JP2007112663A - 半導体単結晶製造装置および製造方法 - Google Patents
半導体単結晶製造装置および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007112663A JP2007112663A JP2005305855A JP2005305855A JP2007112663A JP 2007112663 A JP2007112663 A JP 2007112663A JP 2005305855 A JP2005305855 A JP 2005305855A JP 2005305855 A JP2005305855 A JP 2005305855A JP 2007112663 A JP2007112663 A JP 2007112663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- purge gas
- crucible
- rectifying member
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 157
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 106
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 84
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 20
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 108
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
【課題】シリコン単結晶の抵抗率と酸素濃度を制御し、かつ、単結晶収率を向上させることが可能なCZ法による半導体単結晶製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ1のチャンバ内壁1cと、るつぼ2およびヒータ6を画成する壁10を設ける。壁10は、単結晶側整流部材11、融液表面側整流部材12、ヒータ側整流部材13の3個の部材からなり、連結されてパージガス誘導路100を形成している。半導体単結晶が引き上げられるときに、パージガス導入手段により石英るつぼ3の融液表面近傍を通過するパージガスの流速を0.2〜0.35m/minに制御する。
【選択図】 図1
【解決手段】チャンバ1のチャンバ内壁1cと、るつぼ2およびヒータ6を画成する壁10を設ける。壁10は、単結晶側整流部材11、融液表面側整流部材12、ヒータ側整流部材13の3個の部材からなり、連結されてパージガス誘導路100を形成している。半導体単結晶が引き上げられるときに、パージガス導入手段により石英るつぼ3の融液表面近傍を通過するパージガスの流速を0.2〜0.35m/minに制御する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、チョクラルスキー法による単結晶の製造装置および製造方法、特にドーパントを混入させたシリコン単結晶の製造装置および製造方法に関する。
現在、N型シリコン単結晶の抵抗率を下げるために、シリコン(Si)に金属砒素(As)、アンチモン(Sb)、燐(P)等のドーパントを混入させることが行われている。また同時に、ウェーハのイントリンシックゲッタリング(以下IGという)を行うためにシリコン単結晶の酸素濃度を所定の値に制御することが求められている。
CZ装置においては、例えば図5に示すように、チャンバ1内に配置したるつぼ2、るつぼ2の周囲に設けたヒータ6、ヒータ6の外周に設けた断熱体7、および断熱体7の内側面に沿って設けたヒートシールド8、そしてシリコン融液2aの融液表面2d近傍に配置した融液表面整流部材12をおもな構成要素としている。
るつぼ2は2個の部材からなっており、シリコン融液2aが貯留される部分に石英(SiO2)るつぼ3が用いられ、また、石英るつぼ3の底部と側面を覆い、石英るつぼ3を保持・保温するために黒鉛(C)るつぼ4が用いられている。
整流部材12は、内側端部Pが融液表面2dと所定の距離を有して配置され、他方の端部Qがヒートシールド8の上端部に接するように配置されている。
単結晶2bは、石英るつぼ3にシリコン原料を溶融して、融液表面2dから、引き上げ機構2eを用いて図示しない種結晶を介して結晶を成長させつつ図の上方に引き上げて製造することができる。
ところで、シリコン単結晶の製造においては、石英るつぼ3とシリコン融液2aのSiが界面反応してSiOを生成し、そのSiOがシリコン融液2aに混入する。そして高揮発性のSiOは融液表面2dから容易に蒸発する。
このSiOは、チャンバ1の比較的低温の内壁1c、単結晶2bの表面、およびるつぼ2周辺の部品に凝縮・固着し、その固着したSiOがまた剥離してシリコン融液2aに異物として混入することがある。すると、この異物が原因となって融液表面2dから成長する結晶が多結晶化してしまい、結果として、シリコン単結晶収率が下がってしまう。
そこで、シリコン単結晶収率を上げるために、融液表面2dの上部近傍に融液表面整流部材12を設け、円筒1aに設けたパージガス導入口1dから導入した不活性のパージガスを整流部材12で整流させて、融液表面2dから蒸発したSiOをパージガス中に取り込み、その後排気口1eからチャンバ1外に排出することが行われている。図中の矢印G1〜G4で、上記パージガスの流れを示した。
一方、上述したドーパントは、シリコン融液2aに微量存在する酸素と結合し、融液表面2dから揮発性酸化物として蒸発することが知られている。たとえばSbをドープしたシリコン単結晶を引き上げる場合、高揮発性のドーパント酸化物Sb2O3が融液表面2dから激しく蒸発する。
特に、融液表面整流部材12があると、シリコン原料にSbをドープして低抵抗率のシリコン単結晶を得ようとしても、パージガスの整流作用および流速効果によってSb2O3の蒸発がさらに促進されてしまうため、所望する低抵抗率のシリコン単結晶を制御性よく得ることができない。
