JP2007108381A - 表示装置および表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】移動度補正において、完全に移動度補正がかかる時間が階調によって異なると、一定の移動度補正時間において全階調の移動度補正を行うことができない。
【解決手段】駆動ＴＦＴの移動度補正を行う際に、所望の信号電圧Ｖｓｉｇでの移動度補正を行うのに先立って、中間階調レベルで移動度補正を行うことで、階調ごとに異なる、完全に移動度補正がかかる時間を変更し、一定の移動度補正期間において、全階調について移動度補正を行えるようにする。
【選択図】図１２

Description

本発明は、表示装置および表示装置の駆動方法に関し、特に電気光学素子を含む画素回路が行列状（マトリクス状）に配置されてなる表示装置および当該表示装置の駆動方法に関する。

近年、電気光学素子として、電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の発光素子、例えば有機ＥＬ(electro luminescence) 素子を含む画素回路が行列状に多数配置されてなる有機ＥＬ表示装置が開発され、商品化が進められている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が自発光素子であることから、液晶セルを含む画素回路によって光源（バックライト）からの光強度を制御する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い等の特長を持っている。

有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、近年、発光素子に流れる電流を、当該発光素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)）によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。

能動素子として薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記述する）を用いた画素回路において、当該ＴＦＴとしてＮチャネル型のトランジスタを用いることができれば、ＴＦＴの作成に当たって、従来のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることが可能になる。そして、ａ−Ｓｉプロセスを用いることで、ＴＦＴ基板の低コスト化を図ることができる。

ところで、一般的に、有機ＥＬ素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、時間が経過すると劣化（経時劣化）する。Ｎチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子を電流駆動するＴＦＴ（以下、「駆動ＴＦＴ」と記述する）のソースが有機ＥＬ素子に接続されることになるために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時変化すると、駆動ＴＦＴのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが変化し、その結果有機ＥＬ素子の発光輝度も変化する。

このことについてより具体的に説明する。駆動ＴＦＴのソース電圧は、当該駆動ＴＦＴと有機ＥＬ素子との動作点で決まる。有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動ＴＦＴと有機ＥＬ素子との動作点が変動してしまうために、駆動ＴＦＴに同じゲート電圧を印加したとしても、駆動ＴＦＴのソース電圧が変化する。これにより、駆動ＴＦＴのソース・ゲート間電圧Ｖｇｓが変化し、当該駆動ＴＦＴに流れる電流値が変化するために、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化し、その結果有機ＥＬ素子の発光輝度が変化する。

また、Ｎチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈが経時的に変化したり、当該閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに異なったりする。駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈが異なると、駆動ＴＦＴに流れる電流値にバラツキが生じるために、駆動ＴＦＴに同じゲート電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化する。

従来は、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能および駆動ＴＦＴのＶｔｈ変動に対する補償機能を画素回路の各々に持たせる構成を採っていた（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に係る従来技術について以下に説明する。

特開２００４−３６１６４０号公報

図２１は、従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。本従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置は、電流駆動型の発光素子、例えば有機ＥＬ素子を含む画素回路１０１が行列状に多数配置されてなる画素アレイ部１０２を有している。ここでは、図面の簡略化のために、ある１つの画素回路１０１についてその具体的な回路構成を示している。

この画素アレイ部１０２において、画素回路１０１の各々に対して各行毎に走査線１０３、第１，第２駆動線１０４，１０５およびオートゼロ線１０６がそれぞれ配線され、また各列毎にデータ線１０７が配線されている。この画素アレイ部１０２の周囲には、走査線１０３を駆動する書き込み走査回路１０８と、第１，第２駆動線１０４，１０５を駆動する第１，第２駆動走査回路１０９，１１０と、オートゼロ線１０６を駆動するオートゼロ回路１１１と、輝度情報に応じたデータ信号をデータ線１０７に供給するデータ線駆動回路１１２とが配置されている。

画素回路１０１は、有機ＥＬ素子２０１と、駆動トランジスタ２０２、キャパシタ（保持容量）２０３，２０４、サンプリングトランジスタ２０５およびスイッチングトランジスタ２０６〜２０９を構成素子として有している。駆動トランジスタ２０２、サンプリングトランジスタ２０５およびスイッチングトランジスタ２０４〜２０９としては、例えばＮチャネル型の電界効果ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が用いられている。以下、駆動トランジスタ２０２、サンプリングトランジスタ２０５およびスイッチングトランジスタ２０６〜２０９を、駆動ＴＦＴ２０２、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０６〜２０９と記述するものとする。

有機ＥＬ素子２０１は、カソード電極が接地電位ＧＮＤに接続されている。駆動ＴＦＴ２０２は、有機ＥＬ素子２０１を発光駆動するトランジスタであり、ソースが有機ＥＬ素子２０１のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を形成している。キャパシタ２０３は保持容量であり、一端がＴＦＴ駆動２０２のゲートに、他端が駆動ＴＦＴ２０２のソースと有機ＥＬ素子２０１のアノード電極との接続ノードＮ１０１にそれぞれ接続されている。

サンプリングＴＦＴ２０５は、一端がデータ線１０７に、他端が駆動ＴＦＴ２０２のゲートに、ゲートが走査線１０３にそれぞれ接続されている。キャパシタ２０４は、一端がノードＮ１０４に、他端が駆動ＴＦＴ２０２のゲートとキャパシタ２０３の一端との接続ノードＮ１０２にそれぞれ接続されている。スイッチングＴＦＴ２０６は、ドレインが接続ノードＮ１０１に、ソースが負側電源電位Ｖｓｓにそれぞれ接続されている。

スイッチングＴＦＴ２０７は、ドレインが正側電源電位Ｖｃｃに、ソースが駆動ＴＦＴ２０２のドレインに、ゲートが第２駆動線１０５にそれぞれ接続されている。スイッチングＴＦＴ２０８は、一端が駆動ＴＦＴ２０２のドレインとスイッチングＴＦＴ２０７のソースとの接続ノードＮ１０３に、他端が接続ノードＮ１０２に、ゲートがオートゼロ線１０６にそれぞれ接続されている。スイッチングＴＦＴ２０９は、一端が所定電位Ｖｏｆｓに、他端がノードＮ１０４に、ゲートがオートゼロ線１０６にそれぞれ接続されている。

続いて、上記構成の画素回路１０１をマトリクス状に２次元配置してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の回路動作について、図２２のタイミングチャートを用いて説明する。

図２２には、ある行の画素回路１０１を駆動する際に、書き込み走査回路１０８から走査線１０３を介して画素回路１０１に与えられる書き込み信号ＷＳ、第１，第２駆動走査回路１０９，１１０から第１，第２駆動線１０４，１０５を介して画素回路１０１に与えられる第１，第２駆動信号ＤＳ１，ＤＳ２およびオートゼロ回路１１１からオートゼロ線１０６を介して画素回路１０１に与えられるオートゼロ信号ＡＺのタイミング関係を示している。

通常の発光状態では、書き込み走査回路１０８から出力される書き込み信号ＷＳ、第１駆動走査回路１０９から出力される駆動信号ＤＳ１およびオートゼロ回路１１１から出力されるオートゼロ信号ＡＺが“Ｌ”レベルにあり、第２駆動走査回路１１０から出力される駆動信号ＤＳ２が“Ｈ”レベルにあるために、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０６，２０８，２０９はオフした状態にあり、スイッチングＴＦＴ２０７がオンした状態にある。

このとき、駆動ＴＦＴ２０２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。その結果、有機ＥＬ素子２０１には駆動ＴＦＴ２０２から、下記の式（１）で与えられる一定電流Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝１／２・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−｜Ｖｔｈ｜）² …（１）
ここで、Ｖｔｈは駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧、μはキャリアの移動度、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量、Ｖｇｓはゲート・ソース間電圧である。

次に、スイッチングＴＦＴ２０７がオンした状態で第１駆動走査回路１０９から出力される駆動信号ＤＳ１およびオートゼロ回路１１１から出力されるオートゼロ信号ＡＺが共に“Ｈ”レベルになり、スイッチングＴＦＴ２０６，２０８，２０９がオン状態となる。これにより、有機ＥＬ素子２０１のアノード電極には電源電位Ｖｓｓが印加され、駆動ＴＦＴ２０２のゲートには電源電位Ｖｃｃが印加される。

