JP2007129086A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】トレンチ絶縁膜を形成した半導体装置の耐圧を向上させる。
【課題手段】素子領域には、p型半導体ピラー層13とn型半導体ピラー層14とを交互に形成してなるピラー層15が形成される。この素子領域を囲う終端領域にトレンチ絶縁膜31が形成され、このトレンチ絶縁膜31の内側及び外側にも、p型半導体ピラー層13A及びn型半導体ピラー層14Aが記載されている。トレンチ絶縁膜31の第1辺31A、及び第2辺31Bとは、ピラー層13、14の長手方向と略45°で交わる。
【選択図】図1
【課題手段】素子領域には、p型半導体ピラー層13とn型半導体ピラー層14とを交互に形成してなるピラー層15が形成される。この素子領域を囲う終端領域にトレンチ絶縁膜31が形成され、このトレンチ絶縁膜31の内側及び外側にも、p型半導体ピラー層13A及びn型半導体ピラー層14Aが記載されている。トレンチ絶縁膜31の第1辺31A、及び第2辺31Bとは、ピラー層13、14の長手方向と略45°で交わる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に関し、より詳しくは素子領域を囲う終端構造を有する半導体装置に関する。
パワーMOSFET等の半導体素子では、素子耐圧とオン抵抗との間にトレードオフの関係が存在し、このトレードオフを改善し、耐圧が高く低オン抵抗の半導体素子を提供することが重要な課題である。この課題を解決するMOSFETの一例として、ドリフト層にスーパージャンクション構造と呼ばれる断面短冊状のp型ピラー層とn型ピラー層を横方向に交互に埋め込んだ構造が知られている(例えば、特許文献1参照)。スーパージャンクション構造はp型ピラー層とn型ピラー層に含まれるチャージ量(不純物量)を同じとすることで、擬似的にノンドープ層を作り出し、高耐圧を保持しつつ、高ドープされたn型ピラー層を通して電流を流すことで、材料限界を越えた低オン抵抗を実現するものである。
一方、このような半導体装置は、MOSFETのソース領域やゲート電極などが形成された素子領域と、これを囲む終端領域とから構成される。素子の耐圧を上げるため、様々な構造の終端領域の構造が提案されている。その1つに、終端領域に素子領域を囲う終端トレンチを形成し、この終端トレンチにトレンチ絶縁膜を埋め込んだ終端領域構造が知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−15744号公報
特開2002−170955号公報
本発明は、終端領域にトレンチ絶縁膜を形成した半導体装置の耐圧を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る半導体装置は、第1導電型の第1半導体層と、第1導電型の第1半導体ピラー層と第2導電型の第2半導体ピラー層とを前記第1半導体層の表面に沿った第1の方向に交互にストライプ状に形成してなるピラー層と、前記ピラー層上に形成される半導体素子と、前記半導体素子が形成される素子領域と終端領域との境界に形成される終端トレンチと、前記終端トレンチに埋め込まれ前記素子領域と前記終端領域とを絶縁分離するトレンチ絶縁膜とを備え、前記終端トレンチは、少なくとも交差する第1辺と第2辺とを備え、前記第1の方向が前記第1辺及び第2辺と鋭角に交わるように形成されたことを特徴とする。
本発明によれば、終端領域にトレンチ絶縁膜を形成した半導体装置の耐圧を向上させた半導体装置を提供することことができる。
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置を、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施の形態に係る半導体装置の平面図であり、図2は図1におけるA−A’断面図を示している。なお、図1では、単純化のため、後述するゲート電極等は表記を省略している。
図1に示すように、本実施の形態の半導体装置の素子領域には、p型半導体ピラー層13、及びn型半導体ピラー層14を交互にストライプ状に形成してなるスーパージャンクション構造としてのピラー層15を有するMOSFETが形成されている。そして、この素子領域を囲う終端領域には、トレンチ絶縁膜31が例えば図1に示すように略正方形状に形成されている。またこのトレンチ絶縁膜31の内側及び外側には、p型半導体ピラー層13、及びn型半導体ピラー層14と同様のp型半導体ピラー層13A、n型半導体ピラー層14Bが、全周に亘り略均一の幅に形成されている。このように、トレンチ絶縁膜31にピラー層13A及び14Aが隣接して形成されることは、素子耐圧を向上させる上で好ましい。そして、この隣接するピラー層13A、14Aは、素子領域を囲うトレンチ絶縁膜31全周に亘り均一の幅に形成されていることが、素子耐圧を向上させる上で好ましい。
