JP2007127566A - 基板測定装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板の種類にかかわらず基板の曲率を正確に測定することが可能な基板測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板測定装置は、多波長光源12と、対物レンズ15と、基板Wを支持するステージ10と、ステージを移動させるステージ移動機構11と、対物レンズ15の入射瞳と共役な位置に配置されたパターン板17と、対物レンズ15の入射瞳と共役な位置に配置されたCCDカメラとを備え、基板Wの表面で反射した後入射瞳の位置Eに投影されたパターン板7の像をCCDカメラで撮像して、パターン像の基準からの位置ずれ量を測定する測定手段と、この位置ずれ量から基板Wの表面の角度を演算する演算手段とを備える。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板測定装置は、多波長光源12と、対物レンズ15と、基板Wを支持するステージ10と、ステージを移動させるステージ移動機構11と、対物レンズ15の入射瞳と共役な位置に配置されたパターン板17と、対物レンズ15の入射瞳と共役な位置に配置されたCCDカメラとを備え、基板Wの表面で反射した後入射瞳の位置Eに投影されたパターン板7の像をCCDカメラで撮像して、パターン像の基準からの位置ずれ量を測定する測定手段と、この位置ずれ量から基板Wの表面の角度を演算する演算手段とを備える。
【選択図】 図2
Description
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板の表面の角度を測定する基板測定装置に関する。
このような基板測定装置としては、基板の表面にレーザビームを照射し、その反射光の位置ずれ量に応じて基板表面の傾斜角を測定するものが提案されている(特許文献および特許文献2)。
特開平10−221037号公報
特開2000−2553号公報
特許文献1および特許文献2に記載の基板測定装置によれば、レーザビームを使用することから、基板上のパターンによってはレーザビームが散乱するという問題がある。また、基板上に成膜された薄膜の種類によっては、レーザビームに干渉が生じ、反射光量が著しく低下して測定が困難になるという問題が生ずる。このような問題を解消するためには、パターンの位置を避けて測定をおこなったり、薄膜の材料によってレーザビームの波長を切り換えるという煩雑な作業が必要となる。
また、特許文献1および特許文献2に記載の基板測定装置によれば、基板を基板測定装置に設置したときの基板の姿勢がその測定結果に影響を及ぼす場合がある。
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板の種類にかかわらず基板の曲率を正確に測定することが可能な基板測定装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発明は、基板の表面の角度を測定する基板測定装置において、多波長光源と、対物レンズと、基板を支持するステージと、前記ステージを前記対物レンズに対して相対的に移動させる移動手段と、前記対物レンズの入射瞳と共役な位置に配置されたパターンと、前記対物レンズの入射瞳と共役な位置に配置されたカメラとを備え、前記光源により前記パターンを照射して、前記基板の表面で反射した後前記入射瞳の位置に投影された前記パターンの像を前記カメラで撮像し、その像の位置を、前記基板が基準表面角度にあるときの像の位置と比較してその位置ずれ量を測定する測定手段と、前記位置ずれ量から基板の表面の角度を演算する演算手段とを備えたことを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記パターンの像を対物レンズの入射瞳の位置に投影するリレー光学系をさらに有し、前記パターンは、前記対物レンズと前記リレー光学系から成る光学系の開口絞りの位置に配置される。
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記演算手段は、前記移動手段で前記ステージを相対的に移動させることにより前記測定手段で複数の位置ずれ量を測定して得た基板の表面の異なる位置での基板の表面の角度から、さらに、基板の曲率を演算する。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記演算手段は、前記移動手段で前記ステージを相対的に移動させることによりその移動領域内で得た複数の位置ずれ量に基づいて、その移動領域内での複数の箇所における曲率を演算する。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の発明において、前記演算手段は、前記移動領域内の曲率から、さらに、基板の表面形状を演算する。
請求項1および請求項2に記載の発明によれば、基板の種類にかかわらず、基板の表面の角度を正確に測定することが可能となる。
