JP2010283171A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
例えば、ステージの移動中のアライメント計測が可能でスループットの点で有利な露光装置を提供する。
【解決手段】
基板(36)を保持して移動するステージ(30)と、前記ステージ(30)上のマーク(61)の像を検出するラインセンサ(60a,60b)と、前記ラインセンサ(60a,60b)の長手方向と直交する方向に前記ステージ(30)を移動させながら前記ラインセンサ(60a,60b)により前記像を検出するように前記ステージ(30)および前記ラインセンサ(60a,60b)を制御し、前記ラインセンサ(60a,60b)の出力に基づいて、前記ステージ(30)上の前記マーク(61)の位置を算出する処理部と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
例えば、ステージの移動中のアライメント計測が可能でスループットの点で有利な露光装置を提供する。
【解決手段】
基板(36)を保持して移動するステージ(30)と、前記ステージ(30)上のマーク(61)の像を検出するラインセンサ(60a,60b)と、前記ラインセンサ(60a,60b)の長手方向と直交する方向に前記ステージ(30)を移動させながら前記ラインセンサ(60a,60b)により前記像を検出するように前記ステージ(30)および前記ラインセンサ(60a,60b)を制御し、前記ラインセンサ(60a,60b)の出力に基づいて、前記ステージ(30)上の前記マーク(61)の位置を算出する処理部と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、にリソグラフィーに利用される露光装置に関するものである。
例えば液晶パネル等の製造工程において、露光装置は、プレートに形成されたパターンに対し重ねあわせて走査露光を行なう。当該パターンの形成にあたって熱処理が施されている場合がある。この場合、図12に示される露光装置のプレートステージ30に積載されたプレート36は、熱変形していることがある。よって、プレート36の熱変形や倍率を計測する必要がある。
そこで、図12に示されるように、プレートステージ30上にプレート36が積載された後、プレートステージ30およびマスクステージ20を移動して、マスク23に形成されたアライメントマークと、プレート36に形成されたアライメントマークとの相対位置を観察光学系40により計測する。この計測結果から、マスク23に対してプレート36位置決めすることができる。または、マスクステージ20とプレートステージ30とを移動してマスク23に形成されたアライメントマークおよびプレート36に形成されたアライメントマークの複数組のそれぞれに関して、観察光学系40を用いて相対位置を計測する。この計測により、マスク23を基準としたプレート36の伸縮倍率を求めることができる(特許文献1)。
液晶パネル等の製造工程においては、露光装置におけるプレート1枚当たりの処理時間を1秒でも早くすることが生産コストを削減するために重要となっている。
一方、マスクステージに搭載されたマスク(原版)とプレートステージに搭載されたプレート(基板)との走査露光中の相対位置は、精度良く計測しなければならない。走査露光を行なっているときは、マスクステージ20およびプレートステージ30は、同期を取りながら、例えば700mm/secのスピードでY方向に移動(走査)する。走査露光のための両ステージの加速に伴って、露光装置の構造体に歪が生じると、走査露光中のマスク23とプレート36との相対位置は、目標とするものからずれうる。この点にも留意が必要である。
従来は、マスクステージ20とプレートステージ30とを共に静止させた状態で、アライメント計測をしている。一方、マスク23とプレート36とを走査移動しながらアライメント計測しようとした場合、プレート23およびマスク36は、例えば700mm/secのスピードで移動することを考慮しなければならない。
しかし、アライメント計測に使用されている従来のスコープのCCDカメラは、シャッター時間がNTSC方式で33msec、プログレッシブ方式でも最短で5msec程度である。そのため、最短の5msecの場合でも、700mm/secの速度では、アライメントマーク像が3.5mm移動する。ミクロンオーダーの計測精度が要求される場合、スコープの倍率を10倍から60倍程度とし、視野は1mm以下となる。そのため、CCDカメラのシャッター開時間中に3.5mmも被写体が移動した場合、計測は不可能である。
本発明は、例えば、ステージの移動中にアライメント計測が可能でスループットの点で有利な露光装置を提供することを目的とする。
本発明は、例えば、ステージの移動中にアライメント計測が可能でスループットの点で有利な露光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の露光装置は、基板を保持して移動するステージと、
