JP2007121283A - 電流測定値用組立体群 - Google Patents

Abstract

【課題】磁界センサを用いた電流測定用組立体を提供する。
【解決手段】電流測定用組立体群には、３つの切欠部５、６、７を有する導体板１と、２つの磁界センサ２、３から成る差分センサ４を有する導体板１に配置する測定素子とを備える。これら３つの切欠部５、６、７によって、第１及び第２導体部分８、９を導体板１に形成し、第２導体部分９の電流方向を第１導体部分８の電流方向と反対にする。第１磁界センサ２を第１導体部分８上に位置付け、第２磁界センサ３を第２導体部分９上に位置付ける。磁界センサ２、３は、導体板１の表面と平行に、２つの導体部分８、９の電流方向に直交して流れる磁界に感応する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電流測定用組立体群に関する。

ホール素子を利用した電流の非接触測定は、多くの用途に、例えば電気計器で、又はバッテリーへ又はバッテリーから供給される電流を測定するのに使用されている。ホール素子により、電流によって生成された磁界を測定する。他の磁界源から生じる磁界干渉の影響を低減するために、強磁性材料のシールドが多くの場合使用されている。こうしたシールドはしばしば殆ど有効でないため、遮蔽の向上は困難であるが、たとえそうであっても、高性能装置のみでＵ字型又はＳ字型導体及び２つのホール素子を有して開発されており、そこでは電流によって生成される磁界が該２つのホール素子の位置で、互いに逆に流れる方向に向いている。従って、電流は２つのホール素子で反対符号のホール電圧を生成する一方で、外部の干渉場では同符号のホール電圧を発生させる。こうした装置は、国際特許出願第ＷＯ ９９／６０４１６号及び第ＷＯ ０１／２３８９９号から既知である。ホール素子をＵ字型又はＳ字型導体の切欠部内に配置する必要があるため、単一の半導体チップ上に両ホール素子を組込むことが不可能である。このため、個々の成分の組立てが、広範で、複雑である。その上、感度が比較的低い。

本発明の目的は、取付公差、外部の干渉場及び温度変化に対して耐性があり、高帯域を有し、簡易で経済的な組立を可能にする、小さな外形寸法の電流測定用ソリューションを作製することである。

このソリューションを、導体板及び測定素子を備える電流測定用組立体群とする。測定素子は、電気端子を有するハウジングから成る。磁界感応感知素子を有する半導体チップを、ハウジングに埋設する。導体板には３つの切欠部を有する。第１及び第３切欠部を導体板の第１縁部で開始させる。第２切欠部を導体板の反対側にある第２縁部で開始させ、第１切欠部と第３切欠部との間に配置する。切欠部によって、第１及び第２導体部分を導体板に形成し、第２導体部分の電流方向を第１導体部分の電流方向と反対（逆平行）にする。磁界感応感知素子により、２つの磁界センサを形成する。２つの磁界センサは、導体板の表面と（また、半導体チップの能動面と）平行に、第１導体部分の電流方向と直交して流れる磁界成分に感応する。測定素子を導体板の第２切欠部領域に配設するが、第１磁界センサを第１導体部分上に位置付け、第２磁界センサを第２導体部分上に位置付けるように、これを配設する。第１導体部分を流れる電流により磁界が第１磁界センサ位置で発生するが、該磁界は基本的には導体板表面に平行に、電流方向に直交して流れる。第２導体部分を流れる電流により磁界が第２磁界センサ位置で発生するが、該磁界も基本的に導体板表面に平行に、電流方向に直交して流れる。第１磁界センサ位置での磁界方向は、第２磁界センサ位置での磁界方向と逆に流れるが、これは第２導体部分での電流が、第１導体部分での電流の時と反対方向に流れるためである。これら２つの磁界センサを差分センサとして動作させ、それにより該センサに必要な信号を加算する。

