JP2000020937A

JP2000020937A - 磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置

Info

Publication number: JP2000020937A
Application number: JP10188513A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Kanbe; 哲也神邊; Yuzuru Hosoe; 譲細江; Ichiro Tamai; 一郎玉井; Yoshio Takahashi; 由夫高橋; Kiwamu Tanahashi; 究棚橋; Satoru Matsunuma; 悟松沼; Yoshihiro Shiroishi; 芳博城石
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-07-03
Filing date: 1998-07-03
Publication date: 2000-01-21
Also published as: US6569545B1; US6924048B2; US20030203239A1

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度な情報の記録再生が可能で信頼性の高
い磁気記憶装置を提供する。【解決手段】磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動
する駆動部と、記録部と再生部から成る磁気ヘッドと、
上記磁気ヘッドを上記磁気記録媒体に対して相対運動さ
せる手段と、上記磁気ヘッドへの信号入力と該磁気ヘッ
ドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手
段を有する磁気記憶装置において、前記磁気ヘッドの再
生部が磁気抵抗効果型磁気ヘッドで構成し、かつ、前記
磁気記録媒体が基板上に単層、または複数の下地層を介
して形成された磁性層から構成され、該磁性層が、磁性
結晶粒が非磁性相によって分離されたグラニュラー構造
をとっており、保磁力配向比が1よりも大きい、または
磁性結晶粒を楕円近似したとき、長軸方向が円周方向か
らア30°以内である結晶粒の面積比率が45％以上であ
る、または半径方向で測定したc軸長が円周方向で測定
したのc軸長に対して1％以上膨張している媒体を用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記憶装置、具体
的には１平方インチ当たり５ギガビット以上の記録密度
を有する磁気記憶装置と、これを実現するための高出
力、低ノイズで、かつ熱磁気緩和による再生出力の減衰
が抑制された高い安定性を有す磁気記録媒体に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータ用磁気記憶装置の高
記録密度化に伴い、磁気記録媒体には一層の低ノイズ
化、高保磁力化が求められている。低ノイズ化には磁性
層中の結晶粒の微細化、粒子間の磁気的結合の低減が有
効であることが知られている。磁性結晶粒を微細化する
ための一手法として、下地層と基板間にシード層等と呼
ばれる新たな層を形成することが試みられている。この
ような例として、特開平4-153910号にはYとTi、Zr、H
f、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wの一種からなる非晶質、また
は微結晶のシード層を形成することにより、粒径が微細
化されノイズが低減することが示されている。また、非
晶質のCr合金またはV合金シード層形成によっても粒径
微細化により媒体ノイズが低減することが特開平7-7344
1号に示されている。しかし、微細な磁性結晶粒は熱擾
乱の影響をより強く受けるため、記録磁化が時間ととも
に減衰する熱磁気緩和現象が顕著になる。よって、磁性
結晶粒の極度の微細化は、記録データの長期保存に対す
る信頼性を低下させ、好ましくない。また、磁性結晶粒
が微細化されても、粒子間の磁気的結合が強い場合には
複数の磁性結晶粒が同時に磁化反転を起すため、低ノイ
ズ化の効果が得られない。このため磁性粒子間の交換相
互作用を低減する必要があるが、そのためには、磁性層
中のCr濃度を増加させ、粒界の非磁性偏析領域を増大さ
せることが有効である。しかし、Cr濃度を増加させると
磁化が低下するため、再生出力が低下し、良好な記録再
生特性が得られなくなる。

【０００３】これに対し、非晶質SiO2中にFeの微結晶粒
が分散したグラニュラー構造をとる媒体が、S. H. Liou
らによって提案された(S. H. Liou and C. L.Chien : A
ppl.Phys. Lett. 52(6), 8 Feb. 1988)。グラニュラー
媒体は、磁性結晶が非磁性相で分離されているため、粒
間の磁気的相互作用が微弱であり、かつ、磁性結晶粒が
微細であるので極めて低ノイズである。この他にも、磁
性結晶にCo合金、非磁性相にAl2O3、TiO2、ZrO2、Y2O3
を用いたグラニュラー媒体が特開平7-311929に開示され
ている。しかし、磁性結晶粒が微細なため、高い保磁力
が得られないという欠点が存在する。これに対し、特開
平07-098835号、特開平08-045073号には膜形成時の交流
バイアス印加や、膜形成後の真空中熱処理等により、高
保磁力化が実現できることが開示されている。しかし、
グラニュラー媒体は、磁性結晶粒が微細であることに加
え、各結晶の磁化容易軸であるc軸がランダムに配向し
ているため、前述のような交流バイアスや熱処理によっ
ても、ある程度の保磁力向上は見られるが、１平方イン
チ当たり５ギガビット以上の高密度記録に対しては十分
ではない。このため、低ノイズではあるが、高い記録密
度で記録した場合の再生出力が低く、良好な記録再生特
性が得られない。更に磁性結晶粒が微細であるため、前
述の熱磁気緩和現象が極めて顕著であり、高記録密度領
域で十分な信頼性が得られない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上より、グラニュラ
ー構造の媒体は低ノイズではあるが、高記録密度化を実
現するには、更なる高保磁力化と熱擾乱に対する十分な
安定性が必要である。

