JP6287991B2 - シリコン単結晶育成装置 - Google Patents
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Description
前記シリコン単結晶育成装置は、前記シリコン単結晶の引上げ中に、前記引上げチャンバ側の雰囲気を第1ガスとするように、前記第1ガスを前記引上げチャンバ内に導入する第1ガス導入口と、前記第1ガス導入口の下方に設けられた第1ガス排出口とを有するものであり、かつ、
前記シリコン単結晶育成装置は、前記シリコン単結晶の引上げ中に、前記メインチャンバ側の雰囲気を前記第1ガスとは異なる第2ガスとするように、前記第2ガスを前記メインチャンバ内に導入する第2ガス導入口と、前記第2ガス導入口の下方に設けられた第2ガス排出口とを有するものであることを特徴とするシリコン単結晶育成装置を提供する。
育成するシリコン単結晶の周囲に設けられ、前記メインチャンバの天井部から下方に延設された円筒状の整流筒を有するものであることが好ましい。
前記第1ガス排出口と前記第2ガス導入口の間に、ガス分離板、又はガス分離ブラシが設けられたものであり、
前記ガス分離板及び前記ガス分離ブラシは、石英材、炭素材、炭化珪素、高融点金属、及びセラミックスのいずれか一つ以上からなることが好ましい。
前記第1ガス排出口と前記第2ガス導入口の間に、不活性ガスによるエアカーテンを形成する機構を有するものであることが好ましい。
シリコン単結晶の引上げ中に、引上げチャンバ側の雰囲気を第1ガスとするように、第1ガスを引上げチャンバ内に導入する第1ガス導入口と、第1ガス導入口の下方に設けられた第1ガス排出口とを有するものであり、かつ、
メインチャンバ側の雰囲気を第1ガスとは異なる第2ガスとするように、第2ガスをメインチャンバ内に導入する第2ガス導入口と、第2ガス導入口の下方に設けられた第2ガス排出口とを有するものであることを特徴とするシリコン単結晶育成装置が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
図1に示した本発明のシリコン単結晶育成装置100を用いて、シリコン単結晶3を育成した。このとき、結晶中心軸上の最大磁場強度が4000Gとなる様に水平磁場を印加した。第1ガス排出口12と第2ガス導入口14には、シリコン単結晶育成装置100の断面内のガス排出及び供給を均一化するため、図2(a)及び(b)に示したような、リング状の管(21、25)に複数の孔(22、26)を均等間隔に設けた第1ガス収拾管11及び第2ガス供給管13を設けてある。これらの第1ガス収拾管11及び第2ガス供給管13は水冷されたチャンバに密着しているので、管自体の温度は比較的低温に保たれている。そして、第1ガス供給口10からは酸素を3%含んだArガスを供給した。一方で、第2ガス導入口14からは100%Arガスを供給した。第1ガス排出口12に繋がる第1ガス収拾管11と同じ高さの結晶の中心部の温度は、総合伝熱解析ソフトFEMAGにて解析したところ、およそ1170℃であった。
実施例1で用いた単結晶育成装置に図3に示したような、石英製のガス分離板36を装着した本発明のシリコン単結晶育成装置130を用い、また、単結晶中の窒素濃度が3×1013atoms/cm3から6×1013atoms/cm3の範囲となるように、窒素をドープしたことを除いては、実施例1と同じ条件でシリコン単結晶を育成した。単結晶育成後にガス分離板36を確認したところ、酸化性ガスに起因するような劣化は見られなかった。育成されたシリコン単結晶の直径、直胴部の長さ、酸素濃度の実績値も実施例1とほぼ同等であった。
図6に示した従来のシリコン単結晶育成装置500を用いて、シリコン単結晶を育成した。このとき、結晶中心軸上の最大磁場強度が4000Gとなる様に水平磁場を印加し、雰囲気ガスはArガス100%とした。図1に示したシリコン単結晶育成装置100と比較して、シリコン単結晶育成装置500では、結晶成長界面での温度勾配が大きいので、V/Gが実施例1、2と同じになるように実施例1よりも速い、平均の結晶成長速度約1.2mm/minとして、直径約10.5cmの結晶を直胴部の長さ約100cmで育成した。このシリコン単結晶からサンプルを切り出し、実施例1と同様にしてFPD検査を行った。その結果、どの位置から切り出したサンプルも、面内の全てでFPDが検出された。エッチング時の治具やムラなどに起因して、最外周のFPD観察は正確性を欠くことがあるが、少なくとも、サンプルの外周から1.5cmまでの領域ではFPDが存在していることが確認された。