前記ステージ上のマークの像を検出するラインセンサと、前記ラインセンサの長手方向と直交する方向に前記ステージを移動させながら前記ラインセンサにより前記像を検出するように前記ステージおよび前記ラインセンサを制御し、前記ラインセンサの出力に基づいて、前記ステージ上の前記マークの位置を算出する処理部と、を有することを特徴とする。
前記ステージ上のマークの像を検出するラインセンサと、前記ラインセンサの長手方向と直交する方向に前記ステージを移動させながら前記ラインセンサにより前記像を検出するように前記ステージおよび前記ラインセンサを制御し、前記ラインセンサの出力に基づいて、前記ステージ上の前記マークの位置を算出する処理部と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、例えば、ステージの移動中のアライメント計測が可能でスループットの点で有利な露光装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例の露光装置および露光方法を説明する。
図1を参照して、液晶用のガラス基板のような大型の基板にマスクのパタ−ンを転写する本発明の実施例1の走査型露光装置を説明する。投影光学系10を挟んで垂直方向の上側にマスクステージ20が配置され、下側にプレート36(基板)を保持して移動するプレートステージ30(ステージ)が配置されている。これらマスクステージ20とプレートステージ30は、それぞれ個別に移動可能であり、これらの移動位置はともにレーザ干渉測長器50により計測制御可能である。
図1を参照して、液晶用のガラス基板のような大型の基板にマスクのパタ−ンを転写する本発明の実施例1の走査型露光装置を説明する。投影光学系10を挟んで垂直方向の上側にマスクステージ20が配置され、下側にプレート36(基板)を保持して移動するプレートステージ30(ステージ)が配置されている。これらマスクステージ20とプレートステージ30は、それぞれ個別に移動可能であり、これらの移動位置はともにレーザ干渉測長器50により計測制御可能である。
プレートステージ30は本体ベース31上に配置したYステージ32およびXステージ33を有する。なお、X方向およびY方向は互いに直交する方向とする。このXYステージ上にθZステージ34が搭載され、この上にプレートチャック35を配置し、それにより露光されるべきプレート36を支持する。従って、プレート36は、プレートステージ30によりX、YおよびZ方向に移動可能であると共にXY面内でも回転可能に支持されることになる。θZステージ34は、露光時、プレート36の表面を投影光学系10のプレート側焦点面に一致させるためのものである。投影光学系10の下部にはフォーカス検出機構42が複数個配置されている。フォーカス検出機構42はプレート36の高さ、および傾きを検出するためのものである。
マスクステージ20は、マスクステージ基板21と、その上に配置されたXYθステージ22とを備え、この上に投影されるべきパタ−ンを有するマスク23を配置される。従って、マスク23はXおよびY方向に移動可能であると共にXY面内で回転可能に支持されることになる。マスクステージ20の上方には、マスク23とプレート36の像を投影光学系10を介して観察できる観察光学系40が配置され、さらにその上方に照明光学系41が配置されている。
マスクステージ20およびプレートステージ30は共にレーザ干渉測長器50により位置計測制御される。レーザ干渉測長器50はレ−ザヘッド51、干渉ミラ−52,53、およびθZステージ34に取り付けられた第1の反射ミラ−54とマスクステージ基板21に取り付けられた第2の反射ミラ−55を有する。ここで、レーザ干渉測長器50のレーザビーム位置は、マスクステージ20については上下方向(投影光学系10の光軸方向)では、ほぼ投影光学系10のマスク側焦点面に、水平面内ではほぼ投影光学系10の光軸位置に設定される。プレートステージ30については水平面内では、ほぼ投影光学系10の光軸位置に設定されているが、上下方向では投影光学系10のプレート側焦点面から下側に距離Lだけ変位した位置を通るように設定されている。
本実施例1は、走査露光中にリアルタイムにプレート36の置き位置や伸縮を計測するオフアクシススコープ60a、60bが搭載された走査型露光装置である。オフアクシススコープ60a、60bを構成するカメラは、プレート36に形成されたステージ上のアライメントマーク61(マーク)の像を検出するラインセンサである。オフアクシススコープ60a、60bは、図2に示されるように露光光軸を挟んでY方向に前後に搭載され、走査露光の方向がY軸プラス方向及びマイナス方向のどちらにも対応できる。
レーザ干渉測長器50(処理部)は、オフアクシススコープ60a、60b(ラインセンサ)の長手方向と直交する方向にプレートステージ30(ステージ)を移動させながらオフアクシススコープ60a、60bによりアライメントマーク61(マーク)の像を検出するようにプレートステージ30およびオフアクシススコープ60a、60bを制御し、オフアクシススコープ60a、60bの出力に基づいて、プレートステージ30上のアライメントマーク61の位置を算出する。
