距離D(O,S1)は式31で求められる。
第3エッジ勾配算出工程S94が終了すると、エッジ勾配検出手段69は、検査対象画素の選択が終了したか否かを判断する(S95)。ここで、画像全体の画素に対して検査が終了していない場合には、前記各エッジ勾配算出工程S91〜S93を繰り返し実行する。
一方、画像全体の画素に対して検査が終了している場合には、エッジ勾配合成手段694によりエッジ勾配合成工程が行われる(S96)。
エッジ勾配合成手段694は、各エッジ勾配検出フィルタF1〜F3による検出結果を合成する。具体的には、各対象画素におけるエッジ勾配検出フィルタF1〜F3のエッジ勾配値のうちの絶対値が最大のものをその対象画素の合成結果としている。
以上によってエッジ勾配検出処理工程S9が完了する。
エッジ勾配合成手段694は、各エッジ勾配検出フィルタF1〜F3による検出結果を合成する。具体的には、各対象画素におけるエッジ勾配検出フィルタF1〜F3のエッジ勾配値のうちの絶対値が最大のものをその対象画素の合成結果としている。
以上によってエッジ勾配検出処理工程S9が完了する。
次に、欠陥ランク分類処理手段68は、算出された欠陥候補領域の面積、平均輝度およびエッジ勾配により、その画像におけるシミ欠陥のランクを分類する欠陥ランク分類工程を実施する(S10)。
具体的には、欠陥ランク分類処理手段68には、図15に示す判定閾値曲線TR1〜TR3が定義されており、欠陥候補領域の面積の値と平均輝度(コントラスト)の値とで特定される点が、図15の閾値曲線TR1〜TR3のグラフにおけるどのエリアに入るかを確認し、その良品ランク1〜3およびNG(不良品)と判断する。具体的には、コントラストが低いほどランク1(最もよい製品)と判断され、コントラストが高くなるほどランク2、ランク3、不良品と判断される。
具体的には、欠陥ランク分類処理手段68には、図15に示す判定閾値曲線TR1〜TR3が定義されており、欠陥候補領域の面積の値と平均輝度(コントラスト)の値とで特定される点が、図15の閾値曲線TR1〜TR3のグラフにおけるどのエリアに入るかを確認し、その良品ランク1〜3およびNG(不良品)と判断する。具体的には、コントラストが低いほどランク1(最もよい製品)と判断され、コントラストが高くなるほどランク2、ランク3、不良品と判断される。
また、エッジ勾配検出手段69は、欠陥候補の傾きから判定閾値曲線TR1〜TR3の値を調整する。図15は、ある傾きの欠陥を用いて作成した判定閾値曲線であり、欠陥候補の傾きが小さくなるほど、人の判断では判定閾値曲線TR1〜TR3は小さい値となる。そこで、欠陥候補の傾きにより、図15の判定閾値曲線に係数(コントラスト閾値倍率)をかけて、判定閾値曲線を調整する。図14は、判定閾値曲線TR3を調整する値で、欠陥候補の傾きに対応するコントラスト閾値倍率をグラフにしたものである。欠陥候補の傾きにより、コントラスト閾値倍率を求めて、図15の判定閾値曲線TR3に係数をかけることで判定閾値曲線を再計算する。判定閾値曲線TR1、TR2についても、同様にコントラスト閾値倍率を求めておき、欠陥候補の傾きからコントラスト閾値倍率を求めて、判定閾値曲線TR1及びTR2を再計算する。新たに求められた判定閾値曲線TR1〜TR3から、欠陥良品ランクを判定することで、欠陥の傾きを考慮した欠陥良品ランク判定が可能となる。
欠陥ランク分類処理手段68で求められた欠陥ランクは、表示装置7に表示され、検査員は検査対象の液晶パネル1の欠陥ランクを容易に把握することができる。
従って、本実施形態では、シミ欠陥抽出処理工程S7、blob処理工程S8、エッジ勾配検出処理工程S9、欠陥ランク分類工程S10により、シミ欠陥検出工程が構成されている。
従って、本実施形態では、シミ欠陥抽出処理工程S7、blob処理工程S8、エッジ勾配検出処理工程S9、欠陥ランク分類工程S10により、シミ欠陥検出工程が構成されている。
図16〜18には、本発明と従来例によるエッジ勾配検出処理の具体例を示す。
図16は処理対象となる疑似シミ欠陥画像であり、白シミ欠陥を擬似的に作成している。図17は、そのシミ欠陥部分の撮像画像を未処理状態のまま拡大したものである。
図18は、対象画素および比較画素間が距離1画素のエッジ勾配検出フィルタF1を適用した結果と、距離2画素のエッジ勾配検出フィルタF2を適用した結果を合成したものである。