好適な実施例では、磁界感応感知素子には半導体チップの能動面に配設した磁界集中器及び半導体チップの能動面に組込んだホール素子を備える。磁界集中器を、測定する磁界成分をホール素子位置で増幅及び集中するのに役立てる。

磁界集中器により、局所的に磁界を９０°回転させる。導体板で流れる電流により、例えば、第１磁界センサの領域で略ｘ方向に向く磁界を発生させる。磁界集中器によりこの磁界を局所的に９０°回転させ、それにより磁界がその縁部の特定位置でｚ方向に向くが、そこではｘとｚは直交座標系の軸を示す。ホール素子を、磁界集中器縁部の下に配設する横型ホール素子、又は横向に転置させて、回転させた磁力線が既に再びｘ方向に流れる磁界集中器縁部に隣接して配設する縦型ホール素子のどちらかとする。用語“横型ホール素子”及び“縦型ホール素子”を、関連文献で使われているように使用する。つまり、縦型ホール素子には、少なくとも３つ、一般的には４または５つの電気接点を直線に沿って配設する。こうした縦型ホール素子については、例えば欧州特許出願公開第ＥＰ１４８３３０号又は第ＥＰ３６２４９３号から既知である。横型ホール素子は、それらの能動面に垂直に衝突する磁界成分に感応するのに対して、縦型ホール素子はそれらの能動面に平行に、接点を有する直線と直交して流れる磁界成分に感応する。

ホール素子はオフセットを示すが、このオフセットは、磁界が消滅しても、ゼロではないホール電圧として現れる。そうしたオフセットを低減するために、異なるソリューションが知られるが、特に幾つかのホール素子を組合せて、それらを使用して供給電流を異なる方向に流すもの、又は所謂“スピニング電流方法”を使用してホール素子の電流及び電圧接点を周期的に交換するもの、同様に両ソリューションの組合せ等が知られている。用語“ホール素子”は、幾つかのホール素子のかかる組合せも含むと理解されなければならない。

特定用途では、電流が一時的に１００Ａ（アンペア）を遙かに超える、例えば１０００Ａ、１５００Ａ又は２０００Ａにさえ上昇し、これらの値が動作範囲外にある、ことが起こる。こうした電流ピークの原因は、例えば短絡である可能性がある。電流測定を、所定の精度を有する所定の動作範囲で、及び精度を抑えた所定の過負荷範囲で実施するこれらの用途に対して、ソリューションとして適当なのは、磁界センサで使用するホール素子を、縦型ホール素子としたもの、又は、追加の縦型ホール素子を存在させることで、横型ホール素子を有する磁界センサの出力信号を、所定の制限電流を越えると一定とするものである。この理由は、磁界集中器が、制限電流に達すると、飽和状態となり、それにより横型ホール素子を通る磁界磁束が電流の増大に伴いそれ以上増大しないからである。

更なる実施例では、磁界感応感知素子をＡＭＲ（異方性磁気抵抗）又はＧＭＲ（巨大磁気抵抗）センサ、又はフラックスゲートセンサとする。ＡＭＲセンサ、ＧＭＲセンサだけでなくフラックスゲートセンサにも、強磁性材料を備える。これらの強磁性材料は電流によって生成した磁界を測定する成分を増幅及び集中する、即ち、該強磁性材料は、前述の実施例による磁界集中器の機能も代わりに果たす。

更なる実施例では、磁界感応感知素子を、半導体チップの能動面に組込んだ縦型ホール素子とする。縦型ホール素子により、直接、半導体チップの能動面と平行に流れる磁界成分を測定する。

本発明による電流測定用組立体群には、幾つかの利点がある：
‐２つの個別の成分だけ、即ち導体板及び測定素子、から成る。
‐測定素子は、極めて小さい。２つの磁界センサ間の距離が、約１〜３ミリメートルの範囲内にある。これにより、外部の不均一磁界に対する測定素子の感度が低下する。
‐測定素子を導体板に実装するのは、極めて簡単である。単に適切な位置で導体板上に接着するだけである。位置決め精度は、あまり重要ではない。
‐導体板の厚みを動作範囲に適合でき、厚みが測定値に影響しない。
‐全電子回路、及び全ての磁界感応感知素子を、単一の半導体チップ上で実現することによって、磁界感応感知素子の特性に関するばらつきを軽減でき、磁界感応感知素子は常に略同じ温度を有し、２つの磁界センサ間の距離を所定の距離に固定し、耐用期間中一定に維持できる。