この際、電源電位Ｖｓｓが有機ＥＬ素子２０１のカソード電圧Ｖｃａｔ（本例では、接地電位ＧＮＤ）と有機ＥＬ素子２０１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとの和（Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ）よりも小さいのであれば、有機ＥＬ素子２０１は非発光状態となり、非発光期間に入る。以下、Ｖｓｓ≦Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとし、ＶｓｓはＧＮＤレベルであるとする。このとき、スイッチングＴＦＴ２０６，２０８がオンすることで、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた一定電流Ｉｄｓは、Ｖｃｃ→スイッチングＴＦＴ２０７→駆動ＴＦＴ２０２→ノードＮ１０１→スイッチングＴＦＴ２０２→Ｖｓｓの経路を通って流れる。

次に、第２駆動走査回路１１０から出力される駆動信号ＤＳ２が“Ｌ”レベルになることで、スイッチングＴＦＴ２０７がオフ状態となり、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセル（補正）する閾値キャンセル期間に入る。このとき、駆動ＴＦＴ２０２は、ゲートとドレインがスイッチングＴＦＴ２０８を介して接続されているために飽和領域で動作する。また、駆動ＴＦＴ２０２のゲートには、キャパシタ２０３，２０４が並列に接続されているために、駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは、時間の経過とともに緩やかに減少してゆく。

そして、一定期間が経過した後、駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは当該駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈとなる。このとき、キャパシタ２０４には（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）の電圧が、キャパシタ２０３にはＶｔｈの電圧がそれぞれ充電される。その後、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０７がオフし、スイッチングＴＦＴ２０６がオンした状態において、オートゼロ回路１１１から出力されるオートゼロ信号ＡＺが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移すると、スイッチングＴＦＴ２０８，２０９がオフ状態となり、閾値キャンセル期間の終了となる。このとき、キャパシタ２０４には（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）の電圧が、キャパシタ２０３にはＶｔｈの電圧がそれぞれ保持される。

次に、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０８，２０９がオフし、スイッチングＴＦＴ２０６がオン、スイッチングＴＦＴ２０７がオフした状態で、書き込み走査回路１０８から出力される書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになると、この書き込み期間では、サンプリングＴＦＴ２０５がオン状態となり、データ線１０７を通して与えられる入力信号電圧Ｖｉｎの書き込み期間となる。サンプリングＴＦＴ２０５がオンすることで、当該ＴＦＴ２０５の一端、キャパシタ２０４の一端およびＴＦＴ２０９のソースの接続ノードＮ１０４に入力信号電圧Ｖｉｎを取り込み、当該接続ノードＮ１０４の電圧変化量ΔＶを、キャパシタ２０４を介して駆動ＴＦＴ２０２のゲートにカップリングさせる。

このとき、駆動ＴＦＴ２０２のゲート電圧Ｖｇは閾値電圧Ｖｔｈという値であり、カップリング量ΔＶはキャパシタ２０３の容量値Ｃ１、キャパシタ２０４の容量値Ｃ２および駆動ＴＦＴ２０２の寄生容量値Ｃ３によって下記の式（２）のように決定される。
ΔＶ＝｛Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３）｝・（Ｖｉｎ−Ｖｏｆｓ）…（２）

したがって、キャパシタ２０３，２０４の容量値Ｃ１，Ｃ２を駆動ＴＦＴ２０２の寄生容量値Ｃ３に比べて十分大きく設定すれば、駆動ＴＦＴ２０２のゲートへのカップリング量ΔＶは、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈの影響を受けずに、キャパシタ２０３，２０４の容量値Ｃ１，Ｃ２のみによって決定される。

書き込み走査回路１０８から出力される書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、サンプリングＴＦＴ２０５がオフすることで、入力信号電圧Ｖｉｎの書き込み期間が終了する。この書き込み期間の終了後、サンプリングＴＦＴ２０５およびスイッチングＴＦＴ２０８，２０９がオフした状態で第１駆動走査回路１０９から出力される駆動信号ＤＳ１が“Ｌ”レベルになることで、スイッチングＴＦＴ２０６がオフ状態となり、その後、第２駆動走査回路１１０から出力される駆動信号ＤＳ２が“Ｈ”レベルになることで、スイッチングＴＦＴ２０７がオン状態となる。

スイッチングＴＦＴ２０７がオンすることで、駆動ＴＦＴ２０２のドレイン電位が電源電位Ｖｃｃまで上昇する。駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるために、駆動ＴＦＴ２０２は一定電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２０１に供給する。このとき、接続ノードＮ１０１の電位は、有機ＥＬ素子２０１に一定電流Ｉｄｓが流れる電圧Ｖｘまで上昇し、その結果、有機ＥＬ素子２０１は発光する。

上述した一連の動作を行う画素回路１０１においても、有機ＥＬ素子２０１は発光時間が長くなるとそのＩ−Ｖ特性が変化してしまう。そのため、接続ノードＮ１０１の電位も変化する。

しかしながら、駆動ＴＦＴ２０２のゲート・ソース間電位Ｖｇｓが一定値に保たれているために、有機ＥＬ素子２０１に流れる電流値は変化しない。したがって、有機ＥＬ素子２０１のＩ−Ｖ特性が劣化しても、一定電流Ｉｄｓが常に流れ続けるために、有機ＥＬ素子２０１の発光輝度が変化することはない。また、閾値キャンセル期間におけるスイッチングＴＦＴ２０８の作用により、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセルし、当該閾値電圧Ｖｔｈのバラツキの影響を受けない一定電流Ｉｄｓを有機ＥＬ素子２０１に流すことができるために、高画質の画像を得ることができる。

上述したように、従来技術では、画素回路１０１の各々に、有機ＥＬ素子２０１のＩ−Ｖ特性の変動に対する補償機能および駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補償機能を持たせたことで、有機ＥＬ素子２０１のＩ−Ｖ特性が経時劣化したり、駆動ＴＦＴ２０２の閾値電圧Ｖｔｈが経時変化したりしたとしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子２０１の発光輝度を一定に保つことができる。

しかしながら、Ｎチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化および駆動ＴＦＴの閾値電圧Ｖｔｈの経時変化（画素ごとのバラツキ）に加えて、駆動ＴＦＴのキャリアの移動度μも画素ごとに異なる。先述した式（１）から明らかなように、駆動ＴＦＴの移動度μが画素ごとに異なると、駆動ＴＦＴに流れる電流Ｉｄｓに画素ごとのバラツキが生じるために、有機ＥＬ素子の発光輝度が画素ごとに変化し、その結果スジやムラのある不均一な画質となってしまう。

そこで、本発明は、有機ＥＬ素子等の電気光学素子の特性変動に対する補償機能と、当該電気光学素子を駆動する駆動ＴＦＴのＶｔｈ変動（画素ごとのバラツキ）に対する補償機能とに加えて、駆動ＴＦＴの移動度のバラツキに対する補正機能をより少ない構成素子数で実現し、スジやムラの無い均一な画質を得ることが可能な表示装置および表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明では、一端が第１の電源電位に接続された電気光学素子と、前記電気光学素子の他端にソースが接続されたＮチャネル型の薄膜トランジスタからなる駆動トランジスタと、データ線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続され、前記データ線から輝度情報に応じた入力信号を取り込むサンプリングトランジスタと、前記駆動トランジスタのドレインと第２の電源電位との間に接続された第１スイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートと第３の電源電位との間に接続された第２スイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタのソースと第４の電源電位との間に接続された第３スイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続されたキャパシタとを有する画素回路が行列状に配置されてなる表示装置において、先ず前記第１スイッチングトランジスタの導通状態において前記駆動トランジスタのゲートに中間階調レベルを書き込んで当該駆動トランジスタの移動度のバラツキを補正する第１の移動度補正動作を実行し、次いで前記第１スイッチングトランジスタの導通状態において前記駆動トランジスタのゲートに前記入力信号を書き込んで当該駆動トランジスタの移動度のバラツキを補正する第２の移動度補正動作を実行する構成を採っている。