図16は処理対象となる疑似シミ欠陥画像であり、白シミ欠陥を擬似的に作成している。図17は、そのシミ欠陥部分の撮像画像を未処理状態のまま拡大したものである。
図18は、対象画素および比較画素間が距離1画素のエッジ勾配検出フィルタF1を適用した結果と、距離2画素のエッジ勾配検出フィルタF2を適用した結果を合成したものである。
この実施の形態によれば、次のような効果がある。
(1)エッジ勾配検出手段69は、エッジ勾配検出フィルタF1〜F3を用いており、対象画素と比較画素が距離を1〜3画素の3段階に変更してエッジ勾配を算出しているので、輝度が急激に変化するエッジ部や、ある程度なだらかに変化するエッジ部などの様々なシミ欠陥のエッジ部分の勾配を精度良く検出することができる。
特に、距離1画素のエッジ勾配検出フィルタF1を用いてエッジ勾配値を算出する第1エッジ勾配算出手段691を設けたので、図20に示すような異なる勾配のエッジ部分も区別して検出でき、エッジ勾配を精度良く検出することができる。
また、第1エッジ勾配算出手段691では8方向のエッジ勾配しか検出できないが、12方向のエッジ勾配を検出できる第2エッジ勾配算出手段692と、16方向のエッジ勾配を検出できる第3エッジ勾配算出手段693をも受けたので、エッジ勾配の検出精度をより一層向上できる。
さらに、エッジ勾配合成手段694により各エッジ勾配算出手段691〜693の算出結果を合成しているので、高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ勾配を容易にかつ精度良く検出・評価することができる。
(1)エッジ勾配検出手段69は、エッジ勾配検出フィルタF1〜F3を用いており、対象画素と比較画素が距離を1〜3画素の3段階に変更してエッジ勾配を算出しているので、輝度が急激に変化するエッジ部や、ある程度なだらかに変化するエッジ部などの様々なシミ欠陥のエッジ部分の勾配を精度良く検出することができる。
特に、距離1画素のエッジ勾配検出フィルタF1を用いてエッジ勾配値を算出する第1エッジ勾配算出手段691を設けたので、図20に示すような異なる勾配のエッジ部分も区別して検出でき、エッジ勾配を精度良く検出することができる。
また、第1エッジ勾配算出手段691では8方向のエッジ勾配しか検出できないが、12方向のエッジ勾配を検出できる第2エッジ勾配算出手段692と、16方向のエッジ勾配を検出できる第3エッジ勾配算出手段693をも受けたので、エッジ勾配の検出精度をより一層向上できる。
さらに、エッジ勾配合成手段694により各エッジ勾配算出手段691〜693の算出結果を合成しているので、高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ勾配を容易にかつ精度良く検出・評価することができる。
(2)各エッジ勾配算出手段691〜693は、対象画素および比較画素の座標から各画素間の距離を求めているので、エッジ勾配をより高精度に検出できる。すなわち、各フィルタF1〜F3はマトリックス状に配列されているため、各比較画素の中心座標と対象画素の中心座標との距離には「ばらつき」が生じる。しかし、本実施形態では、各座標間の長さを算出しているので、正確な距離を求めることができ、この距離を用いて算出するエッジ勾配も精度の高いものにできる。
(3)欠陥ランク分類処理手段68は、blob処理手段67で求められた欠陥候補の面積、平均輝度(コントラスト)と、エッジ勾配検出手段69で求められたエッジ勾配との3種類の特徴値に基づいて、検査対象の液晶パネル1のランクを評価しているので、検査員の目視検査結果に近いランク評価を自動的に行うことができる。
(4)シミ欠陥強調処理手段64は、対象画素から所定距離離れて、かつ、対象画像の周囲に配置された輝度比較画素の輝度値に基づいてシミ欠陥を強調するシミ欠陥強調フィルタを用いているので、例えば、輝度比較画素を対象画素に対して上下左右のみに配置した場合に比べて、面状に広がるシミを確実に検出することができる。