請求項3に記載の発明によれば、基板の曲率を測定することが可能となる。
請求項4に記載の発明によれば、基板における所望の領域内の曲率を測定することが可能となる。
請求項5に記載の発明によれば、基板における所望の領域内の表面形状を得ることが可能となる。
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る基板測定装置の概要図であり、図2はその要部を模式的に示す説明図である。
この基板測定装置は、半導体ウエハからなる基板Wを支持するステージ10と、ステージ移動機構11と、多波長光源12と、リレー光学系を構成する一対のレンズ13、14と、対物レンズ15と、レンズ16と、パターン板17と、ハーフミラー18と、CCDカメラ19とを備える。
ここで、多波長光源12とは、複数の波長の光を出射する光源を意味する。この多波長光源12としては、例えば、白色光を出射するハロゲンランプが使用される。
リレー光学系を構成する一対のレンズ13、14は、パターン板17におけるパターンPの像を、対物レンズ15の入射瞳の位置Eに投影するものである。パターン板17は、対物レンズ15とリレー光学系を構成する一対のレンズ13、14とから成る光学系の開口絞りの位置に配置される。このパターン板17は、対物レンズ15の入射瞳と共役な位置に配置されることになる。なお、CCDカメラ19も、レンズ16により、対物レンズ15の入射瞳と共役な位置に配置されている。なお、本願明細書では入射瞳と共役な位置とは、実質的に共役な近傍位置をも含むものである。
ステージ移動機構11は、ステージ10をX方向に移動するX方向移動機構21と、Y方向に移動するY方向移動機構31とを有する。X方向移動機構21はモータ22にボールねじ(図示省略)が接続され、モータ22が回転することにより、Y方向移動機構31がガイドレール23に沿ってX方向(図1の左右方向)に移動する構成となっている。Y方向移動機構31もX方向移動機構21と同様の構成となっており、モータ32が回転するとボールねじ(図示省略)によりステージ10がガイドレール33に沿ってY方向(図1の紙面に垂直な方向)に移動する構成となっている。
図3は、上述した基板測定装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
この基板測定装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたROM41と、制御時にデータ等が一時的にストアされるRAM42と、論理演算を実行するCPU43とを有する制御部40を備える。この制御部40は、インターフェース44を介して、上述した多波長光源12、CCDカメラ19およびステージ移動機構11と接続されている。この制御部40は、基板Wの曲率や表面形状を演算するための演算手段として機能する。
このような構成を有する基板測定装置においては、多波長光源12から出射され、レンズ13を介してパターン板13に照射された光は、レンズ14、ハーフミラー18および対物レンズ15を介して基板Wに投影される。このとき基板Wが基準表面角度(図のWの位置)にあるときは、パターン板17におけるパターンの像は、対物レンズ15の入射瞳の位置Eにパターンの像Pとして投影される。
一方、基板Wの表面が対物レンズ15の光軸に対して角度θだけずれていた場合(図のW’の位置)には、図2に示すように、対物レンズ15の入射瞳の位置Eに投影されたパターン板17におけるパターンの像P’は、前記パターンの像Pとは異なる位置に投影されることになる。
これらのパターン板17におけるパターンの像P、P’は、レンズ16を介し対物レンズ15の入射瞳と共役な位置に配置されたCCDカメラ19により撮像される。
次に、上述した基板測定装置による基板Wの測定動作について説明する。図4は、この発明に係る基板測定装置による基板Wの測定動作を示すフローチャートである。
基板Wの測定をおこなうには、最初に、図示しない基板搬送機構により、基板Wをステージ10上に搬送する(ステップS1)。
そして、多波長光源12によりパターン板17を照射して基板Wの表面で反射した後対物レンズ15の入射瞳の位置Eに投影されたパターンの像P’をCCDカメラ19で撮像して、あらかじめ基準表面角度の基板(例えば列のない基板)にて求めてあるパターン像Pとの位置ずれ量を測定する(ステップS2)。
次に、この位置ずれ量に基づいて、基板Wの表面の角度を演算する(ステップS3)。
図5は、このときの演算式を説明する説明図である。なお、図5においては、ハーフミラー18やレンズ16は、その図示を省略している。
この図で示すように、基板Wの表面の角度θと、像Pと像P’との位置ずれ量Δxとの関係は、下記の式(1)で表すことができる。
θ = tan-1(Δx/f) ・・・ (1)
この動作を、基板Wの曲率を求めるべき領域に対して、所定間隔で複数回繰り返す(ステップS4)。
この動作を、基板Wの曲率を求めるべき領域に対して、所定間隔で複数回繰り返す(ステップS4)。