５個のトランジスタと１個のキャパシタとからなる画素回路が行列状に配置されてなる表示装置において、先ず第１の移動度補正動作を実行し、次いで第２の移動度補正動作を実行する、即ち入力信号レベルでの移動度補正を行うのに先立って、中間階調レベルでの移動度補正を行うことで、階調ごとに異なる、当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が、当該当該駆動トランジスタのキャリアの移動度が完全に補正される電圧に到達する時間（完全に移動度補正がかかる時間）を変更できる。具体的には、白階調では上記時間を長くする方向に変更でき、黒階調では上記時間を短くする方向に変更できる。

本発明によれば、あらかじめ中間階調レベルでの移動度補正を行い、しかる後に入力信号レベルでの移動度補正を行う、２段階での移動度補正を行うことで、移動度補正期間が一定でも、当該移動度補正期間内において全階調について移動度の補正を行うことができるようになるために、移動度の画素ごとのバラツキに起因するスジやムラの無い均一な画質を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

先ず、本願出願人によって特願２００４−１６４６８１号明細書にて提案済みの先願に係る画素回路、即ち有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能と、駆動ＴＦＴのＶｔｈ変動（画素ごとのバラツキ）に対する補償機能とを、より少ない構成素子数で実現した画素回路について参考例として説明する。

［参考例］
図１は、本参考例に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。本参考例に係るアクティブマトリクス型表示装置は、電流値に応じて発光輝度が変化する電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子３１を含む画素回路１１が行列状（マトリクス状）に２次元配置されてなる画素アレイ部１２を有している。ここでは、図面の簡略化のために、ある１つの画素回路１１についてその具体的な回路構成を示している。

この画素アレイ部１２において、画素回路１１の各々に対して各行毎に走査線１３、駆動線１４および第１，第２オートゼロ線１５，１６がそれぞれ配線され、また各列毎にデータ線１７が配線されている。この画素アレイ部１２の周囲には、走査線１３を駆動する書き込み走査回路１８と、駆動線１４を駆動する駆動走査回路１９と、第１，第２オートゼロ線１５，１６を駆動する第１，第２オートゼロ回路２０，２１と、輝度情報に応じたデータ信号をデータ線１７に供給するデータ線駆動回路２２とが配置されている。

本例では、書き込み走査回路１８および駆動走査回路１９が画素アレイ部１２を挟んで一方側（例えば、図の右側）に配置され、その反対側に第１，第２オートゼロ回路２０，２１が配置された構成となっている。ただし、これらの配置関係は一例に過ぎず、これに限定されるものではない。また、書き込み走査回路１８、駆動走査回路１９および第１，第２オートゼロ回路２０，２１は、スタートパルス信号ｓｐに応答して動作を開始し、クロックパルスｃｋに同期して書き込み信号ＷＳ、駆動信号ＤＳおよび第１，第２オートゼロ信号ＡＺ１，ＡＺ２を適宜出力する。

（画素回路）
画素回路１１は、有機ＥＬ素子３１に加えて、駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３、スイッチングトランジスタ３４〜３６およびキャパシタ（保持容量）３７を回路の構成素子として有する構成となっている。すなわち、本参考例に係る画素回路１１は、５個のトランジスタ３２〜３６と１個のキャパシタ３７とからなり、図２１の従来例に係る画素回路１０１に比べて、トランジスタ数およびキャパシタ数が１個ずつ少ない回路構成となっている。

この画素回路１１において、駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４〜３６として、Ｎチャネル型のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が用いられている。以下、駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４〜３６を、駆動ＴＦＴ３２、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４〜３６と記述するものとする。

有機ＥＬ素子３１は、カソード電極が第１の電源電位（本例では、接地電位ＧＮＤ）に接続されている。駆動ＴＦＴ３２は、有機ＥＬ素子３１を電流駆動する駆動トランジスタであり、ソースが有機ＥＬ素子３１のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を形成している。サンプリングＴＦＴ３３は、ソースがデータ線１７に、ドレインが駆動ＴＦＴ３２のゲートに、ゲートが走査線１３にそれぞれ接続されている。

スイッチングＴＦＴ３４は、ドレインが第２の電源電位Ｖｃｃ（本例では、正の電源電位）に、ソースが駆動ＴＦＴ３２のドレインに、ゲートが駆動線１４にそれぞれ接続されている。スイッチングＴＦＴ３５は、ドレインが第３の電源電位Ｖｏｆｓに、ソースがサンプリングＴＦＴ３３のドレイン（駆動ＴＦＴ３２のゲート）に、ゲートが第１オートゼロ線１５にそれぞれ接続されている。

スイッチングＴＦＴ３６は、ドレインが駆動ＴＦＴ３２のソースと有機ＥＬ素子３１のアノード電極との接続ノードＮ１１に、ソースが第４の電源電位Ｖｓｓ（本例では、Ｖｓｓ＝ＧＮＤ）に、ゲートが第２オートゼロ線１６にそれぞれ接続されている。なお、第４の電源電位Ｖｓｓとして、負の電源電位を用いることも可能である。キャパシタ３７は、一端が駆動ＴＦＴ３２のゲートとサンプリングＴＦＴ３３のドレインとの接続ノードＮ１２に、他端が駆動トランジスタＴＦＴ３２のソースと有機ＥＬ素子３１のアノード電極との接続ノードＮ１１にそれぞれ接続されている。

上述した接続関係にて各構成素子が接続されてなる画素回路１１において、各構成素子は次のような作用をなす。すなわち、サンプリングＴＦＴ３３は、オン（導通）状態となることにより、データ線１７を通して供給される入力信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングする。このサンプリングされた信号電圧Ｖｓｉｇは、キャパシタ３７に保持される。スイッチングＴＦＴ３４は、オン状態になることにより、電源電位Ｖｃｃから駆動ＴＦＴ３２に電流を供給する。

駆動ＴＦＴ３２は、キャパシタ３７に保持された信号電圧Ｖｓｉｇに応じて有機ＥＬ素子３１を電流駆動する。スイッチングＴＦＴ３５，３６は、適宜オン状態になることにより、有機ＥＬ素子３１の電流駆動に先立って駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈを検知し、あらかじめその影響をキャンセルするために当該検知した閾値電圧Ｖｔｈをキャパシタ３７に保持する。

この画素回路１１では、正常な動作を保証するための条件として、第４の電源電位Ｖｓｓは、第３の電源電位Ｖｏｆｓから駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いた電位よりも低く設定されている。すなわち、Ｖｓｓ＜Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈのレベル関係となっている。また、有機ＥＬ素子３１のカソード電圧Ｖｃａｔ（本例では、接地電位ＧＮＤ）に有機ＥＬ素子３１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌに加えたレベルは、電源電位Ｖｏｆｓから駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈを差し引いたレベルよりも高く設定されている。すなわち、Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ＞Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈのレベル関係となっている。

続いて、上記構成の画素回路１１を行列状に２次元配置してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の回路動作について、図２のタイミングチャートおよび図３〜図８の動作説明図を用いて説明する。

図２には、ある行の画素回路１１を駆動する際に、書き込み走査回路１８から走査線１３を介して画素回路１１に与えられる書き込み信号ＷＳ、駆動走査回路１９から駆動線１４を介して画素回路１１に与えられる駆動信号ＤＳおよび第１，第２オートゼロ回路２０，２１から第１，第２オートゼロ線１５，１６を介して画素回路１１に与えられる第１，第２オートゼロ信号ＡＺ１，ＡＺ２のタイミング関係、ならびに駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧およびソース電圧の変化をそれぞれ示している。

ここで、書き込み信号ＷＳ、駆動信号ＤＳおよび第１，第２オートゼロ信号ＡＺ１，ＡＺ２は、“Ｈ”レベルの状態がアクティブ状態、“Ｌ”レベルの状態が非アクティブ状態とする。また、図３〜図８の動作説明図では、図面の簡略化のために、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４〜３６についてはスイッチのシンボルを用いて図示するものとする。

（発光期間）
通常の発光状態では、書き込み走査回路１８から出力される書き込み信号ＷＳおよび第１，第２オートゼロ回路２０，２１から出力される第１，第２オートゼロ信号ＡＺ１，ＡＺ２が“Ｌ”レベルにあり、駆動走査回路１９から出力される駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルにあるために、図３に示すように、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３５，３６はオフした状態にあり、スイッチングＴＦＴ３４がオンした状態にある。このとき、駆動ＴＦＴ３２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。その結果、スイッチングＴＦＴ３４を通して駆動ＴＦＴ３２から、有機ＥＬ素子３１に対して先述した式（１）で与えられる一定電流Ｉｄｓが供給される。