素子領域に形成されるp型半導体ピラー層13、14は、略正方形状に形成されたトレンチ絶縁膜31の第1辺31A、第2辺31B(第1辺に対し略直交)に対し、約45度方向を長手方向として延びている。換言すれば、トレンチ絶縁膜31の交差する2辺31A、13Bに対し、同じ角度で交わるような方向に長手方向を有するように、各ピラー層13、14が形成されている。
図2のA−A’断面図に示すように、ピラー層15は、n+型ドレイン層11の上に後述する工程により形成される。なお、ドレイン層11の裏面には、ドレイン電極10が形成される。このピラー層15の上に、p型ベース層16が形成され、更にこのp型ベース層16にMOSFETのn+型ソース層17が形成される。そして、このn+型ソース層17とn型ピラー層14とに挟まれるp型ベース層16(チャネル)の上に、ゲート絶縁膜18を介してゲート電極19が形成されている。n+型ソース層17とp型ベース層16とは、ソース電極20に電気的に接続される。なお、ソース電極20は、MOSFETの非導通時に空乏層を横方向に伸ばして耐圧を向上させるため、終端領域まで延引されたフィールドプレート電極21を備えている。なお、フィールドプレート電極21とピラー層15との間には、フィールドプレート絶縁膜32が形成されている。このゲート電極18に所定のゲート電圧が印加されると、ゲート電極19直下のp型ベース層17すなわちチャネルに反転層が形成され、MOSFETのドレイン−ソース間が導通する。これらのMOSFETの形成工程は周知であるので、その詳細な説明は省略する。
このようなMOSFETが形成される素子領域と終端領域との境界にトレンチT1が形成され、このトレンチT1に絶縁膜30を介してトレンチ絶縁膜31が形成されている。前述のように、素子領域のピラー層13、14の長手方向は、略正方形に形成されたトレンチ絶縁膜31の第1辺31A、第2辺31Bに対し、約45度で鋭角に交わっている。換言すれば、トレンチ絶縁膜31の交差する2辺31A、31Bに対し、ほぼ同じ鋭角の角度をなす方向に長手方向を有するように、各ピラー層13、14が形成されている。この点、従来技術の半導体装置において、素子領域のピラー層の配列方向と、矩形のトレンチ絶縁膜の一辺の方向とが略同一方向とされていたのと異なっている。このような配置関係が取られていることにより、トレンチ絶縁膜31に沿うピラー層13A、14Aを、素子領域に形成されるピラー層13、14と同時に、1つの工程で、しかも全周に亘ってほぼ均一の幅に形成することが可能になる。従来技術の構成の場合、素子領域のピラー層と平行な素子分離トレンチに対しては同様なピラー層が形成される一方、素子領域のピラー層と垂直な素子分離トレンチに対してはイオン注入が十分になされず、従ってピラー層が形成されない。このため、トレンチ絶縁膜の周囲に均一なpnピラー層を形成することができなかった。
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程を、図3〜8を参照して説明する。まず、図3に示すように、n+型ドレイン層11となるn+型基板上に、n型エピタキシャル層12を成長させる。次に図4に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、このn型エピタキシャル層12に、トレンチ絶縁膜31埋め込み用のトレンチT1、及び素子領域のピラー層15を形成するためのトレンチT2を形成する。続いて図5に示すように、このトレンチT1、T2の側面に、砒素(As)及びボロン(B)をイオン注入する。トレンチT2に対するイオン注入の角度は、例えば5°〜7°程度とする。トレンチT1に対しては、このトレンチT2に対する注入角度と異なる注入角度とはなるが、同様なイオン注入が同時になされる。
その後、1150℃、24時間程度の熱処理を行うことにより、トレンチT1、T2で挟まれたメサ構造のn型エピタキシャル層12の両側からAs及びBを同時に拡散させる。このとき、Asの拡散係数よりもBの拡散係数が1桁程度大きいことにより、図6に示すように、トレンチT1、T2で分断されたメサ構造のn型エピタキシャル層2の中央部には、拡散係数の大きいBにより、短冊状のp型半導体ピラー層13が形成され、メサ構造の表面側には、短冊状のn型半導体ピラー層14が自己整合的に形成される。
一方、トレンチT1の側面に対しては、トレンチT2に対するのとは異なるイオン注入角度でイオン注入がなされるが、トレンチT1の直交する2辺に対しては同一の条件により注入がなされる。従って、トレンチT1の側面に形成されるピラー層13A、14Aも、全周に亘って均一の厚さとなる。