さらに、上述したように、ウェーハのIG効果を高めるためにシリコン単結晶の酸素濃度を所定の値に制御する必要があるが、融液表面整流部材12を用いたことでSiOとドーパント酸化物の蒸発が促進されてしまい、結果としてシリコン単結晶内の酸素濃度を高く制御できないという不具合を生じてしまう。
そこで、特許文献1には、整流部材の形状を工夫し、融液表面近傍のパージガス流量をできるだけ少なくして、ドーパント酸化物の蒸発を抑制してシリコン単結晶の酸素濃度低下を防止する技術が開示されている。
また、特許文献2には、チャンバ内の圧力を上げ、ドーパント酸化物の蒸発を抑制することでシリコン単結晶の酸素濃度低下を防止し、かつ、融液表面から蒸発するSiOが拡散してチャンバ内壁等に凝縮・固着しないように、高速ガスパージ流をカーテンガスとして利用し、SiOをチャンバ外に排出する技術が開示されている。
特開平07−232994号公報。
特開平10−182289号公報。
ところが、特許文献1に開示された装置の場合、ガス整流部材の一部を貫通してパージガスをチャンバ内に拡散させる構造であるため、比較的低温のチャンバ内壁にSiOが凝縮・固着し、再度剥離して融液に異物として混入するのを防止できず、単結晶収率を上げることが困難であった。また、融液表面近傍のパージガス流量を小さくすることは、蒸発物質をパージガスに取り込みチャンバ外に排出する技術思想と相容れなかった。
また、特許文献2に開示された装置の場合、ドーパント酸化物の蒸発を抑制するためにチャンバ内の圧力を上げると、カーテンガス効果が弱くなってしまう。このため、融液表面から蒸発したSiOは拡散してチャンバ内壁等に凝縮・固着し、再度剥離して融液に異物として混入してしまい、単結晶収率のよいシリコン単結晶を得ることが困難であった。また、カーテンガスを得るために構造が複雑になるという問題があった。
一方、本願発明者等の実験によれば、シリコン単結晶収率と抵抗率が、パージガスの圧力、ガス流量、流速等のなかの特定のパラメータに大きく依存していることが明らかになってきた。すなわち、CZ法によるシリコン単結晶製造においては、SiOの異物対策を行うと同時に、チャンバに導入するパージガスのパラメータを常に最適化する必要がある。
本発明は上記の問題点に着目してなされたもので、シリコン単結晶の抵抗率と酸素濃度を制御し、かつ、単結晶収率を向上させることが可能なCZ法による半導体単結晶製造装置および製造方法を提供することを目的としている。
以上のような目的を達成するために、第1発明においては、半導体単結晶の原料の融液を貯留するるつぼと、前記るつぼの周辺にあって前記原料を加熱融解するヒータと、前記るつぼとヒータを内部に設けたチャンバとを備え、前記融液に種結晶を浸漬して単結晶が引き上げられる半導体単結晶製造装置において、パージガスを、パージガス導入口から流下して前記るつぼの融液表面近傍に誘導し、前記るつぼの融液表面から前記ヒータの上方に誘導し、前記ヒータの上方からパージガス排出口に誘導するパージガス誘導路がチャンバ内に形成されており、半導体単結晶が引き上げられるときに、前記るつぼの融液表面近傍を通過するパージガスの流速を0.2〜0.35m/minに制御するパージガス制御手段を具備することを特徴としている。
第2発明は、第1発明において、前記パージガス誘導路は、円筒状の単結晶側整流部材と逆円錐状筒を有する融液表面側整流部材と円筒状のヒータ側整流部材の3個の分割整流部材を備えることを特徴としている。
第3発明は、第2発明において、前記単結晶側整流部材は複数の部材を連結して構成されることを特徴としている。
第4発明は、第3発明において、半導体単結晶が引き上げられるときに、前記複数の部材の配置を変更する手段を有することを特徴としている。
第5発明は、第2発明において、前記融液表面側整流部材およびヒータ側整流部材は黒鉛材料で形成され、前記単結晶側整流部材は少なくともその一部が黒鉛材料で形成されることを特徴としている。
第6発明は、半導体単結晶の原料の融液を貯留するるつぼと、前記るつぼの周辺にあって前記原料を加熱融解するヒータと、前記るつぼとヒータを内部に設けたチャンバとを備えた半導体単結晶製造装置を使用し、前記融液に種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる半導体単結晶製造方法において、前記るつぼおよびヒータと前記チャンバの内壁とを画成するとともに、パージガスを、パージガス導入口から流下して前記るつぼの融液表面近傍に誘導し、前記るつぼの融液表面から前記ヒータの上方に誘導し、前記ヒータの上方からパージガス排出口に誘導するパージガス誘導路がチャンバ内に形成されており、前記融液表面近傍を通過するパージガスの流速を0.2〜0.35m/minに制御して単結晶を引き上げることを特徴としている。
第7発明は、第6発明において、前記パージガス誘導路は、円筒状の単結晶側整流部材と逆円錐状筒を有する融液表面側整流部材と円筒状のヒータ側整流部材の3個の分割整流部材を備えることを特徴としている。
第8発明は、第7発明において、前記単結晶側整流部材は複数の部材を連結して構成されることを特徴としている。
第9発明は、第8発明において、単結晶を引き上げるときに、前記複数の部材の配置を変更することを特徴としている。
第10発明は、第6発明乃至第9発明において、シリコン原料を前記るつぼに投入するときは、前記単結晶側整流部材および前記融液表面側整流部材を前記石英るつぼから離間し、シリコン原料を前記るつぼで溶解した後、前記2個の整流部材を所定の位置に配置し、その後、単結晶を引き上げることを特徴としている。
第1発明によれば、図1に示すように、パージガス誘導路100が形成されているので、チャンバ内壁1cに固着したSiOが再度剥離してシリコン融液2aに異物として混入することがなくなり、高い単結晶収率でシリコン単結晶を製造することができる。また、融液表面2d近傍のパージガス流速を0.2〜0.35m/minの範囲に制御することで、抵抗率の低いシリコン単結晶を高い単結晶収率で製造することができる。
第2発明によれば、各整流部材が一体物でなく独立して形成されているので、各整流部材をチャンバ1内に配置しやすくなるとともに、チャンバ1内で各整流部材を必要に応じて独立して移動させることが可能になる。