（非発光期間）
スイッチングＴＦＴ３４がオンした状態において、時刻ｔ１で第１，第２オートゼロ回路２０，２１から出力される第１，第２オートゼロ信号ＡＺ１，ＡＺ２が共に“Ｈ”レベルになることで、図４に示すように、スイッチングＴＦＴ３５，３６がオン状態となる。スイッチングＴＦＴ３５，３６は、どちらが先にオンしても良い。これにより、駆動ＴＦＴ３２のゲートにはスイッチングＴＦＴ３５を介して所定の電位Ｖｏｆｓが印加され、有機ＥＬ素子３１のアノード電極にはスイッチングＴＦＴ３６を介して電源電位Ｖｓｓが印加される。

このとき、先述したように、Ｖｓｓ＜Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌの関係にあるために、有機ＥＬ素子３１は逆バイアス状態となる。したがって、有機ＥＬ素子３１には電流が流れず、非発光状態になる。また、駆動ＴＦＴ３２は、そのゲート・ソース間電圧ＶｇｓがＶｏｆｓ−Ｖｓｓという値をとる。これにより、当該値、即ちＶｏｆｓ−Ｖｓｓに応じた電流Ｉｄｓ′が、図４に点線で示す経路、即ちＶｃｃ→スイッチングＴＦＴ３３→駆動ＴＦＴ３２→ノードＮ１１→スイッチングＴＦＴ３４→Ｖｓｓの経路を通って流れる。

（閾値キャンセル期間）
時刻ｔ２で第２オートゼロ回路２１から出力されるオートゼロ信号ＡＺ２が“Ｌ”レベルになることで、図５に示すように、スイッチングＴＦＴ３５がオフ状態となり、駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセル（補正）する閾値キャンセル期間に入る。

スイッチングＴＦＴ３５がオフ状態になることで、駆動ＴＦＴ３２を流れる電流Ｉｄｓの電流路が遮断される。ここで、有機ＥＬ素子３１は、図６に等価回路で示すように、ダイオード３１Ａとキャパシタ３１Ｂで表される。そして、有機ＥＬ素子３１に印加される電圧Ｖｅｌが、先述したように、Ｖｅｌ＜Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌ（有機ＥＬ素子３１のリーク電流が駆動ＴＦＴ３２を流れる電流よりもかなり小さい）の関係にある限り、駆動ＴＦＴ３２を流れる電流はキャパシタ３７とキャパシタ３１Ｂとを充電する。

このとき、ノードＮ１１の電位、即ち駆動ＴＦＴ３２のソース電圧Ｖｅｌは、図９に示すように、時間が経過するにつれて徐々に上昇する。一定時間が経過し、ノードＮ１１とノードＮ１２との間の電位差、即ち駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓがちょうど閾値電圧Ｖｔｈになったところで、駆動ＴＦＴ３２はオン状態からオフ状態になる。そして、Ｎ１１−Ｎ１２間の電位差Ｖｔｈは、閾値キャンセル（補正）用の電位としてキャパシタ３７に保持される。このとき、Ｖｅｌ＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＜Ｖｃａｔ＋Ｖｔｈｅｌとなっている。

その後、スイッチングＴＦＴ３４，３５がオンし、スイッチングＴＦＴ３６がオフした状態で、駆動走査回路１９から出力される駆動信号ＤＳが時刻ｔ３で、第１オートゼロ回路２０から出力されるオートゼロ信号ＡＺ１が時刻ｔ４で順に“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、スイッチングＴＦＴ３４，３５が順にオフ状態となり、閾値キャンセル期間の終了となる。このとき、スイッチングＴＦＴ３４がスイッチングＴＦＴ３５よりも先にオフすることで、駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧の変動を抑えることが可能となる。

（書き込み期間）
次に、スイッチングＴＦＴ３４，３５，３６がオフした状態から、時刻ｔ５で書き込み走査回路１８から出力される書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになることで、図７に示すように、サンプリングＴＦＴ３３がオン状態となり、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間に入る。この書き込み期間では、入力信号電圧ＶｓｉｇがサンプリングＴＦＴ３３によってサンプリングされ、キャパシタ３７に書き込まれる。

このとき、信号電圧Ｖｓｉｇは、キャパシタ３７に保持されている閾値電圧Ｖｔｈに足し込まれる形で保持される。その結果、駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが常にキャンセルされた形となる。すなわち、キャパシタ３７にあらかじめ閾値電圧Ｖｔｈを保持しておくことで、当該閾値電圧Ｖｔｈのバラツキのキャンセル（補正）、即ち閾値キャンセルが行われることになる。

ここで、キャパシタ３７の容量値をＣ１、有機ＥＬ素子３１のキャパシタ３１Ｂの容量値をＣｅｌ、駆動ＴＦＴ３２の寄生容量値をＣ２とすると、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、下記の式（３）のように決定される。
Ｖｇｓ＝｛Ｃｅｌ／（Ｃｅｌ＋Ｃ１＋Ｃ２）｝
・（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）＋Ｖｔｈ …（３）

一般に、有機ＥＬ素子３１のキャパシタ３１Ｂの容量値Ｃｅｌは、キャパシタ３７の容量値Ｃ１および駆動ＴＦＴ３２の寄生容量値Ｃ２に比べて大きい。したがって、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧ＶｇｓはほぼＶｓｉｇ＋Ｖｔｈとなる。

そして、時刻ｔ６で書き込み走査回路１８から出力される書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、サンプリングＴＦＴ３３がオフすることで、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間が終了する。

（発光期間）
この書き込み期間の終了後、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３５，３６がオフした状態において、時刻ｔ７で駆動走査回路１９から出力される駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになることで、図８に示すように、スイッチングＴＦＴ３４がオン状態となり、発光期間に入る。

スイッチングＴＦＴ３４がオンすることで、駆動ＴＦＴ３２のドレイン電圧が電源電位Ｖｃｃまで上昇する。駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるので、駆動ＴＦＴ３２は一定電流Ｉｄｓ”を有機ＥＬ素子３１に供給する。このとき、有機ＥＬ素子３１のアノード電圧Ｖｅｌは、有機ＥＬ素子３１に一定電流Ｉｄｓ”が流れる電圧Ｖｘまで上昇する。その結果、有機ＥＬ素子３１は発光動作を開始する。

有機ＥＬ素子３１に電流が流れると、当該有機ＥＬ素子３１において電圧降下が生じるために、ノードＮ１１の電位が上昇する。これに連動してノードＮ１２の電位も上昇するために、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧ＶｇｓはノードＮ１１の電位上昇に関わらず、常にＶｓｉｇ＋Ｖｔｈに維持される。その結果、有機ＥＬ素子３１は、入力信号電位Ｖｓｉｇに応じた輝度で発光を続けることになる。

上述した参考例に係る画素回路１１においても、有機ＥＬ素子３１の発光時間が長くなると、当該有機ＥＬ素子３１のＩ−Ｖ特性が変化してしまう。そのため、有機ＥＬ素子３１のアノード電極と駆動ＴＦＴ３２のソースとの接続ノードＮ１１の電位も変化する。しかしながら、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電位Ｖｇｓが一定値に保たれているために、有機ＥＬ素子３１に流れる電流は変化しない。したがって、有機ＥＬ素子３１のＩ−Ｖ特性が劣化しても、一定電流Ｉｄｓが常に流れ続けるために、有機ＥＬ素子３１の発光輝度が変化することはない（有機ＥＬ素子３１の特性変動に対する補償機能）。

また、入力信号電圧Ｖｓｉｇが書き込まれる前に駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈをあらかじめキャパシタ３７に保持しておくことで、閾値キャンセル期間におけるスイッチングＴＦＴ３４〜３６およびキャパシタ３７の作用により、駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈをキャンセルし、当該閾値電圧Ｖｔｈのバラツキの影響を受けない一定電流Ｉｄｓを常に有機ＥＬ素子３１に流すことができるために、高画質の画像を得ることができる（駆動ＴＦＴ３２のＶｔｈ変動に対する補償機能）。

