JP2007127673A - 回転数センサ - Google Patents

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修 三ツ村
Yoshihiro Arakawa
好弘 荒川
Masayuki Nabeya
公志 鍋谷
Takaaki Ogawa
孝昭 小川
Teruyuki Asahi
輝幸 朝日
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Abstract

【課題】本発明は、高温時にSi基板の抵抗値が低下しても、磁気抵抗素子を流れる電流がSi基板を介して磁石に流れるということはなく、出力信号の安定化が図れる回転数センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の回転数センサは、磁石26と、磁気抵抗素子21を設けたSi基板22との間にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層27を設け、このポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層27により、磁気抵抗素子21を流れる電流がSi基板22内を介して磁石26に流れないようにしたものである。
【選択図】図2

Description

本発明は、特に自動車用A/Tミッションやエンジンに用いられる回転数センサに関するものである。
以下、従来の回転数センサについて図面を参照しながら説明する。
図4は従来の回転数センサの側断面図、図5は同回転数センサにおける磁石にSi基板およびTAB基板からなるフィルムを固着した状態を示す側断面図である。
図4、図5において、1は電気的に直列に接続されたInSbからなる一対の磁気抵抗素子である。2は一対のSi基板で、このSi基板2の一方の面には前記磁気抵抗素子1を設けている。3はTAB基板からなるフィルムで、このフィルム3には銅箔からなる接続層4を設けており、この接続層4を介して絶縁フィルム3を前記Si基板2に固着するとともに、この接続層4を前記磁気抵抗素子1に電気的に接続している。5はリード部材で、このリード部材5は一端を前記絶縁層4と電気的に接続している。6は磁石で、この磁石6は前記Si基板2の他方の面に固着されている。7は樹脂製の基体で、この基体7は一端に金属製の基体端子8を設けるとともに前記磁石6を保持しており、そしてこの基体端子8は前記リード部材5と電気的に接続されている。また、前記基体7の側面にはポリイミドフィルムからなるフレキシブル配線板9を設けており、かつこのフレキシブル配線板9の上面には電子部品からなる処理回路9aを設けている。そしてこの処理回路9aは前記リード部材5と電気的に接続されているとともに前記磁気抵抗素子1の出力信号をパルス信号に変換している。そしてまた、前記基体7の他端には金属製のリード端子10を設けており、このリード端子10は一端を前記処理回路9aと電気的に接続するとともに、他端を上方へ向かって突出させている。11は有底円筒状に構成された樹脂製のケースで、このケース11は前記基体7を内側に収納するとともに、外側面から外方へ突出するようにコネクタ部12を設けている。また、前記ケース11のコネクタ部12の内側には一体にコネクタ端子13を設けており、このコネクタ端子13に前記リード端子10の他端を電気的に接続している。14は樹脂製の蓋で、この蓋14は前記ケース11の上面開口部を閉塞している。15は密封樹脂で、この密封樹脂15は前記ケース11と前記蓋14との当接部の近傍を封止しているものである。
以上のように構成された従来の回転数センサについて、次にその動作を図面を参照しながら説明する。
図6は従来の回転数センサの動作状態を示す回路図である。
図4〜図6において、前記ケース11の下部に対向する側には、相手側の車のギア(図示せず)が設けられており、このギア(図示せず)の凹凸の回転により、前記一対の磁気抵抗素子1に対する磁束密度が変化し、そしてこの磁束密度の変化を図6に示すように、一対の磁気抵抗素子1の中点電位を前記リード部材5を介して正弦波形の出力電圧として出力する。一対の磁気抵抗素子1の抵抗値をそれぞれ、Rj1[Ω]、Rj2[Ω]とし、電源電圧をE[V]とすると、中点電位Em[V]は、
Figure 2007127673
で表せられる。そして、この正弦波形の出力電圧を前記処理回路9aで矩形波の出力電圧に変換し、前記リード端子10を介して、前記コネクタ端子13より相手側コンピュータ(図示せず)に出力し、回転数を検出するものである。
しかしながら、上記従来の回転数センサにおいては、周囲の温度が約80℃以上になると、Si基板2が真性伝導領域となり、図7に示すようにSi基板2の抵抗値が低下するため、磁気抵抗素子1を流れる電流が図8に示すようにSi基板2内を介して、抵抗値の極めて低い磁石6の内部を流れてしまう。ここで、一対の磁気抵抗素子1の抵抗値を、それぞれRj1[Ω]、Rj2[Ω]、一対のSi基板2の抵抗値を、それぞれRs1[Ω]、Rs2[Ω]、磁石6の抵抗値をRm[Ω]とすると中点電位Emは、
Figure 2007127673