第3発明によれば、前記単結晶側整流部材は複数の部材を連結して構成されているので、原料溶解時やシリコン単結晶の引き上げ時に、各部材を必要に応じて独立して移動させることが可能になる。
第4発明によれば、シリコン単結晶の性能および結晶化率を向上させるために、各部材を最適位置に配置することができる。
第5発明によれば、パージガス誘導路100を形成する整流部材の大部分が黒鉛材料であるため、重金属汚染を引き起こすことがなく、また、長時間高温に晒されても整流部材が変形することがない。
第6発明によれば、図1に示す装置により、揮発性のドーパントをドープした融液であっても、チャンバ1内を高圧力雰囲気にすることで融液表面2dからの蒸発を制御性よく抑制でき、シリコン単結晶中のドーパント濃度または酸素濃度が減少するのを回避できる。また、融液表面2d近傍のパージガス流速を0.2〜0.35m/minの範囲に制御することで、低抵抗率でIG効果が高く、しかも単結晶収率の高いシリコン単結晶を得ることができる。
第7発明によれば、円筒状の単結晶側整流部材と逆円錐状筒を有する融液表面側整流部材と円筒状のヒータ側整流部材の3個の分割整流部材によりパージガス誘導路を形成して、所望の性能のシリコン単結晶を引き上げることができる。
第8発明によれば、前記単結晶側整流部材が複数の部材を連結して構成されているので、各部材を必要に応じて独立して移動させてシリコン単結晶の引き上げを行うことができる。
第9発明によれば、各部材を最適位置に配置することにより、シリコン単結晶の性能および結晶化率を向上させることができる。
第10発明によれば、図1および図3において、シリコン原料を石英るつぼ3に投入するときは、単結晶側整流部材11と融液表面側整流部材12を石英るつぼ3から離間し、シリコン原料を石英るつぼ3で溶解した後、前記整流部材11、12を所定の位置に配置し、その後、単結晶を引き上げることができるので、シリコン原料の投入およびその後の単結晶引き上げが容易に行える。
以下に、本発明に係わる半導体単結晶製造装置および製造方法について、図面を参照しながら説明する。
上述したように、シリコン単結晶製造では、チャンバ1内に凝固・固着したSiOが剥離し、再度、異物としてシリコン融液2aに混入してシリコン単結晶収率を低下させるため、SiO異物対策が必要である。
しかしながら、本願発明者等の実験によれば、シリコン単結晶収率および抵抗率は、融液表面2d近傍のパージガス流速に大きく依存することが明らかになった。
しかしながら、本願発明者等の実験によれば、シリコン単結晶収率および抵抗率は、融液表面2d近傍のパージガス流速に大きく依存することが明らかになった。
よって、シリコン単結晶製造においては、SiO異物対策と同時にパージガス導入条件の最適化を図る必要がある。
図1は、本発明の実施例1を説明するための概略図である。
同図1において、チャンバ1内のるつぼ2は、図の上下方向に移動できるシャフト5に固定して接続されている。るつぼ2にはシリコン融液2aが貯留されている。るつぼ2の周囲には黒鉛材料からなるヒータ6が配置されている。また、円筒1aの上方中心部から、育成中のシリコン単結晶を引き上げるための引き上げ機構2eが垂下している。なお、以下の説明の便宜のために、図中には、引き上げ初期のシリコン単結晶2bが実線で示され、成長後のシリコン単結晶2cが破線で示されている。
ヒータ6の外周には、黒鉛材料でできた円筒状のヒートシールド8が所定距離離間して設けられている。ヒートシールド8の外周には、円筒状の断熱体7が設けられている。
チャンバ1の右上方には、単結晶引き上げ中のシリコン融液2aの温度および結晶状態を観測するための覗き窓9が配置されている。
チャンバ1内は、後述するパージガス誘導路100を形成する壁10によって内部空間10aと外部空間10bとに画成されている。
壁10は、単結晶側整流部材11、融液表面側整流部材12、およびヒータ側整流部材13の3個の整流部材で構成され、互いに連結機構を介して連結されている。
なお、本願発明における「連結」とは、たとえば溶接手段で一体化するような態様だけでなく、突合せ、重ね合わせ、または嵌め合い等の態様であってもよく、パージガス、蒸発物質、または反応物質等が連結部位を容易に通過できない態様の結合をいう。
整流部材11は、所定の長さと厚みを有する円筒状の筒を3個連結した構成からなり、いずれの筒の内径も引き上げる単結晶の最大径より大きい。これらの径の値はパージガスの整流性を考慮して決定することができる。
上部に設けた上筒11aの上端は、円筒内壁1bに連結して保持される。中間に設けた中筒11bの上端は、前記上筒11aの下端と連結される。中筒11bの下端は、下部に設けた下筒11cの上端に連結される。下筒11cの下端は、以下に述べる融液表面側整流部材12の一端に連結される。
また、3個の筒11a、11b、11cは独立して昇降可能であり、シリコン単結晶引き上げ時に、単結晶の性能および単結晶収率を向上させるために、各筒を上下方向に適宜移動させることができる。
上筒11aと中筒11bは、いずれも熱的履歴変動の少ない黒鉛材料でできており、引き上げるシリコン単結晶の温度履歴を制御するために適宜筒の長さと厚さを変えることができる。また、下筒11cは、覗き窓9から融液表面の温度や単結晶の成長状態や融液表面の位置を観測できるように石英材料でできている。場合によっては、下筒11cの一部を石英材料として、その他の部分を黒鉛材料としてもよい。
融液表面側整流部材12は3個の部品で構成される。すなわち、逆円錐状筒12aの上端部で水平方向に外延する円環状フランジ12bが連結され、さらにフランジ12bの外端部から外筒12cが垂下するように連結された構造になっている。したがって、逆円錐状筒12aの下端部Pと融液表面2dとは最短距離になっている。シャフト5の機構を用いて、シリコン単結晶の引き上げにあわせて石英るつぼ2の位置を適宜調節することにより、逆円錐状筒12aの下端部Pと融液表面2dとの距離を所定値に設定することができる。
実施例1では、円筒1aの上方に整流部材昇降機構1jを設けている。整流部材昇降機構1jは、単結晶側整流部材11と融液表面側整流部材12を図の上下方向に移動させる機構である。たとえばワイヤを用いた巻き上げ・巻き戻しにより、整流部材11と12を図の上下に適宜移動させることができる。