続いて、図7に示すように、トレンチT2に、メサ構造部分に形成されたp型半導体ピラー層13と同一の不純物濃度を有するp型シリコンをエピタキシャル成長させてトレンチT2を埋める。これにより、素子領域のピラー層15すなわちスーパージャンクション構造が完成する。更に、図8に示すように、トレンチT1の側面にスパッタリング等により絶縁膜30を形成した後、シリカ粒子を含む溶液を塗布して、トレンチT1を充填する。その後、周知のフォトリソグラフィ法、イオン注入、CVD法等の工程を用いることにより、MOSFETの構成要素を形成して、図1に示すようなMOSFETが完成する。
以上説明した工程によれば、素子領域のスーパージャンクション構造を構成するピラー層13、14が形成されるのと同時に、トレンチ絶縁膜31の周囲のピラー層13A、14Aが形成される。しかも、トレンチT1の方向が上記のような方向とされたことにより、ピラー層13A、14AはトレンチT1全周に亘って略均一に形成され得る。
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、様々な置換、転用、追加、削除等が可能である。例えば、上記の実施の形態では、トレンチ絶縁膜31の2辺に、ピラー層13,14の長手方向が同じ角度(例えば45°)で交わるようにされていたが、2辺との交わる角が鋭角であれば、2つの角度が正確に同一である必要はない。また例えば、上記の実施の形態では、トレンチ絶縁膜31を正方形状にしていたが、図9に示すように、一方の辺が長い長方形状にすることもできる。また、図10に示すように、トレンチ絶縁膜31を構成する辺が一部において鋭角(θ<90°)に交わるものとしてもよい。この場合、素子領域のピラー層15の長手方向が、この2辺に略同一角度で交わるように、換言すれば、おおむね角度θの2等分線(θ/2)の方向にピラー層15が配列されるようにすることにより、素子領域のピラー層13,14と、トレンチ絶縁膜31の両側のピラー層13A、14Aとを同時にかつ均一の厚さに形成することが可能になる。また、上記の実施の形態は、素子領域にプレーナ型のMOSFETを形成する例を示したが、これ以外にトレンチゲート型のMOSFETやIGBT等を形成する場合にも、本発明は適用可能である。
10・・・ドレイン電極、 11・・・n+型ドレイン層、 12・・・n型エピタキシャル層、 13・・・p型半導体ピラー層、 14・・・n型半導体ピラー層、 15・・・ピラー層、 16・・・p型ベース層、 17・・・n+型ソース層、18・・・ゲート絶縁膜、 19・・・ゲート電極、 20・・・フィールドプレート電極、 30・・・絶縁膜、 31・・・トレンチ絶縁膜、 32・・・絶縁膜。
Claims (5)
- 第1導電型の第1半導体層と、
第1導電型の第1半導体ピラー層と第2導電型の第2半導体ピラー層とを前記第1半導体層の表面に沿った第1の方向に交互にストライプ状に形成してなるピラー層と、
前記ピラー層上に形成される半導体素子と、
前記半導体素子が形成される素子領域と終端領域との境界に形成される終端トレンチと、
前記終端トレンチに埋め込まれ前記素子領域と前記終端領域とを絶縁分離するトレンチ絶縁膜と
を備え、
前記終端トレンチは、少なくとも交差する第1辺と第2辺とを備え、前記第1の方向が前記第1辺及び第2辺の間で鋭角をなすように形成された
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の方向が前記第1辺となす角と、前記第1の方向が前記第2辺となす角とが略同一とされたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1辺と前記第2辺とは直交し、前記第1の方向は前記第1辺及び第2辺と45°をなすことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ピラー層は、前記第1半導体層上にエピタキシャル層を形成し、このエピタキシャル層に所定間隔でトレンチを形成した後、このトレンチの壁面に対し第1導電型の不純物及び第2導電型の不純物をイオン注入法により所定の注入角度で注入した後熱拡散することにより形成され、
前記終端トレンチは、前記イオン注入法によるイオン注入及び熱拡散を受けた後、絶縁膜を埋め込まれることにより形成される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記終端トレンチは、その壁面に前記素子領域と同様のピラー層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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-
2005
- 2005-11-04 JP JP2005320917A patent/JP2007129086A/ja not_active Withdrawn
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