で表せられる。すなわち、従来の回転数センサにおいては、一対の磁気抵抗素子1の中点電位が変動するため、回転数センサの出力信号が不安定になるという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、高温時にSi基板の抵抗値が低下しても、磁気抵抗素子を流れる電流がSi基板内を介して磁石に流れるということはなく、出力信号の安定化が図れる回転数センサを提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、一方の面にInSbからなる磁気抵抗素子を設けた一対のSi基板と、前記磁気抵抗素子にこの磁気抵抗素子と電気的に接続される接続層を介して設けたフィルムと、前記接続層と電気的に接続されるリード部材と、前記Si基板の他方の面に固着された磁石と、前記磁気抵抗素子の出力信号をパルス信号に変換する処理回路とこの処理回路と一端が電気的に接続されるとともに他端が前記リード部材と電気的に接続された基体端子と前記処理回路と電気的に接続されたリード端子とを有し、かつ前記磁石を保持した基体と、この基体を内側に収納するとともに前記基体のリード端子と電気的に接続されるコネクタ端子を有するコネクタ部を設けたケースとを備え、前記磁石とSi基板との間にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層を設けたもので、この構成によれば、高温時にSi基板の抵抗値が低下しても、磁気抵抗素子を流れる電流がSi基板内を介して磁石に流れるということはなく、出力信号の安定化が図れるという作用効果を有するものである。
以上のように本発明の回転数センサは、一方の面にInSbからなる磁気抵抗素子を設けた一対のSi基板と、前記磁気抵抗素子にこの磁気抵抗素子と電気的に接続される接続層を介して設けたフィルムと、前記接続層と電気的に接続されるリード部材と、前記Si基板の他方の面に固着された磁石と、前記磁気抵抗素子の出力信号をパルス信号に変換する処理回路とこの処理回路と一端が電気的に接続されるとともに他端が前記リード部材と電気的に接続された基体端子と前記処理回路と電気的に接続されたリード端子とを有し、かつ前記磁石を保持した基体と、この基体を内側に収納するとともに前記基体のリード端子と電気的に接続されるコネクタ端子を有するコネクタ部を設けたケースとを備え、前記磁石とSi基板との間にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層を設けているため、周囲の温度が約80℃以上になって、一対のSi基板の抵抗値が低下しても、前記ポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層が障害となり、これにより、一対の磁気抵抗素子を流れる電流がSi基板内を介して磁石に流れるということはなくなるため、前記一対の磁気抵抗素子の中点電位の変動もなくなり、その結果、出力信号の安定化が図れる回転数センサを提供することができるという効果を有するものである。
以下、本発明の一実施の形態における回転数センサについて、図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の一実施の形態における回転数センサの側断面図、図2は同回転数センサにおける磁石にSi基板およびTAB基板からなるフィルムを固着した状態を示す側断面図である。
図1、図2において、21は電気的に直列に接続されたInSbからなる一対の磁気抵抗素子である。22は一対のSi基板で、このSi基板22の一方の面には前記磁気抵抗素子21を設けている。23はTAB基板からなるフィルムで、このフィルム23には銅箔からなる接続層24を設けており、この接続層24を介して前記フィルム23を前記Si基板22に固着するとともに、この接続層24を前記磁気抵抗素子21に電気的に接続している。25はリード部材で、このリード部材25は一端を前記接続層24と電気的に接続している。26は磁石で、この磁石26は前記Si基板22の他方の面にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層27を介して固着されている。28は樹脂製の基体で、この基体28は一端に金属製の基体端子29を設けるとともに前記磁石26を保持しており、そしてこの基体端子29は前記リード部材25と電気的に接続されている。また、前記基体28の側面にはポリイミドフィルムからなるフレキシブル配線板30を設けており、かつこのフレキシブル配線板30の上面には電子部品からなる処理回路30aを設けている。そしてこの処理回路30aは前記リード部材25と電気的に接続されているとともに前記磁気抵抗素子21の出力信号をパルス信号に変換している。そしてまた、前記基体28の他端には金属製のリード端子31を設けており、このリード端子31は一端を前記処理回路30aと電気的に接続するとともに、他端を上方へ向かって突出させている。32は有底円筒状に構成された樹脂製のケースで、このケース32は前記基体28を内側に収納するとともに、外側面から外方へ突出するようにコネクタ部33を設けている。また、前記ケース32のコネクタ部33の内側には一体にコネクタ端子34を設けており、このコネクタ端子34に前記リード端子31の他端を電気的に接続している。35は樹脂製の蓋で、この蓋35は前記ケース32の上面開口部を閉塞している。36は密封樹脂で、この密封樹脂36は前記ケース32と前記蓋35との当接部の近傍を封止しているものである。
以上のように構成された本発明の一実施の形態における回転数センサについて、次にそ
の組立方法を説明する。