また、整流部材昇降機構1jにより、シリコン原料を前記るつぼに投入するときは、単結晶側整流部材11および融液表面側整流部材12を石英るつぼ3からチャンバ1の上方空間に離間させ、シリコン原料を石英るつぼ3で溶解した後、整流部材11、12を所定の位置に配置させることもできる。
このように整流部材昇降機構1jを用いれば、シリコン原料の投入が容易になるとともに、シリコン原料投入後、再度所定の位置に整流部材11、12を戻すことができるので、その後の単結晶引き上げが容易に行える。
次に、パージガス誘導路100について説明する。
上記3個の整流部材11、12、13を連結してなる壁10によって、チャンバ1の円筒内壁1bに設けた、パージガス導入口1dと、融液表面2d近傍と、ヒータ6近傍と、パージガス排出口1eとが連通され、ガス導入口1dから導入されたパージガスがこの連通空間を誘導されながら流れる通路としてのパージガス誘導路100が形成される。
パージガスは、整流部材11によって外部空間10bに拡散しないまま、矢印G1に示したようにガス導入口1dから融液表面2d近傍に誘導・流下される。融液表面2d近傍まで到達したパージガスは、矢印G2で示したように整流部材12によって融液表面2dの外方向に誘導され、一旦るつぼ3の上方に誘導されてから、再び矢印G3で示したように下方に誘導される。
下方に誘導されたパージガスは、ヒータ6と整流部材13によって形成された隙間を流下して、矢印G4で示したようにチャンバ1の底部に設けられたパージガス排出口1eから排出される。なお、整流部材13の下端部まで誘導されたパージガスは、その一部がチャンバ1内空間に拡散できるようになっている。
パージガス誘導路100の形状は、シリコン単結晶の成長とシリコン融液の消耗とともに変化する。成長始めの単結晶2bの段階では、ガス導入口1dから導入したパージガスは、整流部材11で誘導され、融液表面2d側に流下する。また、成長した単結晶2cの段階では、パージガスは整流部材11と単結晶2cの側面で形成される隙間を誘導される。
さて、上述したように、融液表面2dからはSiOやドーパント酸化物等の蒸発物質がたえず蒸発している。
パージガス誘導路100を形成する壁10は、るつぼ2およびヒータ6とチャンバ内壁1cとを画成しているので、上記蒸発物質が、チャンバ内壁1cに直接拡散して凝縮・固着することを防止する。また逆に、壁10は、チャンバ内壁1c側で発生した異物がシリコン融液2aに混入するのを防止する。
特に、蒸発量の大きいSiOの場合、従来は比較的低温のチャンバ内壁1cに容易に凝縮・固着して、その後剥離し、異物として融液に混入することが避けられなかったが、壁10を形成したことで、そのような異物が融液に混入することを回避することができる。
また、パージガス誘導路100は、壁10によりパージガスを連通して誘導できるため、パージガスの整流性を高めることができる。よって、融液表面2dから蒸発するSiO等の蒸発物質をパージガス中に効率よく取り込んで、周囲の部品に付着させることを抑制し、チャンバ1の外に排出できる。
さらに実施例1の装置には、パージガス制御手段1fが設けられている。パージガス制御手段1fは、パージガス流量制御部1gと圧力計1hと演算部1iからなる。
融液表面2d近傍を通過するパージガスの流速Sは以下のようにして所定の値に設定することができる。
融液表面側整流部材12の内側端部Pと融液表面2dの間の全通過断面積をAとする。全通過断面積Aは上記端部Pと融液表面2dの距離に上記端部Pの周長を掛けた値である。パージガス導入口1dから導入した時間当たりのパージガス導入量をVとする。また、そのときのチャンバ1内の圧力をPとする。上記通過断面を通過するパージガスの流速をSとすると、ガス流の関係式V=C×ASP(Cは定数)によりS=CV/APが成り立っている。演算部1iは、上記ガス流の関係式に基づいて演算を行う。
パージガス流速Sの設定は、演算部1iで演算した時間当たりのパージガス導入量Vでパージガス流量制御部1gを制御することで行うことができる。
図2に、上記シリコン単結晶製造装置を使用したときのパージガス導入条件とシリコン単結晶特性の関係を示す。
図2には、各パージガス導入条件(パラメータはチャンバ内のパージガス圧力、Arガス流量、融液表面2d近傍のパージガス流速)に対する単結晶収率と抵抗率(ρ)の関係が示されている。図2(a)、図2(b)におけるパージガス導入条件は16条件である。
図2(a)、図2(b)の総合評価によれば、単結晶収率と抵抗率がともに合格する条件(図中の○の箇所)は、図2(a)では条件9〜12であり、図2(b)では条件10〜13である。その場合、融液表面2d近傍のパージガス流速は略0.2〜0.35(m/min)の範囲である。一方、圧力範囲は200〜760(Torr)であり、Arガス流量は100〜400(l/min)と広い範囲になっている。
すなわち、図2のデータによれば、シリコン単結晶製造においては、まず融液表面2d近傍のパージガス流速を所定の範囲(0.2〜0.35(m/min)にすることが肝要であり、次にチャンバ1内の圧力とArガス流量を設定すればよい。
以上のように、実施例1のシリコン単結晶製造装置および製造方法によれば、整流部材を用いてSiO異物対策を行うとともに、パージガスの導入パラメータを最適化することによって、単結晶収率が高くしかも低い抵抗率のシリコン単結晶を安定して得ることができる。
また、パージガス流速を所定範囲にするとともに、図2のデータに基づいて高ガス圧力雰囲気条件でパージガスを流すことで、融液表面2dからのドーパント酸化物の蒸発を制御性よく抑制できるので、酸素濃度の高い、IG効果に優れたシリコン単結晶を得ることができる。
図3は、本発明の他の実施例を説明するための概念図である。
図において、実施例1と異なるのは、おもに融液表面側整流部材12およびヒータ側整流部材13である。よって、以下においてはこれらを中心にして説明する。
整流部材12は4個の部品で構成されている。すなわち、逆円錐状筒12aの上端部で水平方向に外延する円環状フランジ12bが連結され、さらにフランジ12bの外端部から外筒12cが垂下するように連結された構造になっている。さらに外筒12cの下端部で水平方向に外延する円環状フランジ12dが連結され、外筒12dの外端部Qは円筒状のヒートシールド8の上端で内側に内接して連結されている。