アライメントマーク61は、長手方向における幅が異なり、レーザ干渉測長器50(処理部)は、オフアクシススコープ60a、60bによりアライメントマーク61(マーク)の像を複数回検出するようにプレートステージ30およびオフアクシススコープ60a、60bを制御し、プレートステージ30の移動方向におけるアライメントマーク61の位置を算出する。
さらに、レーザ干渉測長器50(処理部)は、長手方向におけるアライメントマーク61の位置を算出する。さらに、レーザ干渉測長器50(処理部)は、プレート36を露光するときのプレートステージ30の目標走査速度にしたがってプレートステージ30を移動させる。さらに、レーザ干渉測長器50(処理部)は、算出されたアライメントマーク61の位置に基づいて、プレート36を露光するときのプレートステージ30の走査移動を制御する。アライメントマーク61は、プレートステージ30に保持されたプレート36上(基板上)のマークおよびプレートステージ30に形成されたマークの少なくとも一方を含む。
レーザ干渉測長器50(処理部)は、オフアクシススコープ60a、60b(ラインセンサ)の長手方向と直交する方向にプレートステージ30(ステージ)を移動させながらオフアクシススコープ60a、60bによりアライメントマーク61(マーク)の像を検出するようにプレートステージ30およびオフアクシススコープ60a、60bを制御し、オフアクシススコープ60a、60bの出力に基づいて、プレートステージ30上のアライメントマーク61の位置を算出する。
アライメントマーク61は、長手方向における幅が異なり、レーザ干渉測長器50(処理部)は、オフアクシススコープ60a、60bによりアライメントマーク61(マーク)の像を複数回検出するようにプレートステージ30およびオフアクシススコープ60a、60bを制御し、プレートステージ30の移動方向におけるアライメントマーク61の位置を算出する。
さらに、レーザ干渉測長器50(処理部)は、長手方向におけるアライメントマーク61の位置を算出する。さらに、レーザ干渉測長器50(処理部)は、プレート36を露光するときのプレートステージ30の目標走査速度にしたがってプレートステージ30を移動させる。さらに、レーザ干渉測長器50(処理部)は、算出されたアライメントマーク61の位置に基づいて、プレート36を露光するときのプレートステージ30の走査移動を制御する。アライメントマーク61は、プレートステージ30に保持されたプレート36上(基板上)のマークおよびプレートステージ30に形成されたマークの少なくとも一方を含む。
レーザ干渉測長器50は、プレートステージ30を走査方向に移動させながらオフアクシススコープ60a、60bにより複数回検出したときのオフアクシススコープ60a、60bの出力に基づいてプレート36の走査方向における位置を算出する。レーザ干渉測長器50は、さらに走査方向に直交する方向におけるプレート36の位置を算出する場合もある。レーザ干渉測長器50は、プレートステージ30の目標走査速度を設定する。レーザ干渉測長器50は、プレートステージ30の目標走査速度とオフアクシススコープ60a、60bの出力に基づいてプレート36の走査方向における位置を算出する。レーザ干渉測長器50は、レーザ干渉測長器50の出力に基づいてプレートステージ30の駆動を制御する。すなわち、算出工程の結果に基づいて、プレートステージ30の駆動を制御する。
図2は、図1の破線部Aの詳細構成図である。図2(a)は、図1と同じく本実施例1の露光装置のオフアクシススコープ60a、60bの側面図で、図2(b)は、本実施例1の露光装置のオフアクシススコープ60a、60bの平面図である。プレート36を搭載して移動するプレートステージ30をY方向プラス側に駆動しながら走査露光を行なう場合は、オフアクシススコープ60aを使用する。プレートステージ35をY方向マイナス側に駆動しながら走査露光を行なう場合は、オフアクシススコープ60bを使用する。
次に、図3を参照して、オフアクシススコープ60aで計測するプレート36上のアライメントマーク61の形状について説明する。
図3は、図2における破線部Bの詳細構成図である。プレート36上に敷設されたアライメントマーク61はX軸およびY軸に対して角度を有した形状である。さらに計測精度を向上させるため、X方向に複数個並べて敷設されている。
図3は、図2における破線部Bの詳細構成図である。プレート36上に敷設されたアライメントマーク61はX軸およびY軸に対して角度を有した形状である。さらに計測精度を向上させるため、X方向に複数個並べて敷設されている。
次に、このマーク61の計測方法を図4、図5、図6、図7を用いて説明する。