ところで、先述したように、ＮチャネルＴＦＴを用いた画素回路１１では、有機ＥＬ素子３１のＩ−Ｖ特性の経時劣化および駆動ＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈの経時変化（画素ごとのバラツキ）に加えて、駆動ＴＦＴ３２のキャリアの移動度μも画素ごとに異なる。駆動ＴＦＴの移動度μが画素ごとに異なると、駆動ＴＦＴに流れる電流Ｉｄｓに画素ごとのバラツキが生じるために、有機ＥＬ素子の発光輝度が画素ごとに変化し、スジやムラの発生の一因となる。

そこで、本発明は、有機ＥＬ素子３１の特性変動に対する補償機能と、駆動ＴＦＴ３２のＶｔｈ変動に対する補償機能とを、より少ない構成素子数（５個のトランジスタ３２〜３６と１個のキャパシタ３７）で実現した画素回路１１を行列状に２次元配置してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、駆動ＴＦＴ３２の移動度μのバラツキ補正（以下、「移動度補正」と記述する）を行うことで、スジやムラの無い均一な画質をえるようにしている。

以下に、その具体的な３つの実施形態について説明する。なお、いずれの実施形態においても、画素回路１１および当該画素回路１１を行列状に２次元配置してなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成は、先述した参考例の場合と基本的に同じであるものとする。

［第１実施形態］
図１０は、本発明の第１実施形態に係る駆動タイミングを示すタイミングチャートである。第１実施形態に係る駆動タイミングでは、先述した参考例に係る駆動タイミングに対して、有機ＥＬ素子３１の非発光期間において、書き込み走査回路１８から出力される書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルにあるアクティブ期間と、駆動走査回路１８から出力される駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルにあるアクティブ期間とをオーバーラップさせ、そのオーバーラップ期間を移動度補正期間としている点で相違しており、それ以外は基本的に同じである。

図１０のタイミングチャートにおいて、時刻ｔ５以前の動作は参考例の場合と同じであるので、時刻ｔ５以降の特に移動度補正期間、即ち時刻ｔ６〜ｔ７の期間の動作について以下に説明する。

（移動度補正期間）
時刻ｔ５で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになり、書き込み期間に入った後に、時刻ｔ６で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになることで、移動度補正期間に入る。このとき、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧が有機ＥＬ素子３１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を超えなければ、即ち有機ＥＬ素子３１のリーク電流が駆動ＴＦＴ３２を流れる電流よりもかなり小さければ、駆動ＴＦＴ３２を流れる電流はキャパシタ３７とキャパシタ３１Ｂとを充電する。

このとき、先述したように、閾値キャンセル（閾値補正）動作が既に完了しているために、駆動ＴＦＴ３２に流れる電流は、当該駆動ＴＦＴ３２のキャリアの移動度μを反映したものとなる。具体的には、図１１に示すように、駆動ＴＦＴ３２の移動度μが大きいと電流量が大きくなるために、ソース電圧の上昇が早くなる。逆に、駆動ＴＦＴ３２の移動度μが小さいと電流量が小さくなるために、ソース電圧の上昇が遅くなる。これにより、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、移動度μを反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度μを補正する電圧値Ｖｇｓ′となる（移動度補正機能）。

因みに、図１１において、駆動ＴＦＴ３２の初期ソース電圧Ｖｓ０は、下記の式（４）のように決定される。
Ｖｓ０＝Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＋｛Ｃ１＋Ｃ２｝／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃｅｌ）｝
・（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ） …（４）

（発光期間）
その後、時刻ｔ７で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、サンプリングＴＦＴ３３がオフすることで、入力信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間および移動度補正期間が終了し、同時に、スイッチングＴＦＴ３４がオン状態のままであるために発光期間に入る。このとき、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるので、駆動ＴＦＴ３２は一定電流Ｉｄｓ”を有機ＥＬ素子３１に供給する。その結果、有機ＥＬ素子３１は発光動作を開始する。

ここで、移動度補正動作について考える。移動度補正期間の開始時における駆動ＴＦＴ３２の電流値は、黒階調よりも白階調の方が大きくなる。そのために、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが、移動度μが完全に補正されるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ′に到達する時間（以下、「完全に移動度補正がかかる時間」と記述する）ｔは、下記の式（５）のように決定され、黒階調よりも白階調の方が早くなってしまう。

ｔ＝１／Ｖ・Ｃ／｛ｎ・１／２・Ｃｏｘ・Ｗ／Ｌ・√（μ１・μ２）｝ …（５）
ここに、Ｖは各階調における移動度補正初期の電圧Ｖｇｓ−Ｖｔｈ、Ｃは移動度補正時間において駆動ＴＦＴ３２のソースから見える全容量（ここでは、Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃｅｌ）、ｎは移動度補正期間における動特性係数、μは駆動ＴＦＴ３２のキャリアの移動度（μ１：移動度小、μ２：移動度大）である。

このように、完全に移動度補正がかかる時間ｔが階調によって異なると、一定の移動度補正時間（ｔ６〜ｔ７）において全階調の移動度補正を行うことができないことになる。その結果、移動度補正を行うことができない階調では、移動度に起因するスジやムラが視認されてしまうという懸念がある。

そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、サンプリングＴＦＴ３３およびスイッチングＴＦＴ３４が共にオン（導通）状態にある移動度補正期間において先ず、データ線駆動回路２２からデータ線１７を通して画素回路１１に中間階調レベル（例えば、グレーレベル）を書き込み、この中間階調で移動度補正をあらかじめ行い、しかる後にデータ線駆動回路２２からデータ線１７を通して画素回路１１に所望の信号電圧Ｖｓｉｇを書き込んで再び移動度補正を行う、という具合に移動度補正を２段階で行うようにする。

ここで、２段階での移動度補正動作は、サンプリングＴＦＴ３３をオン／オフ駆動する書き込み走査回路１８と、スイッチングＴＦＴ３４をオン／オフ駆動する駆動走査回路１９の制御の下に実行される。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、書き込み走査回路１８および駆動走査回路１９が特許請求の範囲における駆動手段に相当することになる。

このように、所望の信号電圧Ｖｓｉｇでの移動度補正を行うのに先立って、中間階調で移動度補正を行うことで、階調ごとに異なる、完全に移動度補正がかかる時間ｔを変更することができる。例えば、白階調では時間ｔを長くする方向に変更することができ、黒階調では時間ｔを短くする方向に変更することができる。これにより、移動度補正期間が一定でも、当該移動度補正期間内において全階調について移動度μの補正を行うことができるようになるために、移動度の画素ごとのバラツキに起因するスジやムラの無い均一な画質を得ることができる。

以下に、白階調の移動度補正の場合と黒階調の移動度補正の場合を例に挙げて具体的に説明する。

先ず、白階調では、移動度補正期間の開始時における駆動ＴＦＴ３２の電流値が階調レベル範囲内で一番大きく、移動度補正初期の電圧Ｖも一番大きいために、上記の式（５）からわかるように、移動度補正にかかる時間が一番短い。この白階調で完全に移動度補正がかかる時間をｔ１とする。移動度補正期間において、最初から白階調レベルで移動度補正を行うと、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧は、図１２（Ａ）に示すカーブで上昇し、時間ｔ１経過後に移動度μが完全に補正されるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ′に到達する。

これに対して、白階調レベルでの移動度補正に先立って、中間階調で移動度補正を行った後、白階調レベルで再び移動度補正を行うことで、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧は、最初から白階調レベルで移動度補正を行った場合（点線）に対して、図１２（Ｂ）に実線で示すように変化する、即ち中間階調での補正期間では点線で示すカーブよりも緩やかなカーブで上昇し、白階調レベルでの補正期間に入ると点線で示す本来のカーブで上昇することとなる。

これにより、最初から白階調レベルで移動度補正を行った場合よりも長い時間をかけないと、駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧が完全に移動度μを補正するゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ′に到達しないことになる。換言すれば、白階調レベルでの移動度補正に先立って、中間階調で移動度補正を行うことで、階調レベル範囲内で一番短かった、完全に移動度補正がかかる時間ｔ１をそれよりも長い時間ｔ１′に変更できることになる。

