JP5418009B2 - シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
(1)ヒ素、赤リン又はアンチモンを含有するシリコン単結晶の引上げのためのシリコン融液を有する溶融炉と、該溶融炉とガス管を介して接続し、該溶融炉内のガスを排出し炉内圧力を減圧するための排気手段とを具えるシリコン単結晶の製造装置であって、
該製造装置は、目標炉内圧力と実際の炉内圧力との差から、前記ガス供給手段をフィードバック制御する制御手段、並びに、前記排気手段の排気量を制御することで、前記炉内圧力の調整を図る排気調整手段、をさらに具えるとともに、
前記排気手段の接続されたガス管と同一のガス管に接続したガス供給手段をさらに具え、該排気手段及び該ガス供給手段は、前記同一のガス管からそれぞれ分岐して配設されており、前記排気手段によって減圧を行いながら、該ガス供給手段によりガス(アルゴンを除く)を取り込んで排気手段へ送りこみ圧力の調整を図ることで、前記溶融炉内の圧力を、26kPa以上の減圧雰囲気に維持することを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
前記溶融炉内のガスを該溶融炉とガス管を介して接続された排気手段によって排出するとともに、炉内圧力が26kPa以上の減圧雰囲気を維持するように、ガス(アルゴンを除く)を、前記溶融炉外部から、前記排気手段の接続されたガス管と同一のガス管に接続されたガス供給手段へ取り込んで、該ガス管を通じて取り込んだガスを前記排気手段へ送りこみ、さらに、シリコン単結晶引上げ時に、目標炉内圧力と実際の炉内圧力との差から前記溶融炉外部のガスの取り込み量のフィードバック制御を行い、排気量を制御することで、前記炉内圧力の調整を図ることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
本発明のシリコン単結晶の製造装置は、図1に示すように、シリコン単結晶の引上げのためのシリコン融液を有する溶融炉10と、該溶融炉10内のガスを排出し炉内圧力を減圧するための排気手段30とを具えるシリコン単結晶の製造装置1である。
炉内圧力は、排気手段20(真空ポンプ)の排気能力が一定である場合、
炉内圧力(Pa)=炉内ガス流量(L/min)×大気圧(Pa)/排気量(L/min)
で定められる。そして、ガス供給手段30によって炉内圧力の調整を図った場合、
炉内圧力(Pa)=(炉内ガス流量(L/min)×大気圧(Pa)+供給したガス流量(L/min)×大気圧(Pa))/排気量(L/min)
で定められる。
例えば、炉内圧力:715.65 Pa、炉内ガス(Ar)流量:60 L/min、排気量:8495.04 L/minの炉内雰囲気で、炉内圧力を13332 Paに設定する場合、上記の式から
供給流量(L/min)=(13332(Pa)×8495.04(L/min))/101325(Pa)−60(L/min)
となり、炉内へのガスの供給量(L/min)を、1057.749 L/minとなるように、ガス供給手段30のフィードバック制御を行えばいいことがわかる。
本発明の製造方法は、シリコン融液を有する溶融炉内のガスを排出し減圧雰囲気にした状態で、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶引上げ時に、前記溶融炉内のガスを排出するとともに、炉内圧力が26kPa以上の減圧雰囲気を維持するように排気手段の配管近くにガスを供給することを特徴とする。
実施例として、図1に示すように、シリコン単結晶の引上げのためのシリコン融液を有する溶融炉10と、該溶融炉10内のガスを排出し炉内圧力を減圧するための排気手段20と、排気手段20との相互調整により前記溶融炉10内の圧力を調整するガス供給手段30と、目標炉内圧力と実際の炉内圧力との差から、前記ガス供給手段30へのガス供給量をフィードバック制御する制御手段40と、前記排気手段20の排気量を制御することで、前記炉内圧力の調整を図る排気調整手段60とを具えるシリコン単結晶の製造装置1を製造した。