【０００５】本発明の目的は磁性層がグラニュラー構造
を有す低ノイズな磁気記録媒体において、該磁性層中の
磁性結晶に円周方向への磁気異方性を持たせることによ
り、高保磁力化、高保磁力各型比化を図るものである。
これにより、高記録密度での高い再生出力と、熱磁気緩
和に対する十分な安定性を有す磁気記録媒体を提供する
ことができる。更に高感度な磁気ヘッドと組み合わせ、
条件を最適化することにより、1平方インチ当たり５ギ
ガビット以上の記録密度を持った信頼性の高い磁気記憶
装置を提供することができる。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的は磁性層がグラ
ニュラー構造を有し、かつ該磁性層中の結晶粒が円周方
向に磁気的異方性をもつことを特徴とする磁気記録媒体
と、これを記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生
部から成る磁気ヘッドと、上記磁気ヘッドを上記磁気記
録媒体に対して相対運動させる手段と、上記磁気ヘッド
への信号入力と該磁気ヘッドからの出力信号再生を行う
ための記録再生信号処理手段を有する磁気記憶装置にお
いて前記磁気ヘッドの再生部が磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドで構成される磁気記憶装置により達成される。

【０００７】ここでグラニュラー構造とは、磁性層が、
非磁性相で分断された磁性結晶粒からなることをいう。
図１に本発明の一実施例媒体について、透過電子顕微観
察（TEM観察）によって得られた磁性層の表面TEM像をも
とに、結晶粒界に沿って線を引いた模式的な結晶粒像を
示す。隣接する磁性結晶粒は互いに1nm以上分離してお
り、結晶粒間には明瞭な非磁性相が確認される。磁性結
晶粒の形状は概ね球体、または楕円体であり、該結晶粒
の高さ（膜面垂直方向の長さ）は磁性膜厚よりも低く、
一つの磁性結晶粒が下地層表面から磁性層表面まで連続
的に成長した柱状構造はとらない。ただし、磁性層表面
付近では成長途中の半球、または半楕円体状の結晶粒が
存在することもある。また、初期成長層においては下地
層結晶上にエピタキシャル成長した半球状、半楕円体
状、または円錐状の磁性結晶粒が存在する場合もある。
前記磁性結晶粒はCoを主成分とする六方稠密構造（hcp
構造）の合金を用いることができるが、特に高い保磁力
を得るために、Ptを20at%以上含有することが望まし
い。また、Nd、Sm、Pr等の希土類を含む合金を用いる
と、更に高い保磁力が得られ、好ましい。該希土類を含
む合金はSmCo、FeSmN、NdFeB、PrFeN等の高い結晶磁気
異方性を有す希土類金属と遷移金属からなる合金が望ま
しく、結晶質でも非晶質でもよい。非磁性相にはAl2O
3、SiO2、Ta2O5、TiO2、ZrO2等の酸化物や、CやAg等のC
oに非固溶な元素を用いることができる。前者を用いる
と、良好なコンタクト・スタート・ストップ特性（CSS
特性）が得られ、後者では耐食性が更に向上する。.円
周方向に磁界を印加して測定した保磁力と半径方向に磁
界を印加して測定した保磁力の比（以後、保磁力配向比
と記す）を１.0より大きくすることにより、円周方向に
高い保磁力角型比が得られる。また、該保磁力配向比を
1.1以上とすることにより、熱磁気緩和による再生出力
の時間経過に伴う減衰を抑制することができる。該保磁
力配向比を1.2以上とすることにより、更に重ね書き特
性が向上する。但し、保磁力配向比が3.0を超えると媒
体ノイズが著しく増大するため、好ましくない。表面TE
M観察より得られた磁性層の表面TEM像の結晶粒を楕円近
似したときの、該楕円の長軸方向が円周方向から30°以
内である結晶粒の面積比率を45％以上とすることによ
り、高密度記録領域で高い再生出力が得られる。更に該
面積比率を60％以上とすると、DCノイズを低減できるの
でより好ましい。また、磁性結晶がhcp構造をとる場合
は、半径方向のc軸長を円周方向のc軸長より１％以上膨
張させることにより、トラック端部の記録磁化の乱れが
矯正され、実効トラック幅が向上する。また、平均粒径
を8nm以上、14nm以下、平均粒径で規格化した規格化粒
径分散を0.4以下とすることより、更に低ノイズでかつ
重ね書き特性の良好な媒体が得られる。平均粒径が8nm
未満になると保磁力の温度依存性が急激に増大し、ま
た、14nmを上回ると媒体ノイズが増大するので好ましく
ない。

【０００８】また、記録方向（円周方向）に磁界を印加
して測定した保磁力を2500エルステッド以上とし、残留
磁束密度Brと膜厚 t の積Br×tを40ガウス・ミクロン以
上、120ガウス・ミクロン以下とすると、１平方インチ
当たり５ギガビット以上の記録密度領域において、良好
な記録再生特性が得られるので好ましい。円周方向の保
磁力が2500エルステッドよりも小さくなると、高記録密
度（295kFCI以上）での出力が小さくなり好ましくな
い。また、Br×tが120ガウス・ミクロンより大きくなる
と分解能が低下し、40ガウス・ミクロンよりも小さくな
ると再生出力が小さくなり好ましくない。