次に、黒階調について考える。白階調の場合とは逆に、黒階調では移動度補正期間の開始時における駆動ＴＦＴ３２の電流値が階調レベル範囲内で一番小さく、移動度補正初期の電圧Ｖも一番小さいために、上記の式（５）からわかるように、移動度補正にかかる時間が一番長い。この黒階調で完全に移動度補正がかかる時間をｔ２とする。移動度補正期間において、最初から黒階調レベルで移動度補正を行うと、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧は、図１３（Ａ）に示すカーブで上昇し、時間ｔ２経過後に移動度μが完全に補正されるゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ′に到達する。

これに対して、黒階調レベルでの移動度補正に先立って、中間階調で移動度補正を行った後、黒階調レベルで再び移動度補正を行うことで、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧は、最初から黒階調レベルで移動度補正を行った場合（点線）に対して、図１３（Ｂ）に実線で示すように変化する、即ち中間階調での補正期間では点線で示すカーブよりも急峻なカーブで上昇し、黒階調レベルでの補正期間に入ると点線で示す本来のカーブで上昇することとなる。

これにより、最初から黒階調レベルで移動度補正を行ったとき場合も短い時間で、駆動ＴＦＴ３２のゲート電圧が完全に移動度μを補正するゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ′に到達できることになる。換言すれば、黒階調レベルでの移動度補正に先立って、中間階調で移動度補正を行うことで、階調レベル範囲内で一番長かった、完全に移動度補正がかかる時間ｔ２をそれよりも短い時間ｔ２′に変更できることになる。

ここでは、階調レベル範囲内における最大階調レベルである白階調と最小階調レベルである黒階調を例に挙げて説明したが、他の階調についても、白階調、黒階調の場合と同様のことが言える。

上述したように、有機ＥＬ素子３１の特性変動に対する補償機能と、駆動ＴＦＴ３２のＶｔｈ変動に対する補償機能とをより少ない構成素子数、具体的には５個のトランジスタ３２〜３６と１個のキャパシタ３７で実現したアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、駆動ＴＦＴ３２の移動度補正を行う際に、所望の信号電圧Ｖｓｉｇでの移動度補正を行うのに先立って、中間階調で移動度補正を行うことで、階調ごとに異なる、完全に移動度補正がかかる時間ｔを変更することができる。

具体的には、本来移動度μの補正動作が完了するまで、例えば、白階調では時間ｔ１、黒階調では時間ｔ２がそれぞれかかっていたのを、一度中間階調で補正をかけることによって白階調では時間ｔ１よりも長い時間ｔ１′に、黒階調では時間ｔ２よりも短い時間ｔ２′に変更することができる。これにより、一定の移動度補正期間において、全階調について移動度μの画素ごとのバラツキに対して補正をかけることができるために、移動度μの画素ごとのバラツキに起因するスジやムラの無い均一な画質を得ることができる。

また、中間階調で移動度補正を行う時間、即ち図１２（Ｂ）、図１３（Ｂ）における時間Ｔの設定によって、時間ｔ１から時間ｔ１′へ、時間ｔ２から時間ｔ２′へ変更できる時間幅を調整できるために、当該時間幅を調整することによってより良好な移動度補正を行うことができ、その結果、スジやムラの無いより均一な画質を得ることができる。

なお、本実施形態では、データ線１７に対してデータ線駆動回路２２から中間階調レベルを供給するとしたが、データ線１７にプリチャージスイッチを接続し、当該プリチャージスイッチを介して選択的に中間階調レベルをデータ線１７に供給する構成を採ることも可能である。

ところで、一般的に、画素回路１１の各トランジスタが低温ポリシリコンプロセスを用いたＴＦＴからなる表示装置では、３回書き込み方式など、１行（１ライン）の各画素に対して１水平期間に複数回に亘って信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む複数回書き込み方式が用いられている。

例えば、水平方向において隣接する３個の画素回路をＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に対応させて、当該３個の画素回路を１表示単位としたカラー表示装置では、図１４に示すように、隣り合うＲ，Ｇ，Ｂを単位として１入力、３出力のセレクタ２４を配置する。そして、データ線駆動回路２２からＲ，Ｇ，Ｂの時系列の信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂをセレクタ２４に入力する一方、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応したセレクト信号ＴＲ，ＴＧ，ＴＢによってセレクタ２４を順に選択駆動することで、１水平期間内に信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂをデータ線１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂに対して順にサンプリングする。

このように、１水平期間に複数回に亘って信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む複数回書き込み方式を採る表示装置では、図１５のタイミングチャートから明らかなように、１水平期間の終了部分に確保できる移動度補正期間として長い期間を確保できないことから、当該移動度補正期間中に信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂを変化させることができないために、１水平期間内に複数回の書き込みを行うことが困難になる。そして、書き込み回数が増えれば増えるほど、移動度補正期間の確保が難しくなる。

［第２実施形態］
そこで、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、移動度補正を２段階で行うに当たり、図１６のタイミングチャートに示すように、信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂの書き込みを行う水平期間（水平書き込み期間）の前半、具体的には当該期間の最初に中間階調での移動度補正を行い、当該水平書き込み期間の後半、具体的には当該期間の最後に信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂでの移動度補正を行うようにする。

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置においても、書き込み走査回路１８および駆動走査回路１９が特許請求の範囲における駆動手段に相当することになる。

以下に、１水平期間内における動作について、図１６のタイミングチャートを用いて説明する。

先ず、時刻ｔ１１（図１０の時刻ｔ５に相当）で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになることで、信号電圧Ｖｓｉｇ（Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂ）を書き込む書き込み期間（１水平期間）に入る。この水平書き込み期間において、データ線駆動回路２２からは信号電圧Ｖｓｉｇに先立って、中間階調レベル、例えばグレーレベルＶｇｒを出力する。

次に、時刻ｔ１２でセレクト信号ＴＲ，ＴＧ，ＴＢが“Ｈ”レベルになることで、セレクタ２４はグレーレベルＶｇｒをＲ，Ｇ，Ｂの各データ線１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂに対して共通に供給する。これにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素回路１１Ｒ，１１Ｇ，１１ＢにはグレーレベルＶｇｒが書き込まれる。

次に、時刻ｔ１３で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになり、スイッチングＴＦＴ３４がオンすることで、１回目の移動度補正、即ち中間階調での移動度補正の動作が行われる。その後、時刻ｔ１４で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、１回目の移動度補正動作が完了する。このとき、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧が有機ＥＬ素子３１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を超えなければ、有機ＥＬ素子３１に電流が流れないために、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧は一定に保たれている。

１回目の移動度補正動作の完了後、時刻ｔ１５でセレクト信号ＴＧ，ＴＢが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移する。その後、時刻ｔ１６でデータ線駆動回路２２からグレーレベルＶｇｒに代えて信号電圧Ｖｓｉｇ、即ちＲ，Ｇ，Ｂの各信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂが時系列で出力される。

そして、セレクト信号ＴＲが“Ｈ”レベルのままであることから、時刻ｔ１６で信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒがセレクタ２４によって選択されて画素回路１１Ｒに書き込まれ、時刻ｔ１７でセレクト信号ＴＧが“Ｈ”レベルになることで信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｇがセレクタ２４によって選択されて画素回路１１Ｇに書き込まれ、時刻ｔ１８でセレクト信号ＴＢが“Ｈ”レベルになることで信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｂがセレクタ２４によって選択されて画素回路１１Ｂに書き込まれる。

信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｂの書き込みが終了した後、時刻ｔ１９で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになり、スイッチングＴＦＴ３４がオンすることで、２回目の移動度補正、即ち信号電圧Ｖｓｉｇでの移動度補正の動作が行われる。このとき、駆動ＴＦＴ３２に流れる電流は、当該駆動ＴＦＴ３２のキャリアの移動度μを反映したものとなる。これにより、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、移動度μを反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度μを補正する電圧値Ｖｇｓ′となる。

その後、時刻ｔ２０（図１０の時刻ｔ７に相当）で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、サンプリングＴＦＴ３３がオフすることで、信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間が終了し、同時に、スイッチングＴＦＴ３４がオン状態のままであるために発光期間に入る。このとき、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるので、駆動ＴＦＴ３２は一定電流Ｉｄｓ”を有機ＥＬ素子３１に供給する。その結果、有機ＥＬ素子３１は発光動作を開始する。