ヒータ側整流部材13は、ヒータ6と内部シールド8aの2個の部品で構成されている。
内部シールド8aは、ヒータ6とヒートシールド8の間に設けられている。シールド8aの上端部は円環フランジ12dの底部と所定の距離離間しており、パージガスはこの間隙を誘導されるようになっている。また、ヒートシールド8、8aの下端部は、チャンバ1の底部に設けた排出口1e側に連結して接続されている。
パージガス誘導路100を上記構成にしたので、パージガスの流れは矢印G3で示したところまでは実施例1と全く同じであるが、その後、パージガスはヒータ6側に流れるのを抑制されつつ、矢印G5に示したように、シールド8、8aの隙間を誘導され、その後チャンバ1内空間に拡散することなく排出口1eから排出される。
実施例2のパージガス誘導路100の場合、実施例1に比べてさらに安定した整流性を得ることができる。
実施例2のパージガス誘導路100の場合、実施例1に比べてさらに安定した整流性を得ることができる。
また、整流性を保ちながらパージガス流速を大きくしても、パージガス条件を高圧力に設定することでシリコン融液表面2dからの蒸発の促進を抑制できるので、整流作用および流速効果によってシリコン融液2aのドーパント量または酸素量が低減するのを抑制できる。
一方、パージガス条件を高圧力と高流速に設定することで、異物の原因となるSiO等の蒸発物質のパージガス誘導路への取り込み効果を高めることができ、結果として、シリコン単結晶収率を向上させることができる。
さらに上記構造にしたことで、るつぼ3から発生した蒸発物が高温状態のヒータ6の表面に触れて反応し、あらたに反応物質を生成することを抑制できる。
図4に、本発明の装置で製造したシリコン単結晶を、従来装置で製造したシリコン単結晶と比較して示した。
図4において、シリコン単結晶収率は、従来の収率を基準として本発明の収率を比較した場合、約40%向上している。また、単結晶の成長初め部分のTop部抵抗率を見ると、本発明の場合、従来に比べ約15%低下している。
以上のように、本発明のシリコン単結晶製造装置および製造方法によれば、シリコン単結晶収率を高くして、しかもシリコン単結晶、つまりウェーハの抵抗率を低くすることができる。また、シリコン融液2aの酸素濃度を高く制御できるので、IG効果にすぐれたシリコン単結晶を得ることができる。
また、パージガス誘導路100はパージガスの整流性が高いので、融液表面2dから蒸発した蒸発物質がるつぼ周辺や高温のヒータ6表面と反応し、反応物質が発生したとしても、パージガス誘導路100を逆流して融液2aに混入することが避けられる。すなわち、汚染度の低い高純度シリコン単結晶を得ることができる。
また本発明の装置は、低抵抗率の単結晶を得るために、砒素(As)、アンチモン(Sb)、燐(P)等をシリコン融液2aにドープした場合、いずれの元素も、またその酸化物も蒸発しやすいので好適である。
本願発明では、ドーパントが砒素の場合、シリコン単結晶の抵抗率が最大3(mΩ)以下、好ましくは2(mΩ)以下となるようにドープ量を設定する。ドーパントがアンチモンの場合、シリコン単結晶の抵抗率が最大15(mΩ)以下、好ましくは10(mΩ)以下となるようにドープ量を設定する。また、ドーパントが燐の場合、最大1.5(mΩ)以下、好ましくは1.0(mΩ)以下となるようにドープ量を設定する。
また、本願発明におけるパージガス圧力の好適な範囲は200〜760(Torr)の範囲である。
なお、本発明のパージガス誘導路100の壁10の形状は、上記開示した両実施例に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しないかぎり適宜変形することが可能である。また、上記実施例においてはシリコン単結晶製造装置および製造方法の場合について述べたが、他の半導体材料にも適宜適用が可能である。
本発明の単結晶製造装置および製造方法を用いることで、高性能の単結晶を高収率で得ることができ、よって安定して高性能半導体素子用ウェーハを市場に供給することができる。
1 チャンバ
1b 円筒内壁
1c チャンバ内壁
1d パージガス導入口
1e パージガス排出口
2 るつぼ
2a シリコン融液
2b、2c 単結晶
2d 融液表面
2e 引き上げ機構
3 石英るつぼ
4 黒鉛るつぼ
5 シャフト
6 ヒータ
7 断熱体
8、8a ヒートシールド
9 覗き窓
10 壁
10a 内部空間
10b 外部空間
11 単結晶側整流部材
12 融液表面側整流部材
13 ヒータ側整流部材
100 パージガス誘導路
1b 円筒内壁
1c チャンバ内壁
1d パージガス導入口
1e パージガス排出口
2 るつぼ
2a シリコン融液
2b、2c 単結晶
2d 融液表面
2e 引き上げ機構
3 石英るつぼ
4 黒鉛るつぼ
5 シャフト
6 ヒータ
7 断熱体
8、8a ヒートシールド
9 覗き窓
10 壁
10a 内部空間
10b 外部空間
11 単結晶側整流部材
12 融液表面側整流部材
13 ヒータ側整流部材
100 パージガス誘導路
Claims (10)
- 半導体単結晶の原料の融液を貯留するるつぼと、前記るつぼの周辺にあって前記原料を加熱融解するヒータと、前記るつぼとヒータを内部に設けたチャンバとを備え、前記融液に種結晶を 浸漬して単結晶が引き上げられる半導体単結晶製造装置において、
パージガスを、パージガス導入口から流下して前記るつぼの融液表面近傍に誘導し、前記るつぼの融液表面から前記ヒータの上方に誘導し、前記ヒータの上方からパージガス排出口に誘導するパージガス誘導路がチャンバ内に形成されており、
半導体単結晶が引き上げられるときに、前記るつぼの融液表面近傍を通過するパージガスの流速を0.2〜0.35m/minに制御するパージガス制御手段を具備すること
を特徴とする半導体単結晶製造装置。 - 前記パージガス誘導路は、円筒状の単結晶側整流部材と逆円錐状筒を有する融液表面側整流部材と円筒状のヒータ側整流部材を備えること
を特徴とする請求項1記載の半導体単結晶製造装置。 - 前記単結晶側整流部材は複数の部材を連結して構成されること
を特徴とする請求項2記載の半導体単結晶製造装置。 - 半導体単結晶が引き上げられるときに、前記複数の部材の配置を独立して変更する手段を有すること