【０００９】基板にはNiPメッキを施したAl-Mg合金基板
（以下、Al基板と記す）のほか、表面に強化層を設けた
化学強化ガラス基板、結晶化ガラス基板、非晶質カーボ
ン基板等を用いることができる。Al基板を用いる場合に
は、ヘッド浮上量の低減、及び浮上量の変動抑制のた
め、テクスチャリング加工による基板表面の同心円状の
溝は、形成されていないことが望ましい。基板と磁性層
の間には単層、または多層の下地層を設けることができ
る。これら下地層は基板との密着性向上、磁性層の結晶
配向と微細構造の制御、基板から膜中への不純物ガス侵
入防止等の目的で形成される。また、媒体表面に凹凸を
形成し、コンタクト・スタート・ストップ特性（ＣＳＳ
特性）を向上させるために島状成長した不連続膜の下地
層を形成することもできる。

【００１０】_ 更に、磁性層の保護層としてカーボン
を厚さ3nm〜20nm形成し、さらに吸着性のパーフルオロ
アルキルポリエーテル等の潤滑層を厚さ2nm〜20nm設け
ることにより信頼性が高く、高密度記録が可能な磁気記
録媒体が得られる。また、保護層として水素、または窒
素を添加したカーボン膜、或いは、炭化シリコン、炭化
タングステン、(W-Mo)-C、(Zr-Nb)-Ｎ等の化合物から成
る膜、或いは、これらの化合物とカーボンの混合膜を用
いると耐摺動性、耐食性を向上出来るので好ましい。

【００１１】上記磁気記録装置で用いている磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの磁気抵抗センサ部を挟む2枚のシール
ド層の間隔（シールド間隔）は0.30μm以下が好まし
い。これは、シールド間隔が0.30μm以上になると分解
能が低下し、信号の位相ジッターが大きくなってしまう
ためである。更に、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを、互い
の磁化方向が外部磁界によって相対的に変化することに
よって大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、
その導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層を含
む磁気抵抗センサによって構成し、巨大磁気抵抗効果、
或いはスピン・バルブ効果を利用したものとすることに
より、信号強度をさらに高めることができ、１平方イン
チ当たり６ギガビット以上の記録密度を持った信頼性の
高い磁気記憶装置の実現が可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】＜実施例１＞本発明の実施例を図
２、図３、図４を用いて説明する。本実施例の磁気記憶
装置の平面摸式図、断面摸式図を図２(a)、及び図２(b)
に示す。この装置は磁気ヘッド1、及びその駆動部2と、
該磁気ヘッドの記録再生信号処理手段3と磁気記録媒体4
とこれを回転させる駆動部5とからなる周知の構造を持
つ磁気記憶装置である。

【００１３】上記磁気ヘッドの構造を図３に示す。この
磁気ヘッドは基体6上に形成された記録用の電磁誘導型
磁気ヘッドと再生用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを併せ
持つ複合型ヘッドである。前記記録用ヘッドはコイル7
を挟む上部記録磁極8と下部記録磁極兼上部シールド層9
からなり、記録磁極間のギャップ層厚は0.3μmとした。
また、コイルには厚さ3μmのCuを用いた。前記再生用ヘ
ッドは磁気抵抗センサ10とその両端の電極パタン11から
なり、磁気抵抗センサは共に1μm厚の下部記録磁極兼上
部シールド層と下部シールド層12で挟まれ、該シールド
層間距離は0.25μmである。尚、図３では記録磁極間の
ギャップ層、及びシールド層と磁気抵抗センサとのギャ
ップ層は省略してある。

【００１４】図４に磁気抵抗センサの断面構造を示す。
磁気センサの信号検出領域13は、酸化Alのギャップ層14
上に横バイアス層15、分離層16、磁気抵抗強磁性層17が
順次形成された部分からなる。磁気抵抗強磁性層には、
20nmのNiFe合金を用いた。横バイアス層には25nmのNiFe
Nbを用いたが、NiFeRh等の比較的電気抵抗が高く、軟磁
気特性の良好な強磁性合金であれば良い。横バイアス層
は磁気抵抗強磁性層を流れるセンス電流がつくる磁界に
よって、該電流と垂直な膜面内方向（横方向）に磁化さ
れ、磁気抵抗強磁性層に横方向のバイアス磁界を印加す
る。これによって、媒体からの漏洩磁界に対して線形な
再生出力を示す磁気センサが得られる。磁気抵抗強磁性
層からのセンス電流の分流を防ぐ分離層には、比較的電
気抵抗が高いTaを用い、膜厚は5nmとした。信号検出領
域の両端にはテーパー形状に加工されたテーパー部18が
ある。テーパー部は、磁気抵抗強磁性層を単磁区化する
ための永久磁石層19と、その上に形成された信号を取り
出すための一対の電極11からなる。永久磁石層は保磁力
が大きく、磁化方向が容易に変化しないことが必要であ
り、CoCr、CoCrPt合金等が用いられる。