上述したように、移動度補正を２段階で行うに当たり、信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂの書き込みを行う１水平期間の最初に中間階調での移動度補正を行い、当該水平書き込み期間の最後に信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂでの移動度補正を行うことで、第１実施形態の場合のように、１水平期間の終了部分で信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂを変化させる必要がないために、１水平期間に複数回に亘って信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む複数回書き込み方式を採る表示装置においても、一定の移動度補正動作時間で全階調について移動度μの画素ごとのバラツキに対して補正をかけることができる。

（第２実施形態の応用例）
なお、本実施形態では、データ線１７に対してデータ線駆動回路２２からセレクタ２４を介して中間階調レベルを供給するとしたが、図１７に示すように、データ線１７の例えばデータ線駆動回路２２と反対側の端部にプリチャージスイッチ２５を接続し、当該プリチャージスイッチ２５を介して選択的に中間階調レベルをデータ線１７に供給する構成を採ることも可能である。この場合、図１８に示すように、水平書き込み期間の前半でアクティブとなるプリチャージ信号Ｔｐによってプリチャージスイッチ２５をオン／オフ制御することになる。

このように、プリチャージスイッチ２５を用いて中間階調レベルを供給する構成を採ることで、セレクタ２４では中間階調レベルを書き込むための動作を行う必要がなくなるために、信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂの書き込み時間マージンを増加させることができるとともに、セレクタ２４での消費電力を抑えることができるという利点がある。

［第３実施形態］
第３実施形態では、第２実施形態と同様に、１水平期間に複数回に亘って信号電圧Ｖｓｉｇを書き込む複数回書き込み方式を採る表示装置においても、一定の移動度補正動作時間で全階調について移動度補正を実現するために、移動度補正を２段階で行うに当たり、図１９に示すような駆動タイミングを採っている。

すなわち、所定の電位Ｖｏｆｓを供給する電源線（以下、「Ｖｏｆｓ線」と記述する）の電位（第３の電源電位）を、所定の電位Ｖｏｆｓと、中間階調レベルに対応した電位Ｖｇｒ（以下、「中間階調電位Ｖｇｒ」と記述する）の２値を選択的にとり得るようにし、スイッチングＴＦＴ３５のオン状態において、閾値キャンセル動作後にＶｏｆｓ線の電位を所定の電位Ｖｏｆｓから中間階調電位Ｖｇｒに切り替えることによって１回目の移動度補正を行い、水平書き込み期間の最後に２回目の移動度補正を行うようにする。

ここで、Ｖｏｆｓ線の電位の切り替えは、当該Ｖｏｆｓ線に電源電圧を供給する電源供給回路（図示せず）にて行われることになる。そして、２段階での移動度補正動作は、サンプリングＴＦＴ３３をオン／オフ駆動する書き込み走査回路１８、スイッチングＴＦＴ３４をオン／オフ駆動する駆動走査回路１９、スイッチングＴＦＴ３５をオン／オフ駆動する第１オートゼロ回路２０の制御の下に実行される。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、書き込み走査回路１８、駆動走査回路１９、第１オートゼロ回路２０および上記電源供給回路が特許請求の範囲における駆動手段に相当することになる。

以下に、第３実施形態に係る移動度補間動作について、図１９のタイミングチャートを用いて説明する。なお、閾値キャンセル動作までは第１実施形態と同じであり重複するので、ここではその説明を省略する。また、図１９において、時刻ｔ１〜ｔ７は、図１０における時刻ｔ１〜ｔ７に対応している。

時刻ｔ２１でＶｏｆｓ線の電位が所定の電位Ｖｏｆｓから中間階調電位Ｖｇｒに切り替わることで、閾値キャンセル動作が終了し、１回目の移動度補正動作に入る。すなわち、Ｖｏｆｓ線の電位が中間階調電位Ｖｇｒに切り替わることで、当該中間階調電位ＶｇｒがスイッチングＴＦＴ３５を介して駆動ＴＦＴ３２のゲートに書き込まれ、中間階調での移動度補正が行われる。

次に、時刻ｔ３で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、１回目の移動度補正動作が完了する。このとき、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧が有機ＥＬ素子３１の閾値電圧Ｖｔｈｅｌとカソード電圧Ｖｃａｔの和を超えなければ、有機ＥＬ素子３１に電流が流れないために、駆動ＴＦＴ３２のソース電圧は一定に保たれている。その後、時刻ｔ４でオートゼロ信号ＡＺ１が“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、時刻ｔ２２でＶｏｆｓ線の電位が中間階調電位Ｖｇｒから所定の電位Ｖｏｆｓに切り替わる。

次に、時刻ｔ５で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになることで、サンプリングＴＦＴ３３がオン状態となり、信号電圧Ｖｓｉｇの水平書き込み期間に入る。この水平書き込み期間では、例えば先述した３回書き込み方式を採る場合は、１水平期間においてＲ，Ｇ，Ｂの各信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂが順に書き込まれる。

そして、駆動ＴＦＴ３２のゲートに所望の信号電圧Ｖｓｉｇが書き込まれた後、水平書き込み期間の後半の時刻ｔ６で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになることで、２回目の移動度補正動作、即ち所望の信号電圧Ｖｓｉｇでの移動度補正動作が行われる。このとき、駆動ＴＦＴ３２に流れる電流は、当該駆動ＴＦＴ３２のキャリアの移動度μを反映したものとなる。これにより、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、移動度μを反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度μを補正する電圧値Ｖｇｓ′となる。

その後、時刻ｔ７で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移し、サンプリングＴＦＴ３３がオフすることで、信号電圧Ｖｓｉｇの書き込み期間が終了し、同時に、スイッチングＴＦＴ３４がオン状態のままであるために発光期間に入る。このとき、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが一定であるので、駆動ＴＦＴ３２は一定電流Ｉｄｓ”を有機ＥＬ素子３１に供給する。その結果、有機ＥＬ素子３１は発光動作を開始する。

上述したように、移動度補正を２段階で行うに当たり、Ｖｏｆｓ線の電位を、所定の電位Ｖｏｆｓと中間階調電位Ｖｇｒとに切り替え可能とし、閾値キャンセル動作後にＶｏｆｓ線の電位を中間階調電位Ｖｇｒに切り替えることによって１回目の移動度補正を行い、水平書き込み期間の最後に２回目の移動度補正を行うことで、複数回書き込み方式を採る表示装置においても、一定の移動度補正動作時間で全階調について移動度μの画素ごとのバラツキに対して補正をかけることができる。

また、１水平期間内に移動度補正は１回しか行わないために、信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂの書き込み時間マージンを増加させることができ、さらにセレクタ２４では中間階調レベルを書き込むための動作を行う必要がなくなるために、セレクタ２４での消費電力を抑えることができる。

（第３実施形態の応用例）
なお、本実施形態では、閾値キャンセル動作後にＶｏｆｓ線の電位を中間階調電位Ｖｇｒに切り替えることで１回目の移動度補正を行うとしたが、第２実施形態の応用例（図１７参照）と同様に、データ線１７の例えばデータ線駆動回路２２と反対側の端部にプリチャージスイッチ２５を接続し、当該プリチャージスイッチ２５を介して選択的に中間階調レベルをデータ線１７に供給する構成を採ることも可能である。

この応用例に係る移動度補正動作について、図２０のタイミングチャートを用いて説明する。なお、閾値キャンセル動作までは第１実施形態と同じであり重複するので、ここではその説明を省略する。また、図２０において、時刻ｔ１〜ｔ７は、図１０における時刻ｔ１〜ｔ７に対応している。

時刻ｔ３で閾値キャンセル動作が終了し、時刻ｔ４でオートゼロ信号ＡＺ１が“Ｌ”レベルになった後、時刻ｔ３１で書き込み信号ＷＳおよびプリチャージ信号Ｔｐが“Ｈ”レベルになる。これにより、中間階調電位（中間階調レベルに対応した電位）Ｖｇｒがプリチャージスイッチ２５を介してデータ線１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂに、さらにサンプリングＴＦＴ３３を介して駆動ＴＦＴ３２のゲートに書き込まれる。