図4は、ラインセンサで構成されたオフアクシススコープ60aによりアライメントマーク61を計測したときの計測波形図である。上述したように走査露光中は700mm/secでプレート36が駆動しているため、計測波形の端部は残像が残る。オフアクシススコープ60aに対するアライメントマーク61の位置のX座標については、計測波形の端部に残像が残る場合がある。この場合、図3に示されるアライメントマーク61のように、Y方向に対して対称なパターンであれば、図6に示されるように残像を含めた波形の中心をX座標とすることができる。
図4は、ラインセンサで構成されたオフアクシススコープ60aによりアライメントマーク61を計測したときの計測波形図である。上述したように走査露光中は700mm/secでプレート36が駆動しているため、計測波形の端部は残像が残る。オフアクシススコープ60aに対するアライメントマーク61の位置のX座標については、計測波形の端部に残像が残る場合がある。この場合、図3に示されるアライメントマーク61のように、Y方向に対して対称なパターンであれば、図6に示されるように残像を含めた波形の中心をX座標とすることができる。
さらに、図3で示されるように平均化による精度向上を目的として、アライメントマーク61がX方向に複数敷設されている場合は、複数個検出される波形の平均値からX座標を求めることができる。図5に示されるように1つのアライメントマーク61に対して、複数回計測を行なった場合は、図6(d)で示される計算式のように計測回数分平均化を行なう。これにより、オフアクシススコープ60aに対するアライメントマーク61のX座標を求めることができる。
オフアクシススコープ60aに対するアライメントマーク61のY座標については、図5で示すようにプレート36がY方向プラス側に駆動している場合を説明する。
図4に示すラインセンサの出力波形から、オフアクシススコープ60aのシャッターが開いた直後のアライメントマーク61のX方向長さをL1’、オフアクシススコープ60aのシャッターが閉じる直前のアライメントマーク61のX方向長さをL1’’と見なす。このため計測中のアライメントマーク61のX方向長さはL1=(L1’’+L1’)/2とすることができる。ここで、オフアクシススコープ60aのシャッターの開口時間が、例えば、5msecである場合について説明する。この場合、シャッターの開口後2.5msec後に、図3で示すアライメントマーク61のX方向長さがL1となる位置で、かつ、オフアクシススコープ60aの計測領域中心が来る位置に、プレート36が移動したこととなる。
図4に示すラインセンサの出力波形から、オフアクシススコープ60aのシャッターが開いた直後のアライメントマーク61のX方向長さをL1’、オフアクシススコープ60aのシャッターが閉じる直前のアライメントマーク61のX方向長さをL1’’と見なす。このため計測中のアライメントマーク61のX方向長さはL1=(L1’’+L1’)/2とすることができる。ここで、オフアクシススコープ60aのシャッターの開口時間が、例えば、5msecである場合について説明する。この場合、シャッターの開口後2.5msec後に、図3で示すアライメントマーク61のX方向長さがL1となる位置で、かつ、オフアクシススコープ60aの計測領域中心が来る位置に、プレート36が移動したこととなる。
さらに、図5で示されるように、この計測をt=t1、t=t2、t=t3と、1つのアライメントマーク61に対して複数回計測を実施し、図7に示されるようにt1〜t3の各時間に対するアライメントマーク61のX方向長さをグラフ化する。この図7のグラフとプレート36の駆動速度から、オフアクシススコープ60aに対するアライメントマーク61のY方向位置が、X方向長さが最大となる場所になる時間t0を求めることができる。さらに、アライメントマーク61のX方向長さが最大となる場所から各時間でのオフアクシススコープ60aに対するアライメントマーク61のY座標を求めることができる。
本実施例1によれば、計測にはオフアクシススコープを用い、計測結果からプレート位置や伸縮を計算し、リアルタイムに補正を実施しながら、走査露光を実施する。露光動作中にリアルタイムにプレートの伸縮、即ち、シフト成分及び倍率成分を計測することができるため、露光処理にかかる時間を短縮する。さらに、マスクステージとプレートステージの同期駆動中に計測することにより、露光光軸とオフアクシススコープの相対位置関係(ベースライン)を、走査露光中の露光装置の構造体の歪みを加味して計測する。このため、ベースライン計測の精度が向上する。
次に、図8および図9を参照して、マスクステージ20とプレートステージ30が同期駆動中に、露光光軸に対するオフアクシススコープのX座標及びY座標(ベースライン)計測を実施する本発明の実施例2の走査型露光装置の構成について説明する。
図9は、図8の破線部Cを示し、TTLアライメントスコープ100とオフアクシススコープ60の位置関係を示す。図9(a)は、図8と同じく側面図であり、TTLアライメントスコープ100とオフアクシススコープ60の位置関係を示している。図9(b)は、平面図で、装置の上部からTTLアライメントスコープ100とオフアクシススコープ60の位置関係を示す。TTLアライメントスコープ100は、ラインセンサで構成される。