を特徴とする請求項3記載の半導体単結晶製造装置。 - 前記融液表面側整流部材およびヒータ側整流部材は黒鉛材料で形成され、前記単結晶側整流部材は少なくともその一部が黒鉛材料で形成されること
を特徴とする請求項2記載の半導体単結晶製造装置。 - 半導体単結晶の原料の融液を貯留するるつぼと、前記るつぼの周辺にあって前記原料を加熱融解するヒータと、前記るつぼとヒータを内部に設けたチャンバとを備えた半導体単結晶製造装置を使用し、前記融液に種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる半導体単結晶製造方法において、
前記るつぼおよびヒータと前記チャンバの内壁とを画成するとともに、パージガスを、パージガス導入口から流下して前記るつぼの融液表面近傍に誘導し、前記るつぼの融液表面から前記ヒータの上方に誘導し、前記ヒータの上方からパージガス排出口に誘導するパージガス誘導路がチャンバ内に形成されており、
前記融液表面近傍を通過するパージガスの流速を0.2〜0.35m/minに制御して単結晶を引き上げること
を特徴とする半導体単結晶製造方法。 - 前記パージガス誘導路は、円筒状の単結晶側整流部材と逆円錐状筒を有する融液表面側整流部材と円筒状のヒータ側整流部材を備えること
を特徴とする請求項6記載の半導体単結晶製造方法。 - 前記単結晶側整流部材は複数の部材を連結して構成されること
を特徴とする請求項7記載の半導体単結晶製造方法。 - 単結晶を引き上げるときに、前記複数の部材の配置を独立して変更すること
を特徴とする請求項8記載の半導体単結晶製造方法。 - シリコン原料を前記るつぼに投入するときは、前記単結晶側整流部材および前記融液表面側整流部材を前記石英るつぼから離間し、シリコン原料を前記るつぼで溶解した後、前記各整流部材を所定の位置に配置し、その後、単結晶を引き上げること
を特徴とする請求項7乃至9記載の半導体単結晶製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005305855A JP2007112663A (ja) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
DE112006002850.2T DE112006002850B4 (de) | 2005-10-20 | 2006-10-11 | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen |
US12/083,896 US8187383B2 (en) | 2005-10-20 | 2006-10-11 | Semiconductor single crystal manufacturing device and manufacturing method |
PCT/JP2006/320323 WO2007046287A1 (ja) | 2005-10-20 | 2006-10-11 | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005305855A JP2007112663A (ja) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007112663A true JP2007112663A (ja) | 2007-05-10 |
Family
ID=37962383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005305855A Withdrawn JP2007112663A (ja) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8187383B2 (ja) |
JP (1) | JP2007112663A (ja) |
DE (1) | DE112006002850B4 (ja) |
WO (1) | WO2007046287A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010006646A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶 |
WO2010010628A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶の製造方法、整流筒、および、単結晶引き上げ装置 |
JP2010168259A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置 |
US8871023B2 (en) | 2010-04-26 | 2014-10-28 | Sumco Corporation | Silicon single crystal pull-up apparatus and method of manufacturing silicon single crystal |
JP2016056026A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶 |
KR20180066095A (ko) * | 2015-10-19 | 2018-06-18 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정의 제조방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4730937B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2011-07-20 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体単結晶製造装置および製造方法 |
JP5172202B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2013-03-27 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP5418009B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2014-02-19 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 |