その上、シミ欠陥強調フィルタは、前記各輝度比較画素を、前記対象画素を挟んで対称位置に配置された2つの輝度比較画素毎のセットに分け、前記対象画素の輝度値と各セットの2つの輝度比較画素の平均輝度値との差の値を求め、各セットの差の値のうち、絶対値が最小となるものを選択してシミ欠陥強調値としている。このため、スジ状欠陥がある場合や、輝度比較画素の一部が欠陥に含まれている場合には、シミ欠陥強調値が小さくなり、輝度比較画素で囲まれたエリア内にシミ欠陥が納まっている場合のみシミ欠陥強調値が大きくなり、シミ欠陥強調値を所定の閾値と比較することで、スジ状欠陥などを排除でき、シミ欠陥のみを高精度に検出することができる。
その上、シミ欠陥強調フィルタは、前記各輝度比較画素を、前記対象画素を挟んで対称位置に配置された2つの輝度比較画素毎のセットに分け、前記対象画素の輝度値と各セットの2つの輝度比較画素の平均輝度値との差の値を求め、各セットの差の値のうち、絶対値が最小となるものを選択してシミ欠陥強調値としている。このため、スジ状欠陥がある場合や、輝度比較画素の一部が欠陥に含まれている場合には、シミ欠陥強調値が小さくなり、輝度比較画素で囲まれたエリア内にシミ欠陥が納まっている場合のみシミ欠陥強調値が大きくなり、シミ欠陥強調値を所定の閾値と比較することで、スジ状欠陥などを排除でき、シミ欠陥のみを高精度に検出することができる。
(5)本実施形態では、シミ強調フィルタは、対象画素を挟んで点対称の位置に配置された2つの輝度比較画素の輝度値における平均値を求めて対象画素と比較しているので、背景のシェーディングの影響を軽減でき、シミ欠陥をより高精度に検出することができる。すなわち、対象画素を挟んで点対称の位置に配置された2つの輝度比較画素の一方は、背景のシェーディングの影響によって、輝度値が高くなり、他方は小さくなることが多い。従って、これらの2つの輝度比較画素の平均輝度値を求めることでシェーディングの影響を平滑化でき、シミ欠陥をより高精度に検出することができる。
(6)さらに、シミ欠陥強調フィルタは、対象画素と輝度比較画素の距離に応じて適宜設定することで、そのフィルタによって検出可能なシミ欠陥の大きさを設定できるので、検出したいサイズのシミ欠陥を容易に検出できる。
その上、各シミ欠陥のサイズに応じた複数のシミ欠陥強調フィルタを適用した場合も、それらの強調結果の合成結果のみを評価することで各サイズのシミ欠陥を容易に検出することができる。
その上、各シミ欠陥のサイズに応じた複数のシミ欠陥強調フィルタを適用した場合も、それらの強調結果の合成結果のみを評価することで各サイズのシミ欠陥を容易に検出することができる。
(7)本実施形態では、シミ欠陥強調値は、対象画素の輝度値と、輝度比較画素の輝度平均値とで算出され、対象画素および輝度比較画素間にある画素の輝度値は利用されていない。このため、シミ欠陥が、輝度比較画素で囲まれるエリアよりも小さく、かつ対象画素を含むものであれば、シミ欠陥のサイズがある程度変化しても、従来の検査員の目視による判定と同様にシミ欠陥を検出できる。このため、フィルタの距離サイズはあまり細かく設定する必要が無く、その分、フィルタ数を少なくでき、検査時間も短縮できる。
(8)白シミ欠陥および黒シミ欠陥は、共に同じシミ欠陥強調フィルタで強調でき、シミ欠陥抽出処理手段66で白シミ欠陥用の閾値と、黒シミ欠陥用の閾値とを使い分けるだけで、白シミ欠陥および黒シミ欠陥の両方を簡単に検出することができる。このため、各種のシミ欠陥を簡単な処理で効率的に検出することができる。
なお、本発明は、前記実施形態に限らない。
例えば、前記実施形態では、3種類のエッジ勾配検出フィルタF1〜F3を用いてエッジ勾配を求めていたが、対象画素と比較画素との距離1画素のエッジ勾配検出フィルタF1と、前記距離2画素のエッジ勾配検出フィルタF2または距離3画素のエッジ勾配検出フィルタF3のいずれか一方との2種類のフィルタを用いて検出してもよい。要するに、距離1のエッジ勾配検出フィルタF1を用いることで、輝度変化が急激なエッジ部分も精度良く検出でき、また、エッジ勾配検出フィルタF2,F3を用いることで、より多くの方向のエッジ勾配を検出でき、各フィルタの結果を合成することで高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ勾配を精度良く検出することができる。
なお、距離4画素以上のエッジ勾配検出フィルタを更に組み合わせても良いが、通常、エッジ部分の輝度勾配は距離3画素以下のフィルタで検出可能であるため、前記実施形態のように、距離1〜3画素のエッジ勾配検出フィルタF1〜F3を用いればエッジ勾配を精度よく検出できる。