図9は、図8の破線部Cを示し、TTLアライメントスコープ100とオフアクシススコープ60の位置関係を示す。図9(a)は、図8と同じく側面図であり、TTLアライメントスコープ100とオフアクシススコープ60の位置関係を示している。図9(b)は、平面図で、装置の上部からTTLアライメントスコープ100とオフアクシススコープ60の位置関係を示す。TTLアライメントスコープ100は、ラインセンサで構成される。
次に、図10および図11を参照して、本発明の実施例2の走査型露光装置において、マスクステージ20とプレートステージ30が同期駆動中の露光光軸に対するオフアクシススコープ60の位置(ベースライン)計測方法を説明する。
図10(a)は、t=t1の時にプレートステージ30上に敷設されたアライメントマーク61が、オフアクシススコープ60の計測位置に来たときの状態を示す。オフアクシススコープ60に対するアライメントマーク61のX座標およびY座標の計測方法については、図4、図5、図6、図7を参照して上記にて説明したとおりである。この結果、求められたオフアクシススコープ60に対するアライメントマーク61の相対位置を図10(a)に示されるようにD1とする。
図10(a)は、t=t1の時にプレートステージ30上に敷設されたアライメントマーク61が、オフアクシススコープ60の計測位置に来たときの状態を示す。オフアクシススコープ60に対するアライメントマーク61のX座標およびY座標の計測方法については、図4、図5、図6、図7を参照して上記にて説明したとおりである。この結果、求められたオフアクシススコープ60に対するアライメントマーク61の相対位置を図10(a)に示されるようにD1とする。
図10(b)は、マスク23に敷設されたキャリブレーションマーク62が、光軸中心位置に来たとき(t=t2)の図9の破線部Dの状態を示す。
キャリブレーションマーク62とt=t1時に計測したアライメントマーク61が光軸中心で一致し、かつ、アライメントマーク61をキャリブレーションマーク62が挟み込むように、アライメントマーク61をプレート36に設ける。さらに、キャリブレーションマーク62をマスク23に設ける。この状態で、TTLアライメントスコープ100を使用してアライメントマーク61とキャリブレーションマーク62の相対位置を計測する。TTLアライメントスコープ100で使用する観察光は、露光光と波長の異なる光を使用し、プレート36が露光されないようする。
キャリブレーションマーク62とt=t1時に計測したアライメントマーク61が光軸中心で一致し、かつ、アライメントマーク61をキャリブレーションマーク62が挟み込むように、アライメントマーク61をプレート36に設ける。さらに、キャリブレーションマーク62をマスク23に設ける。この状態で、TTLアライメントスコープ100を使用してアライメントマーク61とキャリブレーションマーク62の相対位置を計測する。TTLアライメントスコープ100で使用する観察光は、露光光と波長の異なる光を使用し、プレート36が露光されないようする。
図11は、本発明の実施例2の走査型露光装置におけるTTLアライメントスコープ100で計測した波形を示す。マスク23およびプレート36が700mm/secで駆動中に計測を実施するため、アライメントマーク61およびキャリブレーションマーク62の端部に残像が残る。しかし、図10(b)で示すように、アライメントマーク61およびキャリブレーションマーク62がY方向に対して対称な形状であれば、波形の中心位置をX座標とすることができる。図11に示す波形から、キャリブレーションマーク62に対するアライメントマーク61のX座標を求めることができる。
さらに、図11に示す波形のLm1’とLm1’’の平均値から図10示されるLm1が求められ、t=t2時にTTLアライメントスコープ100の視野に対して、キャリブレーションマーク62のX方向長さがLm1となる位置であったことを検知できる。精度向上のため、X方向に並んでキャリブレーションマーク62を敷設すれば、平均化効果を用いてキャリブレーションマーク62のY座標を求めることができる。
アライメントマーク61のY座標についても同様に、図11に示されるLp1’とLp1’’の平均値から図10に示されるLp1が求められる。さらに、t=t1時にTTLアライメントスコープ100の視野に対してアライメントマーク61のX方向長さがLp1となる位置であったことを検知できる。キャリブレーションマークの時と同様に、X方向に並んでアライメントマークを敷設すれば、平均化効果を用いてキャリブレーションマーク62に対するアライメントマーク61のY座標を求めることができる。
さらに、この処理を図5に示すように1つのアライメントマーク61およびキャリブレーションマーク62に対して、複数回計測する。この複数回の計測により、TTLアライメントスコープ100に対するアライメントマーク61およびキャリブレーションマーク62のY座標をさらに精度良く求めることができる。この結果、求められらキャリブレーションマーク62(光軸中心)に対する、アライメントマーク61のずれ量を図10(b)に示されるようにD2とする。