そして、基板Wの表面の曲率を求めるべき領域に対する基板Wの表面の角度の演算が完了すれば、これらの角度に基づいて、その領域における基板Wの表面の曲率を演算する(ステップS5)。このときには、近似値演算を利用すればよい。
図6は、このときの演算式を説明する説明図である。
この図に示すように、測定間隔をΔyとした場合、曲率半径rは、下記の式(2)で表される。なお、曲率半径から曲率を求めることができないため、本願明細書では曲率および曲率半径を同義としている。
r = Δy/sinθ ・・・ (2)
次に、上記曲率半径rを利用して、基板Wにおける表面の位置を求め、これにより基板Wの表面形状を演算する(ステップS6)。
次に、上記曲率半径rを利用して、基板Wにおける表面の位置を求め、これにより基板Wの表面形状を演算する(ステップS6)。
図7は、このときの演算式を説明する説明図である。
この図に示すように、測定領域をLとした場合、その領域における基板Wの表面の位置のギャップ値Δzは、下記の式(3)で表される。
Δz = r−r・cosθ ・・・ (3)
そして、測定領域内の基板Wの表面の角度と基板Wの表面の位置をCRT等の表示部に表示する(ステップS7)。
そして、測定領域内の基板Wの表面の角度と基板Wの表面の位置をCRT等の表示部に表示する(ステップS7)。
図8および図9は、表示部に表示された測定領域内の基板Wの表面の角度と基板Wの表面の位置とを示す模式図である。
ここで、図8(a)および図9(a)は基板Wの表面の角度を示し、また、図8(b)および図9(b)は基板Wの表面の位置を示している。なお、これらの図においては、半径60mmの基板Wの全域を測定領域としているが、基板Wの表面の一部のみを測定領域としてもよい。
以上のように、この発明に係る基板測定装置によれば、基板Wのパターンの影響やその薄膜の種類にかかわらず、基板Wの表面の角度、曲率(曲率半径)および位置を正確に測定することが可能となる。
なお、このような基板測定装置は、アニール前後の基板Wの形状の変化や、パターニング前後の基板Wの形状の変化など、処理の前後における基板Wの形状の変化を測定して、基板Wへ付与されたストレスを予想するために利用される。この場合に、上述したような基板Wの所定領域の曲率を測定するようにすれば、基板Wの測定姿勢が変化した場合にも、基板Wの形状の変化を正確に測定することが可能となる。
図10は、基板Wの測定姿勢とその測定結果を示す説明図である。
図10(a)は、ステージ上に、実線で示す処理前の基板Wと破線で示す処理後の基板Wが載置された状態を示している。このとき、処理の前後で、基板Wの形状に変化はないが、その載置姿勢が異なっているものとする。
この場合、従来のように基板Wの表面の位置を直接測定して基板Wの形状を認識していた場合には、図10(b)に示すように、処理の前後で、それぞれ基板W表面位置が異なることから、図10(c)に示すように、その差分をとると、処理の前後で基板Wの形状が異なると認識される。しかしながら、本願発明のように基板Wの所定領域の曲率を測定するようにすれば、図10(d)に示すように測定結果はそのオフセット値のみが異なるものとなるため、図10(e)に示すように、測定結果をオフセット値のみシフトさせることで、処理の前後の基板Wの形状を、同一のものと認識することが可能となる。
なお、上述した実施形態では、ステージ10を移動させながら位置ずれ量の測定(ステップS2)と角度の演算(ステップS3)とを繰り返している。しかしながら、ステージ10を移動させながら位置ずれ量の測定を繰り返し、領域内の測定が終わった段階で、角度の演算をまとめて実行するようにしてもよい。
また、上述した基板測定装置を、基板W上の薄膜の膜厚を測定する膜厚計に搭載し、膜厚の測定と基板Wの表面の角度等の測定とを、同時に実行するようにしてもよい。
10 ステージ
11 ステージ移動機構
12 多波長光源
13 レンズ
14 レンズ
15 対物レンズ
16 レンズ
17 パターン板
18 ハーフミラー
19 CCDカメラ
21 X方向移動機構
31 Y方向移動機構
40 制御部
E 入射瞳の位置
W 基板
11 ステージ移動機構
12 多波長光源
13 レンズ
14 レンズ
15 対物レンズ
16 レンズ
17 パターン板
18 ハーフミラー
19 CCDカメラ
21 X方向移動機構
31 Y方向移動機構
40 制御部
E 入射瞳の位置
W 基板
Claims (5)
- 基板の表面の角度を測定する基板測定装置において、
多波長光源と、
対物レンズと、
基板を支持するステージと、
前記ステージを前記対物レンズに対して相対的に移動させる移動手段と、
前記対物レンズの入射瞳と共役な位置に配置されたパターンと、前記対物レンズの入射瞳と共役な位置に配置されたカメラとを備え、前記光源により前記パターンを照射して、前記基板の表面で反射した後前記入射瞳の位置に投影された前記パターンの像を前記カメラで撮像し、その像の位置を、前記基板が基準表面角度にあるときの像の位置と比較してその位置ずれ量を測定する測定手段と、
前記位置ずれ量から基板の表面の角度を演算する演算手段と、