本発明による組立体群は、ハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）での電流測定にかなり適しており、ＨＥＶでは、ブラシレスＤＣモータ（ＢＬＤＣモータ）を高周波電流によって制御し、典型的には最大２００〜１０００Ａの電流を測定する。電流信号をパルス幅変調するが、そのため、高帯域の電流センサ又は、其々５〜２０マイクロ秒の範囲の応答時間が必要である。

添付図は、本明細書に組込まれ、本明細書の一部を構成するが、本発明の１つ又は複数の実施例を例示し、詳細な記述と共に、本発明の原理及び実施について説明するのにこれを用いる。図面は、原寸に比例していない。図面では、３直交座標方向を、ｘ、ｙ及びｚで示している。

図１では、本発明による電流測定用組立体群について模式的に三次元で表示しており、該組立体群を、例えば動作範囲を０〜２００Ａとして設計している。組立体群には、それを通して測定する電流Ｉが流れる、平面導体の形状をした導体板１、及び２つの磁界センサ２及び３から形成する差分センサ４を備える。導体板１には３つの切欠部５、６及び７を含み、該切欠部を導体板の長手方向、ここではｘ方向、に直交させて配設し、それにより第１及び第２導体部分８及び９を、第２導体部分９での電流方向が第１導体部分８での電流方向と逆になるように、形成する。２つの導体部分８及び９の境界を破線で示す。第１磁界センサ２を第１導体部分８に配設し、第２磁界センサ３を第２導体部分９に配設する。２つの磁界センサ２及び３を、導体板１の表面と平行に、第１（また第２）導体部分８での電流方向に直交して流れる磁界成分に感応させる。この例では、２つの磁界センサ２及び３を、従って、磁界のｘ成分に感応させている。２つの磁界センサ２及び３を、基本的に同じとする。２つの磁界センサについては、図２及び図 ３によって更に詳細に説明する。組立体群には、差分センサ４の操作用に電子回路を更に備える。

明確に説明するために、本発明の重要な態様、即ち磁界センサ２及び３を共通の半導体チップに組込み、共通のハウジングに埋設するという点、については図１で示していない。本発明による電流測定用組立体群は、従って、２つの単一構成要素、即ち導体板１及び測定素子から成り、該測定素子を導体板１上の所定位置に実装する。測定素子には磁界感応感知素子を有する半導体チップを含むが、該半導体チップをハウジングに従来技術で埋設する。半導体チップの能動面を、測定素子を固定する導体板１の表面と平行にする。磁界感応感知素子で２つの磁界センサ２及び３を形成する。有利には、半導体チップにも差分センサとしての磁界センサ２及び３を操作する電子回路を備え、それによりその出力信号を、導体板１を通して流れる電流Ｉの振幅と比例させる。

磁界感応感知素子を、例えばＡＭＲ又はＧＭＲ又はフラックスゲートセンサとする。しかしながら、磁界感応感知素子を、好適にはホール素子、又はホール素子と磁界集中器の組合せとする。ホール素子を、半導体チップの能動面に組込む。磁界集中器を、半導体チップの能動面に配設する。導入部において言及したように、横型ホール素子と縦型ホール素子とを区別する。縦型ホール素子により、半導体チップ表面と平行に向いた成分を測定する。従って、該縦型ホール素子によりｘ成分を測定するように設置する。横型ホール素子により、半導体チップの能動面に垂直に向いた磁界成分を測定するが、該磁界をここではｚ方向に流れる磁界とする。従って、横型ホール素子を磁界集中器の縁部領域に配置し、該磁界集中器は、ｘ方向に流れる測定する磁界を局所的に９０°回転させ、それによりｚ方向に横型ホール素子の位置に流れるようにする役目を果たす。