比較例1として、図2に示すように、ガス供給手段30を具えていないこと以外は、実施例と同様の構成を具えるシリコン単結晶の製造装置100を製造した。
(1)炉内圧力の変動
実施例の製造装置を用いて、溶融炉内の圧力を、11998Paから所定の圧力(26664Pa、39996Pa、53328Pa)まで上昇させた後、200分間、圧力の維持を行ったときの、炉内圧力(Pa)の変動を測定した。また、比較例の製造装置を用いて、溶融炉内の圧力を、11998Paから26664Paまで上昇させた後、200分間、圧力の維持を行ったときの、炉内圧力(Pa)の変動を測定した。
時間(分)に対する圧力(Pa)の変動を示したグラフを図3に示す。
実施例及び比較例の製造装置を用いて、表1に示す条件(シリコンチャージ量、ヒ素添加量、引上げ速度(結晶直胴部育成途中に速度が変化する)、溶融炉内の圧力、Ar流量)に従って、200mmサイズの単結晶シリコンを製造した。
そして製造されたシリコン単結晶について、電気抵抗率(Ω/cm)を測定し、結晶固化率に対する電気抵抗率を図4に示す。なお、単結晶シリコンの電気抵抗率(Ω/cm)は、実施例では2つのサンプル、比較例では3つのサンプルについて測定した。ここで、電気抵抗率は、低いほどシリコン単結晶中にヒ素が含有されていることを意味する。また、結晶固化率が高くなるにつれて、シリコン融液中のヒ素濃度が濃くなり、抵抗率が低くなることがわかる。
また、図4から、単結晶の引上げが進む(結晶固化率が高くなる)につれて、実施例のシリコン単結晶の電気抵抗率が比較例のそれよりも小さくなっていることから、本願発明の圧力制御によって、融液中のヒ素が蒸発されずに含有し続けていることがわかる。
10、110 溶融炉
20、120 排気手段
30 ガス供給手段
40、140 制御手段
50、150 真空計
60、160 排気調整手段
Claims (2)
- ヒ素、赤リン又はアンチモンを含有するシリコン単結晶の引上げのためのシリコン融液を有する溶融炉と、該溶融炉とガス管を介して接続し、該溶融炉内のガスを排出し炉内圧力を減圧するための排気手段とを具えるシリコン単結晶の製造装置であって、
該製造装置は、目標炉内圧力と実際の炉内圧力との差から、前記ガス供給手段をフィードバック制御する制御手段、並びに、前記排気手段の排気量を制御することで、前記炉内圧力の調整を図る排気調整手段、をさらに具えるとともに、
前記排気手段の接続されたガス管と同一のガス管に接続したガス供給手段をさらに具え、該排気手段及び該ガス供給手段は、前記同一のガス管からそれぞれ分岐して配設されており、前記排気手段によって減圧を行いながら、該ガス供給手段によりガス(アルゴンを除く)を取り込んで排気手段へ送りこみ圧力の調整を図ることで、前記溶融炉内の圧力を、26kPa以上の減圧雰囲気に維持することを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。 - ヒ素、赤リン又はアンチモンを含有するシリコン融液を有する溶融炉内のガスを排出し減圧雰囲気にした状態で、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、
前記溶融炉内のガスを該溶融炉とガス管を介して接続された排気手段によって排出するとともに、炉内圧力が26kPa以上の減圧雰囲気を維持するように、ガス(アルゴンを除く)を、前記溶融炉外部から、前記排気手段の接続されたガス管と同一のガス管に接続されたガス供給手段へ取り込んで、該ガス管を通じて取り込んだガスを前記排気手段へ送りこみ、さらに、シリコン単結晶引上げ時に、目標炉内圧力と実際の炉内圧力との差から前記溶融炉外部のガスの取り込み量のフィードバック制御を行い、排気量を制御することで、前記炉内圧力の調整を図ることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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