JP5453679B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-03-26 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの製造装置及びシリカガラスルツボの製造方法 |
KR101275382B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2013-06-14 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 냉각장치 및 단결정 냉각장치를 포함하는 단결정 성장장치 |
KR101871059B1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-07-20 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장장치 |
JP7285197B2 (ja) * | 2019-11-06 | 2023-06-01 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | 単結晶引上方法及び単結晶引上装置 |
CN111962140A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-20 | 晶科绿能(上海)管理有限公司 | 连续拉晶装置和连续拉制晶棒的方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02116695A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-05-01 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
JP2978607B2 (ja) | 1991-09-17 | 1999-11-15 | 新日本製鐵株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JPH0616490A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | シリコン単結晶製造装置 |
JP2691393B2 (ja) | 1993-12-28 | 1997-12-17 | 科学技術振興事業団 | 単結晶引上げ用Si融液の調整方法 |
JPH07223894A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造装置 |
JP3453914B2 (ja) * | 1995-03-06 | 2003-10-06 | 三菱住友シリコン株式会社 | CZ法によるSi単結晶の製造方法 |
JP3575501B2 (ja) | 1995-05-15 | 2004-10-13 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブ装置 |
JPH09315882A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-09 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造装置および半導体単結晶の製造方法 |
US5900059A (en) | 1996-05-29 | 1999-05-04 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method and apparatus for fabricating semiconductor single crystal |
US5904768A (en) | 1996-10-15 | 1999-05-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for controlling the oxygen content in silicon wafers heavily doped with antimony or arsenic |
JP3640940B2 (ja) | 2002-07-19 | 2005-04-20 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体単結晶製造装置 |
-
2005
- 2005-10-20 JP JP2005305855A patent/JP2007112663A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-10-11 US US12/083,896 patent/US8187383B2/en active Active
- 2006-10-11 DE DE112006002850.2T patent/DE112006002850B4/de active Active
- 2006-10-11 WO PCT/JP2006/320323 patent/WO2007046287A1/ja active Application Filing
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010006646A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶 |
WO2010010628A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶の製造方法、整流筒、および、単結晶引き上げ装置 |
JP5378215B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-12-25 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶の製造方法 |