図２〜図６では、異なる実施例について示すが、これらの実施例では、少なくとも１つのホール素子及び少なくとも１つの磁界集中器から形成した磁界センサを作製したらよいかの方法に関する複数の可能性について説明する。第１導体部分８上に配置する磁界センサ２だけを示すが、第２導体部分９上に配置する磁界センサ３も同様にして同じ半導体チップにおいて実現し、同じハウジングに埋設する。

図２及び図３では、磁界センサ２の側面図（図１のｙ方向に従う）、及び平面図（図１の負のｚ方向に従う）を其々示す。磁界センサ２には、半導体チップ１０に組込んだ少なくとも１つのホール素子１１及び空隙部によって分離し、半導体チップ１０に配設する２つの磁界集中器１２及び１３を備える。磁界センサ２は、従来のＩＣのようなハウジング１４にカプセル封入する。図２では導体板１の第１導体部分８も示す。ホール素子１１を、２つの磁界センサ１２と１３との間の領域で半導体チップ１０に組込む。ホール素子１１を横型ホール素子とし、該ホール素子を半導体チップ１０の能動面に垂直に流れる磁界成分、即ちここではｚ成分、に感応させてもよい、又はホール素子１１を縦型ホール素子とし、該ホール素子を半導体チップ１０の能動面に平行に流れる磁界成分、即ちここではｘ成分に感応させてもよい。漏れ磁界の磁力線はホール素子を通過するが、これらは第１磁界集中器１２から第２磁界集中器１３までの空隙部の外側を流れる磁力線である。これらの磁力線は、磁界集中器１２及び１３の磁界面に垂直に流れる。横型ホール素子は磁界集中器１２又は１３の縁部下で空隙部から離れた縁部側面に、即ちできる限り多くの漏れ磁界の磁力線がｚ方向に流れる場所、に配設する必要があり、一方で、縦型ホール素子は磁界集中器１２又は１３の縁部に隣接して空隙部に、即ちできる限り多くの漏れ磁界の磁力線がｘ方向に流れる場所、に配設する必要がある。横型ホール素子をホール素子として使用する場合、好適には、２つの横型ホール素子を使用し、第１ホール素子を第１磁界集中器１２に配設し、第２ホール素子を第２磁界集中器１３に配設し、それにより漏れ磁界の磁力線を片方のホール素子を介して正のｚ方向に通過させ、他方のホール素子を介して負のｚ方向に通過させる。これら２つのホール素子をそのように配線し、それらのホール電圧により必要な信号が増大するよう動作させる。ホール素子１１により、このように、ｘ方向に流れ、磁界集中器１２及び１３により増幅した外部磁界の成分を測定する。空隙部に向けて、２つの磁界集中器１２及び１３を好適にはテーパを付けて形成し、それにより該磁界集中器でｙ方向の磁力線も集め、それら磁力線をホール素子１１位置で空隙部に集中させる。

図１から分かるように、導体板１はｘ方向に延在させる。切欠部５、６及び７は、ｙ方向に延在させる。磁界センサ２及び３を、磁界集中器１２及び１３によりｘ方向に流れる磁界成分を増幅するように位置合わせする。第１導体部分８を流れる電流により円形磁界Ｂ１を発生させるが、該磁界Ｂ１を、該当するホール素子１１に、第１磁界センサ２の磁界集中器１２及び１３によって、集め、集中させ、通過させる。磁界Ｂ１の磁力線は磁界集中器１２に入り、磁界集中器１３から出る、即ち磁力線は正のｘ方向に流れる。第２導体部分９を流れる電流により円形磁界Ｂ２を発生させるが、該磁界Ｂ２も、該当するホール素子１１に第２磁界センサ３の磁界集中器１２及び１３によって、集め、集中させ、通過させる。ここでは、磁界Ｂ２の磁力線は磁界集中器１３に入り、磁界集中器１２から出る、即ち磁力線は負のｘ方向に流れる。従って、差分センサ４の出力信号を、磁界センサ２と３の出力信号の差とし、該差は２つの磁界Ｂ１とＢ２の差と比例する。差分センサ４は、このように導体部分８及び９で導体板１を流れる電流により発生する磁界を測定するだけでなく、可能性のある外側の干渉場のｘ成分も測定する。