【００１５】図５(a)、図５(b)に本実施例で使用した成
膜装置の断面図、及び平面図を示す。本装置は、基板20
とこれを保持する基板ホルダー21、基板背面に設置され
たランプヒータ22、基板を回転させる駆動部23、シャッ
ター24、及び4基のカソード25からなる。各カソードに
は第一の下地層ターゲット26、第二の下地層ターゲット
27、磁性層ターゲット28、保護膜ターゲット29が取り付
けられている。図では省略されているが、ターゲットホ
ルダー位置は上下方向へ移動でき、ターゲットと基板間
距離、及びスパッタ粒子の入射角を変化させることがで
きる。媒体に円周方向の磁気異方性を付与するため、磁
性層の形成時にのみ、シャッターを閉じた。図６(a)、
図６(b)に、磁性膜形成時の基板、シャッター、及びシ
ャッターに設けられた長方形の開口部30の相対的な位置
関係を模式的に示す。図には示されていないが、磁性タ
ーゲットを取り付けたカソードは紙面左側に配置されて
いる。このとき、紙面左側から飛来する磁性ターゲット
のスパッタ粒子は、シャッターで遮閉され、開口部を通
過したスパッタ粒子のみが基板に到達する。よって、ス
パッタ粒子の入射方向は、図中の矢印で示したように常
に基板の円周方向と平行となる。

【００１６】図７に本発明の磁気記録媒体の層構造を示
す。テクスチャリング加工を施していない平滑なAl基板
31を180℃まで加熱し、第一の下地層32としてCrを30n
m、第二の下地層33としてCr-5at%Bを30nm、(Co-25at%P
t)-12mol%SiO2合金磁性層34を22nm、カーボン保護膜35
を6nmと順次形成した。各層の成膜は、全てArに10％窒
素を添加した混合ガスを用い、5mTorrの雰囲気中で行っ
た。また、基板は10〜30rpmで回転させ、スパッタ粒子
の基板面に対する入射角を30〜45°まで変化させた。

【００１７】本実施例媒体の全てのX線プロファイルに
は、磁性層からの複数の回折ピークが見られ、Co合金は
hcp構造をとり、磁化容易軸であるc軸はほぼ3次元的に
ランダム配向していることがわかった。透過電子顕微鏡
観察（TEM観察）により磁性層表面の明視野像を撮影し
ところ、グラニュラー構造が確認された。次に、以下に
示す手法で詳細な粒径解析を行った。まず、得られた数
十〜100万倍程度の明視野像をスキャナに取り込み、パ
ソコン画面上に表示した。その粒界に沿って線を引き、
図１に示した様な、個々の磁性結晶の結晶粒像を作製し
た。そして市販の粒子解析ソフトを用い、各結晶粒を楕
円近似し、その長軸長と短軸長、及び面積を求めた。各
結晶粒の長軸と短軸の値を図８にプロットした。図より
長軸と短軸の比は概ね1〜3の範囲内に分布していること
がわかる。図９に本実施例の一媒体について、長軸方向
が円周方向となす角度がθ°である磁性結晶粒の面積比
率の分布を示すヒストグラムを示す。θ=0°が長軸方向
が円周方向を向いた状態であり、θ=90°が半径方向を
向いた状態である。本媒体ではθが0〜30°領域、即ち
長軸方向が円周方向から30°以内にある磁性結晶粒の面
積比率が最も高く、52.1％であった。このことより、前
記成膜方式で磁性層を形成することにより、磁性結晶粒
の形状が概ね楕円体となり、その長軸方向の分散が等方
的でなく、円周方向に配向することがわかる。このた
め、本実施例媒体には、円周方向に各磁性結晶粒の形状
磁気異方性に起因した磁気異方性が導入されていると考
えられる。

【００１８】本実施例媒体を線記録密度295kFCIで信号
を記録し、媒体ノイズの測定を行ったところ、何れの媒
体も0.018以下の低い規格化媒体ノイズを示した。ここ
で、規格化媒体ノイズは媒体ノイズを孤立再生波の出力
とトラック幅で規格化した値であり、以後媒体ノイズは
この値で以て相対的に評価する。図１０(a)、(b)、(c)
に円周方向に磁界を印加して測定した保磁力（以下、Hc
cと記す）と半径方向に磁界を印加して測定した保磁力
（以下、Hcrと記す）の比として定義した保磁力配向比H
cc/Hcrと保磁力角型比S*、再生出力の減衰率、及び重ね
書き特性の関係を示す。ここで、再生出力の減衰率は記
録直後の再生出力E0と48時間後の再生出力E48hの差をE0
で規格化した値、即ち(E48h-E0)/E0で定義される値であ
る。保磁力配向比が1より大きい本実施例媒体では何れ
も0.8以上の高い保磁力角型比S*が得られている。ま
た。該保磁力配向比が1.1以上の媒体では、再生出力の
減衰率が-1％以上に抑制されている。更に該配向比が1.
2以上では40dB以上の高い重ね書き特性が得られてい
る。以上より、磁性層がグラニュラー構造をとる媒体に
おいて、保磁力配向比を1より大きくすることにより、
低い媒体ノイズを維持したまま、高い保磁力角型比が得
られることがわかった。また、該保磁力比を1.1以上と
することにより、更に再生出力の減衰が抑制され、1.2
以上とすることにより、更に重ね書き特性が向上するこ
とがわかった。