4…原料融液、 5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、 7…加熱ヒータ、
8…断熱部材、 9…整流筒、 10…第1ガス導入口、 11…第1ガス収拾管、
12…第1ガス排出口、 13…第2ガス供給管、 14…第2ガス導入口、
15…第2ガス排出口、 21…リング状の管、 22…孔、
25…リング状の管、 26…孔、 31…第1ガス収拾管、
32…第1ガス排出口、 33…第2ガス供給管、 34…第2ガス導入口、
36…ガス分離板、 37…ガス分離ブラシ、 38…エアカーテン形成機構、
50…チャンバ、 51…ガス導入口、 52…ガス排出口、 54…原料融液、
55…石英ルツボ、 57…加熱ヒータ、 58…遮熱部材、
100…シリコン単結晶育成装置、 130…シリコン単結晶育成装置、
150…シリコン単結晶育成装置、 170…シリコン単結晶育成装置、
500…従来のシリコン単結晶育成装置。
Claims (8)
- 少なくとも、原料融液を収容するルツボ及び前記原料融液を加熱保温するヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、成長したシリコン単結晶が引上げられて収容される引上げチャンバとを有したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶育成装置であって、
前記シリコン単結晶育成装置は、前記シリコン単結晶の引上げ中に、前記引上げチャンバ側の雰囲気を第1ガスとするように、前記第1ガスを前記引上げチャンバ内に導入する第1ガス導入口と、前記第1ガス導入口の下方に設けられた第1ガス排出口とを有するものであり、かつ、
前記シリコン単結晶育成装置は、前記シリコン単結晶の引上げ中に、前記メインチャンバ側の雰囲気を前記第1ガスとは異なる第2ガスとするように、前記第2ガスを前記メインチャンバ内に導入する第2ガス導入口と、前記第2ガス導入口の下方に設けられた第2ガス排出口とを有するものであることを特徴とするシリコン単結晶育成装置。 - 前記シリコン単結晶育成装置は、さらに、
育成するシリコン単結晶の周囲に設けられ、前記メインチャンバの天井部から下方に延設された円筒状の整流筒を有するものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶育成装置。 - 前記シリコン単結晶育成装置は、さらに、
前記第1ガス排出口と前記第2ガス導入口の間に、ガス分離板、又はガス分離ブラシが設けられたものであり、
前記ガス分離板及び前記ガス分離ブラシは、石英材、炭素材、炭化珪素、高融点金属、及びセラミックスのいずれか一つ以上からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶育成装置。 - 前記シリコン単結晶育成装置は、さらに、
前記第1ガス排出口と前記第2ガス導入口の間に、不活性ガスによるエアカーテンを形成する機構を有するものであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶育成装置。 - 前記第2ガスが不活性ガスであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶育成装置。
- 前記第1ガスが酸化性ガスであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶育成装置。
- 前記第1ガス排出口と同じ高さの前記シリコン単結晶の中心部の温度が、900℃以上1300℃以下となるものであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のシリコン単結晶育成装置。
- 前記第1ガスは、酸素含有量が流量比で0.1%以上100%以下であり、酸素以外の成分は不活性ガスであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のシリコン単結晶育成装置。
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