例えば、前記実施形態では、3種類のエッジ勾配検出フィルタF1〜F3を用いてエッジ勾配を求めていたが、対象画素と比較画素との距離1画素のエッジ勾配検出フィルタF1と、前記距離2画素のエッジ勾配検出フィルタF2または距離3画素のエッジ勾配検出フィルタF3のいずれか一方との2種類のフィルタを用いて検出してもよい。要するに、距離1のエッジ勾配検出フィルタF1を用いることで、輝度変化が急激なエッジ部分も精度良く検出でき、また、エッジ勾配検出フィルタF2,F3を用いることで、より多くの方向のエッジ勾配を検出でき、各フィルタの結果を合成することで高周波成分まで含んだ様々な方向のエッジ勾配を精度良く検出することができる。
なお、距離4画素以上のエッジ勾配検出フィルタを更に組み合わせても良いが、通常、エッジ部分の輝度勾配は距離3画素以下のフィルタで検出可能であるため、前記実施形態のように、距離1〜3画素のエッジ勾配検出フィルタF1〜F3を用いればエッジ勾配を精度よく検出できる。
また、前記実施形態では、エッジ勾配検出手段69はエッジ勾配検出処理工程S9において、表示エリア抽出工程S3で抽出された画像全体を対象画素としてエッジ勾配を算出していたが、シミ欠陥抽出処理手段66によって抽出されたシミ欠陥候補に含まれる画素を対象画素としてエッジ勾配を算出してもよい。このようにすれば、エッジ勾配の算出対象が少なくなり、効率的に処理できる。
前記実施形態の欠陥ランク分類処理手段68は、図15の判定曲線グラフを用いて判定を行っていたが、エッジ勾配、コントラスト、面積の3つの軸を有する立体的な判定グラフを用いて判定を行ってもよい。
また、コントラストや欠陥面積を求める具体的な方法は前記実施形態のものに限らない。
また、コントラストや欠陥面積を求める具体的な方法は前記実施形態のものに限らない。
前記実施形態では、エッジ勾配算出手段691〜693によって各エッジ勾配検出フィルタF1〜F3毎に絶対値が最大のエッジ勾配を求め、エッジ勾配合成手段694によってこの3つのエッジ勾配のなかで絶対値が最大のものを選択(合成)していたが、各フィルタF1〜F3で得られたすべてのエッジ勾配から直接絶対値が最大のものを選択して合成結果としてもよい。
エッジ勾配(輝度変化率)の算出方法は、前記実施形態のように、各画素の輝度差を求め、この輝度差を各画素間の距離で除算して求めるものに限らず、他の方法を用いてもよい。
シミ欠陥の検出対象としては、前記のようなTFT素子を用いた液晶ライトバルブに限られるものではなく、その他のダイオード素子を用いた液晶パネルやプラズマディスプレイ、有機ELディスプレイ、DMD(ダイレクト・ミラー・デバイス)などの表示体部品、ならびにそれらを使用した表示装置・製品の検査に利用することができるものであり、これらに使用した場合でも本発明の範囲から除外されるものでないことはいうまでもない。
さらに、本発明は、各種表示装置の検査に限らず、例えば、印刷物、家電製品のケースや車のボディなどにシミ状の傷がある場合、これらを撮像してシミ状の欠陥がある画像が得られればそのシミを検出できるので、各種製品の表面塗装や印刷物などのシミ検査に応用することもできる。
要するに、本発明は、周囲と輝度差があるシミであれば検出できるため、輝度シミ欠陥や色シミ欠陥の検出に利用できる。
さらに、本発明は、各種表示装置の検査に限らず、例えば、印刷物、家電製品のケースや車のボディなどにシミ状の傷がある場合、これらを撮像してシミ状の欠陥がある画像が得られればそのシミを検出できるので、各種製品の表面塗装や印刷物などのシミ検査に応用することもできる。
要するに、本発明は、周囲と輝度差があるシミであれば検出できるため、輝度シミ欠陥や色シミ欠陥の検出に利用できる。
さらに、本発明のエッジ勾配検出方法および装置は、シミ欠陥の検出に限らず、画像処理等において輝度変化率が比較的大きなエッジ部分を検出する目的に広く利用できる。