【００１９】本実施例媒体に潤滑剤36を塗布したのち、
上記磁気ヘッドとともに磁気記憶装置に組み込み、一平
方インチ当たり５ギガビットの条件で記録再生特性を評
価したところ、2.1という高い装置S/Nが得られた。ま
た、CSS試験を行ったところ、３万回のCSSを行っても摩
擦係数は0.2以下であった。

【００２０】＜実施例２＞実施例1と同様の装置を用
い、化学強化ガラス基板上に、室温でV下地層を20nm形
成した後、ランプヒーターにより150℃まで加熱し、更
に(Co-15at%Sm)-20at%Ag磁性層を14nm、カーボン保護膜
を6nmと順次形成した。磁性層の成膜はCoターゲット上
にSmチィップとAgチィップを配置して行い、組成はSmチ
ィップ及び、Agチィップの枚数で制御した。基板は10〜
30rpmで回転させ、実施例1で述べたように、磁性層の成
膜のみシャッターを閉じた状態で行った。また、すべて
の層の成膜は、Arに20％窒素を添加した混合ガス雰囲気
中で行った。比較例として、シャッターを開いた状態で
磁性層を形成した媒体を作製した。

【００２１】本実施例、及び比較例媒体についてX線回
折測定を行ったところ、磁性層からの明瞭な回折ピーク
は観察されず、磁性層は非晶質、またはそれに近い微結
晶構造であることがわかった。また、磁性層のTEM観察
を行ったところ、2〜3nm程度の非磁性相で磁性結晶粒が
分断されたグラニュラー構造が確認された。実施例１で
述べた手法と同様な手法により、長軸方向が円周方向と
なす角度がθが30°以内である磁性結晶粒の面積比率を
求めたが、本実施例媒体の該面積比率は全て45％以上で
あった。表１に、本実施例媒体、及び比較例媒体につい
て、前記面積比率と、実施例1で述べた48時間後の再生
出力の減衰率、及び線記録密度295kFCIで記録したとき
の再生出力の値を示す。

【００２２】

【表１】

【００２３】本実施例媒体は全て再生出力の減衰率は-1
％以上であり、295kFCIでの再生出力の値も比較例より2
〜3割程度高い。また、線記録密度と再生出力の関係を
示すロールオフ曲線において、再生出力が半減するとき
の線記録密度として定義されるD50の値にも、比較例媒
体に対し、30〜50kFCI程度の向上がみられた。これは、
前記面積比率が45％以上であることによって、円周方向
に強い形状磁気異方性が生じたことが原因と思われる。
以上より、長軸方向が円周方向から30°以内にある磁性
結晶粒の面積比率を45%以上にすることにより、熱磁気
緩和による再生出力の減衰が抑制されると同時に、高線
記録密度領域で高い再生出力が得られることが明らかに
なった。本媒体を実施例１で述べた磁気ヘッドともに装
置に組み込み、インターフェイス条件を最適化して一平
方インチ当たり５ギガビットの条件で記録再生特性の評
価を行ったところ、1.9という高い装置S/Nが得られた。

【００２４】＜実施例３＞アルカリ洗浄した結晶化ガラ
ス基板上に下地層として50nmのNbを室温で形成し、ラン
プヒータで加熱したのち、磁性層として30nmの(Co-25at
%Pt)-24mol%SiO2合金、6nmのカーボン保護膜と連続して
形成した。成膜は全て、5mTorrのAr雰囲気中で行い、基
板は30rpmで回転させた。本実施例での成膜は、実施例1
で述べた成膜装置において、ランプヒータと基板の間
に、中心部に直径3cmの円形の開口部を設けた断熱反射
板を設置した装置を用いて行った。また、磁性層を含む
全ての層の成膜はシャッターを開けた状態で行った。基
板加熱後、赤外線モニタにより、温度分布を計測したと
ころ、内周部から外周部へ向けて減少する、同心円状の
等温領域を有す温度分布が確認された。また、比較例と
して上記断熱反射板がない状態で、上記同一成膜条件で
媒体を成膜した。

【００２５】磁性層のTEM観察を行ったところ、実施
例、比較例媒体ともに粒径9〜11nm程度の磁性結晶粒が
非磁性相で分断されたグラニュラー構造をとっていた。
X線回折測定を行った結果、何れの媒体も磁性層中のCo
合金はhcp構造をとり、磁化容易軸であるc軸はほぼ3次
元的にランダム配向していることがわかった。更に、両
媒体について以下に示す2種類の方法でX線回折測定を行
った。まず第一の方法は、X線の散乱波の波動ベクトルk
1と入射波の波動ベクトルk2の差である散乱ベクトルΔk
(=k2-k1)が媒体の円周方向と直交し、かつ膜法線と78°
の角度をなすようにθ-2θスキャンを行うものである。
また、第二の方法は散乱ベクトルΔkが媒体の半径方向
と直交し、かつ膜法線と78°の角度をなすようにθ-2θ
スキャンを行うものである。実施例媒体では何れも2θ=
42°付近に微弱な回折ピークがみられたが、ピーク位置
は第一の測定方法で得られたプロファイルの方が低角側
にあった。このことは実施例媒体ではc軸がほぼ円周方
向を向いたhcp構造の結晶粒のc軸長が、c軸がほぼ媒体
半径方向を向いた結晶粒のc軸長よりも圧縮されている
ことを示している。ピーク位置の2θからブラッグ反射
の条件式を用いて円周方向と半径方向のc軸長を求めた
ところ、円周方向のc軸長が半径方向に対し、1.4％程度
膨張していた。これに対し、比較例媒体では円周方向と
半径方向のc軸長の差は1％未満であった。これは、同心
円状の等温領域が、内周側から外周側へ向けて減少して
いる温度分布により、円周方向に圧縮応力が導入された
結果と考えられる。