を備えたことを特徴とする基板測定装置。 - 請求項1に記載の基板測定装置において、
前記パターンの像を対物レンズの入射瞳の位置に投影するリレー光学系をさらに有し、前記パターンは、前記対物レンズと前記リレー光学系から成る光学系の開口絞りの位置に配置される基板測定装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板測定装置において、
前記演算手段は、前記移動手段で前記ステージを相対的に移動させることにより前記測定手段で複数の位置ずれ量を測定して得た基板の表面の異なる位置での基板の表面の角度から、さらに、基板の曲率を演算する基板測定装置。 - 請求項3に記載の基板測定装置において、
前記演算手段は、前記移動手段で前記ステージを相対的に移動させることによりその移動領域内で得た複数の位置ずれ量に基づいて、その移動領域内での複数の箇所における曲率を演算する基板測定装置。 - 請求項4に記載の基板測定装置において、
前記演算手段は、前記移動領域内の曲率から、さらに、基板の表面形状を演算する基板測定装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005321764A JP2007127566A (ja) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 基板測定装置 |
TW095133294A TW200746232A (en) | 2005-11-07 | 2006-09-08 | Substrate measuring instrument |
KR1020060100768A KR20070049061A (ko) | 2005-11-07 | 2006-10-17 | 기판 측정 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005321764A JP2007127566A (ja) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 基板測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007127566A true JP2007127566A (ja) | 2007-05-24 |
Family
ID=38150339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005321764A Pending JP2007127566A (ja) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 基板測定装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007127566A (ja) |
KR (1) | KR20070049061A (ja) |
TW (1) | TW200746232A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008145417A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-06-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 表面形状測定装置および応力測定装置、並びに、表面形状測定方法および応力測定方法 |
US10541182B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-01-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of inspecting semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114858053B (zh) * | 2021-01-20 | 2023-03-10 | 四川大学 | 一种确定工业相机的入瞳中心空间坐标的方法 |
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2005
- 2005-11-07 JP JP2005321764A patent/JP2007127566A/ja active Pending
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2006
- 2006-09-08 TW TW095133294A patent/TW200746232A/zh unknown
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---|---|
TW200746232A (en) | 2007-12-16 |
KR20070049061A (ko) | 2007-05-10 |
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