２つの磁界センサ２及び３により、第１導体部分８又は第２導体部分９其々で電流Ｉによって生成した磁界だけを測定するので、切欠部５、６及び７をｘ方向に適宜小さくできる。導体板１のオーム抵抗は、従って切欠部５、６及び７により極僅かに増大するのみで、生成された散逸熱は、極めてよく放散される。

図４では、縦型ホール素子をホール素子１１として使用する磁界センサを示し、該ホール素子を２つの磁界集中器１２と１３の間に配置している。

図５では、２つの縦型ホール素子をホール素子１１として使用する磁界センサを示し、該ホール素子を２つの磁界集中器１２と１３の間に配置している。局所的な干渉場は、２つの縦型ホール素子を同方向に通過する。

図６では、単一の磁界集中器１２のみ及びその縁部の下に配設する２つの横型ホール素子１６を有する磁界センサを示している。２つの横型ホール素子１６を通過する磁力線は、片方のホール素子で正のｚ方向に、及び他方のホール素子で負のｚ方向に、流れる。２つのホール素子のホール電圧の差は、磁界センサ２の出力信号の形となり、この信号は従って外部磁界から独立している。２つの横型ホール素子１６の代りに、少なくとも１つの縦型ホール素子を設けてもよいが、その場合該縦型ホール素子を磁界集中器１２の縁部に隣接して配設する必要がある。

図７及び図８では、図６による磁界センサ用磁界集中器１２の平面図を示している。磁界集中器１２は、１例では、矩形形状を有しており、別の例では中央で拡張させ、それによりｙ方向で更なる磁力線を集め、ホール素子１６の位置でそれらを集中させている。

図９では、本発明による電流測定用組立体群の１実施例の側面図を示しており、該実施例では２つの磁界センサ２及び３各々に２つの磁界集中器１２、１３を備えている。

図１０では同様な実施例を示すが、該実施例では磁界センサ２の第２磁界集中器及び磁界センサ３の第１磁界集中器を、単一の磁界集中器１７で置換している、即ち、それらを結合させて単一の磁界集中器１７としている。

図１１では、図表及び電流測定用組立体群を示している。この図表では磁界のｘ成分Ｂｘの流れについて、磁界集中器１２、１３又は１７の其々の高さで、２つの導体部分８及び９上で、磁界集中器１２、１３又は１７がない場所でも、説明している。磁界が、導体部分８及び９に電流を流すことにより生成される。ｘ成分Ｂｘは切欠部６の中心に関して対称となり、そこで該成分の符号が変わり、正の極値１８と負の極値１９を有する。２つの極値１８と１９との間の距離をＢとする。これら２つの極値１８と１９との間には、ｘ成分Ｂｘの数列が略線形となる領域が存在する。

図１１の電流測定用組立体群は、磁界集中器１２、１３又は１７が上述の実施例でのものより短くする点で特徴付けられる。互いから最遠に離隔する差分センサ４の２つの磁界集中器１２と１３の外端部間の距離Ａを、距離Ｂと略同じ寸法又は距離Ｂより短くする。このソリューションは特に、不可避の取付公差や、こうした電流測定用組立体群を永続的に動作させる中で出現する可能性がある老朽化現象に対して耐性があるが、これは差分センサ４のｘ方向での変位が、所定の許容限度内では、出力信号を変化させない又は極僅かに変化させるのみだからである。図１０の差分センサ４は、最高感度に対応するよう設計してあるのに対して、図１１の差分センサ４は、取付公差に対して優れた耐性があるよう設計したが、そのため感度が低減する犠牲が生じた。