US8961686B2 (en) | 2008-07-25 | 2015-02-24 | Sumco Techxiv Corporation | Method of manufacturing monocrystal, flow straightening cylinder, and monocrystal pulling-up device |
JP2010168259A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置 |
US8871023B2 (en) | 2010-04-26 | 2014-10-28 | Sumco Corporation | Silicon single crystal pull-up apparatus and method of manufacturing silicon single crystal |
JP2016056026A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶 |
KR20180066095A (ko) * | 2015-10-19 | 2018-06-18 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정의 제조방법 |
KR102435758B1 (ko) | 2015-10-19 | 2022-08-25 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007046287A1 (ja) | 2007-04-26 |
US20090120352A1 (en) | 2009-05-14 |
DE112006002850B4 (de) | 2018-03-01 |
DE112006002850T5 (de) | 2009-04-30 |
US8187383B2 (en) | 2012-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007112663A (ja) | 半導体単結晶製造装置および製造方法 | |
US10916425B2 (en) | Method for manufacturing silicon single crystal, flow straightening member, and single crystal pulling device | |
US10494734B2 (en) | Method for producing silicon single crystals | |
WO2016179022A1 (en) | Methods for producing single crystal ingots doped with volatile dopants | |
WO2006064797A1 (ja) | 半導体単結晶製造装置および製造方法 | |
JP6528178B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
US20180291524A1 (en) | Methods for producing single crystal ingots doped with volatile dopants | |
JP5309170B2 (ja) | るつぼに含まれた融液からシリコンから成る単結晶を引き上げる方法、及びこの方法によって製造された単結晶 | |
JP5378215B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP5373423B2 (ja) | シリコン単結晶及びその製造方法 | |
JP2008266093A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および装置並びにシリコン単結晶インゴット | |
JPH03261693A (ja) | 単結晶製造方法 | |
EP2993259B1 (en) | Silicon single crystal fabrication method | |
KR20100132901A (ko) | 실리콘 단결정 인상 방법 | |
WO2018198663A1 (ja) | n型シリコン単結晶の製造方法、n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ | |
JPH03115188A (ja) | 単結晶製造方法 | |
US20150040820A1 (en) | Method for manufacturing single-crystal silicon | |
WO2023131634A1 (en) | Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control | |
US10982350B2 (en) | Silicon monocrystal production method | |
JP2002321997A (ja) | シリコン単結晶の製造装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法 | |
JP6642410B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP6287991B2 (ja) | シリコン単結晶育成装置 | |
US11866845B2 (en) | Methods for growing single crystal silicon ingots that involve silicon feed tube inert gas control | |
KR20140095212A (ko) | 잉곳 성장 장치 및 잉곳 성장 방법 | |
US12037698B2 (en) | Ingot puller apparatus having a flange that extends from the funnel or from the silicon feed tube |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090106 |