1…液晶パネル、2…プロジェクタ、3…パターンジェネレータ、4…スクリーン、5…CCDカメラ、6…コンピュータ装置、7…表示装置、60…画像入力手段、61…背景画像差分処理手段、62…表示エリア抽出手段、63…縮小画像作成手段、64…シミ欠陥強調処理手段、65…ノイズ除去手段、66…シミ欠陥抽出処理手段、67…blob処理手段、68…欠陥ランク分類処理手段、69…エッジ勾配検出手段、70…シミ欠陥、691…第1エッジ勾配算出手段、692…第2エッジ勾配算出手段、693…第3エッジ勾配算出手段、694…エッジ勾配合成手段。
Claims (7)
- 撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出工程と、
撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出工程と、
前記第1および第2エッジ勾配算出工程で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成工程と、
を備えることを特徴とするエッジ勾配検出方法。 - 請求項1または請求項2に記載のエッジ勾配検出方法において、
撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第2比較画素よりも離れて配置された各第3比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第3エッジ勾配算出工程を備え、
前記エッジ勾配合成工程は、第1〜3の各エッジ勾配算出工程で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とすることを特徴とするエッジ勾配検出方法。 - 請求項3に記載のエッジ勾配検出方法において、
前記第2比較画素は、第1比較画素に隣接して配置され、第3比較画素は第2比較画素の周囲に隣接して配置されていることを特徴とするエッジ勾配検出方法。 - シミ欠陥検査対象を撮像した画像からシミ欠陥領域を抽出するシミ欠陥領域抽出工程と、
前記シミ欠陥領域の各画素に対して請求項1から請求項4のいずれかに記載のエッジ勾配検出方法を実行し、各対象画素のエッジ勾配値のうち、絶対値が最大のものをシミ欠陥領域のエッジ勾配値とするエッジ勾配検出工程と、
前記シミ欠陥領域の面積を算出する面積算出工程と、
前記シミ欠陥領域のコントラストを求めるコントラスト算出工程と、
前記エッジ勾配、面積、コントラストの3種類の特徴値に基づいて前記シミ欠陥領域の欠陥ランクを評価する欠陥ランク評価工程と、
を備えていることを特徴とするシミ欠陥検出方法。 - 撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出手段と、
撮像画像において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出手段と、
前記第1および第2エッジ勾配算出手段で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものを対象画素のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成手段と、
を備えることを特徴とするエッジ勾配検出装置。 - シミ欠陥検査対象を撮像した画像からシミ欠陥領域を抽出するシミ欠陥領域抽出手段と、
シミ欠陥領域において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素に隣接して配置された各第1比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第1エッジ勾配算出手段と、
シミ欠陥領域において選択された対象画素と、この対象画素の周囲にかつ対象画素から前記第1比較画素よりも離れて配置された各第2比較画素との輝度変化率をそれぞれ求める第2エッジ勾配算出手段と、
前記第1および第2エッジ勾配算出手段で算出された各輝度変化率のうち、絶対値が最大のものをシミ欠陥領域のエッジ勾配値とするエッジ勾配合成手段と、
前記シミ欠陥領域の面積を算出する面積算出手段と、
前記シミ欠陥領域のコントラストを求めるコントラスト算出手段と、
前記エッジ勾配、面積、コントラストの3種類の特徴値に基づいて前記シミ欠陥領域の欠陥ランクを評価する欠陥ランク評価手段と、
を備えていることを特徴とするシミ欠陥検出装置。
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