導入部で記述したように、特定用途で、電流が一時的に、１００Ａを遙かに上回る、例えば１０００Ａ、１５００Ａ又は２０００Ａまでさえ上昇することが起こる。かかる用途に対しては、磁界センサ２及び３で使用するホール素子１１を、有利には縦型ホール素子とする、又は、追加の縦型ホール素子を存在させる。図１１の実施例では、磁界集中器１２、１７及び１３で回転させた磁界を測定するホール素子を横型ホール素子とする。更に縦型ホール素子２０を存在させて、該縦型ホール素子により信号を、特に横型ホール素子の出力信号が、電流を増大させても、磁界集中器１２、１７及び１３が部分的又は完全に磁気的に飽和しているため、もはや増大しない場合に、提供する必要がある。２つの磁界センサ２及び３の中の少なくとも１つに縦型ホール素子を備えるならば十分である。縦型ホール素子２０を基本的に、電流によって発生した磁界のｘ成分Ｂｘが十分に大きい任意の場所に配置可能で、回転させた磁力線が既に再び略ｘ方向に流れる磁界集中器の縁部領域、又は磁界集中器下の任意の場所、又は磁界集中器から離れた任意の場所でさえも存在可能である。縦型ホール素子２０の測定信号への貢献度は、その位置によって異なる。単一の縦型ホール素子２０だけを存在させた場合、その結果過負荷領域での測定値には、干渉磁場のものである可能性のあるｘ成分も含むが、これは、しかしながら、概して測定する磁界と比較して小さい。これを避けるために、２つの縦型ホール素子を存在させ、第１縦型ホール素子を第１導体部分８の領域に配置し、第２縦型ホール素子を第２導体部分９の領域に配置してもよく、これら２つの縦型ホール素子を差分センサとして接続してもよい。

全ての実施例で、測定する磁界成分は、導体板１の平面と平行で、従って半導体チップ１０の能動面とも平行に、流れる。

上記で提示した実施例は、好適なソリューションを代表するが、というのも全ての磁界感応感知素子を単一の半導体チップ上に収容し、この半導体チップを単一のハウジングにカプセル封入するからである。測定素子により、２つの磁界センサ２と３の出力信号の差と比例する出力信号を提供する。このソリューションは特に簡易で、従って、経済的である。しかしながら、このソリューションで達成できない更なる必要条件を要する用途がある。かかる必要条件の１つとして、測定素子には一定の冗長を有し、それにより有効な測定信号を外乱が発生した際にも提供すること、が挙げられる。それで、例えば、必要条件を２つの磁界センサ２と３を直流電気によって分離することとするかも知れない。これらの必要条件を満たすために、２つの他の可能性がある：
１、２つの磁界センサ２及び３を、２つの分離した半導体チップ上に実現し、これらを、しかしながら、同じハウジングに埋設する。 ２つの磁界センサの出力信号を、２つの端子を介して、外部に提供し、インターフェース回路で更に処理する。
２、２つの磁界センサ２及び３を、２つの分離した半導体上に実現し、これらを別々のハウジング、例えばＳＯ−８、ＳＯ−１６、ＳＯＩＣ、ＤＩＬ又は他の標準的なパッケージに各々カプセル封入する。これら２つのハウジングをプリント回路基板又は別のキャリアに実装し、従って測定素子を形成する。これらのソリューションでは、２つの磁界センサ間の距離を、少し大きく、最高１０ミリメートルにしてもよい。

本発明の実施例及び適用例について示し、記述したが、本開示により利益を享受する当業者には明らかなように、上述した変更以外にも多数の更なる変更が、本明細書の発明概念から逸脱することなく可能である。本発明は、従って、付記された請求項及びそれらの同等物の精神を除いて、制限されない。