まず、一対のSi基板22の下面にInSbからなる磁気抵抗素子21を蒸着により形成する。
次に、前記磁気抵抗素子21の下面に、予め前記フィルム23に一体に設けられた接続層24を介して前記フィルム23を熱溶着する。
次に、前記磁石26の下面にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層27を固着した後、前記磁石26を基体28の下部に固着する。
次に、前記磁石26に設けたポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層27の下面に、前記フィルム23に接続層24および磁気抵抗素子21を介して設けたSi基板22を樹脂(図示せず)により固着する。
次に、前記磁気抵抗素子21と前記基体28の基体端子29とを前記リード部材25により電気的に接続する。
次に、電子部品からなる処理回路30aを表面に実装したフレキシブル配線板30の一端が前記基体28の基体端子29と電気的に接続され、かつ他端が前記リード端子31と電気的に接続されるように、前記基体28の側面に前記フレキシブル配線板30を装着する。
次に、前記磁石26、磁気抵抗素子21および処理回路30aを設けた前記基体28を前記ケース32の内部に収納した後、前記リード端子31と前記ケース32のコネクタ端子34とを半田付けにより電気的に接続する。
最後に、前記基体28を内部に収納した前記ケース32の上面開口部を前記蓋35により閉塞した後、前記蓋35と前記ケース32との当接部の近傍を前記密封樹脂36により封止する。
以上のように構成された本発明の一実施の形態における回転数センサについて、次にその動作を図3を用いて説明する。
前記ケース32の下部に対向する側には、相手側の車のギア(図示せず)が設けられており、このギアの凹凸の回転により、前記磁気抵抗素子21に対する磁束密度が変化し、そしてこの磁束密度の変化を前記磁気抵抗素子21が正弦波形の出力電圧として出力する。この正弦波形の出力電圧は前記処理回路30aにより矩形波の出力電圧に変換され、そして前記リード端子31を介してコネクタ端子34により相手側コンピュータ(図示せず)に出力し、回転数を検出するものである。
このとき、図7に示すように、周囲の温度が約80℃以上になると、Si基板22が真性伝導領域となり、Si基板22の抵抗値が低下するが、本発明の一実施の形態における回転数センサにおいては、前記磁石26とSi基板22との間にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層27を設けているため、周囲の温度が約80℃以上になって、一対の前記Si基板22の抵抗値が低下しても、前記ポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層27が障害となり、これにより、一対の磁気抵抗素子21を流れる電流が前記Si基板22内を介して前記磁石26に流れるということはなくなるため、前記一対の磁気抵抗素子21の中点電位の変動もなくなって出力信号の安定化が図れる回転数センサを提供することができるという作用効果を有するものである。
本発明にかかる回転数センサは、出力信号の安定化が図れる回転数センサを提供することができるという効果を有するものであり、特に自動車用A/Tミッションやエンジンに用いられる回転数センサとして有用なものである。
本発明の一実施の形態における回転数センサの側断面図 同回転数センサにおける磁石にSi基板およびTAB基板からなるフィルムを固着した状態を示す側断面図 同回転数センサの動作状態を示す回路図 従来の回転数センサの側断面図 同回転数センサにおける磁石にSi基板およびTAB基板からなるフィルムを固着した状態を示す側断面図 同回転数センサの動作状態を示す回路図 従来および本発明の一実施の形態における回転数センサにおけるSi基板および磁気抵抗素子の抵抗値の温度特性を示す特性図 従来の回転数センサの周囲の温度が約80℃以上になってSi基板の抵抗値が低下した状態における回転数センサの動作状態を示す回路図
符号の説明
21 磁気抵抗素子
22 Si基板
23 フィルム
24 接続層
25 リード部材
26 磁石
27 ポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層
28 基体
29 基体端子
30 フレキシブル配線板
31 リード端子
32 ケース
33 コネクタ部
34 コネクタ端子

Claims (1)

  1. 一方の面にInSbからなる磁気抵抗素子を設けた一対のSi基板と、前記磁気抵抗素子にこの磁気抵抗素子と電気的に接続される接続層を介して設けたフィルムと、前記接続層と電気的に接続されるリード部材と、前記Si基板の他方の面に固着された磁石と、前記磁気抵抗素子の出力信号をパルス信号に変換する処理回路とこの処理回路と一端が電気的に接続されるとともに他端が前記リード部材と電気的に接続された基体端子と前記処理回路と電気的に接続されたリード端子とを有し、かつ前記磁石を保持した基体と、この基体を内側に収納するとともに前記基体のリード端子と電気的に接続されるコネクタ端子を有するコネクタ部を設けたケースとを備え、前記磁石とSi基板との間にポリイミド樹脂製のテープからなる絶縁層を設けた回転数センサ。
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