【００２６】

【表２】

【００２７】表２に示したように、比較例媒体では再生
出力の減衰率が30％程度であるのに対し、実施例媒体で
は、-1％以上に抑制されている。表には、200kFCIで記
録したときの両媒体の実効再生トラック幅も示してあ
る。実効再生トラック幅とは、再生出力のトラック幅方
向の分布を示すオフトラックプロファイルにおいて、出
力の値が最大値の95％から5％まで低下するまでのトラ
ック幅として定義した値である。実施例媒体の実効再生
トラック幅は、比較例媒体に対し20％程度高く、トラッ
ク端部での再生出力の減衰が少ないことを示している。
これは上述のように、c軸方向の磁歪定数が負であるCo
合金結晶が円周方向に圧縮された結果、円周方向に磁気
異方性が誘導されたためと考えられる。

【００２８】本実施例媒体と再生用磁気ヘッドに図１１
に示すセンサを用いた複合型ヘッドを実施例１で述べた
磁気記憶装置に組み込んだ。このセンサはギャップ層14
上に、5nmのTaバッファ層37、7nmの第一の磁性層38、1.
5nmのCu中間層39、3nmの第二の磁性層40、10nmのFe-50a
t%Mn反強磁性合金層41が順次形成された構造である。前
記第一の磁性層にはNi-20at%Fe合金を使用し、第二の磁
性層にはCoを使用した。反強磁性層からの交換磁界によ
り、第二の磁性層の磁化は一方向に固定されている。こ
れに対し、第二の磁性層と非磁性層を介して接する第一
の磁性層の磁化の方向は、磁気記録媒体からの漏洩磁界
により変化するため、抵抗変化が生じる。このような二
つの磁性層の磁化の相対的方向の変化に伴う抵抗変化は
スピンバルブ効果と呼ばれるが、本実施例では再生用ヘ
ッドにこの効果を利用したスピンバルブ型磁気ヘッドを
使用した。テーパー部は実施例１の磁気センサと同一構
成である。一平方インチ当たり6ギガビットの条件で記
録再生特性を評価したところ、2.0という高い装置S/Nが
得られた。また、CSS試験を行ったところ、3万回のCSS
を行っても摩擦係数は0.2以下であった。更に媒体の内
周から外周なでのヘッドシーク試験5万回後のビットエ
ラー数は10ビット/面以下であり，平均故障間隔で30万
時間以上が達成出来た．＜実施例４＞実施例1と同様の装置を用い、カーボン基
板上にNi-50at%Taシード層を50nm形成したのち、ランプ
ヒータにより、100〜400℃まで加熱し、(Co-30at%Pt)-4
5at%C磁性層22nm、カーボン保護膜6nmを連続して形成し
た。磁性膜形成時にのみ、シャッターを閉じ、0〜-200V
の基板バイアスを印加した。カーボン保護膜の成膜は、
Arに水素を20％添加した混合ガス雰囲気中で行い、その
他の層はAr雰囲気中で形成した。基板は20rpmで回転さ
せ、基板に対するスパッタ粒子の入射角は30°とした。

【００２９】本実施例媒体について、磁性層のTEM観察
を行ったところ、磁性結晶粒が非磁性相で分断されたグ
ラニュラー構造をとっていた。また、X線回折測定で
は、何れの媒体も磁性層中のCo合金はhcp構造をとり、
磁化容易軸であるc軸はほぼ3次元的にランダム配向して
いることがわかった。また、本実施例媒体は、全て円周
方向と半径方向に磁界を印加して測定した保磁力の配向
比は1.1以上であり、長軸方向が円周方向となす角度が
θが30°以内である磁性結晶粒の面積比率は45％以上で
あった。実施例１で述べた手法で磁性層の明視野像を作
製し、各結晶粒の粒径を算出した。尚、粒径は各結晶粒
と同一面積の真円の直径として定義した。本実施例の一
媒体の各結晶粒の粒径と、粒径がそれ以下である結晶粒
の面積の積算の関係を図１２に示す。ここで、平均粒径
<d>を図に示すように積算面積比率が50%となるときの結
晶粒径と定義する。また、積算面積比率が75%となると
きの結晶粒径と25%となるときの結晶粒径の差を粒径分
散s、また、s/<d>を規格化粒径分散と定義する。図１３
に平均粒径<d>と規格化媒体ノイズ、及び保磁力の温度
変化率の関係を示す。ここで保磁力の温度変化率は、室
温から100℃までの保磁力変化を直線近似したときの勾
配と定義した値である。平均粒径が14nmを上回ると規格
化媒体ノイズが増大するため、好ましくない。また、8n
m未満では保磁力の温度変化率が著しく増大するため、
好ましくない。よって、平均粒径は8nm以上、14nm以下
であることが望ましい。表３に平均粒径が前記範囲内で
ある媒体について、規格化粒径分散、規格化媒体ノイ
ズ、及び重ね書き特性を示す。