本発明による電流測定用組立体群について模式的に三次元で表示した図である。 磁界センサの側面図を示す。 磁界センサの平面図を示す。 更なる磁界センサの側面図を示す。 更なる磁界センサの側面図を示す。 更なる磁界センサの側面図を示す。 磁界集中器の平面図を示す。 磁界集中器の平面図を示す。 本発明による電流測定用組立体群の更なる実施例を示す。 本発明による電流測定用組立体群の更なる実施例を示す。 本発明による電流測定用組立体群の図表及び更なる実施例を示す。

符号の説明

１ 導体板
２、３ 磁界センサ
４ 差分センサ
５、６、７ 切欠部
８ 第１導体部分
９ 第２導体部分
１０ 半導体チップ
１１ ホール素子
１２、１３、１７ 磁界集中器
１４ ハウジング
１６ 横型ホール素子
２０ 縦型ホール素子

Claims (7)

1. ３つの切欠部（５、６、７）を有する導体板（１）であって、第１及び第３切欠部（５、７）は導体板（１）の第１縁部から開始し、第２切欠部（６）は導体板（１）の反対側にある第２縁部から開始して、第１と第３切欠部（５、７）の間に配設し、それにより第１及び第２導体部分（８、９）を導体板（１）に形成し、第２導体部分の電流方向を第１導体部分の電流方向と反対にする導体板（１）と、導体板（１）の表面に平行に、第１導体部分（８）での電流方向に直交して流れる磁界成分に感応する２つの磁界センサ（２、３）を有する測定素子であって、該測定素子を導体板（１）に、第１磁界センサ（２）を第１導体部分（８）上に位置付け、第２磁界センサ（３）を第２導体部分（９）上に位置付け、磁界センサ（２、３）を少なくとも１つの半導体チップ（１０）上に実現する磁界感応感知素子から形成する測定素子を備えること、を特徴とする電流測定用組立体群。
2. 磁界感応感知素子には、少なくとも１つの半導体チップ（１０）の能動面に配置する磁界集中器（１２、１３）と、少なくとも１つの半導体チップ（１０）の能動面に組込むホール素子（１１、１６）とを備え、該磁界集中器（１２、１３）をホール素子（１１、１６）位置での前記磁界成分の増幅及び集中に役立てること、を特徴とする請求項１に記載の組立体群。
3. 少なくとも１つの半導体チップ（１０）を単一の半導体チップとし、磁界集中器（１２、１３、１７）の数を３として、これら３つの磁界集中器を、直線に沿って配設し、中央の磁界集中器（１７）を両磁界センサ（２、３）のための共通磁界集中器とすること、を特徴とする請求項２に記載の組立体群。
4. 導体板（１）を流れる電流により磁界を発生させ、該磁界では、導体板（１）の表面に平行に、第１導体部分（８）の電流方向に直交して流れる前記成分には、磁界集中器（１２、１３）の無い場所に、互いからの距離Ｂで２つの極値を有し、互いが最も離隔した２つの磁界集中器（１２、１３）の外端部間の距離（Ａ）を、距離Ｂと略同じ寸法又は距離Ｂより短くすること、を特徴とする請求項２又は３に記載の組立体群。
5. 磁界感応感知素子を、少なくとも１つの半導体チップ（１０）の能動面に組込む縦型ホール素子（１１、１６）とすること、を特徴とする請求項１に記載の組立体群。
6. 磁界感応感知素子をＡＭＲ又はＧＭＲ又はフラックスゲートセンサとすること、を特徴とする請求項１に記載の組立体群。
7. 測定素子には磁界感応感知素子から成る２つの磁界センサ（２、３）を有し、該磁界感応感知素子を少なくとも１つの半導体チップ（１０）上に実現し、両磁界センサ（２、３）は、少なくとも１つの半導体チップ（１０）の能動面と平行に流れる磁界成分に感応すること、を特徴とする請求項１に記載の組立体群用測定素子。

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