JP2007110153A - バッチ式真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備えるバッチ式真空処理装置11の一対のチャンバのうち、上側チャンバを加熱チャンバ13として用い、下側チャンバをプロセスチャンバ12として用いる。この装置11を用い、プラズマ発生部15により発生する水素ラジカルを用いてプロセスチャンバ12内のウェハ5をバッチ単位で遠隔プラズマ処理し、自然酸化膜を除去する。さらに、バッチ単位のウェハ5を加熱チャンバ13に移送し、加熱処理を行ってウェハ5の副生成物であるアンモニア錯体の除去処理を行う。
【選択図】図3
Description
H*+NF3→NHxFy(NHxFyが自然酸化膜をエッチングする。)
NHxFy+SiO2→(NH4)2SiF6+H2O↑(副生成物)
としてアンモニアフッ化物(NHxFy)と自然酸化膜(SiO2)との反応で生成されると考えられるアンモニア錯体((NH4)2SiF6)を以下のように蒸気圧の高いガスに分解して蒸発させるものである。
(NH4)2SiF6→NH3↑+HF↑+SiF4↑
この際に自然酸化膜を除去するために要する温度は100〜200℃程度であり、ウェハの温度制約条件内である。
H*+NF3→NHxFy
次に、このアンモニアフッ化物ガスをプロセスチャンバ12内に導入する。アンモニアフッ化物ガスは上記したシャワーノズルなどの適宜手段により、ウェハバッチ7を構成する各ウェハ5に均等に吹き付けられる。そして、この際に、各ウェハ5の自然酸化膜はエッチング反応によりエッチングされる。
(NH4)2SiF6→NH3↑+HF↑+SiF4↑
このようにして、ウェハ5上のアンモニア錯体は、揮発性の高いNH3ガスやHFガスやSiF4ガスを生成する。そして、これらのガスが蒸発することにより、ウェハ5が水素で終端された状態になるものである。
12 プロセスチャンバ(下側チャンバ)
13 加熱チャンバ(上側チャンバ)
16 ガス導入口
17 ガス排出口
24 外部加熱源
26 補助熱源
32 成膜チャンバ
Claims (6)
- 上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備え、前記一対のチャンバのうち、上側に位置する一方のチャンバを加熱チャンバとして用い、下側に位置する他方のチャンバをプロセスチャンバとして用いることを特徴とするバッチ式真空処理装置。
- 前記プロセスチャンバを、該チャンバ内の基板に対するプラズマ表面処理に用いることを特徴とする請求項1に記載のバッチ式真空処理装置。
- 前記プロセスチャンバを用いて行う、前記基板に対するプラズマ表面処理は、前記一対のチャンバの外部に設けたプラズマ発生源から発生する活性種を用いる遠隔プラズマ表面処理であることを特徴とする請求項2に記載のバッチ式真空処理装置。
- 前記基板に対するプラズマ表面処理に用いるプロセスチャンバにガス導入口とガス排気口とを設け、該ガス導入口の中心軸と該ガス排気口の中心軸とを同一直線上に配置することを特徴とする請求項2または3に記載のバッチ式真空処理装置。
- 前記基板に対してプラズマ表面処理を行う際に、前記基板を上下方向に揺動させると共に水平面上で回転させることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載のバッチ式真空処理装置。
- 前記加熱チャンバは、該チャンバ外部に設けた外部ヒータと、補助熱源として該チャンバ内部に設けたランプヒータとを備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のバッチ式真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006340030A JP4557960B2 (ja) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | バッチ式真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001322848A Division JP3954833B2 (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | バッチ式真空処理装置 |
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JP4557960B2 JP4557960B2 (ja) | 2010-10-06 |
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JPH0355838A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 縦型処理装置 |
JPH03218017A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2002100574A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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