図10に示されるようにプレート36の駆動速度をvとすれば、t=t1からt=t2の間にプレート36に敷設されたアライメントマーク61の駆動量Sは、s=(t2‐t1)×vで求めることができる。以上の結果からベースラインBLは、BL=s−D1+D2で求めることができる。
図10に示されるようにプレート36の駆動速度をvとすれば、t=t1からt=t2の間にプレート36に敷設されたアライメントマーク61の駆動量Sは、s=(t2‐t1)×vで求めることができる。以上の結果からベースラインBLは、BL=s−D1+D2で求めることができる。
(デバイス製造方法の実施例)
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板(ウェハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その露光された基板を現像する工程と、を経ることにより形成、製造される。現像された基板を加工する工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)は、前述のいずれかの実施例の露光装置を使用して、感光剤を塗布した基板(ウェハ、ガラスプレート等)を露光する工程と、その露光された基板を現像する工程と、を経ることにより形成、製造される。現像された基板を加工する工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。
10:投影光学系 20:マスクステージ 21:マスクステージ基板
22:XYθステージ 23:マスク 30:プレートステージ
31:本体ベース 32:Yステージ 33:Xステージ
34:θZステージ 35:プレートチャック 36:プレート
40:観察光学系 41:照明光学系 50:レーザ干渉測長器
51:レ−ザヘッド 52:干渉ミラー 53:干渉ミラー
54:第1の反射ミラー 55:第2の反射ミラー 60:オフアクシススコープ
61:アライメントマーク 62:キャリブレーションマーク
100:TTLアライメントスコープ
22:XYθステージ 23:マスク 30:プレートステージ
31:本体ベース 32:Yステージ 33:Xステージ
34:θZステージ 35:プレートチャック 36:プレート
40:観察光学系 41:照明光学系 50:レーザ干渉測長器
51:レ−ザヘッド 52:干渉ミラー 53:干渉ミラー
54:第1の反射ミラー 55:第2の反射ミラー 60:オフアクシススコープ
61:アライメントマーク 62:キャリブレーションマーク
100:TTLアライメントスコープ
Claims (7)
- 基板を保持して移動するステージと、
前記ステージ上のマークの像を検出するラインセンサと、
前記ラインセンサの長手方向と直交する方向に前記ステージを移動させながら前記ラインセンサにより前記像を検出するように前記ステージおよび前記ラインセンサを制御し、前記ラインセンサの出力に基づいて、前記ステージ上の前記マークの位置を算出する処理部と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記マークは、前記長手方向における幅が異なり、
前記処理部は、前記ラインセンサにより前記像を複数回検出するように前記ステージおよび前記ラインセンサを制御し、前記ステージの移動方向における前記マークの位置を算出する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記処理部は、前記長手方向における前記マークの位置を算出する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記処理部は、前記基板を露光するときの前記ステージの目標走査速度にしたがって前記ステージを移動させる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置。
- 前記処理部は、算出された前記マークの位置に基づいて、前記基板を露光するときの前記ステージの走査移動を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の露光装置。
- 前記マークは、前記ステージに保持された前記基板上のマークおよび前記ステージに形成されたマークの少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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JP2009135588A JP2010283171A (ja) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
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