次に、時刻ｔ３２で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになり、スイッチングＴＦＴ３４がオンすることで、１回目の移動度補正、即ち中間階調での移動度補正が行われる。そして、時刻ｔ３３で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移することで、１回目の移動度補正動作が完了する。

１回目の移動度補正動作が完了した後、時刻ｔ３４で書き込み信号ＷＳおよびプリチャージ信号Ｔｐが“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに遷移する。その後、時刻ｔ５で書き込み信号ＷＳが“Ｈ”レベルになることで、サンプリングＴＦＴ３３がオン状態となり、信号電圧Ｖｓｉｇの水平書き込み期間に入る。この水平書き込み期間では、例えば先述した３回書き込み方式を採る場合は、１水平期間においてＲ，Ｇ，Ｂの各信号電圧Ｖｓｉｇ＿Ｒ，Ｖｓｉｇ＿Ｇ，Ｖｓｉｇ＿Ｂが順に書き込まれる。

そして、駆動ＴＦＴ３２のゲートに所望の信号電圧Ｖｓｉｇが書き込まれた後、水平書き込み期間の後半の時刻ｔ６で駆動信号ＤＳが“Ｈ”レベルになることで、２回目の移動度補正動作、即ち所望の信号電圧Ｖｓｉｇでの移動度補正動作が行われる。このとき、駆動ＴＦＴ３２に流れる電流は、当該駆動ＴＦＴ３２のキャリアの移動度μを反映したものとなる。これにより、駆動ＴＦＴ３２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、移動度μを反映して小さくなり、一定時間経過後に完全に移動度μを補正する電圧値Ｖｇｓ′となる。

このように、移動度補正を２段階で行うに当たり、データ線１７にプリチャージスイッチ２５を接続し、閾値キャンセル動作後にプリチャージスイッチ２５を介してデータ線１７に中間階調レベルを選択的に供給することによって１回目の移動度補正を行い、水平書き込み期間の最後に２回目の移動度補正を行うことで、第３実施形態と同様の作用効果を得ることができることに加えて、Ｖｏｆｓ線を持たない画素回路を有する表示装置においても、２段階での移動度補正を行うことができる。

なお、上記各実施形態では、画素回路１１の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではなく、電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の発光素子を用いた表示装置全般に適用可能である。

また、上記実施形態においては、画素回路１１を構成する駆動トランジスタ３２、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４〜３６としてＮチャネル型のＴＦＴを用いた場合を例に挙げて説明したが、サンプリングトランジスタ３３およびスイッチングトランジスタ３４〜３６については、必ずしもＮチャネル型のＴＦＴである必要はない。

本発明の参考例に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。 参考例に係る画素回路の回路動作を説明するためのタイミングチャートである。 参考例に係る画素回路の動作説明図（その１）である。 参考例に係る画素回路の動作説明図（その２）である。 参考例に係る画素回路の動作説明図（その３）である。 参考例に係る画素回路の動作説明図（その４）である。 参考例に係る画素回路の動作説明図（その５）である。 参考例に係る画素回路の動作説明図（その６）である。 参考例に係る画素回路の動作説明に供する特性図である。 本発明の第１実施形態に係る駆動タイミングを示すタイミングチャートである。 駆動ＴＦＴの移動度とソース電圧との関係を示す図である。 白階調での中間階調補正有りの場合（Ａ）と無しの場合（Ｂ）の駆動ＴＦＴのゲート電圧、ソース電圧の変化を示す図である。 黒階調での中間階調補正有りの場合（Ａ）と無しの場合（Ｂ）の駆動ＴＦＴのゲート電圧、ソース電圧の変化を示す図である。 ３回書き込み方式を採る表示装置の要部の構成例を示す回路図である。 ３回書き込み方式を採る表示装置の動作説明のためのタイミングチャートである。 本発明の第２実施形態に係る駆動タイミングを示すタイミングチャートである。 第２実施形態の応用例に係る表示装置の要部の構成を示す回路図である。 応用例に係る表示装置の動作説明のためのタイミングチャートである。 本発明の第３実施形態に係る駆動タイミングを示すタイミングチャートである。 第３実施形態の応用例に係る駆動タイミングを示すタイミングチャートである。 従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置および当該表示装置に用いられる画素回路の構成を示す回路図である。 従来例に係る画素回路の回路動作を説明するためのタイミングチャートである。

符号の説明

１１…画素回路、１２…画素アレイ部、１３…走査線、１４…駆動線、１５…第１オートゼロ線、１６…第２オートゼロ線、１７…データ線、１８…書き込み走査回路、１９…駆動走査回路、２０…第１オートゼロ回路、２１…第２オートゼロ回路、２２…データ線駆動回路、２４…セレクタ、２５…プリチャージスイッチ、３１…有機ＥＬ素子、３２…駆動ＴＦＴ、３３…サンプリングＴＦＴ、３４〜３６…スイッチングＴＦＴ、３７…キャパシタ

Claims (8)

1. 一端が第１の電源電位に接続された電気光学素子と、
   前記電気光学素子の他端にソースが接続されたＮチャネル型の薄膜トランジスタからなる駆動トランジスタと、
   データ線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続され、前記データ線から輝度情報に応じた入力信号を取り込むサンプリングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのドレインと第２の電源電位との間に接続された第１スイッチングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのゲートと第３の電源電位との間に接続された第２スイッチングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのソースと第４の電源電位との間に接続された第３スイッチングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続されたキャパシタと
   を有する画素回路が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
   前記第１スイッチングトランジスタの導通状態において前記駆動トランジスタのゲートに中間階調レベルを書き込んで当該駆動トランジスタの移動度のバラツキを補正する第１の移動度補正動作と、当該第１の移動度補正動作後に前記第１スイッチングトランジスタの導通状態において前記駆動トランジスタのゲートに前記入力信号を書き込んで当該駆動トランジスタの移動度のバラツキを補正する第２の移動度補正動作とを実行する駆動手段と
   を具備することを特徴とする表示装置。
2. 前記駆動手段は、前記中間階調レベルを書き込む時間を調整可能である
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
3. 選択行の各画素回路に対して１水平期間に複数回に亘って前記入力信号の書き込みを行う
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
4. 前記駆動手段は、前記サンプリングトランジスタが導通状態となる水平書き込み期間の前半で前記第１の移動度補正動作を実行し、前記水平書き込み期間の後半で前記第２の移動度補正動作を実行する
   ことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
5. 前記中間階調レベルは、前記データ線を通して書き込まれる
   ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
6. 前記データ線に接続されたプリチャージスイッチを有し、
   前記中間階調レベルは、前記プリチャージスイッチによって前記データ線に供給される
   ことを特徴とする請求項５記載の表示装置。
7. 前記第３の電源電位は、所定の電位と前記中間階調レベルに対応した電位との２値を選択的にとり、
   前記駆動手段は、前記第１の移動度補正動作では前記第２スイッチングトランジスタの導通状態において前記第３の電源電位を前記中間階調レベルに対応した電位に切り替えることによって当該電位を前記駆動トランジスタのゲートに書き込む
   ことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
8. 一端が第１の電源電位に接続された電気光学素子と、
   前記電気光学素子の他端にソースが接続されたＮチャネル型の薄膜トランジスタからなる駆動トランジスタと、
   データ線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に接続され、前記データ線から輝度情報に応じた入力信号を取り込むサンプリングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのドレインと第２の電源電位との間に接続された第１スイッチングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのゲートと第３の電源電位との間に接続された第２スイッチングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのソースと第４の電源電位との間に接続された第３スイッチングトランジスタと、
   前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続されたキャパシタと
   を有する画素回路が行列状に配置されてなる表示装置の駆動方法であって、
   先ず前記第１スイッチングトランジスタの導通状態において前記駆動トランジスタのゲートに中間階調レベルを書き込んで当該駆動トランジスタの移動度のバラツキを補正する第１の移動度補正動作を実行し、
   次いで前記第１スイッチングトランジスタの導通状態において前記駆動トランジスタのゲートに前記入力信号を書き込んで当該駆動トランジスタの移動度のバラツキを補正する第２の移動度補正動作を実行する
   ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
   

Images