【００３０】

【表３】

【００３１】いずれの媒体も0.018以下の低い規格化媒
体ノイズを示している。但し、規格化粒径分散が0.4以
下である媒体は他よりも媒体ノイズが更に10％程度低
く、また重ね書き特性が10dB程度向上している。これよ
り、平均粒径を8nm以上、14nm以下とし、かつ規格化粒
径分散を0.4以下とすることにより、特に低ノイズで重
ね書き特性が良好な媒体が得られることがわかった。

【００３２】本実施例媒体と実施例３で述べたスピンバ
ルブ型磁気ヘッドを実施例１で述べた磁気記憶装置に組
み込み、一平方インチ当たり６ギガビットの条件で記録
再生特性を評価したところ、2.1という高い装置S/Nが得
られた。また、CSS試験を行ったところ、３万回のCSSを
行っても摩擦係数は0.2以下であった。

【００３３】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、媒体ノイズの
低減、高記録密度領域での再生出力向上、及び熱磁気緩
和による再生出力減衰に対する抑制効果を持つ。本発明
の磁気記録媒体と磁気抵抗効果型ヘッドを用いることに
より、一平方インチ当たり５ギガビット以上の記録密度
を有し、かつ平均故障回数が30万時間以上の磁気記憶装
置の実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例媒体の、磁性層表面TEM像の
模式図である。

【図２】(a)および(b)は、それぞれ、本発明の一実施例
の磁気記憶装置の平面模式図、及びそのA-A' 断面図で
ある。

【図３】本発明の磁気記憶装置における、磁気ヘッドの
断面構造の一例を示す斜視図である。

【図４】本発明の磁気記憶装置における、磁気ヘッドの
磁気抵抗センサ部の断面構造の一例を示す模式図であ
る。

【図５】(a)および(b)は、それぞれ、本発明で用いた成
膜装置の平面模式図、及び断面模式図である。

【図６】本発明で用いた成膜方式における、基板とシャ
ッターの相対的位置関係を示す模式図である。

【図７】本発明の一実施例の、磁気記録媒体の断面構造
の一例を示す模式図である。

【図８】本発明の一実施例媒体の、磁性結晶粒を楕円近
似したときの長軸と短軸をプロットした図である。

【図９】本発明の一実施例媒体の、磁性結晶粒の長軸方
向と円周方向がなす角度と面積比率の関係を示すヒスト
グラムを示す図である。

【図１０】(a)、(b)及び(c)は本発明の一実施例媒体
の、保磁力角型比、再生出力の減衰率、及び重ね書き特
性と保磁力配向比の関係を示す図である。

【図１１】本発明の磁気記憶装置における、磁気ヘッド
の磁気抵抗センサ部の断面構造の一例を示す模式図であ
る。

【図１２】本発明の一実施例媒体における、磁性結晶粒
径と積算面積比率の関係を示す図である。

【図１３】(a)及び(b)は、本発明の一実施例媒体におけ
る磁性結晶粒の平均粒径と規格化媒体ノイズ、及び保磁
力の温度変化率の関係を示す図である。

【符号の説明】

1...磁気ヘッド、2...磁気ヘッド駆動部、3...記録再生
信号処理系、4...気記録媒体、5...磁気記録媒体駆動
部、6...基体、7...コイル、8...上部記録磁極、9...下
部記録磁極兼上部シールド層、10...磁気抵抗センサ、1
1...導体層、12...下部シールド層、13...信号検出領
域、14...シールド層と磁気抵抗センサの間のギャップ
層、15...横バイアス層、16...分離層、17...磁気抵抗
強磁性層、18...テーパー部、19 永久磁石層、20...
基板、21...基板ホルダー、22...ランプヒータ、23...
基板回転駆動部、24...シャッター、25...カソード、2
6...第一の下地層ターゲット、27...第二の下地層ター
ゲット、28...磁性層ターゲット、29...保護膜ターゲッ
ト、30...開口部、31...基板、32...第一の下地層、3
3...第二の下地層、34...磁性層、35...保護膜、36...
潤滑剤、37...バッファ層、38...第一の磁性層、39...
中間層、40...第二の磁性層、41...反強磁性層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者玉井一郎東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者高橋由夫東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者棚橋究東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者松沼悟東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者城石芳博東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 CA06 DA03 FA09 5D034 BA02 BA04 BB02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に単層、または複数の下地層を介し
て磁性層が形成されており、該磁性層が、磁性結晶粒が
非磁性相によって分離されたグラニュラー構造を有する
磁気記録媒体の、円周方向の保磁力Hccと半径方向の保
磁力Hcrの比Hcc/Hcrが1.0よりも大きく、3.0以下である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記磁気記録媒体において、円周方向の保
磁力Hccと半径方向の保磁力Hcrの比Hcc/Hcrが、1.1以上
であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】上記磁気記録媒体において、円周方向の保
磁力Hccと半径方向の保磁力Hcrの比Hcc/Hcrが、1.2以上
であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】上記磁性結晶粒の平均粒径が8nm以上、か
つ14nm以下であり、粒径分散を平均粒径で規格化した規
格化粒径分散の値が0.4以下であることを特徴とする請
求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】磁性層中の磁性相がCoを主成分とする六方
稠密構造の合金からなることを特徴とする請求項１記載
の磁気記録媒体。
【請求項６】磁性層中の磁性相がSm、Nd、Gd、Prのうち
の少なくとも一種類と遷移金属を含有する結晶質、また
は非晶質合金からなることを特徴とする請求項１記載の
磁気記録媒体。
【請求項７】磁性層中の非磁性相の主成分がAl2O3、SiO
2、Ta2O5、TiO2、またはZrO2であることを特徴とする請
求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項８】磁性層中の非磁性相がC、またはAgからな
ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項９】基板上に単層、または複数の下地層を介し
て磁性層が形成されており、該磁性層が、磁性結晶粒が
非磁性相によって分離されたグラニュラー構造を有する
磁気記録媒体の、該磁性結晶粒を楕円近似した場合、そ
の長軸方向が円周方向から30°以内である結晶粒の面積
比率が45％以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】上記磁性結晶粒を楕円近似した場合、そ
の長軸方向が円周方向から30°以内である結晶粒の面積
比率が60％以上であることを特徴とする請求項９記載の
磁気記録媒体。
【請求項１１】上記磁性結晶粒の平均粒径が8nm以上、
かつ14nm以下であり、粒径分散を平均粒径で規格化した
規格化粒径分散の値が0.4以下であることを特徴とする
請求項９記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】磁性層中の磁性相がCoを主成分とする六
方稠密構造の合金からなることを特徴とする請求項９記
載の磁気記録媒体。
【請求項１３】磁性層中の磁性相がSm、Nd、Gd、Prのう
ちの少なくとも一種類と遷移金属を含有する結晶質、ま
たは非晶質合金からなることを特徴とする請求項９記載
の磁気記録媒体。
【請求項１４】磁性層中の非磁性相の主成分がAl2O3、S
iO2、Ta2O5、TiO2、またはZrO2であることを特徴とする
請求項９記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】磁性層中の非磁性相がC、またはAgから
なることを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】基板上に単層、または複数の下地層を介
して磁性層が形成されており、該磁性層が、磁性結晶粒
が非磁性相によって分離されたグラニュラー構造を有す
る磁気記録媒体の、上記磁性層の磁性結晶粒が六方稠密
構造をとり、該磁性結晶粒の半径方向で測定したc軸長
が円周方向で測定したc軸長に対して1％以上膨張してい
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１７】上記磁性結晶粒の平均粒径が8nm以上、
かつ14nm以下であり、粒径分散を平均粒径で規格化した
規格化粒径分散の値が0.4以下であることを特徴とする
請求項１６記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】磁性層中の磁性相がCoを主成分とする六
方稠密構造の合金からなることを特徴とする請求項１６
記載の磁気記録媒体。
【請求項１９】磁性層中の磁性相がSm、Nd、Gd、Prのう
ちの少なくとも一種類と遷移金属を含有する結晶質、ま
たは非晶質合金からなることを特徴とする請求項１６記
載の磁気記録媒体。
【請求項２０】磁性層中の非磁性相の主成分がAl2O3、S
iO2、Ta2O5、TiO2、またはZrO2であることを特徴とする
請求項１６記載の磁気記録媒体。
【請求項２１】磁性層中の非磁性相がC、またはAgから
なることを特徴とする請求項１６記載の磁気記録媒体。
【請求項２２】磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動
する駆動部と、記録部と再生部から成る磁気ヘッドと、
上記磁気ヘッドを上記磁気記録媒体に対して相対運動さ
せる手段と、上記磁気ヘッドへの信号入力と該磁気ヘッ
ドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手
段を有する磁気記憶装置の、上記磁気ヘッドの再生部が
磁気抵抗効果型磁気ヘッドで構成され、かつ、上記磁気
記録媒体が請求項１から２１までに記載の磁気記録媒体
で構成されることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２３】前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが、互い
の磁化方向が外部磁界によって相対的に変化することに
よって大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、
該導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層を含む
磁気抵抗センサによって構成されていることを特徴とす
る請求項２２記載の磁気記憶装置。
【請求項２４】前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵
抗センサ部が、互いに0.30μm以下の距離だけ隔てられ
た軟磁性体からなる２枚のシールド層の間に形成されて
おり、かつ、前記磁性膜の厚さtと、記録時における該
磁気記録媒体に対する上記磁気ヘッドの相対的な走行方
向に磁界を印加して測定した残留磁束密度Brの積Br×t
が40ガウス・ミクロン以上、120ガウス・ミクロン以下
であり、さらに、上記の磁界印加方向と同じ方向に磁界
を印加して測定した前記磁気記録媒体の保磁力が2500エ
ルステッド以上であることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２５】前記磁気抵抗効果型磁気ヘッドが、互い
の磁化方向が外部磁界によって相対的に変化することに
よって大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、
該導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層を含む
磁気抵抗センサによって構成されていることを特徴とす
る請求項２４記載の磁気記憶装置。